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IPB042N10N3G

器件型号:IPB042N10N3G
器件类别:晶体管   
厂商名称:Infineon
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

100 A, 100 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

100 A, 100 V, 0.0042 ohm, N沟道, , POWER, 场效应管, TO-263AB

参数

IPB042N10N3G端子数量 2
IPB042N10N3G最小击穿电压 100 V
IPB042N10N3G加工封装描述 GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
IPB042N10N3G无铅 Yes
IPB042N10N3G欧盟RoHS规范 Yes
IPB042N10N3G状态 ACTIVE
IPB042N10N3G包装形状 RECTANGULAR
IPB042N10N3G包装尺寸 SMALL OUTLINE
IPB042N10N3G表面贴装 Yes
IPB042N10N3G端子形式 GULL WING
IPB042N10N3G端子涂层 NOT SPECIFIED
IPB042N10N3G端子位置 SINGLE
IPB042N10N3G包装材料 PLASTIC/EPOXY
IPB042N10N3G结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
IPB042N10N3G壳体连接 DRAIN
IPB042N10N3G元件数量 1
IPB042N10N3G晶体管应用 SWITCHING
IPB042N10N3G晶体管元件材料 SILICON
IPB042N10N3G通道类型 N-CHANNEL
IPB042N10N3G场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IPB042N10N3G操作模式 ENHANCEMENT
IPB042N10N3G晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
IPB042N10N3G最大漏电流 100 A
IPB042N10N3G额定雪崩能量 340 mJ
IPB042N10N3G最大漏极导通电阻 0.0042 ohm
IPB042N10N3G最大漏电流脉冲 400 A

文档预览

IPB042N10N3G器件文档内容

                                                                    IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
                                                                                            IPP045N10N3 G

OptiMOSTM3 Power-Transistor                                    Product Summary             100 V
                                                               V DS                        4.2 m
Features                                                       R DS(on),max (TO 263)       100 A
N-channel, normal level                                      ID
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)

175 C operating temperature

Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target application

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type               IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G                 IPP045N10N3 G

Package            PG-TO263-3            PG-TO262-3            PG-TO220-3
Marking            042N10N               045N10N               045N10N

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                          Value      Unit
                                                                                           A
Continuous drain current             ID           T C=25 C2)                     100
                                                                                  100      mJ
                                                  T C=100 C                      400      V
                                                                                  340      W
Pulsed drain current2)               I D,pulse T C=25 C                          20      C
                                                                                  214
Avalanche energy, single pulse       E AS         I D=100 A, R GS=25          -55 ... 175
                                                                              55/175/56
Gate source voltage                  V GS

Power dissipation                    P tot        T C=25 C

Operating and storage temperature T j, T stg

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

1)J-STD20 and JESD22
2) See figure 3

Rev. 2.5                                          page 1                                   2010-01-13
                                                                      IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
                                                                                              IPP045N10N3 G

Parameter                         Symbol Conditions                          Values            Unit
                                                                               typ.  max.
                                                                       min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case R thJC                             -     -       0.7 K/W

Thermal resistance,               R thJA minimal footprint             -     -       62

junction - ambient                          6 cm2 cooling area3)       -     -       50

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics

Drain-source breakdown voltage    V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA         100   -       -V

Gate threshold voltage            V GS(th) V DS=V GS, I D=150 A       2     2.7     3.5

Zero gate voltage drain current   I DSS     V DS=100 V, V GS=0 V,      -     0.1     1 A
                                            T j=25 C

                                            V DS=100 V, V GS=0 V,      -     10      100
                                            T j=125 C

Gate-source leakage current       I GSS     V GS=20 V, V DS=0 V        -     1       100 nA

Drain-source on-state resistance  R DS(on)  V GS=10 V, I D=100 A,      -     3.9     4.5 m
                                            TO 220, TO 262

                                            V GS=10 V, I D=50 A,       -     3.6     4.2

                                            TO263

                                            V GS=6 V, I D=50 A, TO     -     4.7     7.7

                                            220, TO 262

                                            V GS=6 V, I D=50 A,        -     4.4     7.4
                                            TO263

Gate resistance                   RG                                   -     1.4     -
Transconductance
                                  g fs      |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  73    145     -S
                                            I D=100 A

3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.

Rev. 2.5                                    page 2                                                           2010-01-13
                                                                             IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
                                                                                                     IPP045N10N3 G

Parameter                        Symbol Conditions                                  Values            Unit
                                                                                      typ.  max.
                                                                              min.

Dynamic characteristics          C iss                                        -     6320    8410 pF
Input capacitance                                                                   1210    1610
Output capacitance               C oss                 V GS=0 V, V DS=50 V,   -
Reverse transfer capacitance                           f =1 MHz                      41       -
Turn-on delay time                                                                   27       - ns
Rise time                        C rss                                        -      59       -
Turn-off delay time                                                                  48       -
Fall time                        t d(on)                                      -      14       -

                                 tr                    V DD=50 V, V GS=10 V,  -

                                 t d(off)              I D=50 A, R G=1.6      -

                                 tf                                           -

Gate Charge Characteristics4)    Q gs                                         -     30      39 nC
Gate to source charge
Gate to drain charge             Q gd                                         -     16      -
Switching charge
Gate charge total                Q sw                  V DD=50 V, I D=100 A,  -     27      -
Gate plateau voltage                                   V GS=0 to 10 V
Output charge
                                 Qg                                           -     88      117

                                 V plateau                                    -     4.7     -V

                                 Q oss                 V DD=50 V, V GS=0 V    -     122     162 nC

Reverse Diode                    IS                                           -     -       100 A
Diode continous forward current  I S,pulse
Diode pulse current                                    T C=25 C

Diode forward voltage                                                         -     -       400

Reverse recovery time            V SD                  V GS=0 V, I F=100 A,   -     1.0     1.2 V
Reverse recovery charge                                T j=25 C

                                 t rr                  V R=50 V, I F=I S,     -     68      - ns

                                 Q rr                  di F/dt =100 A/s      -     135     - nC

4) See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev. 2.5                                               page 3                                      2010-01-13
1 Power dissipation                                                                                             IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
P tot=f(T C)                                                                                                                             IPP045N10N3 G

                                                                                              2 Drain current
                                                                                              I D=f(T C); V GS10 V

250                                                                                             120

                                                                                            100
200

                                                                                              80
150

                                                                                              60

100
                                                                                              40

50
                                                                                              20
P tot [W]
                                                                                  I D [A]

0                                                                                               0

     0                          50            100             150        200                         0                                         50  100       150   200

                                              T C [C]                                                                                             T C [C]       2010-01-13

3 Safe operating area                                                                         4 Max. transient thermal impedance
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                                                  Z thJC=f(t p)
parameter: t p                                                                                parameter: D =t p/T

         103                                                                                           100

                         limited by on-state                       1 s                                 0.5
                         resistance                  10 s
                                              100 s
         102

                                              1 ms                                                                             0.2

I D [A]                                                                                                       10-1 0.1
                                                                                  Z thJC [K/W]
101                                                                                                                             0.05
                                                                                                                              0.02
                                                       10 ms                                                                   0.01

                                                    DC                                                                           single pulse

100                                                                                                           10-2
                                                                                              103
                     10-1       100           101             102
                          10-1                                                                page 4
                                              V DS [V]                                                                                             t p [s]
Rev. 2.5
5 Typ. output characteristics                                                              IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
I D=f(V DS); T j=25 C                                                                                              IPP045N10N3 G
parameter: V GS
                                                                         6 Typ. drain-source on resistance
400                                                                      R DS(on)=f(I D); T j=25 C
                                                                         parameter: V GS

                                                                                  9

                              10 V

                                    7.5 V                                                                              4.5 V
                                                   6V
                                                                                               6
320
                                                                                               3
I D [A]                                                                                                                                    5V
                                                                                 R DS(on) [m]
240                                                                                                                                           6V
                                                                                                                                                          7.5 V
                                            5.5 V                                                                                                                     10 V

160

                                             5V

80

                                           4.5 V

0                                                                                              0

     0                        1     2                  3           4  5                           0                           50           100                              150

                                       V DS [V]                                                                                   I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                                          8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                                    g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j
                                                                                 200
        200

                                                                                               160

                     150                                                                       120

                     100I D [A]
                                                                                 g fs [S]
                      50
                                                                                               80
                        0
                           0                             25 C                                 40
                                    175 C
Rev. 2.5
                                                                                                  0

                                 2                 4            6     8                              0                        50           100                               150

                                       V GS [V]                                                                                   I D [A]                                   2010-01-13

                                                                      page 5
9 Drain-source on-state resistance                                                               IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
R DS(on)=f(T j); I D=100 A; V GS=10 V                                                                                     IPP045N10N3 G

         10                                                                    10 Typ. gate threshold voltage
                                                                               V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
                                                                               parameter: I D

                                                                                          4

8                                                                                              3.5

6                                                                                                3

                                        98 %                                                                                                               1500 A
                                                         typ
                                                                                               2.5
4
R DS(on) [m]                                                                                                                               150 A
                                                                                 V GS(th) [V]
                                                                                                 2

                                                                                               1.5

                                                                                            1
2

                                                                                         0.5

0                                                                                              0

   -60                         -20      20  60 100 140 180                                        -60 -20       20      60 100 140 180

                                            T j [C]                                                                    T j [C]

11 Typ. capacitances                                                           12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                                                 I F=f(V SD)
                                                                               parameter: T j
         104
                                                                                        103
                                                                 Ciss

                                                      Coss                                                                 25 C                                         175 C, 98%

103                                                                                            102              175 C

C [pF]                                                                                                                     25 C, 98%
                                                                                 I F [A]

102                                         Crss                                               101

                      101                                                                      100
                            0
                                    20      40                         60  80                       0      0.5          1                                           1.5     2
Rev. 2.5
                                            V DS [V]                                                                    V SD [V]                                         2010-01-13

                                                                           page 6
13 Avalanche characteristics                                                                  IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
I AS=f(t AV); R GS=25                                                                                                  IPP045N10N3 G
parameter: T j(start)
                                                                            14 Typ. gate charge
      1000                                                                  V GS=f(Q gate); I D=100 A pulsed
                                                                            parameter: V DD

                                                                                     10

                         100                                   25 C                                 8
                          10                   100 C
          I AS [A]                                                                                                                                                        80 V
                                                                                           V GS [V]                                                           50 V
                                       150 C
                                                                                                     6

                                                                                                                                               20 V

                                                                                                     4

                                                                                                     2

                         1                                                                           0

                              1        10             100             1000                              0              20    40       60                                        80  100

                                           t AV [s]                                                                         Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                           16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

                         110

                                                                                                     V GS
                                                                                                                                  Qg

                         105

          V BR(DSS) [V]  100
                                                                                                            V g s(th)

                         95                                                                                                           Q sw                                          Q gate
                                                                                                          Q g(th)                         Q gd                                         2010-01-13

                         90                                                                                            Q gs

                              -60 -20  20      60 100 140 180

                                           T j [C]

Rev. 2.5                                                              page 7
                             IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
                                                     IPP045N10N3 G

PG-TO220-3: Outline

Rev. 2.5             page 8  2010-01-13
                    IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
                                            IPP045N10N3 G

PG-TO262-3

Rev. 2.5    page 9  2010-01-13
                             IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
                                                     IPP045N10N3 G

PG-TO-263 (D-Pak)

Rev. 2.5            page 10  2010-01-13
                   IPB042N10N3 G IPI045N10N3 G
                                           IPP045N10N3 G

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Rev. 2.5  page 11                                                                                2010-01-13
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