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HMF2M32M8G

器件型号:HMF2M32M8G
厂商名称:ETC
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HMF2M32M8G器件文档内容

HANBit                                                         HMF2M32M8G

                     FLASH-ROM MODULE 8MByte (2M x 32-Bit), 72pin-SIMM, 5V
                     Part No. HMF2M32M8G

GENERAL DESCRIPTION

   The HMF2M32M8G is a high-speed flash read only memory (FROM) module containing 2,097,152 words organized in a
x32bit configuration. The module consists of eight 1M x 8 FROM mounted on a 72 -pin, double-sided, FR4-printed circuit
board.
The HMF2M32M8 is entirely pin and command set compatible with JEDEC standard 4M -bit E2 PROMs. Commands are
written to the command register using standard microprocessor write timings.
Register contents serve as input to an internal state-machine, which controls the erase and programming circuitry. Write
cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the
device is similar to reading from 12.0V flash or EPROM devices.
Eight chip enable inputs, (/CE_UU1, /CE_UM1, /CE_LM1, /CE_LL1, /CE_UU2, /CE_UM2, /CE_LM2, /CE_LL2) are used to
enable the module's 4 bytes independently. Output enable (/OE) and write enable (/WE) can set the memory input and
output.
When FROM module is disable condition the module is becoming power standby mode, system designer can get low -power
design. All module components may be powered from a single +5V DC power supply and all inputs and outputs are TTL -
compatible.

                                                          PIN ASSIGNMENT

FEATURES

w Access time : 75, 90 and 120ns                PIN SYMBOL PIN SYMBOL PIN SYMBOL
w High-density 8MByte design
w High-reliability, low-power design            1   Vss   25   NC    49         DQ17
w Single + 5V 0.5V power supply
w Easy memory expansion                         2   A3    26   DQ8   50         DQ18
w All inputs and outputs are TTL-compatible
w FR4-PCB design                                3   A2    27   DQ9   51         DQ22
w Low profile 72-pin SIMM
w Minimum 1,000,000 write/erase cycle           4   A1    28   DQ10  52         DQ21
w Sectors erase architecture
w Sector group protection                       5   A0    29 /CE_LM2 53         DQ20
w Temporary sector group unprotection
w The used device is Am29F080B                  6   Vcc   30   Vcc   54         DQ19

                                                7   A11   31 /CE_LM1 55         A19

                                                8   /OE   32   DQ15  56         A15

                                                9   A10   33   DQ14  57         A12

                                                10 /RESET 34   DQ13  58         A7

                                                11 /CE_LL2 35  DQ12  59         Vcc

                                                12 /CE_LL1 36  DQ11  60         A8

                                                13  DQ7   37   A18   61         A9

                                                14  DQ0   38   A16   62         DQ24

                                                15  DQ1   39   Vss   63         DQ25

                                                16  DQ2   40   A6    64         DQ26

OPTIONS              MARKING                    17  DQ6   41 /RY_BY 65 /CE_UU2

w Timing                 -75                    18  DQ5   42   A5    66 /CE_UU1
    75ns access          -90
    90ns access        -120                     19  DQ4   43   A4    67         DQ31

  120ns access            M                     20  DQ3   44   Vcc   68         DQ30
w Packages
                                                21  /W E  45 /CE_UM2 69         DQ29
  72-pin SIMM
                                                22  A17   46 /CE_UM1 70         DQ28

                                                23  A14   47   DQ23  71         DQ27

                                                24  A13   48   DQ16  72         Vss

                                                          72-PIN SIMM TOP VIEW

URL: www.hbe.co.kr                          1                 HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                                                   HMF2M32M8G

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM                                                  A0-19
                                                                                      DQ0-7
DQDQ0-D0Q-311        32                                      /CE-LL2
A0-AA109-19         20                                                   /W E
                                                             /CE-LM2
/CE-LL1                          A0-19                                  /OE U5
                                             DQ0-7           /CE-UM2
/CE-LM1                                                           /WE            /CE
                                 /WE                                /OE
/CE-UM1                                                                   A0-19
        /W E                /OE U1                            /CE-UU2                 DQ8-15
          /OE
                                         /CE                              /W E
   /CE-UU1
                                  A0-19                                   /OE U6
                                              DQ8-15
                                                                                   /CE
                                  /W E
                                                                           A0-19
                             /OE U2                                                    DQ 16-23

                                           /CE                             /WE

                                  A0-19                                   /OE U7
                                             DQ16-23
                                                                                   /CE
                                  /WE
                                                                           A0-19
                             /OE U3                                                    DQ24-31

                                          /CE                              /W E

                                  A0-19                                   /OE U8
                                              DQ24-31
                                                                                   /CE
                                  /W E
                                                                                      POWER
                             /OE U4                                                 STANDBY

                                           /CE                                        ACTIVE
                                                                                      ACTIVE
TRUTH TABLE                                                                           ACTIVE

      MODE                /OE  /CE                     /WE     DQ                   HANBit Electronics Co., Ltd.
                                                             HIGH-Z
STANDBY                   X    H                       X     HIGH-Z

NOT SELECTED              H    L                       H         Q
                                                                 D
READ                      L    L                       H

WRITE or ERASE            X    L                       L

NOTE: X means don't care

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REV.02(August,2002)
HANBit                                                                              HMF2M32M8G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                     PARAMETER                           SYMBOL                         RATING

Voltage with respect to ground all other pins            VIN,OUT                    -2.0V to +7.0V

Voltage with respect to ground Vcc                       VCC                         -2.0V to +7.0V
Storage Temperature                                      TSTG                       -65oC to +125oC
Operating Temperature                                     TA                        -55oC to +125oC

Power Dissapation                                           PD                               8W

w Stresses greater than those listed under " Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.

This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated

in the operating section of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended

periods may affect reliability.

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

        PARAMETER                              SYMBOL              MIN            TYP.               MAX
                                                                  4.75V             0                5.25V
Vcc for 5% device Supply Voltages             VCC                4.5V                               5.5V

Vcc for 10% device Supply Voltages           Vcc                   0                                  0

Ground                                         VSS

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS (0oC  TA  70 oC ; Vcc = 5V 0.5V )

        PARAMETER                              TEST CONDITIONS              SYMBOL      MIN      MAX        UNITS
                                                                                                              A
Input Leakage Current               Vcc=Vcc max, VIN= GND to Vcc            IL1                  1.0         A
                                                                                                               V
Output Leakage Current              Vcc=Vcc max, VOUT= GND to Vcc           IL0                  1.0          V
                                                                                                              mA
Output High Voltage                 IOH = -2.5mA, Vcc = Vcc min             VOH         2.4
                                                                                                              mA
Output Low Voltage                  IOL = 12mA, Vcc =Vcc min                VOL                  0.45
                                                                                                              mA
Vcc Active Current for Read(1)      /CE = VIL, /OE=VIH,                     ICC1                 40            V

Vcc Active Current for Program      /CE = VIL, /OE=VIH                      ICC2                 60
or Erase(2)

  Vcc Standby Current               /CE= VIH                                ICC3                 1.0
  Low Vcc Lock-Out Voltage
Notes:                                                                      VLKO        3.2      4.2

1. The Icc current listed is typically less than 2mA/MHz, with /OE at VIH.
2. Icc active while embedded algorithm (program or erase) is in progress

3. Maximum Icc current specifications are tested with Vcc=Vcc max

ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE

        PARAMETER                              LIMITS                       UNIT             COMMENTS
                                               TYP.
                                      MIN.                    MAX.

Sector Erase Time                     -             1             8                    Excludes 00H programming
                                                                            sec

                                                                                       prior to erasure

URL: www.hbe.co.kr                                       3                                   HANBit Electronics Co., Ltd.

REV.02(August,2002)
HANBit                                                                                 HMF2M32M8G

Byte Programming Time                         -       7        300        s           Excludes system-level overhead
Chip Programming Time
                                              -       7.2      21.6       sec Excludes system-level overhead

CAPACITANCE

PARAMETER              PARAMETER                           TEST SETUP             MIN  MAX             UNIT
   SYMBOL              DESCRIPTION
                                                                                        7.5             pF
CIN                  Input Capacitance                      VIN = 0               6     12              pF
                                                                                         9              pF
COUT                 Output Capacitance                     VOUT = 0              8.5

CIN2                 Control Pin Capacitance                VIN = 0               7.5

Notes : Test conditions TA = 25o C, f=1.0 MHz.

AC CHARACTERISTICS
  u Read Only Operations Characteristics

PARAMETER

SYMBOLS                                  DESCRIPTION                      TEST SETUP   -75         -90 UNIT

JEDEC STANDARD

tAVAV      tRC         Read Cycle Time                                            Min  70          90        ns

tAVQV      tACC                                                        /CE = VIL  Max
                         Address to Output Delay                       /OE = VIL
                                                                       /OE = VIL  Max  70          90        ns
                                                                                  Max
tELQV      tCE         Chip Enable to Output Delay                                Max  70          90        ns
tGLQV                                                                             Max
tEHQZ      tOE         Chip Enable to Output Delay                                     40          40        ns
tGHQZ
           tDF         Chip Enable to Output High-Z                                    20          20        ns
tAXQX
           tDF         Output Enable to Output High-Z                                  20          20        ns

                        Output Hold Time From Addresses,                          Min  0           0         ns
           tQH

                        /CE or /OE, Whichever Occurs First

TEST SPECIFICATIONS                                               75                 ALL OTHERS        UNIT
                                                                                  1TTL gate
                          TEST CONDITION                          30                                    pF
Output load                                                       5                        100         ns
Output load capacitance,                                      0.0 - 3.0                                 V
CL (Including jig capacitance)                                   1.5                        20          V
Input rise and full times                                        1.5                    0.45-2.4        V
Input pulse levels                                                                      0.8, 2.0
Input timing measurement reference levels                                               0.8, 2.0
Output timing measurement reference levels

URL: www.hbe.co.kr                                         4                          HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                                                            HMF2M32M8G

                             Device                                  5.0V
                              Under
                               Test                                  2.7k

                                             CL          IN3064
                                                      or Equivalent

                                                      6.2k                Diodes = IN3064
                                                                          or Equivalent

                     Note : CL = 100pF including jig capacitance

u Erase/Program Operations

           PARAMETER

           SYMBOLS                               DESCRIPTION               -75  -90            UNIT

JEDEC STANDARD

    tAVAV    tWC      Write Cycle Time                               Min   70              90  ns
    tAVWL    tAS      Address Setup Time
    tWLAX    tAH      Address Hold Time                              Min   0               0   ns
   tDVWH     tDS      Data Setup Time
   tWHDX     tDH      Data Hold Time                                 Min   40              45  ns
            tOES      Output Enable Setup Time
   tGHWL   tGHWL      Read Recover Time Before Write                 Min   40              45  ns
    tELWL    tCS      /CE Setup Time
   tWHEH     tCH      /CE Hold Time                                  Min   0               0   ns
   tWLWH     tWP      Write Pulse Width
   tWHWL    tWPH      Write Pulse Width High                         Min   0               0   ns
  tWHWH1   tWHWH1     Byte Programming Operation
  tWHWH2   tWHWH2     Sector Erase Operation (Note1)                 Min   0               0   ns
            tVCS      Vcc set up time
Notes :                                                              Min   0               0   ns

                                                                     Min   0               0   ns

                                                                     Min   40              45  ns

                                                                     Min   20              20  ns

                                                                     Typ   7               7   s

                                                                     Typ   1               1   sec

                                                                     Min   50              50  s

1. This does not include the preprogramming time

2. This timing is only for Sector Protect operations

URL: www.hbe.co.kr                                    5                         HANBit Electronics Co., Ltd.

REV.02(August,2002)
HANBit                                                        HMF2M32M8G

u Erase/Program Operations
      Alternate /CE Controlled Writes

PARAMETER SYMBOLS    DESCRIPTION                              -75  -90  UNIT
JEDEC STANDARD

    tAVAV    tWC     Write Cycle Time                    Min  70   90     ns
    tAVWL    tAS     Address Setup Time
    tWLAX    tAH     Address Hold Time                   Min  0    0      ns
   tDVWH     tDS     Data Setup Time
   tWHDX     tDH     Data Hold Time                      Min  40   45     ns
            tOES     Output Enable Setup Time
   tGHWL   tGHWL     Read Recover Time Before Write      Min  40   45     ns
    tELWL    tCS     /CE Setup Time
   tWHEH     tCH     /CE Hold Time                       Min  0    0      ns
   tWLWH     tWP     Write Pulse Width
   tWHWL    tWPH     Write Pulse Width High              Min  0    0      ns
  tWHWH1   tWHWH1    Byte Programming Operation
  tWHWH2   tWHWH2    Sector Erase Operation (Note1)      Min  0    0      ns
Notes :
                                                         Min  0    0      ns

                                                         Min  0    0      ns

                                                         Min  40   45     ns

                                                         Min  20   20     ns

                                                         Typ  7    7      s

                                                         Typ  1    1    sec

1. This does not include the preprogramming time

2. This timing is only for Sector Protect operations

URL: www.hbe.co.kr                                   6            HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                       HMF2M32M8G

u READ OPERATIONS TIMING

u RESET TIMING

URL: www.hbe.co.kr       7  HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                 HMF2M32M8G

u PROGRAM OPERATIONS TIMING

u CHIP/SECTOR ERASE OPERATION TIMINGS

URL: www.hbe.co.kr          8         HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                              HMF2M32M8G

u DATA# POLLING TIMES(DURING EMBEDDED ALGORITHMS)

u TOGGLE# BIT TIMINGS (DURING EMBEDDED ALGORITHMS)

URL: www.hbe.co.kr  9                              HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                              HMF2M32M8G

u SECTOR PROTECT UNPROTECT TIMEING DIAGRAM

u ALTERNATE CE# CONTROLLED WRITE OPERATING TIMINGS

URL: www.hbe.co.kr  10                             HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                                                        HMF2M32M8G

PACKAGE DIMENSIONS

                                                   108mm

   3.2 mm

   6.35 mm           1                                                        72
                                                                                     3.34 mm
   2.03 mm

                                 1.02 mm           6.35 mm         1.27 mm
                                                   95.25 mm

   0.25 mm MAX                                     2.54 mm
                                                    MIN
                                                                              1.290.08 mm
                                         Gold: 1.040.10 mm
                     1.27 mm             Solder: 0.9140.10 mm

-               (Solder & Gold Plating)

ORDERING INFORMATION

       Part Number      Density           Org.            Package  Component  Vcc             SPEED
   HMF2M32M8G-75                                                     Number   5.0V             75ns
   HMF2M32M8G-90        8MByte           2M32bit  72Pin-SIMM           8EA   5.0V             90ns
   HMF2M32M8G-120       8MByte           2M32bit  72Pin-SIMM                 5.0V            120ns
                        8MByte           2M32bit  72Pin-SIMM           8EA
                                                                        8EA

URL: www.hbe.co.kr                                11                         HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
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             www.EEworld.com.cn

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