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IPI47N10SL26AKSA1

器件型号:IPI47N10SL26AKSA1
器件类别:分立半导体    晶体管   
厂商名称:Infineon
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

MOSFET N-CHANNEL_100+

参数
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)400 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)47 A
最大漏源导通电阻0.04 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)188 A
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

IPI47N10SL26AKSA1器件文档内容

                                                                               IPI47N10SL-26

                                                             IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26

SIPMOS=Power-Transistor                                              Product Summary

Feature

 N-Channel                                                           VDS          100          V

 Enhancement mode                                                    RDS(on)      26           m

 Logic Level                                                         ID           47           A

175°C operating temperature        P-TO262-3-1         P-TO263-3-2           P-TO220-3-1

 Avalanche rated

 dv/dt rated

• Green package (lead free)

Type                  Package            Ordering Code       Marking

IPP47N10SL-26         PG-TO220-3-1       SP0002-25707        N10L26

IPB47N10SL-26         PG-TO263-3-2       SP0002-25701        N10L26

IPI47N10SL-26         PG-TO262-3-1       SP0002-25704        N10L26

Maximum Ratings,at    Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter                                         Symbol              Value                 Unit

Continuous drain current                          ID                                        A

TC=25°C                                                                   47

TC=100°C                                                                  33

Pulsed drain current                              ID puls                 188

TC=25°C

Avalanche energy, single pulse                    EAS                     400               mJ

 ID=47 A , VDD=25V, RGS=25

Avalanche energy, periodic limited   by  Tjmax    EAR                 17.5

Reverse diode dv/dt                               dv/dt                   6                 kV/µs

IS=47A, VDS=0V, di/dt=200A/µs

Gate source voltage                               VGS                 ±20                   V

Power dissipation                                 Ptot                    175               W

TC=25°C

Operating and storage temperature                 Tj , Tstg           -55... +175           °C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1                                   55/175/56

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                                                                                          IPI47N10SL-26

                                                                      IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26

Thermal Characteristics

Parameter                                                    Symbol               Values           Unit

                                                                       min.       typ.    max.

Characteristics

Thermal resistance, junction -   case                        RthJC     -          -       0.85     K/W

Thermal resistance, junction -   ambient,       leaded       RthJA     -          -       62

SMD version, device on PCB:                                  RthJA

@ min. footprint                                                       -          -       62

@ 6 cm2 cooling area 1)                                                -          -       40

Electrical Characteristics, at Tj =    25       °C,  unless  otherwise specified

Parameter                                                    Symbol               Values           Unit

                                                                       min.       typ.    max.

Static Characteristics

Drain-source breakdown voltage                               V(BR)DSS  100        -       -        V

VGS=0V, ID=2mA

Gate threshold voltage, VGS = VDS                            VGS(th)   1.2        1.6     2

ID = 2 mA

Zero gate voltage drain current                              IDSS                                  µA

VDS=100V, VGS=0V, Tj=25°C                                              -          0.1     1

VDS=100V, VGS=0V, Tj=150°C                                             -          -       100

Gate-source leakage current                                  IGSS      -          10      100      nA

VGS=20V, VDS=0V

Drain-source on-state resistance                             RDS(on)   -          25      40       m

VGS=4.5V, ID=33A

Drain-source on-state resistance                             RDS(on)   -          18      26

VGS=10V, ID=33A

1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm² (one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical without blown air.

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                                                                                   IPI47N10SL-26

                                                               IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26

Electrical Characteristics, at  Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter                       Symbol             Conditions                 Values        Unit

                                                                        min.  typ.    max.

Dynamic Characteristics

Transconductance                gfs          VDS  2*ID *RDS(on)max  ,  18    36      -     S

                                            ID =33A

Input capacitance               Ciss        VGS=0V, VDS=25V,            -     2000    2500  pF

Output capacitance              Coss        f=1MHz                      -     375     470

Reverse transfer capacitance    Crss                                    -     210     265

Turn-on delay time              td(on)      VDD=50V, VGS=4.5V,          -     50      75    ns

Rise time                       tr          ID=47A, RG=2               -     100     150

Turn-off delay time             td(off)                                 -     50      75

Fall time                       tf                                      -     70      105

Gate Charge Characteristics

Gate to source charge           Qgs         VDD=80V, ID=47A             -     8       12    nC

Gate to drain charge            Qgd                                     -     16      24

Gate charge total               Qg          VDD=80V, ID=47A,            -     90      135

                                            VGS=0 to 10V

Gate plateau voltage            V(plateau)  VDD=80V, ID=47A             -     3.38    -     V

Reverse Diode

Inverse diode continuous        IS          TC=25°C                     -     -       47    A

forward current

Inverse diode direct current,   ISM                                     -     -       188

pulsed

Inverse diode forward voltage   VSD         VGS=0V, IF=94A              -     1.1     1.5   V

Reverse recovery time           trr         VR=50V, IF=lS,              -     80      120   ns

Reverse recovery charge         Qrr         diF/dt=100A/µs              -     340     510   nC

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                                                                                                                              IPI47N10SL-26

                                                                                              IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26

1 Power dissipation                                                       2 Drain current

Ptot = f (TC)                                                             ID = f (TC)

                                                                           parameter: VGS            10 V

      190     SPP47N10L                                                          55       SPP47N10L

      W                                                                          A

      160                                                                        45

      140                                                                        40

Ptot  120                                                                 ID     35

      100                                                                        30

      80                                                                         25

                                                                                 20

      60

                                                                                 15

      40                                                                         10

      20                                                                              5

          00      20  40      60    80  100   120  140   160 °C    190                00      20  40  60        80     100  120  140    160 °C 190

                                                               TC                                                                       TC

3 Safe operating area                                                     4 Transient thermal impedance

ID = f ( VDS )                                                            ZthJC = f (tp)

parameter : D = 0 , TC = 25                   °C                          parameter : D = tp/T

      10 3    SPP47N10L                                                          10 1     SPP47N10L

                                                                                 K/W

      A

                                                   tp = 7.1µs                    10 0

                                                        10 µs

      10 2                                                                ZthJC

ID                                                                               10   -1

                              / ID

                         = VD S                         100 µs                                                                   D = 0.50

                      DS(on)                                                     10   -2                                                0.20

      10 1        R                                                                                                                     0.10

                                                                                                                                        0.05

                                                        1 ms                          -3                                                0.02

                                                                                 10

                                                                                                                                        0.01

                                                        10 ms                                     single pulse

                                              DC

      10  0                                                                      10   -4

          10  -1         10 0           10 1       10 2         V   10 3              10  -7  10 -6   10 -5     10 -4  10 -3     10 -2  s     10 0

                                                               VDS                                                                      tp

                                                                    Page  4                                                      2006-02-14
                                                                                                                                                   IPI47N10SL-26

                                                                                                        IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26

5 Typ. output characteristic                                                        6 Typ. drain-source on resistance

ID = f (VDS);   Tj=25°C                                                             RDS(on) = f (ID)

parameter: tp = 80 µs                                                               parameter: VGS

    120    SPP47N10L                                                                         130     SPP47N10L

           Ptot = 175W                                                                       m

    A                                                                                                           b                c              d            e

                                                            VGS   [V]                        110

    100                       l  kj i h  g       f             a        2.5

                                                               b        3.0                  100

    90                                                         c        3.5         RDS(on)

    80                                                   e     d        4.0                  90

ID                                                             e        4.5                  80

    70                                                         f        5.0

                                                            dg          5.5                  70

    60                                                         h        6.0                  60

    50                                                         i        6.5

                                                         c     j        7.0                  50

    40                                                         k        8.0

                                                               l        10.0                 40

    30                                                                                       30                                                                  f

                                                            b                                                                                                    hlj  kig

    20                                                                                       20      VGS [V] =

    10                                                                                       10      b    c        d  e       f     g        h     i      j     k          l

                                                         a                                           3.0  3.5    4.0  4.5  5.0      5.5  6.0       6.5  7.0     8.0   10.0

       00       1                2            3     4             V           5.5                00  10      20       30   40       50       60       70     80       A       100

                                                                  VDS                                                                                                 ID

7 Typ. transfer characteristics                                                     8 Typ. forward transconductance

 ID= f ( VGS ); VDS             2 x ID x RDS(on)max                                gfs = f(ID); Tj=25°C

parameter: tp = 80 µs                                                               parameter: gfs

    60                                                                                       60

    A                                                                                        S

    50                                                                                       50

    45                                                                                       45

    40                                                                              gfs      40

ID

    35                                                                                       35

    30                                                                                       30

    25                                                                                       25

    20                                                                                       20

    15                                                                                       15

    10                                                                                       10

       5                                                                                         5

       00  0.5        1  1.5        2    2.5     3  3.5     4        V        5                  00       10              20             30             40         A          55

                                                                  VGS                                                                                                 ID

                                                                              Page  5                                                                   2006-02-14
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                                                                                                 IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26

9 Drain-source on-state resistance                                         10 Gate threshold voltage

RDS(on) = f (Tj)                                                           VGS(th) = f (Tj)

parameter : ID =                 33  A,  VGS   =  4.5  V                   parameter: VGS = VDS, ID = 2 mA

         170      SPP47N10L                                                                3

   m                                                                                  V

         140                                                                           2.4

RDS(on)  120                                                                  VGS(th)  2.2

                                                                                           2

         100                                                                           1.8

                                                                                       1.6

         80                                                                            1.4

                                                                                       1.2                                                      max

         60                                                                                1

                                     98%

         40                                                                            0.8                                                      typ

                                          typ                                          0.6

         20                                                                            0.4                                                      min

                                                                                       0.2

             0-60  -20           20      60    100     140  °C   200                       0-60  -20        20        60       100     140  °C   200

                                                            Tj                                                                              Tj

11 Typ. capacitances                                                       12 Forward character. of                            reverse      diode

C = f (VDS)                                                                IF = f (VSD)

parameter: VGS=0V, f=1 MHz                                                 parameter: Tj , tp = 80 µs

         10 4                                                                          10 3      SPP47N10L

                                                                                       A

         pF

                                                               Ciss                    10 2

                                                                              IF

C

         10 3

                                                                                       10  1

                                                               Coss                                              Tj   =  25 °C typ

                                                                                                                 Tj   =  175 °C typ

                                                               Crss                                              Tj   =  25 °C (98%)

                                                                                                                 Tj   =  175 °C (98%)

         10 2                                                                          10  0

               0   5         10      15   20   25   30      V    40                           0  0.4        0.8  1.2      1.6       2  2.4  V        3

                                                            VDS                                                                             VSD

                                                                     Page  6                                                           2006-02-14
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                                                                                  IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26

13 Typ. avalanche energy                                           14 Typ. gate charge

EAS = f (Tj)                                                       VGS = f        (QGate)

par.: ID = 47 A            , VDD = 25 V, RGS = 25                 parameter: ID = 47 A pulsed

           400                                                             16     SPP47N10L

           mJ                                                              V

           320

                                                                           12

EAS        280

           240                                                        VGS  10                0,2  VDS max

                                                                                                               0,8  VDS max

           200                                                                8

           160                                                                6

           120

                                                                              4

           80

           40                                                                 2

               025  45     65      85  105  125  145  °C  185                 00  20         40   60       80       100  120  nC  150

                                                      Tj                                                                      QGate

15 Drain-source                breakdown voltage

V(BR)DSS = f (Tj)

           120  SPP47N10L

           V

V (BR)DSS  114

           112

           110

           108

           106

           104

           102

           100

           98

           96

           94

           92

           90-60    -20        20      60   100  140  °C  200

                                                      Tj

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                                                                            IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26

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