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HMD2M32M4EG

器件型号:HMD2M32M4EG
厂商名称:HANBIT Electronics
厂商官网:http://www.hbe.co.kr/
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HMD2M32M4EG器件文档内容

HANBit                                                     HMD2M32M4E/4EG

                                  8Mbyte(2Mx32) EDO Mode, 1K Refresh 72Pin SIMM, 5V Design
                                                               Part No. HMD2M32M4E, HMD2M32M4EG

GENERAL DESCRIPTION

   The HMD2M32M4E is a 2M x 32bit dynamic RAM high-density memory module. The module consists of four CMOS 1M
x 16bit DRAMs in 42-pin SOJ packages mounted on a 72 -pin, double-sided, FR-4-printed circuit board. A 0.1 or 0.22uF
decoupling capacitor is mounted on the printed circuit board for each DRAM components. The module is a single In -line
Memory Module with edge connections and is intended for mounting in to 72 -pin edge connector sockets. All module
components may be powered from a single 5V DC power supply and all inputs and outputs are TTL -compatible.

FEATURES                                                   PIN ASSIGNMENT

w Part Identification

HMD2M32M4E---- 1024 Cycles/16ms Ref . Solder     PIN SYMBOL PIN SYMBOL PIN SYMBOL

HMD2M32M4EG- -1024 Cycles/16ms Ref . Gold       1   Vss   25  DQ22   49   DQ8
w Access times : 50, 60ns
                                                 2   DQ0   26  DQ7    50   DQ24

w High-density 8MByte design                     3   DQ16 27   DQ23   51   DQ9

w Single + 5V 0.5V power supply                 4   DQ1   28  A7     52   DQ25
w JEDEC standard pinout
                                                 5   DQ17 29   A11    53   DQ10

w EDO mode operation                             6   DQ2   30  Vcc    54   DQ26

w TTL compatible inputs and outputs              7   DQ18 31   A8     55   DQ11
w FR4-PCB design
                                                 8   DQ3   32  A9     56   DQ27

OPTIONS                MARKING                   9   DQ19 33   /RAS3  57   DQ12

w Timing                                         10  Vcc   34  /RAS2  58   DQ28

                                                 11  NC    35  NC     59   Vcc

50ns access                   -50                12  A0    36  NC     60   DQ29

60ns access                   -60                13  A1    37  NC     61   DQ13

70ns access                   -70                14  A2    38  NC     62   DQ30

w Packages                                       15  A3    39  Vss    63   DQ14

72-pin SIMM                       M              16  A4    40  /CAS0  64   DQ31

                                                 17  A5    41  /CAS2  65   DQ15

PERFORMANCE RANGE                                18  A6    42 /CAS3 66     NC

Speed        tRAC             tCAC    tRC        19  A10   43 /CAS1 67     PD1
                                     90ns
5            50ns             15ns   110ns       20  DQ4   44  /RAS0  68   PD2
                                     130ns
6            60ns             15ns               21 DQ20 45 /RAS1 69       PD3

7            70ns             15ns               22  DQ5   46  NC     70   PD4

PRESENCE DETECT PINS                             23 DQ21 47    /WE    71   NC

                                                 24  DQ6   48  NC     72   Vss

Pin                    50ns          60ns            70ns
                                      NC              NC
PD1                    NC             NC              NC
                                      NC             Vss
PD2                    NC             NC              NC

PD3                    Vss

PD4                    Vss

URL:www.hbe.co.kr                             6                HANBit Electronics Co.,Ltd.
REV.1.0 (August.2002)
HANBit                                                              HMD2M32M4E/4EG

Functional Block Diagram

                                    DQ0           DQ0 U4
                                                  DQ1
                              U2 DQ1

/RAS0                  /RAS      DQ2              DQ2                             /RAS1
/CAS0                            DQ3              DQ3                             /CAS0
/CAS1                                                       /RAS                  /CAS1
                                 DQ4
                                                  DQ4
                       /LCAS     DQ5
                                 DQ6                   DQ5
                                         DQ0-15 DQ6         LCAS
                                 DQ7
                                                  DQ7
                       /UCAS     DQ8
                                 DQ9              DQ8
                                                  DQ9       /UCAS
                                 DQ10
                                                  DQ10
                       /OE       DQ11
                                 DQ12             DQ11
                                                                    /OE
                                 DQ13             DQ12

                                 DQ14             DQ13

                                 DQ15             DQ14

                                                  DQ15

                       /W A0-A11                            /W A0-A11

                             U1  DQ0              DQ0 U3
                                 DQ1              DQ1
/RAS2                  /RAS      DQ2
/CAS2                  /LCAS     DQ3              DQ2       /RAS                  /RAS3
/CAS3                  /UCAS     DQ4              DQ3                             /CAS2
                                 DQ5                                              /CAS3
/WE                   /OE       DQ6              DQ4
A0-A11                           DQ7
                                 DQ8              DQ5
                                 DQ9
                                 DQ10             DQ6       /LCAS
                                 DQ11             DQ7
                                 DQ12
                                 DQ13             DQ8
                                 DQ14
                                 DQ15             DQ9       /UCAS

                                         DQ16-31  DQ10
                                                  DQ11

                                                  DQ12              /OE

                                                  DQ13

                                                  DQ14

                                                  DQ15

                       /W     A0-A11                        /W A0-A11

                                 Vcc        0.1uFor         0.22uF
                                 Vss
                                            Capacitor               To all DRAMs

                                            for each DRAM

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REV.1.0 (August.2002)
HANBit                                                                           HMD2M32M4E/4EG

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                       PARAMETER               SYMBOL                                  RATING

Voltage on Any Pin Relative to Vss             VIN ,OUT                          -1V to 7.0V

Voltage on Vcc Supply Relative to Vss             Vcc                            -1V to 7.0V

Power Dissipation                                  PD                                    4W
Storage Temperature                               TSTG                           -55oC to 150oC

Short Circuit Output Current                      IOS                                  50mA

w Permanent device damage may occur if " Absolute Maximum Ratings" are exceeded. Functional operation should be

restricted to the conditions as detailed in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

(Voltage reference to VSS, TA=0 to 70 o C )

          PARAMETER                 SYMBOL     MIN                     TYP             MAX       UNIT
Supply Voltage                                                         5.0               5.5       V
Ground                                    Vcc  4.5                       0                0        V
Input High Voltage                                                                     Vcc+1       V
Input Low Voltage                         Vss  0                         -               0.8       V
                                                                         -
                                          VIH  2.4

                                          VIL  -1.0

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS

SYMBOL                                 SPEED         MIN                         MAX             UNITS
                                                                                 305               mA
                                          -5            -                        284               mA
                                                                                                   mA
        ICC1                                                                       8               mA
                                                                                 304               mA
                                          -6            -                        284               mA
                                                                                 244               mA
        ICC2                                            -                        224               mA
                                                                                                   mA
                                          -5            -                          4               mA
                                                                                 304               mA
        ICC3                                                                     284               mA
                                                                                  20                V
                                          -6            -                                           V
                                                                                  10
                                          -5            -                          -
                                                                                  0.4
        ICC4

                                          -6            -

        ICC5                                            -

                                          -5            -

        ICC6

                                          -6            -

        Il(L)                                        -20

        IO(L)                                        -10

        VOH                                            2.4

        VOL                                             -

ICC1 : Operating Current * (/RAS , /CAS , Address cycling @t RC=min.)

ICC2 : Standby Current ( /RAS=/CAS=VIH )

ICC3 : /RAS Only Refresh Current * ( /CAS=VIH, /RAS, Address cycling @tRC=min )

URL:www.hbe.co.kr                              8                                       HANBit Electronics Co.,Ltd.
REV.1.0 (August.2002)
HANBit                                                                                             HMD2M32M4E/4EG

ICC4 : Fast Page Mode Current * (/RAS=VIL, /CAS, Address cycling @tPC=min )
ICC5 : Standby Current (/RAS=/CAS=Vcc-0.2V )
ICC6 : /CAS-Before-/RAS Refresh Current * (/RAS and /CAS cycling @tRC=min )
IIL : Input Leakage Current (Any input 0V VIN 6.5V, all other pins not under test = 0V)
IOL : Output Leakage Current (Data out is disabled, 0V VOUT 5.5V
VOH : Output High Voltage Level (IOH= -5mA )
VOL : Output Low Voltage Level (IOL = 4.2mA )
* NOTE: ICC1, ICC3, ICC4 and ICC6 are dependent on output loading and cycle rates. Specified values are obtained wi th the

            output open. ICC is specified as an average current. In I CC1 and ICC3, address cad be changed maximum once
            while /RAS=VIL. In ICC4, address can be changed maximum once within one page mode cycle.

CAPACITANCE                           o

                       ( TA=25 C, Vcc = 5V, f = 1Mz )

                          DESCRIPTION                                    SYMBOL             MIN            MAX           UNITS
Input Capacitance (A0-A10)                                                  CIN1              -             44             pF
Input Capacitance (/W)                                                      C IN2             -             48             pF
Input Capacitance (/RAS0)                                                   CIN3              -             40             pF
Input Capacitance (/CAS0-/CAS3)                                             CIN4              -             29             pF
Input/Output Capacitance (DQ0-31)                                           CDQ1              -             29             pF

AC CHARACTERISTICS     (               0  o     TA    70oC  ,  Vcc  =  5V10%,   See  notes  1,2.)

                                           C

                                                                                               -5               -6

                   STANDARD OPERATION                                 SYMBOL            MIN        MAX     MIN      MAX  UNIT

Random read or write cycle time                                           tRC           90                 110            ns
Access time from /RAS                                                    tRAC                                             ns
Access time from /CAS                                                    tCAC                         50            60    ns
Access time from column address                                           tAA                                             ns
/CAS to output in Low-Z                                                   tCLZ                        15            17    ns
Output buffer turn-off delay                                             tOFF                                             ns
Transition time (rise and fall)                                            tT                         25            30    ns
/RAS precharge time                                                       tRP                                             ns
/RAS pulse width                                                         tRAS           3                  3              ns
/RAS hold time                                                           tRSH                                             ns
/CAS hold time                                                           tCSH           3             13   3        15    ns
/CAS pulse width                                                         tCAS                                             ns
/RAS to /CAS delay time                                                  tRCD           2             50   2        50    ns
/RAS to column address delay time                                        tRAD                                             ns
/CAS to /RAS precharge time                                              tCRP           30                 40             ns
Row address set-up time                                                  tASR                                             ns
Row address hold time                                                    tRAH           50            10K  60       10K   ns

                                                                                        13                 17

                                                                                        40                 50

                                                                                        8             10K  10       10K

                                                                                        20            37   20       45

                                                                                        15            25   15       30

                                                                                        5                  5

                                                                                        0                  0

                                                                                        10                 10

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HANBit                                                    HMD2M32M4E/4EG

Column address set-up time                     tASC   0         0         ns

Column address hold time                       tCAH   8         10        ns

Column Address to /RAS lead time               tRAL   25        30        ns

Read command set-up time                       tRCS   0         0         ns

Read command hold referenced to /CAS           tRCH   0         0         ns

Read command hold referenced to /RAS           tRRH   0         0         ns

Write command hold time                        tWCH   10        10        ns

Write command pulse width                      tWP    10        10        ns

Write command to /RAS lead time                tRWL   13        15        ns

Write command to /CAS lead time                tCWL   13        15        ns

Data-in set-up time                            tDS    0         0         ns

Data-in hold time                              tDH    8         10        ns

Refresh period (1K Ref. Normal)                tREF       16        16    ms

Write command set-up time                      tWCS   0         0         ns

/CAS setup time (C-B-R refresh)                tCSR   5         5         ns

/CAS hold time (C-B-R refresh)                 tCHR   10        10        ns

/RAS precharge to /CAS hold time               tRPC   5         5         ns

Access time from /CAS precharge                tCPA       30        35    ns

/CAS precharge time (Fast page)                tCP    8         10        ns

/RAS pulse width (Fast page )                  tRASP  50  200K  60  200K  ns

/W to /RAS precharge time (C-B-R refresh)      tWRP   10        10        ns

/W to /RAS hold time (C-B-R refresh)           tWRH   10        10        ns

NOTES

1.An initial pause of 200ms is required after power-up followed by any 8 /RAS-only or /CAS-before-/RAS refresh cycles
  before proper device operation is achieved.

2.VIH (min) and VIL (max) are reference levels for measuring timing of input signals. Transition times are measured between
  VIH(min) and VIL(max) and are assumed to be 5ns for all inputs.

3.Measured with a load equivalent to 2TTL loads and 100pF

4.Operation within the tRCD(max) limit insures that tRAC(max) can be met. tRCD(max) is specified as a reference point only. If t RCD
  is greater than the specified t RCD(max) limit, then access time is controlled exclusively by t CAC.

5.Assumes that tRCD tRCD(max)
6. tAR, tWCR, tDHR are referenced to tRAD(max)
7.This parameter defines the time at which the output achieves the open circuit condition and is not referenced to V OH

  or VOL.
8. tWCS, tRWD, tCWD and tAWD are non restrictive operating parameter.

   They are included in the data sheet as e lectrical characteristic only. If t WCS tWCS(min) the cycle is an early write
   cycle and the data out pin will remain high impedance for the duration of the cycle.
9. Either tRCH or tRRH must be satisfied for a read cycle.
10. These parameters are referenced to the /CAS leading edge in early write cycles and to the /W leading edge in read -

    write cycles.
11. Operation within the tRAD(max) limit insures that tRAC(max) can be met. tRAD(max) is specified as a reference

    point only. If tRAD is greater than the specified tRAD(max) limit. then access time is controlled by t AA.

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TIMING DIAGRAMS TIMING

WAVEFORM OF READ CYCLE

/RAS VIH-                                                       tRC                                tRP
                                                                tRAS                                    tCRP

        VIL-                                                                                  tRRH tRCH
                                                                                                        tOFF
                       tCRP                  tRCD               tCSH            tRSH
                                                                                                     tOEZ
/CAS VIH-                                                                       tCAS
                                                                                            DATA-OUT
     VIL-                              tRAD
                                                                                                 tRP
A VIH-                tASR      tRAH        tASC                     tCAH            tRAL            tCRP
     VIL-
                       ROW ADDRESS                       COLUMN ADDRESS
/W VIH-
                                                   tRCS

        VIL-                                                               tAA

/OE VIH-                                                                       tOEA
       VIL-                                                                 tCAC

DQ VOH-                                      tRAC                 tCLZ

        VOL-                           OPEN

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE (EARLY WRITE)

/RAS VIH-                                                       tRC
         VIL-                                                   tRAS

/CAS VIH-                                                       tCSH
         VIL-
                       tCRP                  tRCD                            tRSH
     A VIH-                tASR                                             tCAS
         VIL-
                                       tRAD
         VIH-
   /W VIL-                       tRAH        tASC                 tCAH                tRAL

         VIH-          ROW ADDRESS                 COLUMN ADDRESS
/OE VIL-
                                                                        tCWL
        VOH-                                                            tRWL
DQ0
                                                   tWCS               tWCH
        VOL-                                               tWP

                                                   tDS                tDH

                                                         DATA-IN

NOTE : Dout = Open                                       11                                 HANBit Electronics Co.,Ltd.

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PACKAGING INFORMATION                                               3.18 mm DIA
                                                                       0.51 mm
72pin -SIMM Design

                                                 (Front view)

          3.38 mm                                      107.95 mm
                                                       101.19 mm
                                      R 1.57 mm

19.05 mm

          6.35 mm         1                                                                          10.16 mm
                                                                                       3.17 mm
          2.03 mm                     1.02 mm           6.35 mm     1.27 mm
                 6.35 mm                               95.25 mm

0.25 mm MAX                                          2.54 mm
                                                        MIN
                                                                                 1.290.08 mm
                                               Gold : 1.040.10 mm
                             1.27 mm           Solder:0.9140.10mm

ORDERING INFORMATION

   Part Number               Density             Org.               Package      Vcc           SPEED
HMD2M32M4EG-5                                                                    5.0V           50ns
HMD2M32M4EG-6                8MByte              2MX 32bit          72 Pin-SIMM  5.0V           60ns
HMD2M32M4EG-7                8MByte              2MX 32bit          72 Pin-SIMM  5.0V           70ns
                             8MByte              2MX 32bit          72 Pin-SIMM

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