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HN7G01FU

器件型号:HN7G01FU
厂商名称:Toshiba Semiconductor
厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/
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器件描述

TOSHIBA Multi Chip Discrete Device

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HN7G01FU器件文档内容

Preliminary                     TOSHIBA Multi Chip Discrete Device           HN7G01FU

                                 HN7G01FU                                                Unit: mm

Power Management Switch Application
Driver Circuit Application
Interface Circuit Application

Q1 (transistor): 2SA1955 equivalent
Q2 (MOS-FET): 2SK1830 equivalent

Q1 (transistor) Maximum Ratings (Ta = 25C)

               Characteristics         Symbol    Rating   Unit

Collector-base voltage                  VCBO     -15      V
Collector-emitter voltage               VCEO
Emitter-base voltage                    VEBO     -12      V
Collector current
Base current                              IC     -5       V
                                          IB
                                                 -400     mA

                                                 -50      mA

Q2 (MOS-FET) Maximum Ratings (Ta = 25C)                            JEDEC                  

               Characteristics         Symbol    Rating   Unit      JEITA                  

Drain-source voltage                     VDS     20       V         TOSHIBA               
Gate-source voltage                     VGSS
Drain current                                    10       V         Weight: 6.8 mg (typ.)
                                          ID
                                                 50       mA

Q1, Q2 Common Ratings (Ta = 25C)

               Characteristics         Symbol    Rating   Unit

Power dissipation                      PC        200      mW
Junction temperature
Storage temperature range              (Note 1)
Note 1: Total rating
                                       Tj        125      C

                                       Tstg      -55~150  C

Marking                                          Pin Assignment (top view)

                                                 1                           2003-03-27
                                                                                        HN7G01FU

Q1 (transistor) Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Characteristics                       Symbol           Test Condition          Min Typ. Max Unit

Collector cut-off current             ICBO        VCB = -15 V, IE = 0              -0.1 mA
Emitter cut-off current               IEBO        VEB = -5 V, IC = 0
DC current gain                                                                    -0.1 mA

Collector-emitter saturation voltage  hFE         VCE = -2 V, IC = -10 mA      300   1000
Base-emitter saturation voltage       (Note 2)

                                      VCE (sat) (1) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA      -15 -30  mV

                                      VCE (sat) (2) IC = -200 mA, IB = -10 mA   -110 -250

                                      VBE (sat) IC = -200 mA, IB = -10 mA       -0.87 -1.2  V

Note 2: hFE classification A: 300~600, B: 500~1000

Q2 (MOS-FET) Electrical Characteristics (Ta = 25C)

               Characteristics        Symbol           Test Condition          Min Typ. Max Unit

Gate leakage current                      IGSS    VGS = 10 V, VDS = 0                 1    mA
Drain-source breakdown voltage        V (BR) DSS  ID = 100 mA, VGS = 0
Drain current                                     VDS = 20 V, VGS = 0          20          V
Gate threshold voltage                    IDSS    VDS = 3 V, ID = 0.1 mA
Forward transfer admittance                Vth    VDS = 3 V, ID = 10 mA               1    mA
Drain-source ON resistance               Yfs    ID = 10 mA, VGS = 2.5 V
                                       RDS (ON)                                0.5     1.5  V

                                                                               20          mS

                                                                                   20  40   W

Application Example (power management switch)

                                                    2                                   2003-03-27
               HN7G01FU

Transistor

            3  2003-03-27
            HN7G01FU

MOS-FET

         4  2003-03-27
                                                                         HN7G01FU

RESTRICTIONS ON PRODUCT USE                                              000707EAA

TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor
   devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical
   stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of
   safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of
   such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.
   In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as
   set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and
   conditions set forth in the "Handling Guide for Semiconductor Devices," or "TOSHIBA Semiconductor Reliability
   Handbook" etc..

The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications
   (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances,
   etc.). These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires
   extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or
   bodily injury ("Unintended Usage"). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or
   spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments,
   medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in this
   document shall be made at the customer's own risk.

The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No
   responsibility is assumed by TOSHIBA CORPORATION for any infringements of intellectual property or other
   rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under
   any intellectual property or other rights of TOSHIBA CORPORATION or others.

The information contained herein is subject to change without notice.

                             5                                           2003-03-27
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