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HMD2M32M4EAG-5

器件型号:HMD2M32M4EAG-5
厂商名称:HANBIT Electronics
厂商官网:http://www.hbe.co.kr/
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HMD2M32M4EAG-5器件文档内容

HANBit                                                               HMD2M32M4EAG

                              8Mbyte(2Mx32) EDO Mode, 1K Refresh 72Pin SIMM, 5V Design
                                                                               Part No. HMD2M32M4EAG

GENERAL DESCRIPTION

   The HMD2M32M4EAG is a 2M x 32bit dynamic RAM high-density memory module. The module consists of four CMOS
1M x 16bit DRAMs in 42-pin SOJ packages mounted on a 72-pin, double-sided, FR-4-printed circuit board. A 0.1 or
0.22uF decoupling capacitor is mounted on the printed circuit board for each DRAM components. The module is a single
In-line Memory Module with edge connections and is intended for mounting in to 72-pin edge connector sockets. All
module components may be powered from a single 5V DC power supply and all inputs and outputs are TTL-compatible.

FEATURES                                                         PIN ASSIGNMENT

w Part Identification

HMD2M32M4EAG : 1024 Cycles/32ms Ref . Gold   PIN SYMBOL PIN SYMBOL PIN SYMBOL

w Access times : 50, 60ns                    1   Vss             25  DQ22   49   DQ8

w High-density 8MByte design                 2   DQ0             26  DQ7    50   DQ24

w Single + 5V 0.5V power supply             3   DQ16 27             DQ23   51   DQ9
w JEDEC standard pinout
                                             4   DQ1             28  A7     52   DQ25

w EDO mode operation                         5   DQ17 29             A11    53   DQ10

w TTL compatible inputs and outputs          6   DQ2             30  Vcc    54   DQ26

w FR4-PCB design                             7   DQ18 31             A8     55   DQ11

OPTIONS                    MARKING           8   DQ3             32  A9     56   DQ27

w Timing                                     9   DQ19 33             /RAS3  57   DQ12

50ns access                   -50            10  Vcc             34 /RAS2 58     DQ28

                                             11  NC              35  NC     59   Vcc

60ns access                   -60            12  A0              36  NC     60   DQ29

70ns access                   -70            13  A1              37  NC     61   DQ13

w Packages                                   14  A2              38  NC     62   DQ30

72-pin SIMM                   M              15  A3              39  Vss    63   DQ14

                                             16  A4              40  /CAS0  64   DQ31

                                             17  A5              41  /CAS2  65   DQ15

PERFORMANCE RANGE                            18  A6              42 /CAS3 66     NC

Speed        tRAC             tCAC    tRC    19  A10             43 /CAS1   67   PD1
                                     90ns
5            50ns             15ns   110ns   20  DQ4             44  /RAS0  68   PD2
                                     130ns
6            60ns             15ns           21 DQ20 45 /RAS1 69                 PD3
                                       60ns
7            70ns             15ns      NC   22  DQ5             46  NC     70   PD4
                                        NC
                                        NC   23 DQ21 47              /WE    71   NC
                                        NC
                                             24  DQ6             48  NC     72   Vss

PRESENCE DETECT PINS

Pin                     50ns                               70ns
                                                            NC
PD1                     NC                                  NC
                                                            Vss
PD2                     NC                                  NC

PD3                     Vss                  6

PD4                     Vss

    URL:www.hbe.co.kr                                                HANBit Electronics Co.,Ltd.
REV. 1.0 (August.2002)
HANBit                                                                HMD2M32M4EAG

`FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

                                        DQ0-15

/RAS0                       U2    DQ0           DQ0 U4
                                  DQ1
/CAS0                   /RAS      DQ2           DQ1
        47              /LCAS     DQ3
                        /UCAS     DQ4           DQ2                                   /RAS1
/CAS1                             DQ5
        47              /OE       DQ6           DQ3                   /RAS            /CAS0
                                  DQ7                                               47
                                  DQ8           DQ4
                                  DQ9                                                 /CAS1
                                  DQ10          DQ5                                 47
                                  DQ11
                                  DQ12          DQ6                   LCAS
                                  DQ13
                                  DQ14          DQ7
                                  DQ15
                                                DQ8

                                                DQ9                   /UCAS

                                                DQ10

                                                DQ11

                                                DQ12                  /OE

                                                DQ13

                                                DQ14

                                                DQ15

                        /W A0-A11                     /W A0-A11

/RAS2                         U1  DQ0   DQ16-31                         /RAS          /RAS3
/CAS2                             DQ1
                        /RAS      DQ2               DQ0 U3            /LCAS           /CAS2
         47             /LCAS     DQ3                                 /UCAS         47
/CAS3                   /UCAS     DQ4                 DQ1
                                  DQ5                 DQ2                 /OE         /CAS3
         47             /OE       DQ6                 DQ3                           47
                                  DQ7                 DQ4
/WE                               DQ8                 DQ5
A0-A11                            DQ9                 DQ6
                                  DQ10                DQ7
                                  DQ11                DQ8
                                  DQ12                DQ9
                                  DQ13                DQ10
                                  DQ14                DQ11
                                  DQ15                DQ12
                                                      DQ13
                                                      DQ14
                                                      DQ15

                        /W A0-A11

                                                      /W A0-A11

                                  Vcc           0.1 or0.22 Capacitor  To all DRAMs
                                  Vss           for each DRAM

    URL:www.hbe.co.kr                   7                                      HANBit Electronics Co.,Ltd.
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HANBit                                                                                     HMD2M32M4EAG

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                   PARAMETER                   SYMBOL                                           RATING

Voltage on Any Pin Relative to Vss             VIN ,OUT                                        -1V to 7.0V
Voltage on Vcc Supply Relative to Vss            Vcc                                           -1V to 7.0V

Power Dissipation                                  PD                                              4W
Storage Temperature                               TSTG                                     -55oC to 150oC

Short Circuit Output Current                      IOS                                           50mA

w Permanent device damage may occur if " Absolute Maximum Ratings" are exceeded. Functional operation should be

restricted to the conditions as detailed in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS

(Voltage reference to VSS, TA=0 to 70 o C )

          PARAMETER           SYMBOL           MIN                           TYP                MAX         UNIT
Supply Voltage                                                               5.0                  5.5         V
Ground                                    Vcc  4.5                             0                   0          V
Input High Voltage                                                                              Vcc+1         V
Input Low Voltage                         Vss     0                            -                  0.8         V
                                                                               -
                                          VIH  2.4

                                          VIL  -1.0

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS

SYMBOL                                 SPEED         MIN                                   MAX              UNITS

        ICC1                              -5            -                                  305              mA

                                          -6            -                                  284              mA

        ICC2                                            -                                  8                mA

        ICC3                              -5            -                                  304              mA

                                          -6            -                                  284              mA

        ICC4                              -5            -                                  244              mA

                                          -6            -                                  224              mA

        ICC5                                            -                                  4                mA

        ICC6                              -5            -                                  304              mA

                                          -6            -                                  284              mA

        Il(L)                                        -20                                   20               A

        IO(L)                                        -10                                   10               A

        VOH                                            2.4                                 -                          V
                                                                                                                      V
        VOL                                             -                                  0.4
                                                                                                HANBit Electronics Co.,Ltd.
ICC1 : Operating Current * (/RAS , /CAS , Address cycling @tRC=min.)

ICC2 : Standby Current ( /RAS=/CAS=VIH )

ICC3 : /RAS Only Refresh Current * ( /CAS=VIH, /RAS, Address cycling @tRC=min )

ICC4 : Fast Page Mode Current * (/RAS=VIL, /CAS, Address cycling @tPC=min )

ICC5 : Standby Current (/RAS=/CAS=Vcc-0.2V )

ICC6 : /CAS-Before-/RAS Refresh Current * (/RAS and /CAS cycling @tRC=min )

IIL : Input Leakage Current (Any input 0V  VIN  6.5V, all other pins not under test = 0V)

IOL : Output Leakage Current (Data out is disabled, 0V  VOUT  5.5V

VOH : Output High Voltage Level (IOH= -5mA )

VOL : Output Low Voltage Level (IOL = 4.2mA )

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REV. 1.0 (August.2002)
HANBit                                                                            HMD2M32M4EAG

* NOTE: ICC1, ICC3, ICC4 and ICC6 are dependent on output loading and cycle rates. Specified values are obtained with the
            output open. ICC is specified as an average current. In ICC1 and ICC3, address cad be changed maximum once
            while /RAS=VIL. In ICC4, address can be changed maximum once within one page mode cycle.

                                                    o

CAPACITANCE ( TA=25 C, Vcc = 5V, f = 1Mz )

                           DESCRIPTION                       SYMBOL          MIN       MAX                UNITS
Input Capacitance (A0-A10)                                      CIN1           -        44                  pF
Input Capacitance (/W)                                          C IN2          -        48                  pF
Input Capacitance (/RAS0)                                       CIN3           -        40                  pF
Input Capacitance (/CAS0-/CAS3)                                 CIN4           -        29                  pF
Input/Output Capacitance (DQ0-31)                               CDQ1           -        29                  pF

AC CHARACTERISTICS      (               0  o     TA    70oC  ,  Vcc  =  5V10%,   See  notes  1,2.)

                                            C

                                                                             -5               -6
                                                                               MAX
                   STANDARD OPERATION                  SYMBOL           MIN            MIN MAX            UNIT
                                                                        90        50
Random read or write cycle time                            tRC                    15   110                 ns
Access time from /RAS                                     tRAC          3         25                       ns
Access time from /CAS                                     tCAC          3                            60    ns
Access time from column address                            tAA          2         13                       ns
/CAS to output in Low-Z                                    tCLZ         30        50                 17    ns
Output buffer turn-off delay                               tOFF         50                                 ns
Transition time (rise and fall)                                         13       10K                 30    ns
/RAS precharge time                                         tT          40                                 ns
/RAS pulse width                                           tRP          8        10K   3                   ns
/RAS hold time                                            tRAS          20         37                      ns
/CAS hold time                                            tRSH          15         25  3             15    ns
/CAS pulse width                                          tCSH          5                                  ns
/RAS to /CAS delay time                                   tCAS          0              2             50    ns
/RAS to column address delay time                         tRCD          10                                 ns
/CAS to /RAS precharge time                               tRAD          0              40                  ns
Row address set-up time                                   tCRP          8                                  ns
Row address hold time                                     tASR          25             60            10K   ns
Column address set-up time                                tRAH          0                                  ns
Column address hold time                                  tASC          0              17                  ns
Column Address to /RAS lead time                          tCAH                                             ns
Read command set-up time                                   tRAL                        50                  ns
Read command hold referenced to /CAS                      tRCS                                             ns
                                                          tRCH                         10            10K

                                                                                       20            45

                                                                                       15            30

                                                                                       5

                                                                                       0

                                                                                       10

                                                                                       0

                                                                                       10

                                                                                       30

                                                                                       0

                                                                                       0

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HANBit                                                      HMD2M32M4EAG

Read command hold referenced to /RAS             tRRH   0         0                                                          ns

Write command hold time                          tWCH   10        10                                                         ns

Write command pulse width                        tWP    10        10                                                         ns

Write command to /RAS lead time                  tRWL   13        15                                                         ns

Write command to /CAS lead time                  tCWL   13        15                                                         ns

Data-in set-up time                              tDS    0         0                                                          ns

Data-in hold time                                tDH    8         10                                                         ns

Refresh period 2K Ref.                           tREF       16                                                     16        ns

Write command set-up time                        tWCS   0         0                                                          ns

/CAS setup time (C-B-R refresh)                  tCSR   5         5                                                          ns

/CAS hold time (C-B-R refresh)                   tCHR   10        10                                                         ns

/RAS precharge to /CAS hold time                 tRPC   5         5                                                          ns

Access time from /CAS precharge                  tCPA       30                                                     35        ns

/CAS precharge time (Fast page)                  tCP    8         10                                                         ns

/RAS pulse width (Fast page )                    tRASP  50  200K  60                                               200K      ns

/W to /RAS precharge time (C-B-R refresh)        tWRP   10        10                                                         ns

/W to /RAS hold time (C-B-R refresh)             tWRH   10        10                                                         ns

NOTES

1.An initial pause of 200s is required after power-up followed by any 8 /RAS-only or /CAS-before-/RAS refresh cycles

before proper device operation is achieved.

2.VIH (min) and VIL (max) are reference levels for measuring timing of input signals. Transition times are measured between
  VIH(min) and VIL(max) and are assumed to be 5ns for all inputs.

3.Measured with a load equivalent to 2TTL loads and 100pF

4.Operation within the tRCD(max) limit insures that tRAC(max) can be met. tRCD(max) is specified as a reference point only. If tRCD
  is greater than the specified tRCD(max) limit, then access time is controlled exclusively by tCAC.

5.Assumes that tRCD  tRCD(max)
6. tAR, tWCR, tDHR are referenced to tRAD(max)
7.This parameter defines the time at which the output achieves the open circuit condition and is not referenced to VOH

  or VOL.
8. tWCS, tRWD, tCWD and tAWD are non restrictive operating parameter.

   They are included in the data sheet as electrical characteristic only. If tWCS  tWCS(min) the cycle is an early write
   cycle and the data out pin will remain high impedance for the duration of the cycle.

9. Either tRCH or tRRH must be satisfied for a read cycle.
10. These parameters are referenced to the /CAS leading edge in early write cycles and to the /W leading edge in read-

    write cycles.
11. Operation within the tRAD(max) limit insures that tRAC(max) can be met. tRAD(max) is specified as a reference

    point only. If tRAD is greater than the specified tRAD(max) limit. then access time is controlled by tAA.

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TIMING DIAGRAMS TIMING

WAVEFORM OF READ CYCLE

/RAS VIH-                                                        tRC                                 tRP
         VIL-                                                    tRAS                                     tCRP

                        tCRP                  tRCD               tCSH             tRSH          tRRH tRCH
                            tASR                                                 tCAS                     tOFF
       VIH-
/CAS VIL-                               tRAD                                                           tOEZ

        VIH-                      tRAH        tASC                     tCAH             tRAL  DATA-OUT
     A
                        ROW ADDRESS                       COLUMN ADDRESS                           tRP
        VIL-                                                                                            tCRP
                                                    tRCS
        VIH-
   /W                                                                       tAA

        VIL-

      VIH-                                                                      tOEA
/OE VIL-                                                                     tCAC

      VOH-                                        tRAC             tCLZ
DQ
                                        OPEN
      VOL-

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE (EARLY WRITE)

/RAS VIH-                                                        tRC
         VIL-                                                    tRAS

/CAS VIH-                                                        tCSH
         VIL-
                        tCRP                  tRCD                            tRSH
     A VIH-                 tASR                                             tCAS
         VIL-
                                        tRAD
         VIH-
   /W VIL-                        tRAH        tASC                 tCAH               tRAL

         VIH-           ROW ADDRESS                     COLUMN ADDRESS
/OE VIL-
                                                                             tCWL
DQ0 VOH-                                                                     tRWL
        VOL-
                                                    tWCS               tWCH
                                                            tWP

                                                    tDS                tDH

                                                          DATA-IN

NOTE : Dout = Open                                        11                                  HANBit Electronics Co.,Ltd.

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PACKAGING INFORMATION

72pin -SIMM Design

(Front view)

3.38 mm                                              107.95 mm    3.18 mm DIA
                                                     101.19 mm       0.51 mm
                                    R 1.57 mm

19.05 mm

6.35 mm                 1                                                                          10.16 mm
                                                                                     3.17 mm
2.03 mm                             1.02 mm           6.35 mm     1.27 mm
       6.35 mm                                       95.25 mm

0.25 mm MAX                                        2.54 mm
                                                      MIN
                                                                               1.290.08 mm
                                             Gold : 1.040.10 mm
                           1.27 mm           Solder:0.9140.10mm

ORDERING INFORMATION

    Part Number            Density             Org.               Package      Vcc           SPEED
HMD2M32M4EAG-5             8MByte                                              5.0V           50ns
HMD2M32M4EAG-6             8MByte              2MX 32bit          72 Pin-SIMM  5.0V           60ns
HMD2M32M4EAG-7             8MByte              2MX 32bit          72 Pin-SIMM  5.0V           70ns
                                               2MX 32bit          72 Pin-SIMM

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