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IRF2N60-220

器件型号:IRF2N60-220
厂商名称:Suntac
厂商官网:http://suntac-semi.myweb.hinet.net/
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器件描述

POWER MOSFET

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IRF2N60-220器件文档内容

                                                                                                                                                                                 IRF2N60

                                                                                                                                                                          POWER MOSFET

GENERAL DESCRIPTION                                        FEATURES

This high voltage MOSFET uses an advanced termination         Robust High Voltage Termination
                                                              Avalanche Energy Specified
scheme to provide enhanced voltage-blocking capability        Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a
                                                              Discrete Fast Recovery Diode
without degrading performance over time. In addition, this    Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
                                                              IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
advanced MOSFET is designed to withstand high energy in

avalanche and commutation modes. The new energy            

efficient design also offers a drain-to-source diode with a

fast recovery time. Designed for high voltage, high speed

switching applications in power supplies, converters and

PWM motor controls, these devices are particularly well

suited for bridge circuits where diode speed and

commutating safe operating areas are critical and offer

additional and safety margin against unexpected voltage

transients.

PIN CONFIGURATION                                                                                                                                               SYMBOL

TO-220/TO-220FP      TO-252                                     TO-251                                                                                                 N-Channel MOSFET
    Front View     Front View                                 Front View
                                                                                                                                                                                    D

             GATE
                     DRAIN
                             SOURCE

                                                                       GATE
                                                                               DRAIN
                                                                                       SOURCE
                                                                                                                                        GATE
                                                                                                                                                DRAIN
                                                                                                                                                        SOURCE

                                                                                                                                                                          G

                   12 3                                       12 3

             12 3                                                                                                                                                                     S

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                                                    Rating                                                                                                      Symbol      Value        Unit
Drain to Current  Continuous                                                                                                                                        ID        2.0          A
                                                                                                                                                                   IDM        9.0          V
                       Pulsed                                                                                                                                     VGS         20          V
Gate-to-Source Voltage  Continue                                                                                                                                              40         W
                                                                                                                                                                  VGSM
                                  Non-repetitive                                                                                                                   PD          60         
Total Power Dissipation                                                                                                                                                        60         mJ
                                                                                                                                                                TJ, TSTG       32        /W
    TO-251/TO-252                                                                                                                                                  EAS    -55 to 150      
    TO-220                                                                                                                                                                     20
    TO-220FP                                                                                                                                                       JC
Operating and Storage Temperature Range                                                                                                                            JA         1.0
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy  TJ = 25                                                                                                             TL        62.5
(VDD = 100V, VGS = 10V, IL = 2A, L = 10mH, RG = 25)                                                                                                                           260
Thermal Resistance  Junction to Case

                             Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8" from case for 10 seconds

                                                                                                                                                                                      Page 1
!                                                                                                   IRF2N60

                                                                                              POWER MOSFET

ORDERING INFORMATION

   Part Number                                  Package

   IRF2N60-251..........................................TO-251

.................IRF2N60-252..........................................TO-252

.................IRF2N60-220..........................................TO-220

.................IRF2N60-220FP                  TO-220 Full Package

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Unless otherwise specified, TJ = 25.

                                                                                              IRF2N60

                                Characteristic                                Symbol     Min  Typ      Max  Units
                                                                              V(BR)DSS                        V
Drain-Source Breakdown Voltage                                                           600
                                                                                 IDSS                        mA
(VGS = 0 V, ID = 250 A)
                                                                                IGSSF                        nA
Drain-Source Leakage Current
                                                                                IGSSR                        nA
(VDS = 600 V, VGS = 0 V)                                                                               0.1
(VDS = 480 V, VGS = 0 V, TJ = 125)                                             VGS(th)                 1.0    V
                                                                                                       100
Gate-Source Leakage Current-Forward                                            RDS(on)                        
                                                                                 gFS                        mhos
(Vgsf = 20 V, VDS = 0 V)                                                         Ciss
                                                                                Coss                          pF
Gate-Source Leakage Current-Reverse                                              Crss                  100    pF
                                                                                td(on)                        pF
(Vgsr = 20 V, VDS = 0 V)                                                          tr                          ns
                                                                                td(off)                       ns
Gate Threshold Voltage                                                            tf     2.0           4.0    ns
                                                                                 Qg                           ns
(VDS = VGS, ID = 250 A)                                                          Qgs                         nC
                                                                                 Qgd                         nC
Static Drain-Source On-Resistance (VGS = 10 V, ID = 1.2A) *                      LD                    4.4   nC
Forward Transconductance (VDS  50 V, ID = 1.0A) *                                                            nH
                                                                                 LS      1.4
                                                                                                             nH
Input Capacitance                    (VDS = 25 V, VGS = 0 V,                                  435
Output Capacitance                          f = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance                                                                  56

                                                                                              9.2

Turn-On Delay Time                   (VDD = 300 V, ID = 2.0 A,                                12
Rise Time                                    VGS = 10 V,
Turn-Off Delay Time                          RG = 18) *                                       21
Fall Time
                                                                                              30

                                                                                              24

Total Gate Charge                    (VDS = 400 V, ID = 2.0 A,                                13       22
Gate-Source Charge                          VGS = 10 V)*
Gate-Drain Charge                                                                             2.0

                                                                                              6.0

Internal Drain Inductance                                                                     4.5

(Measured from the drain lead 0.25" from package to center of die)

Internal Drain Inductance                                                                     7.5

(Measured from the source lead 0.25" from package to source bond pad)

SOURCE-DRAIN DIODE CHARACTERISTICS

Forward On-Voltage(1)                           (IS = 2.0 A, VGS = 0 V,       VSD                      1.5  V
Forward Turn-On Time                               dIS/dt = 100A/s)
Reverse Recovery Time                                                         ton             **            ns

                                                                              trr             340           ns

   * Pulse Test: Pulse Width 300s, Duty Cycle 2%
   ** Negligible, Dominated by circuit inductance

                                                                                                            Page 2
!                                          IRF2N60

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS  POWER MOSFET

                                    Page 3
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