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HSMS-286C-TR1G

器件型号:HSMS-286C-TR1G
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:Broadcom
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器件描述

RF Detector 4 VBR 0.3 pF

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Broadcom Limited
产品种类:
Product Category:
RF Detector
RoHS:YES
类型:
Type:
Schottky Detector Diode
Frequency Range:915 MHz to 5.8 GHz
Configuration:Series Pair
工作电源电压:
Operating Supply Voltage:
350 mV
Maximum Diode Capacitance:0.25 pF
Typical Voltage Sensitivity:25 mV/uW
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 65 C
安装风格:
Mounting Style:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Package / Case:
SOT-323-3
封装:
Packaging:
Cut Tape
封装:
Packaging:
MouseReel
封装:
Packaging:
Reel
高度:
Height:
1 mm
长度:
Length:
2.25 mm
系列:
Series:
HSMS-2
宽度:
Width:
1.4 mm
商标:
Brand:
Broadcom / Avago
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
3000
Typical Tangential Sensitivity:- 55 dBm
Typical Video Resistance:5 kOhms
单位重量:
Unit Weight:
0.000176 oz

HSMS-286C-TR1G器件文档内容

HSMS-286x Series

Surface Mount Microwave Schottky Detector Diodes

Data Sheet

Description                                                               Features

Avago’s HSMS‑286x family of DC biased detector diodes                     •  Surface Mount SOT-23/SOT‑143 Packages

have been designed and optim­ized for use from 915 MHz                    •  Miniature SOT-323 and SOT‑363 Packages

to 5.8 GHz. They are ideal for RF/ID and RF Tag applications              •  High Detection Sensitivity:

as well as large signal detection, modulation, RF to DC                         up to 50 mV/µW at 915 MHz

conversion or voltage doubling.                                                 up to 35 mV/µW at 2.45 GHz

Available in various package ­conf­igurations, this family                      up to 25 mV/µW at 5.80 GHz

of detector diodes provides low cost solutions to a wide                  •  Low FIT (Failure in Time) Rate*

variety       of     design       problems.       Avago’s  manufacturing  •  Tape and Reel Options Available

techniques assure that when two or more diodes are

mounted into a single surface mount package, they                         •  Unique Configurations in Surface Mount SOT-363

are taken from adjacent sites on the wafer, assuring the                     Package

highest possible degree of match.                                            – increase flexibility

                                                                             – save board space

Pin Connections and Package Marking                                          – reduce cost

                                                                          •  HSMS-286K Grounded Center Leads Provide up to

        1               PLx                    6                             10 dB Higher Isolation

        2                                      5                          •  Matched Diodes for Consistent Performance

                                                                          •  Better Thermal Conductivity for Higher Power

        3                                      4                             Dissipation

                                                                          •  Lead-free

Notes:                                                                    *  For more information see the Surface Mount Schottky Reliability

1.  Package marking provides orientation and identification.                 Data Sheet.

2.  The first two characters are the package marking code.

    The third character is the date code.                                 SOT-323 Package Lead Code Identification (top view)

                                                                                   SINGLE        SERIES

SOT-23 / SOT-143 Package Lead Code Identification                                     3              3

(top view)

           SINGLE                 SERIES                                           1     B  2    1      C  2

              3                      3

                                                                                COMMON          COMMON

                                                                                   ANODE        CATHODE

           1         2            1         2                                         3              3

              #0                     #2

        COMMON                   COMMON

           ANODE               CATHODE                                             1        2    1         2

              3                      3                                                   E              F

                                                                          SOT-363 Package Lead Code Identification (top view)

           1     #3  2            1     #4  2

                                                                                HIGH ISOLATION  UNCONNECTED

                     UNCONNECTED                                             UNCONNECTED PAIR           TRIO

                           PAIR                                                 6     5     4    6      5     4

                        3      4

                                                                                1     2     3    1      2  L  3

                        1  #5  2                                                         K

                                                                                   BRIDGE               RING

                                                                                      QUAD              QUAD

                                                                                6     5     4    6      5     4

                                                                                1     2  P  3    1      2  R  3
SOT-23/SOT-143 DC Electrical Specifications, TC = +25°C, Single Diode

        Part  Package                                                                                                            Typical  

   Number     Marking  Lead                                                                    Forward Voltage     Capacitance

   HSMS-      Code     Code                               Configuration          VF (mV)             CT (pF)

        2860  T0       0                                 Single                  250 Min.  350 Max.  0.30

        2862  T2       2                                 Series Pair [1,2]

        2863  T3       3                                 Common Anode[1,2]

        2864  T4       4                                 Common Cathode[1,2]

        2865  T5       5                                 Unconnected Pair [1,2]

   Test Conditions                                                                                           IF = 1.0 mA                       VR = 0 V, f = 1 MHz

Notes:

1. ∆VF for diodes in pairs is 15.0 mV maximum at 1.0 mA.

2. ∆CT for diodes in pairs is 0.05 pF maximum at –0.5V.

SOT-323/SOT-363 DC Electrical Specifications, TC = +25°C, Single Diode

        Part  Package                                                                                                            Typical  

   Number     Marking  Lead                                                                    Forward Voltage     Capacitance

   HSMS-      Code     Code                               Configuration          VF (mV)             CT (pF)

        286B  T0       B                                 Single                  250 Min.  350 Max.  0.25

        286C  T2       C                                 Series Pair [1,2]

        286E  T3       E                                 Common Anode[1,2]

        286F  T4       F                                 Common Cathode[1,2]

        286K  TK       K                                 High Isolation               

                                                                                     Unconnected Pair

        286L  TL       L                                 Unconnected Trio

        286P  TP       P                                 Bridge Quad

        286R  ZZ       R                                 Ring Quad

   Test Conditions                                                                                           IF = 1.0 mA                       VR = 0 V, f = 1 MHz

Notes:

1. ∆VF for diodes in pairs is 15.0 mV maximum at 1.0 mA.

2. ∆CT for diodes in pairs is 0.05 pF maximum at –0.5V.

2
RF Electrical Specifications, TC = +25°C, Single Diode

        Part                   Typical Tangential Sensitivity                  Typical Voltage Sensitivity g                          Typical Video

   Number                                    TSS (dBm) @ f =                                                                (mV / µW) @ f =                                            Resistance

   HSMS-      915 MHz                2.45 GHz        5.8 GHz               915 MHz             2.45 GHz       5.8 GHz                 RV (KΩ)

   2860       – 57                   –56                       –55         50                  35             25                               5.0

   2862

   2863

   2864

   2865

   286B

   286C               

   286E

   286F

   286K

   286L

   286P

   286R

        Test                 Video Bandwidth = 2 MHz                                                                   Power in = –40 dBm                                              Ib = 5 µA

   Conditions                                      Ib = 5 µA                                                           RL = 100 KΩ, Ib = 5 µA

Absolute Maximum Ratings, TC = +25°C, Single Diode                                                                Attention:

   Symbol            Parameter                        Unit                 Absolute Maximum[1]                           Observe precautions for

                                                                                           SOT-23/143  SOT-323/363                            handling electrostatic

                                                                                                                  ­sensitive devices.

   PIV        Peak Inverse Voltage             V                    4.0             4.0                  ESD Machine Model (Class A)

   TJ         Junction Temperature             °C                   150             150

   TSTG       Storage Temperature              °C        -65 to 150        -65 to 150                                  ESD Human Body Model (Class 0)

   TOP        Operating Temperature            °C        -65 to 150        -65 to 150                                  Refer to Avago Application Note A004R: Electro-

   θ jc       Thermal Resistance[2]            °C/W                 500             150                  static Discharge Damage and Control.

Notes:

1. Operation in excess of any one of these conditions may result in permanent damage to the

   device.

2. TC = +25°C, where TC is defined to be the temperature at the package pins where contact is

   made to the circuit board.

3
Equivalent Linear Circuit Model, Diode chip                SPICE Parameters

                       Rj                                  Parameter         Units  Value

                                                           BV                V      7.0

       RS                                                  CJ0               pF     0.18

                                                           EG                eV     0.69

                                                           IBV               A      1E-5

                                                           IS                A      5 E -8

                       Cj                                  N                                      1.08

                                                           RS                Ω      6.0

RS = series resistance (see Table of SPICE parameters)     PB (VJ)           V      0.65

Cj = junction capacitance (see Table of SPICE parameters)  PT (XTI)                               2

Rj =   8.33 X 10-5 nT                                      M                                      0.5

       Ib + Is

where

Ib = externally applied bias current in amps

Is = saturation current (see table of SPICE parameters)

T = temperature, °K

n = ideality factor (see table of SPICE parameters)

Note:

To effectively model the packaged HSMS-286x product,

please refer to Application Note AN1124.

4
Typical Parameters, Single Diode

                      100                                                                            100                                                                    10                                  10000

                                                                                                                                                                                                                                               RL  = 100 KΩ

                                                    T A = –55°C                FORWARD CURRENT (mA)FORWARD CURRENT (mA)                  IF (left scale)                        FORWARD VOLTAGE DIFFERENCE(mV)  1000

FORWARD CURRENT (mA)  10                            T A = +25°C                                                                                                                                                                                                      2.45 GHz

                                                    T A = +85°C                                                                                                                                                 VOLTAGE OUT (mV)     100                915 MHz

                      1                                                                                                  10

                                                                                                                                                                                                                                     10

                      .1                                                                                                                            VF (right scale)                                                                 1                               5.8 GHz

                                                                                                                                                                                                                                                        DIODES TESTED IN FIXED-TUNED

                                                                                                                                                                                                                                     0.1                FR4 MICROSTRIP CIRCUITS.

                      .01  0.1  0.2  0.3  0.4  0.5  0.6   0. 7  0.8  0.9  1.0                                            1   0.05  0.10       0.15        0.20        0.25  1                                                             -50      -40          -30  -2 0          -1 0  0

                                     FORWARD VOLTAGE (V)                                                                                FORWARD VOLTAGE (V)                                                                                                  POWER IN (dBm)

                      30                                                       10,000                                                                                                                                                40

                                RL = 100 KΩ                                                                                                                  20 µA

                                                    915 MHz                                                                                                                                                                          35

                      10                                                                                                                                                    10 µA

   VOLTAGE OUT (mV)                                                                              1000                                                                                                           OUTPUT VOLTAGE (mV)  30

                                     2.45 GHz                                  VOLTAGE OUT (mV)                                                              5 µA

                                                                                                                                                                                                                                     25

                                                                                                     100

                                                                                                                                         Frequency = 2.45 GHz                                                                        20

                                                    5.8 GHz                                                                              Fixed-tuned FR4 circuit                                                                                   Input Power =

                      1                                                                              10                                                                                                                              15            –30 dBm @ 2.45 GHz

                                                                                                                                         RL = 100 KΩ                                                                                               Data taken in fixed-tuned

                                     DIODES TESTED IN FIXED-TUNED                                                                                                                                                                    10            FR4 circuit

                      0.3            FR4 MICROSTRIP CIRCUITS.                                                            1                                                                                                           5             R L = 100 KΩ

                           -50                 -40                        -30                                            –40       –30   –20        –10         0     10                                                                  .1                 1                 10        100

                                          POWER IN (dBm)                                                                                 POWER IN (dBm)                                                                                                      BIAS CURRENT (µA)

5
                                                                                   Rj =  8.33 X 10 -5 n T  = RV- Rs

                                                                                              IS+Ib

Appli­cations Information                                                          The=He0ig.0h2t6of tahte25S°cChottky Barrier

Introduction                                                                       The cuIrSre+nItb-voltage character­istic of a Schottky barrier

                                                                                   diode at room temperature is described by the following

Avago’s HSMS‑286x family of Schottky detector diodes                               equation:

has     been  developed            specifically  for        low  cost,  high

                                                                                                  V - IR S
volume designs in two kinds of applications. In small                              ( ) I = I S (exp                - 1)

signal detector applications (Pin < -20 dBm), this diode is                                       0.026

used with DC bias at frequencies above 1.5 GHz. At lower                           On a semi-log plot (as shown in the Avago catalog) the

frequencies, the zero bias HSMS-285x family should be

considered.                                                                        current graph will be a straight line with inverse slope

In   large    signal  power        or     gain   control         applications      2.3 X 0.026 = 0.060 volts per cycle (until the effect of RS is

(Pin > ‑20 dBm),      this      family    is     used   without      bias      at  seen in a curve that droops at high current). All Schottky

frequencies      above        4 GHz.      At     lower  frequencies,       the     diode curves have the same slope, but not necessar‑

HSMS-282x family is preferred.                                                     ily the same value of current for a given voltage. This is

                                                                                   deter­mined by the saturation current, IS, and is related to

Schottky Barrier Diode Characteristics                                             the barrier height of the diode.

Stripped of its package, a Schottky barrier diode chip                             Through the choice of p-type or n‑type silicon, and the

consists of a metal-semiconductor barrier formed by                                selection of metal, one can tailor the characteristics of a

deposition of a metal layer on a semiconductor. The most                           Schottky diode. Barrier height will be altered, and at the

common of several different types, the passivated diode,                           same time CJ and RS will be changed. In general, very

is shown in Figure 7, along with its equivalent circuit.                           low barrier height diodes (with high values of IS, suitable

                                                        RS                         for zero bias applica­tions) are realized on p-type silicon.

                      METAL                                                        Such diodes suffer from higher values of RS than do

        PASSIVATION                PASSIVATION                                     the n‑type. Thus, p-type diodes are generally reserved

        N-TYPE OR P-TYPE EPI    LAYER                                              for small signal detector applications (where very high

                      SCHOTTKY JUNCTION          Cj              Rj                values of RV swamp out high RS) and n-type diodes are

        N-TYPE OR P-TYPE SILICON SUBSTRATE                                         used for mixer applications (where high L.O. drive levels

            CROSS-SECTION OF SCHOTTKY            EQUIVALENT                        keep RV low) and DC biased detectors.

                 BARRIER DIODE CHIP                     CIRCUIT

                                                                                   Measuring Diode Linear Parameters

Figure 7. Schottky Diode Chip.                                                     The measurement of the many elements which make

                                                                                   up the equivalent circuit for a pack­aged Schottky diode

RS is the parasitic series resistance of the diode, the sum                        is a complex task. Various techniques are used for each

of the bondwire and lHeSaMdSf-2r8a5mA/6eArfeigs9istance, the resistance            element. The task begins with the elements of the diode

of the bulk layer of silicon, etc. RF energy coupled into                          chip itself. (See Figure 8).

RS is lost as heat — it does not contribute to the rectified

output of the diode. CJ is parasitic junction capaci­tance                                                RV

of the diode, controlled by the thickness of the epitaxial                                    RS

layer and the diameter of the Schottky contact. Rj is the

junction resistance of the diode, a function of the total                                                  Cj

current flowing through it.

Rj   =  8.33 X 10 -5 n T        =  RV  -  R                                        Figure 8. Equivalent Circuit of a Schottky Diode Chip.

              IS+Ib                           s

                                                                                   RS is perhaps the easiest to measure accurately. The V-I

     =  0.026     at 25°C                                                          curve is measured for the diode under forward bias, and

        IS +I b                                                                    the slope of the curve is taken at some relatively high

                                                                                   value of current (such as 5 mA). This slope is converted

where                                                                              into a resistance Rd.

    n = ideality factor (see table of SPICE parameters)                                                    0.026

    T = temperature in °K                                                                     RS =Rd -
    ( ) IS==I sSa(teuxrpationVc-uIRrreSnt -(1se) e table of SPICE parameters)                                  If

    Ib = externally 0a.p0p2l6ied bias current in amps                              For n-type dioRdVe=s Rwjit+hRreSlatively low values of saturation

                                                                                   current, Cj is obtained by measuring the total capaci‑

IS is a function of diode barrier height, and can range                            tance (see AN1124). Rj, the junction resistance, is calcu‑

from picoamps for high barrier diodes to as much as 5                              lated using the equation given above.

µA for very low barrier diodes.

6
The characterization of the surface mount package is                         The      situation     is  somewhat      more  complicated                                in   the

too complex to describe here — linear equivalent circuits                    design of the RF impedance matching net­work, which

can be found in AN1124.                                                      includes      the      pack­age   inductance                                      and     capacitance

                                                                             (which    can    be        tuned  out),  the   series                             resistance,  the

Detector Circuits (small signal)                                             junction capacitance and the video resistance. Of the

When      DC     bias  is   available,      Schottky     diode  detector     elements of the diode’s equiv­alent circuit, the parasitics
                                                                                  ccuornrsRetnSatn=ftlRsowad ni-ndg0t.th0Ihf2er6ovuidgehothreesdisitoadnec.e 
circuits    can  be        used      to     create  low  cost   RF    and    are                                                                               is   a  function  of

microwave receivers with a sensitivity of -55 dBm to                         the

-57 dBm.[1] Moreover, since external DC bias sets the                                      RV=Rj+ RS

video impedance of such circuits, they display classic

square law response over a wide range of input power                         The sum of saturation current and bias current sets

levels[2,3]. These circuits can take a variety of forms, but                 the detection sensitivity, video resistance and input RF

in the most simple case they appear as shown in Figure                       impedance of the Schottky detector diode. Where bias

9. This is the basic detector circuit used with the HSMS-                    current is used, some tradeoff in sensitivity and square

286x family of diodes.                                                       law dynamic range is seen, as shown in Figure 5 and

Output      voltage    can  be       virtually      doubled    and    input  described in reference [3].

impedance (normally very high) can be halved through                         The most difficult part of the design of a detector circuit

the use of the voltage doubler circuit[4].                                   is  the  input      impedance     matching         network.                               For  very

In the design of such detector circuits, the starting point                  broadband detectors, a shunt 60 Ω resistor will give good

is the equivalent circuit of the diode. Of interest in the                   input match, but at the expense of detection sensitivity.

design of the video portion of the circuit is the diode’s                    When maximum sensitivity is required over a narrow

video impedance — the other elements of the equiv­                           band of frequencies, a reactive matching network is

alent circuit disappear at all reasonable video frequen‑                     optimum. Such net­works can be realized in either lumped

cies. In general, the lower the diode’s video impedance,                     or   distributed       elements,  depending                                       upon    frequency,

the better the design.                                                       size constraints and cost limitations, but certain general

                            DC BIAS                                          design principals exist for all types.[5] Design work begins

                                                                             with the RF impedance of the HSMS-286x series when

                                     L1                                      bias current is set to 3 µA. See Figure 10.

RF        Z-MATCH                         VIDEO

IN    NETWORK                             OUT

                                                                                                        2      5

                       DC BIAS                                                   0.2  0.6        1

                                                                                                                         1 GHz

                            L1                                                                                           2

RF        Z-MATCH                    VIDEO                                                                            3

IN    NETWORK                        OUT

                                                                                                               4

                                                                                           6            5

Figure 9. Basic Detector ­Circuits.                                          Figure 10. RF Impedance of the Diode.

                 HSMS-285A/6A fig 12                                                  HSMS-285A/6A fig 13

[1]  Avago  Application     Note     923,   Schottky  Barrier  Diode  Video

     Detectors.

[2] Avago Application Note 986, Square Law and Linear Detection.

[3] Avago Application Note 956-5, Dynamic Range Extension of Schottky

     Detectors.

[4] Avago Application Note 956-4, Schottky Diode Voltage Doubler.

[5] Avago Application Note 963, Impedance Matching Techniques for

     Mixers and Detectors.

7
915 MHz Detector Circuit                                                             The HSMS-282x family is a better choice for 915 MHz ap‑

Figure 11 illustrates a simple impedance matching network                            plications—the foregoing discussion of a design using

for a 915 MHz detector.                                                              the HSMS-286B is offered only to illustrate a design

                                                                                     approach for technique.

                              65nH                                                            RF                                             VIDEO

                     RF                             VIDEO                                INPUT                                               OUT

   INPUT                                            OUT

                              WIDTH = 0.050"                                                                    WIDTH = 0.017"

                              LENGTH = 0.065"                                                                   LENGTH = 0.436"

                                                    100 pF                                                                         100 pF

                              WIDTH = 0.015"                                                              WIDTH = 0.078"

                              LENGTH = 0.600"                                                             LENGTH = 0.165"

                              TRANSMISSION LINE                                                           TRANSMISSION LINE

                              DIMENSIONS ARE FOR                                                          DIMENSIONS ARE FOR

                              MICROSTRIP ON                                                               MICROSTRIP ON

                              0.032" THICK FR-4.                                                          0.032" THICK FR-4.

Figure 11. 915 MHz Matching Network for the HSMS-286x Series at 3 µA Bias.           Figure 14. 2.45 GHz Matching Network.

A 65 nH inductor rotates the impedance of the diode to                                            0.094"  THROUGH,     4  PLACES

a point on the Smith Chart where a shunt inductor can

pull it up to the cHeSnMtSe-2r8.5TAh/6Aefisgh1o4 rt length of 0.065” wide                                                          FINISHED

microstrip line is used to mount the lead of the diode’s                                                                           BOARD

                                                                                                                                   SIZE IS

SOT‑323 package. A shorted shunt stub of length <λ/4                                                                               1.00" X 1.00".

                                                                                                                                   MATERIAL IS

provides                 the  necessary     shunt   inductance    and     simul­                                                   1/32" FR-4

taneously                    provides  the  return  circuit  for  the     current                                                  EPOXY/

                                                                                                                                   FIBERGLASS,

generated in the diode. The impedance of this circuit is                                                                           1 OZ. COPPER

given in Figure 12.                                                                                                                BOTH SIDES.

                                                                                         0.030" PLATED THROUGH HOLE,

                                                                                                      3 PLACES

                                                                                     Figure 15. Physical Realization.

                                                                                     2.45 GHz Detector Circuit

                                                                                                                HSMS-2860 fig 15

                                                                                     At 2.45 GHz, the RF impedance is closer to the line of

                                                                                     constant susceptance which passes through the center

                                                                                     of  the  chart,      resulting       in    a  design      which  is  realized

                                                                                     entirely in distributed elements — see Figure 14.

                     FREQUENCY (GHz): 0.9-0.93                                       In order to save cost (at the expense of having a larger

Figure 12. Input Impedance.                                                          circuit), an open circuit shunt stub could be substituted

The input match, expressed in terms                          of   return  loss,  is  for the chip capacitor. On the other hand, if space is at a

given in FiguHreSM1S3-.285A/6A fig 15                                                premium, the long series transmission line at the input

                                                                                     to the diode can be replaced with a lumped inductor. A

                         0                                                           possible physical realization of such a network is shown

                                                                                     in Figure 15, a demo board is available from Avago.

   RETURN LOSS (dB)      -5                                                                                     HSMS-2860

                     -10

                                                                                         RF IN                                     VIDEO OUT

                     -15

                     -20
                         0.9           0.915                0.93

                              FREQUENCY (GHz)                                                     CHIP CAPACITOR, 20 TO 100 pF

Figure 13. Input Return Loss.                                                        Figure 16. Test Detector.

As can be seen, the band over which a good                        match is                                HSMS-285X fig 20 was 17

achieved is moreHStMhSa-n285aAd/6eAqfuiga1t6e for 915 MHz         RFID ap‑

plications.

8
Two  SMA                    connectors  (E.F.  Johnson  142-0701-631      or

equivalent), a high-Q capacitor (ATC 100A101MCA50 or

equivalent), miscellaneous hardware and an HSMS-286B

are added to create the test circuit shown in Figure 16.

The  calculated             input       impedance  for  this  network     is

shown in Figure 17.                                                                                           2.45 GHz

                                                                                                         FREQUENCY (GHz): 2.3-2.6

                                                                              Figure 19. Input Impedance. Modified 2.45 GHz Circuit.

                                                                              This does indeed result in a very good match at midband,

                                                                              as shown inHFSigMuSr-e020005. fig 23 was 20

                                                                                                         0

                       FREQUENCY (GHz): 2.3-2.6

                                                                                   RETURN LOSS (dB)      -5

Figure 17. Input Impedance, 3 µA Bias.

The corresponding input match is shown in Figure 18. As                                              -10

was the caseHwSMithS-t0h0e05lofwige2r1frweqasue1n8cy design, bandwidth

is more than adequate for the intended RFID application.

                       0                                                                             -15

     RETURN LOSS (dB)  -5                                                                            -20
                                                                                                         2.3            2.45              2.6

                                                                                                              FREQUENCY (GHz)

                       -10                                                    Figure 20. Input Return Loss. Modified 2.45 GHz Circuit.

                                                                              However, bandwidth is narrower and the designer runs

                       -15                                                    the risk of a shifHtSinMSt-h28e5Xmfiigd­b24awnads f2r1equency of his circuit

                                                                              if there is any small deviation in circuit board or diode

                       -20                                                    character­istics due to lot-to-lot variation or change in

                       2.3              2.45            2.6                   temper-ature.                   The  matching       technique    illustrated                          in

                            FREQUENCY (GHz)                                   Figure 17 is much less sensitive to changes in diode and

Figure 18. Input Return Loss, 3 µA Bias.                                      circuit board processing.

A word of caution to the designer is in order. A glance                       5.8 GHz Detector Circuit

at Figure 17 wHilSlMrSe-2v8e5aXlfigth2e2 wfaasc1t9 that the circuit does

not provide the optimum impedance to the diode at                             A possible design for a 5.8 GHz detector is given in Figure

2.45 GHz. The temptation will be to adjust the circuit                        21.

elements to achieve an ideal single frequency match, as                                              RF                            VIDEO

illustrated in Figure 19.                                                          INPUT                                           OUT

                                                                                                              WIDTH = 0.016"

                                                                                                              LENGTH = 0.037"

                                                                                                                                   20 pF

                                                                                                              WIDTH = 0.045"

                                                                                                              LENGTH = 0.073"

                                                                                                              TRANSMISSION LINE

                                                                              Figure 21. 5.8 GHz MaDMtIcIMChERinNOgSSNITOReNtIPSwOAorRNkEfFoOr tRhe HSMS‑286x Series at 3 µA Bias.

                                                                                                              0.032" THICK FR-4.

9
As was the case at 2.45 GHz, the circuit is entirely dis‑                    Such a circuit offers several advantages. First the voltage

tributed element, both low cost and compact. Input                           outputs of two diodes are added in series, increasing

impedance for this network is given in Figure 22.                            the overall value of voltage sensitivity for the network

                                                                             (compared to a single diode detector). Second, the RF

                                                                             impedances of the two diodes are added in parallel,

                                                                             making the job of reactive matching a bit easier. Such a

                                                                             circuit can easily be realized using the two series diodes

                                                                             in the HSMS‑286C.

                                                                             The “Virtual Battery”

                                                                             The voltage doubler can be used as a virtual battery,

                                                                             to provide power for the operation of an I.C. or a tran‑

                                                                             sistor oscillator in a tag. Illuminated by the CW signal

                                                                             from a reader or inter­rogator, the Schottky circuit will

                                                                             produce power sufficient to operate an I.C. or to charge

                                                                             up a capacitor for a burst transmis­sion from an oscilla‑

                      FREQUENCY (GHz): 5.6-6.0                               tor. Where such virtual batteries are employed, the bulk,

                                                                             cost, and limited lifetime of a battery are eliminated.

Figure 22. Input Impedance.

Input return loss, shown in Figure 23, exhibits wideband                     Temperature Compensation

match.                     HSMS-0005 fig 26 was 23                           The  compression      of  the   detector’s  transfer  curve  is

                      0                                                      beyond the scope of this data sheet, but some general

                                                                             comments can be made. As was given earlier, the diode’s

                      -5                                                     video resistance is given by

    RETURN LOSS (dB)                                                              RV =      8.33 x 10-5 nT

                      -10                                                                                        IS + I b

                      -15                                                    where T is the diode’s temperature in °K.

                                                                             As can be seen, temperature has a strong effect upon RV,

                      -20                                                    and this will in turn affect video bandwidth and input

                      5.6     5.7         5.8  5.9    6.0                    RF impedance. A glance at Figure 6 suggests that the

                              FREQUENCY (GHz)                                proper choice of bias current in the HSMS-286x series

                                                                             can minimize variation over ­temperature.

Figure 23. Input Return Loss.                                                The  detector  circuits   described  earlier  were       tested

Voltage DoubleHrsSMS-285X fig 27 was 24                                      over temperature. The 915 MHz voltage doubler using

To  this              point,  we    have  restricted  our  discuss­ ion  to  the  HSMS-286C    series  produced   the    output    voltages

single diode detectors. A glance at Figure 9, however,                       as shown in Figure 25. The use of 3 µA of bias resulted

will lead to the suggestion that the two types of single                     in the highest voltage sensitivity, but at the cost of a

diode detectors be combined into a two diode voltage                         wide variation over temperature. Dropping the bias to

doubler[4] (known also as a full wave rectifier). Such a                     1 µA produced a detector with much less temperature

detector is shown in Figure 24.                                              variation.

                                                                             A similar experiment was conducted with the HSMS-

                                                                             286B series in the 5.8 GHz detector. Once again, reducing

    RF IN                  Z-MATCH             VIDEO OUT                     the bias to some level under 3 µA stabilized the output

                           NETWORK

                                                                             of the detector over a wide temperature range.

                                                                             It should be noted that curves such as those given in

                                                                             Figures 25 and 26 are highly dependent upon the exact

Figure 24. Voltage Doubler Circuit.                                          design of the input impedance matching network. The

                                                                             designer will have to experiment with bias current using

HSMS-285X fig 11 was 7                                                       his specific design.

10
                            120                                                                           in a single package, such as the SOT-143 HSMS‑2865 as

                                               INPUT POWER = –30 dBm                                      shown in Figure 29.

       OUTPUT VOLTAGE (mV)  100        3.0 µA                                                             In high power differential detectors, RF coupling from

                                                                                                          the detector diode to the reference diode produces a

                            80                                                                            rectified voltage in the latter, resulting in errors.

                                       1.0 µA                                                             Isolation                      between           the  two          diodes        can          be  obtained

                                       10 µA                                                              by  using                       the  HSMS-286K              diode            with        leads    2  and  5

                            60                                                                            grounded. The difference between this product and the

                                       0.5 µA                                                             conventional HSMS-2865 can be seen in Figure 29.

                            40

                            -55   -35  -15     5  25        45       65  85                                                        3                 4                    6         5  4

                                       TEMPERATURE (°C)

Figure 25. Output Voltage vs. Temperature and Bias Current

in the 915 MHz Voltage Doubler using the HSMS-286C.

                            35

                                               INPUT POWER = – 30 dBm

                                       3.0 µA                                                                                         1              2                    1         2  3

    OUTPUT VOLTAGE (mV)                                                                                                                   HSMS-2865                       HSMS-286K

                            25                                                                                                            SOT-143                            SOT-363

                                      10 µA

                                      1.0 µA                                                              Figure 29. Comparing Two Diodes.

                                                                                                          The HSMS-286K, with leads 2 and 5 grounded, offers

                            15                                                                            some isolation from RF coupling between the diodes.

                                       0.5 µA                                                             This product is used in a differential detector as shown

                                                                                                          in Figure 30.

                            5

                            -55   -35  -15     5  25        45      65   85

                                       TEMPERATURE (°C)                                                       PA                                                detector     Vs

                                                                                                                                                                  diode

Figure 26. Output Voltage vs. Temperature and Bias Current

in the 5.80 GHz Voltage Detector using the HSMS-286B Schottky.                                                                                                                         to differential

                                                                                                                                                                                       amplifier

Six Lead Circuits                                                                                                                                   HSMS-286K     reference diode

The differential detector is often used to provide temper‑                                                Figure 30. High Isolation Differential Detector.

ature compensation for a Schottky detector, as shown in                                                   In order to achieve the maximum isolation, the designer

Figures 27 and 28.                                                                                        must take care to minimize the distance from leads 2

                                       bias                                                               and 5 and their respective ground via holes.

       matching                                                                                           Tests were run on the HSMS-282K and the conventional

                         network                      differential                                        HSMS-2825 pair, which compare with each other in the

                                                         amplifier                                        same way as the HSMS-2865 and HSMS-286K, with the

                                                                                                          results shown in Figure 31.

                                                                                                                                          Frequency = 900 MHz

                                                                                                                                   5000

                                                                                                                                                                      RF diode

                                                                                                                                   1000                                   Vout

Figure 27. Differential Detector.                                                                             OUTPUT VOLTAGE (mV)

                                                                                                                                               Square law

                                                                                                                                   100         response

        PA                                        detector  Vs

                                                  diode

                                                                        to differential                                               10                              HSMS-2825

                                                                        amplifier                                                                          37 dB      ref. diode       HSMS-282K

                                                                                                                                                                                       ref. diode

                                       HSMS-2865  reference diode                                                                     1                    47 dB

                                                                                                                                   0.5
                                                                                                                                         -35   -25         -15    -5             5     15

Figure 28. Conventional Differential Detector.                                                                                                      INPUT POWER (dBm)

These                       circuits   depend     upon          the     use        of    two  diodes      Figure 31. Comparing HSMS-282K with HSMS-2825.

having                      matched    Vf      characteristics           over            all  ­operating

temperatures. This is best achieved by using two diodes

11
The line marked “RF diode, Vout” is the transfer curve for                          PRF = RF power dissipated

the detector diode — both the HSMS‑2825 and the HSMS-                         NoTtje=th(Vatf θI fjc+, tPheRFt)hθejrcm+aTl raesistance fErqoumatiodnio(1d)e. junction

282K exhibited the same output voltage. The data were                         to the foot of the leads, is the sum of two component

taken over the 50 dB dynamic range shown. To the right                        resistances,

is the output voltage (transfer) curve for the reference

diode of the HSMS-2825, showing 37 dB of isolation. To                              θjc = θpkg + θchip                                                                                         Equation (2).

the right of that is the output voltage due to RF leakage

for the reference diode of the HSMS-282K, demonstrating

10 dB higher isolation than the conventional part.                            Package thermal resistance for the SOT-323 and SOT-363

Such differential detector circuits generally use single                      preascisktaagneceis1f1ao6pr0pt0rho(exVsimef -athItefreRlyes1)f0a0m°Cili/eWs,                                     and the chip thermal

diode ­detectors, either series or shunt mounted diodes.                                                                                                                                       oEfqduiaotidoens(3i)s. approxi‑

The      voltage      doubler   offers       the  advantage      of    twice  mIf a=teI lSy e40°C/W. TnhTe design-e1r will have to add in the

the output voltage for a given input power. The two                           thTerj m= a(Vl ­ref Isfis+taPnRcFe) fθrojcm+ dTiaode case tEoqauamtibonie(n1)t. — a poor

concepts can be combined into the differential voltage                        choice of circuit board material or heat sink design can

doubler, as shown in Figure 32.                                               make this number very high.

                          bias                                                ( ) ( ) EfteIoeqsqθTmr=uujjtcaaphI=tt=0eeiioo(rVθafnnapt2fukc3T9Ig(rt,1f8e+f+t)oharθ2nPwasVctRheofFwidpui-)seil4:θodl0ldjc6aeb0+sefoTfor1saTwrtwraa-arigdr21dh9vt8cofoultrraEEEwrqqqgeauuuneraaatdttti.iiisoooTnnntaho(((e214fu)))s...enoqclvuteiaotnibouontf,

                                             differential

                                             amplifier

                                                                                              11600 (V f - I f R s)                                                                            Equation (3).

            matching                                                          I     θ=jcI  =  θepkg  +  θchinpT          -1                                                                    Equation (2).

            network                                                              f         S

                                                                              where

Figure 32. Differential Voltage Doubler, HSMS-286P.

Here, all four diodes of the HSMS‑286P are matched in                         ( ) ( ) Isf =nTRsI==S0=tiddeemei2o1Ta9pd1l8iee6tyr0sa2n0fetarue(cinVer-teoTsf4rir-0ne6Is°0fiKsRtas1T)nc--e12198  Equation (3).

their Vf characteristics, because they came from adjacent                                                                                                                                      Equation (4).

sites on the wafer. A similar circuit can be realized using

the HSMS-286R ring quad.

Other configurations of six lead Schottky products can                        and IS (diode saturation current) is given by

be used to solve circuit design problems while saving                         ( ) ( Is = I 0            2             1      ) 1

space and cost.                                                                               T         n     - 4060  T  -   298

                                                                                                           e                                                                                   Equation (4).

Thermal Considerations                                                                        298

The obvious advantage of the SOT-363 over the SOT-                            Equations (1) and (3) are solved simultaneously to obtain

143 is combination of smaller size and two extra leads.                       the value of junction temperature for given values of

However, the copper leadframe in the SOT-323 and SOT-                         diode case temperature, DC power dissipation and RF

363 has a thermal conductivity four times higher than                         power dissipation.

the Alloy 42 leadframe of the SOT-23 and SOT-143, which

enables it to dissipate more power.

The      maximum      junction        temperature          for  these  three

families of Schottky diodes is 150°C under all operating

conditions. The following equation, equation 1, applies

to the thermal analysis of diodes:

T j = (V f I f + P RF ) θ jc + T a                Equation (1).

where

θTTjcaj  =  junction temperature
         =  θdpiokgd+e cθacsheiptemperature
         =                                        Equation (2).

    θjc = thermal resistance

    Vf If = DC power dissipated

12             11600 (V f - I f R s)              Equation (3).

If = IS     e         nT              -1
Diode Burnout                                                             Assembly Instructions

Any Schottky junction, be it an RF diode or the gate of                   SOT-323 PCB Footprint

a MESFET, is relatively delicate and can be burned out

with excessive RF power. Many crystal video receivers                     A recommended PCB pad layout for the miniature SOT-

used in RFID (tag) applications find themselves in poorly                 323 (SC-70) package is shown in Figure 33 (dimensions

controlled environments where high power sources may                      are in inches).

be present. Examples are the areas around airport and                                0.026

FAA radars, nearby ham radio operators, the vicinity of

a broadcast band transmitter, etc. In such environments,

the Schottky diodes of the receiver can be protected by

a device known as a limiter diode.[6] Formerly available                                                0.079

only in radar warning receivers and other high cost

electronic warfare applications, these diodes have been                      0.039

adapted to commercial and consumer circuits.

Avago offers a comp­ lete line of surface mountable PIN                                          0.022

limiter diodes. Most notably, our HSMP-4820 (SOT-23)                                        Dimensions in inches

or HSMP-482B (SOT-323) can act as a very fast (nano‑

second) power-sensitive switch when placed between                        Figure 33. Recommended PCB Pad Layout for Avago’s SC70 3L/SOT‑323

the antenna and the Schottky diode, shorting out the                      Products.

RF circuit temporarily and reflecting the excessive RF                    A  recommended         PCB    pad       layout  for  the  miniature

energy back out the antenna.                                              SOT-363 (SC-70 6 lead) package is shown in Figure 34

                                                                          (dimensions are in inches). This layout provides ample

                                                                          allowance         for  package          placement    by   automated

                                                                          assembly equipment without adding parasitics that could

                                                                          impair the performance.

                                                                                     0.026

                                                                                                                  0.075

                                                                             0.035

                                                                                                 0.016

                                                                          Figure 34. Recommended PCB Pad Layout for Avago’s SC70 6L/SOT‑363

                                                                          Products.

[6] Avago Application Note 1050, Low Cost, Surface Mount Power Limiters.

13
SMT Assembly

Reliable assembly of surface mount components is a                      zones. The preheat zones increase the temperature of

complex process that involves many material, process,                   the board and components to prevent thermal shock

and equipment factors, including: method of heating                     and begin evaporating solvents from the solder paste.

(e.g., IR or vapor phase reflow, wave soldering, etc.)                  The reflow zone briefly elevates the temperature suffi‑

circuit board material, conductor thickness and pattern,                ciently to produce a reflow of the solder.

type of solder alloy, and the thermal conductivity and                  The rates of change of temperature for the ramp-up and

thermal mass of components. Components with a low                       cool-down zones are chosen to be low enough to not

mass, such as the SOT packages, will reach solder reflow                cause deformation of the board or damage to compo‑

temperatures faster than those with a greater mass.                     nents due to thermal shock. The maximum temperature

Avago’s diodes have been qualified to the time-tem‑                     in the reflow zone (TMAX) should not exceed 260°C.

perature profile shown in Figure 35. This profile is repre‑             These parameters are typical for a surface mount assembly

sentative of an IR reflow type of surface mount assembly                process for Avago diodes. As a general guideline, the circuit

process.                                                                board and components should be exposed only to the

After ramping up from room temperature, the circuit                     minimum temperatures and times necessary to achieve a

board with components attached to it (held in place                     uniform reflow of solder.

with solder paste) passes through one or more preheat

             Tp                                                     tp                          Critical Zone

                                                  Ramp-up                                       T L to Tp

             TL  Ts max                                                 tL

Temperature      Ts min

                            ts                                      Ramp-down

                         Preheat

             25

                         t 25° C to Peak

                                                       Time

Figure 35. Surface Mount Assembly Profile.

Lead-Free Reflow Profile Recommendation (IPC/JEDEC J-STD-020C)

Reflow Parameter                                                               Lead-Free Assembly

Average ramp-up rate (Liquidus Temperature (TS(max) to Peak)                   3°C/ second max

Preheat                                     Temperature Min (TS(min))          150°C

                                            Temperature Max (TS(max))          200°C

                                            Time (min to max) (tS)             60-180 seconds

Ts(max) to TL Ramp-up Rate                                                     3°C/second max

Time maintained above:                      Temperature (TL)                   217°C

                                            Time (tL)                          60-150 seconds

Peak Temperature (TP)                                                          260 +0/-5°C

Time within 5 °C of actual Peak temperature (tP)                               20-40 seconds

Ramp-down Rate                                                                 6°C/second max

Time 25 °C to Peak Temperature                                                 8 minutes max

Note 1: All temperatures refer to topside of the package, measured on the package body surface

14
Package Dimensions

Outline 23 (SOT-23)                                                    Outline SOT-323 (SC-70             3  Lead)

    e2                                                                                      e1

                  e1

                                                                       E                 XXX                 E1

E              XXX                E1

                                                                                      e                                                      L

            e                                              L                                B                                        C

                                                                                            D                               DIMENSIONS (mm)

                  B                                  C                                                              SYMBOL     MIN.     MAX.

                                              DIMENSIONS (mm)                                                       A          0.80     1.00

                  D                                                                                          A      A1         0.00     0.10

                                      SYMBOL  MIN.         MAX.                                                     B          0.15     0.40

                                      A       0.79         1.20                                                     C          0.08     0.25

                                      A1      0.000        0.100       A1                                           D          1.80     2.25

                                  A   B       0.30         0.54                                                     E1         1.10     1.40

                                      C       0.08         0.20                                                     e          0.65 typical

A1                                    D       2.73         3.13            Notes:                                   e1         1.30 typical

                                      E1      1.15         1.50            XXX-package marking                      E          1.80     2.40

                                      e       0.89         1.02            Drawings are not to scale                L          0.26     0.46

                                      e1      1.78         2.04

    Notes:                            e2      0.45         0.60

    XXX-package marking               E       2.10         2.70

    Drawings are not to scale         L       0.45         0.69

Outline 143 (SOT-143)                                                  Outline SOT-363 (SC-70             6  Lead)

    e2

                         e1

                                  B1                                   HE                                 E

                                                                                                                                                L

E                 XXX             E1

                                                                                      e                                     c

                                                                                         D                                     DIMENSIONS (mm)

                                                              L                                                     SYMBOL     MIN.          MAX.

                                                                                                                        E      1.15          1.35

               e               B                        C                                                               D      1.80          2.25

                                                                       A1                                               HE     1.80          2.40

                                                                                                      A2     A          A      0.80          1.10

                                              DIMENSIONS (mm)                                                           A2     0.80          1.00

                  D                   SYMBOL  MIN.               MAX.                                                   A1     0.00          0.10

                                          A         0.79      1.097                                                     e            0.650 BCS

                                          A1  0.013              0.10              b                                    b      0.15          0.30

                                  A       B         0.36         0.54                                                   c      0.08          0.25

                                          B1        0.76         0.92                                                   L      0.10          0.46

                                          C   0.086           0.152

A1                                        D         2.80         3.06

                                          E1        1.20         1.40

                                          e         0.89         1.02

                                          e1        1.78         2.04

    Notes:                                e2        0.45         0.60

    XXX-package marking                   E         2.10         2.65

    Drawings are not to scale             L         0.45         0.69

15
Device Orientation                                           For Outlines SOT-23, -323

           REEL                                                         TOP VIEW                          END VIEW

                                                                        4 mm

                                      CARRIER                8 mm  ABC  ABC       ABC         ABC

                                      TAPE

USER

FEED

DIRECTION                                                    Note: "AB" represents package marking code.

                 COVER TAPE                                        "C" represents date code.

For Outline SOT-143                                          For Outline SOT-363

                    TOP VIEW                       END VIEW             TOP VIEW                          END VIEW

                 4 mm                                                   4 mm

8 mm       ABC   ABC         ABC      ABC                    8 mm  ABC  ABC       ABC         ABC

      Note: "AB" represents package marking code.            Note: "AB" represents package marking code.

           "C" represents date code.                               "C" represents date code.

16
Tape Dimensions and Product Orientation

For Outline SOT-23

          P                                           D              P2

                                                                                                        E

                              P0

                                                                                                        F

                                                                                                           W

                                      t1                 D1

                                  9° MAX          Ko         8° MAX                      13.5° MAX

                        A0                                                  B0

                 DESCRIPTION              SYMBOL         SIZE (mm)          SIZE (INCHES)

CAVITY           LENGTH                   A0          3.15 ± 0.10         0.124 ± 0.004

                 WIDTH                    B0          2.77 ± 0.10         0.109 ± 0.004

                 DEPTH                    K0          1.22 ± 0.10         0.048 ± 0.004

                 PITCH                    P           4.00 ± 0.10         0.157 ± 0.004

                 BOTTOM HOLE DIAMETER     D1          1.00 + 0.05         0.039 ± 0.002

PERFORATION      DIAMETER                 D           1.50 + 0.10         0.059 + 0.004

                 PITCH                    P0          4.00 ± 0.10         0.157 ± 0.004

                 POSITION                 E           1.75 ± 0.10         0.069 ± 0.004

CARRIER TAPE     WIDTH                    W           8.00 +0.30 –0.10    0.315 +0.012 –0.004

                 THICKNESS                t1          0.229 ± 0.013       0.009 ± 0.0005

DISTANCE         CAVITY TO PERFORATION    F           3.50 ± 0.05         0.138 ± 0.002

BETWEEN          (WIDTH DIRECTION)

CENTERLINE       CAVITY TO PERFORATION    P2          2.00 ± 0.05         0.079 ± 0.002

                 (LENGTH DIRECTION)

For Outline SOT-143

              P                           D

                                  P0                         P2

                                                                                               E

                                                                                           F         W

                                                                                    D1

                        t1

                 9° MAX                                  K0                                9° MAX

          A0                                                                    B0

                 DESCRIPTION                 SYMBOL          SIZE (mm)              SIZE (INCHES)

CAVITY           LENGTH                       A0             3.19 ± 0.10            0.126 ± 0.004

                 WIDTH                        B0             2.80 ± 0.10            0.110 ± 0.004

                 DEPTH                        K0             1.31 ± 0.10            0.052 ± 0.004

                 PITCH                        P              4.00 ± 0.10            0.157 ± 0.004

                 BOTTOM HOLE DIAMETER         D1             1.00 + 0.25            0.039 + 0.010

PERFORATION      DIAMETER                     D              1.50 + 0.10            0.059 + 0.004

                 PITCH                        P0             4.00 ± 0.10            0.157 ± 0.004

                 POSITION                     E              1.75 ± 0.10            0.069 ± 0.004

CARRIER TAPE     WIDTH                        W              8.00 +0.30 –0.10       0.315+0.012 –0.004

                 THICKNESS                        t1         0.254 ± 0.013          0.0100 ± 0.0005

DISTANCE         CAVITY TO PERFORATION        F              3.50 ± 0.05            0.138 ± 0.002

                 (WIDTH DIRECTION)

                 CAVITY TO PERFORATION        P2             2.00 ± 0.05            0.079 ± 0.002

                 (LENGTH DIRECTION)

17
Tape Dimensions and Product Orientation

For Outlines SOT-323, -363

                              P                                     D                            P2

                                                 P0

                                                                                                                          E

                                                                                                                          F

                                                                                                                             W

C

                                                                                             D1

                                                t1 (CARRIER TAPE THICKNESS)                                       Tt (COVER TAPE THICKNESS)

                                            An                                           K0                   An

                                     A0                                                              B0

                 DESCRIPTION                SYMBOL      SIZE (mm)   SIZE (INCHES)

   CAVITY        LENGTH                     A0       2.40 ± 0.10    0.094 ± 0.004

                 WIDTH                      B0       2.40 ± 0.10    0.094 ± 0.004

                 DEPTH                      K0       1.20 ± 0.10    0.047 ± 0.004

                 PITCH                      P        4.00 ± 0.10    0.157 ± 0.004

                 BOTTOM HOLE DIAMETER       D1       1.00 + 0.25    0.039 + 0.010

   PERFORATION   DIAMETER                   D        1.55 ± 0.05    0.061 ± 0.002

                 PITCH                      P0       4.00 ± 0.10    0.157 ± 0.004

                 POSITION                   E        1.75 ± 0.10    0.069 ± 0.004

   CARRIER TAPE  WIDTH                      W        8.00 ± 0.30    0.315 ± 0.012

                 THICKNESS                  t1       0.254 ± 0.02   0.0100 ± 0.0008

   COVER TAPE    WIDTH                      C        5.4 ± 0.10     0.205 ± 0.004

                 TAPE THICKNESS             Tt       0.062 ± 0.001  0.0025 ± 0.00004

   DISTANCE      CAVITY TO PERFORATION      F        3.50 ± 0.05    0.138 ± 0.002

                 (WIDTH DIRECTION)

                 CAVITY TO PERFORATION      P2       2.00 ± 0.05    0.079 ± 0.002

                 (LENGTH DIRECTION)

   ANGLE         FOR SOT-323 (SC70-3 LEAD)  An       8°C MAX

                 FOR SOT-363 (SC70-6 LEAD)           10°C MAX

Part Number Ordering Information

   Part Number                          No. of Devices              Container

   HSMS-286x-TR2G                           10000                   13” Reel

   HSMS-286x-TR1G                           3000                    7” Reel

   HSMS-286x-BLKG                           100         antistatic bag

where x = 0, 2, 3, 4, 5, B, C, E, F, K, L, P or R for HSMS-286x.

For product information and a complete list of distributors, please go to our web site:      www.avagotech.com

Avago, Avago Technologies, and the A logo are trademarks of Avago Technologies in the United States and other countries.

Data subject to change. Copyright © 2005-2009 Avago Technologies. All rights reserved. Obsoletes 5989-4023EN

AV02-1388EN - August 26, 2009
Mouser Electronics

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Broadcom Limited:

HSMS-286C-TR1G
小广播

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