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irf3205

器件型号:IRF3205
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
厂商官网:http://www.thinkisemi.com/
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器件描述

POWER, FET

POWER, 场效应晶体管

参数
IRF3205状态 ACTIVE
IRF3205晶体管类型 通用电源

irf3205器件文档内容

     IRF3205                                                                                             

                                      IRF3205                                                      Pb

Pb Free Plating Product

                                      N-Channel Trench Process Power MOSFET Transistor

General Description                                                              G DS  Schematic Diagram
                                                           TO-220CB Top View
The IRF3205 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications. Rugged                            VDS = 55 V
EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM,                             ID = 105 A
load switching .
                                                                                RDS(ON) = 5.0 m
Features

VDS=55V; ID=105A@ VGS=10V;
    RDS(ON)<6.0m @ VGS=10V

Ultra Low On-Resistance
High UIS and UIS 100% Test

Application

Hard Switched and High Frequency Circuits
Uninterruptible Power Supply
Inverter Application

Table 1. Absolute Maximum Ratings (TA=25)

Symbol                                Parameter                                          Value     Unit

VDS          Drain-Source Voltage (VGS=0V)                                                  55       V
                                                                                          25        V
VGS          Gate-Source Voltage (VDS=0V)                                                  105       A
                                                                                           100       A
ID (DC)     Drain Current (DC) at Tc=25                                                   420       A
ID (DC)     Drain Current (DC) at Tc=100                                                          V/ns
IDM (pluse)  Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)                              30      W
                                                                                           139     W/
dv/dt        Peak Diode Recovery Voltage                                                  0.926     mJ
                                                                                           625      
PD           Maximum Power Dissipation(Tc=25)                                          -55 To 175

             Derating Factor

EAS          Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)

TJ,TSTG      Operating Junction and Storage Temperature Range

Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
        2.EAS condition:TJ=25,VDD=40V,VBGB=10V,RG=25

Rev.05                                                                                                         Page 1/5
2013 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.                                                   http://www.thinkisemi.com/
         IRF3205                                                                                                           

Table 2. Thermal Characteristic            Parameter                                Value     Unit
     Symbol
                                                                                     1.08     /W
    RJC          Thermal Resistance,Junction-to-Case

Table 3. Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)

Symbol                   Parameter                    Conditions                Min Typ Max Unit

On/Off States

BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage                  VGS=0V ID=250A            55            V

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25)       VDS=55V,VGS=0V                       1  A

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125)      VDS=55V,VGS=0V                       1  A

IGSS     Gate-Body Leakage Current                    VGS=20V,VDS=0V                      100 nA
                                                      VDS=VGS,ID=250A
VGS(th) Gate Threshold Voltage                        VGS=10V, ID=40A           2          4  V

RDS(ON) Drain-Source On-State Resistance               VDS=25V,ID=40A               5.0 6.0 m

Dynamic Characteristics                               VDS=25V,VGS=0V,
                                                            f=1.0MHz
gFS      Forward Transconductance                                               25            S
                                                       VDS=30V,ID=30A,
Ciss     Input Capacitance                                  VGS=10V                 5905      PF

Coss     Output Capacitance                                                         905       PF

Crss     Reverse Transfer Capacitance                                               548       PF

Qg       Total Gate Charge                                                          94        nC

Qgs      Gate-Source Charge                                                         18        nC

Qgd      Gate-Drain Charge                                                          25        nC

Switching Times

td(on)   Turn-on Delay Time                                                         15        nS

tr       Turn-on Rise Time                            VDD=30V,ID=2A,RL=15           18        nS
                                                         VGS=10V,RG=2.5
td(off)  Turn-Off Delay Time                                                        31        nS

tf       Turn-Off Fall Time                                                         38        nS

Source-Drain Diode Characteristics

ISD      Source-drain Current(Body Diode)                                           105       A

ISDM     Pulsed Source-Drain Current(Body Diode)                                    420       A

VSD      Forward On Voltage(Note 1)                   TJ=25,ISD=40A,VGS=0V          0.87 0.95 V

trr      Reverse Recovery Time(Note 1)                       TJ=25,IF=75A           56        nS
                                                              di/dt=100A/s
Qrr      Reverse Recovery Charge(Note 1)                                            113       nC

ton      Forward Turn-on Time                         Intrinsic turn-on time is negligible(turn-on is dominated by LS+LD)

Notes 1.Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  1.5%, RG=25, Starting TJ=25

Rev.05                                                                                                      Page 2/5
2013 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.                                                http://www.thinkisemi.com/
         IRF3205                                                

Test Circuit                                                  Page 3/5
                                      http://www.thinkisemi.com/
       1) EAS Test Circuits

       2) Gate Charge Test Circuit:

       3) Switch Time Test Circuit

Rev.05
2013 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
                             IRF3205                                                                                          

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS (Curves)

                             Figure1. Output Characteristics                              Figure2. Transfer Characteristics

ID-Drain Current (A)                                            ID-Drain Current (A)

                                  VDS Drain-Source Voltage (V)                                   VGS Gate-Source Voltage (V)
                             Figure3. Rdson Vs Drain Current                              Figure4. Rdson Vs Junction

RDS(ON) On-Resistance (m)                                       Normalized On-Resistance

                      ID- Drain Current (A)VGS Gate-Source Voltage (V)                        TJ-Junction Temperature()
                Figure5. Gate Charge                                                      Figure6. Source- Drain Diode Forward

            10                                                                                VSD Source-Drain Voltage (V)
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Rev.05
2013 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
                                                     IRF3205                                                                                          

                    7000                             Figure7. Capacitance vs Vds                                       Figure8. Safe Operation Area
                    6000                                               Ciss
                    5000                                                                                                VDS Drain-Source Voltage (V)
C Capacitance (pF)  4000                                                              ID-Drain Current (A)  Figure10. VGS(th) vs Junction Temperature

                    3000

                    2000

                    1000                                      Coss

                                                     Crss

                    00                                     5        10  15  20    25

                                 VDS Drain-Source Voltage (V)
                          Figure9. BVDSS vs Junction Temperature

Normalized BVDSS

                                                     TJ-Junction Temperature()                              TJ-Junction Temperature()

                                                                    Figure11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

                    R(t), Normalized Effective
                        Transient Thermal Impedance

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