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HMF2M32B4V-80

器件型号:HMF2M32B4V-80
厂商名称:ETC
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HMF2M32B4V-80器件文档内容

HANBit                                                               HMF2M32B4V

                     Flash-ROM Module 8MByte (2Mx32Bit), 72Pin-SO-DIMM, 3.3V

                     Design                            Part No. HMF2M32B4V

GENERAL DESCRIPTION

  The HMF2M32B4V is a high-speed flash read only memory (FROM) module containing 4,194,304 words organized in a
x32bit configuration. The module consists of four 1M x 16 FROM mounted on a 72-pin SO-DIMM type, single - sided, FR4-
printed circuit board.
Commands are written to the command register using standard microprocessor write timings.
Register contents serve as input to an internal state-machine, which controls the erase and programming circuitry. Write
cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the
device is similar to reading from 12.0V flash or EPROM devices.
Output enable (/OE) and write enable (/WE) can set the memory input and output. The host system can detect a program or
erase operation is complete by observing the Ready Pin, or reading the DQ7(Data # Polling) and DQ6(Toggle) status bits.
When FROM module is disable condition the module is becoming power standby mode, system designer can get low-power
design. All module components may be powered from a single + 3.0V DC power supply and all inputs and outputs are LVTTL-
compatible.

FEATURES                                               PIN ASSIGNMENT

w Access time: 70, 80, 90, 120ns       PIN Symbol PIN Symbol PIN Symbol PIN Symbol
w High-density 8MByte design
w High-reliability, low-power design   1      Vss  21 DQ15 41 DQ29 61              A8
w Single + 3.0V 0.5V power supply
w All in/outputs are LVTTL-compatible  2   /RESET  22     NC     42  DQ30      62  A7
w FR4-PCB design                                       (/CE_4L)
w Minimum 1,000,000 write/erase cycle
w Sector erases architecture           3   DQ0     23      NC    43  DQ31      63  A6
                                                       (/CE_3H)

                                       4   DQ1 24 DQ16 44            NC        64  A5

                                       5   DQ2     25  DQ17      45      NC    65  A4
                                                                     (/CE_4H)

                                       6   DQ3     26  DQ18      46      NC    66  A3
                                                                     (/CE_3H)

                                       7   DQ4 27 DQ19 47            A19       67  A2

OPTIONS              MARKING           8   DQ5 28 DQ20 48            /OE       68  A1

w Timing                  -70          9   DQ6 29 DQ21 49            /WE       69  A0
  70ns access             -80
   80ns access            -90          10     Vcc  30  Vcc       50  A18       70  A20
   90ns access            -120
   120ns access                        11 DQ7 31 DQ22 51             A17       71  NC
                              B
w Packages                             12 /CE_1L 32 DQ23 52          A16       72  Vss
  72-pin SO-DIMM
                                       13 /CE_2L 33 /CE_1H 53        A15

                                       14 DQ8 34 /CE_2H 54           A14

                                       15 DQ9 35 DQ24 55             A13

                                       16 DQ10 36 DQ25 56            A12

                                       17 DQ11 37 DQ26 57            A11

                                       18 DQ12 38 DQ27 58            A10

                                       19 DQ13 39      Vss       59  Vcc

                                       20 DQ14 40 DQ28 60            A9

URL :www.hbe.co.kr                         1                         HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                                           HMF2M32B4V

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

DQ0 - DQ31                           32
    A0 A19                 20

                     /CE_IL                 A0-19
                                                       DQ 0-15
/CE_IH
                                            /W E
/CE_2L
                                            /OE U1
  /WE
  /OE                                       /CE
/CE_2H                                     RY-BY
/RY_BY                                     /Reset
/RESET
                                            A0-19
                                                       DQ 15-31

                                            /W E

                                            /OE U3

                                            /CE
                                            RY-BY
                                             /Reset

                                            A0-19
                                                       DQ 0-15

                                            /W E

                                            /OE U2

                                            /CE
                                            RY-BY
                                             /Reset

                                             A0-19
                                                       DQ 15-31

                                            /W E

                                            /OE U4

                                            /CE
                                             RY-BY
                                             /Reset

URL :www.hbe.co.kr                       2                       HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                                                                     HMF2M32B4V

TRUTH TABLE

        MODE                     /OE           /CE         /WE         /RESET      DQ ( /BYTE=L )        POWER
                                                                                                        STANDBY
STANDBY                          X             H           X           Vcc0.3V    HIGH-Z
                                                                                                         ACTIVE
NOT SELECTED                     H             L           H           H           HIGH-Z                ACTIVE
                                                                                                         ACTIVE
READ                             L             L           H           H           DOUT

WRITE or ERASE                   X             L           L           H           DIN

NOTE: X means don't care

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                     PARAMETER                             SYMBOL                          RATING

Voltage with respect to ground all other pins                 VIN,OUT              -0.5V to Vcc+0.5V

Voltage with respect to ground Vcc                               VCC                    -0.5V to +4.0V

Storage Temperature                                              TSTG              -65oC to +150oC

Operating Temperature                                            TA                -55oC to +125oC

w Stresses greater than those listed under " Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.

This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated

in the operating section of this specification is not i mplied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended

periods may affect reliability.

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

                   PARAMETER                      SYMBOL               MIN         TYP.                 MAX
Vcc for 10% device Supply Voltages                 Vcc               2.7V          0                  3.6V
Ground                                                VSS
                                                                         0                                0

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS ( 0oC  TA  70 oC )

         PARAMETER                                  TEST CONDITIONS                SYMBOL MIN MAX UNIT

Input Load Current                             Vcc=Vcc max, VIN= GND to Vcc         IL1                 1.0 A
                                                                                    IL0
Output Leakage Current                         Vcc=Vcc max, VOUT= GND to Vcc       VOH                  1.0 A
                                                                                   VOL
Output High Voltage                            IOH = -2.0mA, Vcc = Vcc min                         2.4            V
                                                                                   ICC1
Output Low Voltage                             IOL = 4.0mA, Vcc =Vcc min                                0.45      V
                                                                                   ICC2
                                               /CE = VIL,                    5MHZ  ICC3            18   32
                                               /OE = VIH,                    1MHZ  VLKO
Vcc Active Read Current (1)                                                                                       mA

                                                                                                   4    8

Vcc Active Write Current (2)                   /CE = VIL, /OE=VIH                                  40   60        mA

Vcc Standby Current                            /CE, /RESET=Vcc0.3V                                     60        mA

Low Vcc Lock-Out Voltage                                                                           2.3 2.5        V

Notes: 1. The Icc current listed is typically less than 2mA/MHz, with /OE at VIH.

2. Icc active while embedded algorithm (program or erase) is in progress

3. Maximum Icc current specifications are tested with Vcc=Vcc max

URL :www.hbe.co.kr                                            3                                    HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                                                                              HMF2M32B4V

ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE

             PARAMETER                             LIMITS                      UNIT                          COMMENTS
                                                   TYP.
                                       MIN.                     MAX.

Sector Erase Time                           -           0.7     15                  sec Excludes 00H programming
Chip Erase Time
Byte Programming Time                                   25                                     prior to erasure
Chip Programming Time                                                               sec

                                            -           9       300                 s          Excludes system-level

                                                                                                overhead

                                            -           18      54                  sec

TSOP CAPACITANCE

PARAMETER               PARAMETER                            TEST SETUP                  MIN              MAX          UNIT
   SYMBOL               DESCRIPTION
                                                                 VIN = 0
       CIN         Input Capacitance                            VOUT = 0                   6                 7.5       pF
                                                                 VIN = 0
COUT               Output Capacitance                                                      8.5               12        pF

       CIN2        Control Pin Capacitance                                                 7.5               9         pF

Notes : Test conditions TA = 25o C, f=1.0 MHz.

AC CHARACTERISTICS
u Read Only Operations Characteristics

     PARAMETER                        DESCRIPTION               TEST SETUP                        Speed Options        UNIT
       SYMBOLS                                                                           -70R -80 -90 -120

JEDEC STANDARD

tAVAV        tRC     Read Cycle Time                                           Min         70   80           90 120 ns
                                                                               Max
tAVQV        tACC    Address to Output Delay                    /CE = VIL                  70   80           90 120 ns
                                                                /OE = VIL

tELQV        tCE     Chip Enable to Output Delay                /OE = VIL Max              70   80           90 120 ns
tGLQV
tEHQZ        tOE     Chip Enable to Output Delay                               Max         30   30           35   35         ns
tGHQZ
tAXQX        tDF     Chip Enable to Output High-Z                              Max         25   25           30   30         ns

             tDF     Output Enable to Output High-Z                            Max         25   25           30   30         ns

                     Output Hold Time From Addresses,                          Min                        0

             tQH     /CE or /OE, Whichever Occurs First                                                                      ns

TEST SPECIFICATIONS

                            TEST CONDITION                      70R, 80                         90, 120                UNIT
Output load
Output load capacitance,CL (Including jig capacitance)                         1TTL gate                                pF
Input rise and full times                                                                                               ns
Input pulse levels                                                         30                   100                      V
Input timing measurement reference levels                                                                                V
Output timing measurement reference levels                                              5                                V

                                                                                    0.0-3.0

                                                                                    1.5

                                                                                    1.5

URL :www.hbe.co.kr                                           4                                            HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                                                                              HMF2M32B4V

                                  Device                                           5.0V
                                   Under
                                   Test                                                  2.7k

                                                   CL                  IN3064
                                                                    or Equivalent

                                                       6.2k                              Diodes = IN3064
                                                                                         or Equivalent

                     Note : CL = 100pF including jig capacitance

u Erase/Program Operations

PARAMETER SYMBOLS                                                                        Speed Options
JEDEC STANDARD
                                                       DESCRIPTION                                             UNIT

                                                                                   70R   80         90    120   ns
                                                                                                                ns
tAVAV   tWC          Write Cycle Time                                  Min         70    80         90    12    ns
                                                                                                                ns
tAVWL   tAS          Address Setup Time                                Min                     0                ns
                                                                                                                ns
tWLAX   tAH          Address Hold Time                                 Min         45    45         45    50    ns
                                                                                                                ns
tDVWH   tDS          Data Setup Time                                   Min         35    35         45    50    ns
                                                                                                                ns
tWHDX   tDH          Data Hold Time                                    Min                     0                ns
                                                                                                                s
        tOES         Output Enable Setup Time                          Min                     0                sec
                                                                                                                s
tGHWL   tGHWL        Read Recover Time Before Write Min                                        0

tELWL   tCS          /CE Setup Time                                    Min                     0

tWHEH   tCH          /CE Hold Time                                     Min                     0

tWLWH   tWP          Write Pulse Width                                 Min         35    35         35    50

tWHWL   tWPH         Write Pulse Width High                            Min                     30

tWHWH1  tWHWH1       Byte Programming Operation                        Typ                     9

tWHWH2  tWHWH2       Sector Erase Operation (Note1)                    Typ                     0.7

        tVCS         Vcc set up time                                   Min                     50

Notes : 1 . This does not include the preprogramming time

        2 . This timing is only for Sector Protect operations

URL :www.hbe.co.kr                                                  5                               HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                                                                 HMF2M32B4V

u Erase/Program Operations
    Alternate /CE Controlled Writes

PARAMETER SYMBOLS                                                            Speed Options
JEDEC STANDARD
                                    DESCRIPTION                                                  UNIT

                                                                       -70R  -80       -90  120

tAVAV   tWC          Write Cycle Time                             Min  70    80        90   12   ns
tAVWL
        tAS          Address Setup Time                           Min             0              ns

tWLAX   tAH          Address Hold Time                            Min  45    45        45   50   ns

tDVWH   tDS          Data Setup Time                              Min  35    35        45   50   ns

tWHDX   tDH          Data Hold Time                               Min             0              ns

        tOES         Output Enable Setup Time                     Min             0              ns

tGHWL   tGHWL        Read Recover Time Before Write               Min             0              ns

tELWL   tCS          /CE Setup Time                               Min             0              ns
tWHEH
        tCH          /CE Hold Time                                Min             0              ns

tWLWH     tWP        Write Pulse Width                            Min  35    35        35   50   ns
tWHWL    tWPH        Write Pulse Width High
tWHWH1  tWHWH1       Byte Programming Operation                   Min             30             ns

                                                                  Typ             9              s

tWHWH2  tWHWH2       Sector Erase Operation (Note1)               Typ             0.7            sec

Notes : 1. This does not include the preprogramming ti me

        2 . This timing is only for Sector Protect operations

u READ OPERATIONS TIMING

URL :www.hbe.co.kr                                             6                       HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                 HMF2M32B4V

u RESET TIMING

u PROGRAM OPERATIONS TIMING
   Alternate /WE Controlled Writes

URL :www.hbe.co.kr                  7  HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                    HMF2M32B4V

      Alternate /CE Controlled Writes

u CHIP/BLOCK ERASE OPERATION TIMINGS

URL :www.hbe.co.kr                     8  HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                              HMF2M32B4V

u DATA# POLLING TIMES DURING INTERNAL ROUTINE OPERATION

u RY_ /BY TIMEING DURING ERASE / PROGRAM OPERATION

URL :www.hbe.co.kr   9                                   HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                                           HMF2M32B4V

u TOGGLE# BIT DURING INTERNAL ROUTINE OPERATION

URL :www.hbe.co.kr   10                          HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
HANBit                            HMF2M32B4V
PACKAGE DIMENSIONS

                     

URL :www.hbe.co.kr    2.2 mm MAX  HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)  1.0 0.1mm

                      11
HANBit                                                                         HMF2M32B4V

ORDERING INFORMATION

    Part Number      Density  Org.  Package        Component                   SPEED
HMF2M32B4V-70                                                             Vcc   70ns
HMF2M32B4V-80                                                                   80ns
HMF2M32B4V-90                                        Number                     90ns
HMF2M32B4V-120                                                                 120ns
                     8MByte 2Mx 32 72Pin SODIMM  4EA  3.3V

                     8MByte 2Mx 32 72Pin SODIMM  4EA  3.3V
                                                        3.3V
                     8MByte 2Mx 32 72Pin SODIMM  4EA

                     8MByte 2Mx 32 72Pin SODIMM  4EA  3.3V

URL :www.hbe.co.kr                  12                                         HANBit Electronics Co., Ltd.
REV.02(August,2002)
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