datasheet

电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

HMC564LC4TR-R5

器件型号:HMC564LC4TR-R5
器件类别:半导体    无线和射频集成电路   
厂商名称:ADI [Analog Devices Inc]
下载文档

器件描述

RF Amplifier lo Noise amp SMT, 7 - 14 GHz

参数

产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
RF Amplifier
制造商:
Manufacturer:
Analog Devices Inc.
RoHS:YES
封装:
Packaging:
Reel
商标:
Brand:
Analog Devices
系列:
Series:
HMC564G
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
500

HMC564LC4TR-R5器件文档内容

                                                                                                                                                                            HMC564

                                                                            v01.1017

                                                                                                                                           GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                                                                        AMPLIFIER, 7 - 13.5 GHz

                             Typical Applications                                                                                       Features

                             The HMC564 is ideal for use as      a     LNA or driver  ampli-                                            Noise Figure: 1.8 dB

LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP  fier for:                                                                                                  Gain: 17 dB

                             • Point-to-Point Radios                                                                                    OIP3: 24 dBm

                             • Point-to-Multi-Point Radios                                                                              Single Supply: +3V @ 51 mA

                             • Test Equipment and Sensors                                                                               50 Ohm Matched Input/Output

                             • Military & Space                                                                                         Small Size: 1.96 x 0.98 x 0.10 mm

                             Functional Diagram                                                                                         General Description

                                                                                                                                        The HMC564 is a high dynamic range GaAs PHEMT

                                                                                                                                        MMIC Low Noise Amplifier (LNA) chip which operates

                                                                                                                                        from 7 to 13.5 GHz. The HMC564 features extremely

                                                                                                                                        flat  performance  characteristics  including  17        dB         of

                                                                                                                                        small signal gain, 1.8 dB of noise figure and output

                                                                                                                                        IP3 of 24 dBm across the operating band. This self-

                                                                                                                                        biased LNA is ideal for hybrid and MCM assemblies

                                                                                                                                        due   to  its  compact     size,   consistent  output    power,

                                                                                                                                        single +3V supply operation, and DC blocked RF I/O’s.

                                                                                                                                        All data is measured with the chip in a 50 Ohm test

                                                                                                                                        fixture connected via two 0.025 mm (1 mil) diameter

                                                                                                                                        bondwires of minimal length 0.31 mm (12 mil).

                             Electrical Specifications, TA                  =  +25°   C,                        Vdd  1,  2              =  +3V

                                                                 Parameter                                                                        Min.             Typ.     Max.               Units

                             Frequency Range                                                                                                                    7  - 13.5                        GHz

                             Gain                                                                                                                 14               17                            dB

                             Gain Variation Over Temperature                                                                                                       0.02     0.03       dB/ °C

                             Noise Figure                                                                                                                          1.8      2.2                  dB

                             Input Return Loss                                                                                                                     15                            dB

                             Output Return Loss                                                                                                                    16                            dB

                             Output Power for 1 dB Compression (P1dB)                                                                             9                12                            dBm

                             Saturated Output Power (Psat)                                                                                                         14.5                          dBm

                             Output Third Order Intercept (IP3)                                                                                                    24                            dBm

                             Supply Current (Idd)(Vdd = +3V)                                                                                                       51                            mA

                             Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no                  For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc.,

                             responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other        One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

1                            rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No     Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

                             license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices.           Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D

                             Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
                                                                                                                    HMC564

                                                                                                                            v01.1017

                                                                                GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                AMPLIFIER, 7 - 13.5 GHz

Broadband                     Gain & Return Loss                Gain                    vs.  Temperature

                   25                                                           25

                   20                                                                                                                 AMPLIFIERS - CHIP

                   15                                                           20

RESPONSE (dB)      10

                   5                    S21                     GAIN (dB)       15

                   0                    S11

                                        S22

                   -5                                                           10

                   -10

                   -15                                                          5                             +25C

                                                                                                              +85C

                   -20                                                                                        -55C

                   -25                                                          0

                        6  7  8  9  10  11         12   13  14                       6       7  8  9      10  11    12  13  14

                                 FREQUENCY (GHz)                                                   FREQUENCY (GHz)

Input                      Return Loss vs. Temperature          Output                  Return     Loss vs. Temperature               LOW NOISE

                   0                                                            0

                   -5                   +25C                                    -5                            +25C

                                        +85C                                                                  +85C

(dB)                                    -55C                    (dB)                                          -55C

LOS S              -10                                          LOS S           -10

RETURN             -15                                          RETURN          -15

                   -20                                                          -20

                   -25                                                          -25

                        6  7  8  9  10  11         12   13  14                       6       7  8  9      10  11    12  13  14

                                 FREQUENCY (GHz)                                                   FREQUENCY (GHz)

Noise                      Figure vs. Temperature               Reverse                      Isolation vs. Temperature

                   6                                                            0

                   5                    +25C                                    -10

NOISE FIGURE (dB)                       +85C

                   4                    -55C                    ISOLATION (dB)

                                                                                -20                           +25C

                                                                                                              +85C

                   3                                                                                          -55C

                                                                                -30

                   2

                   1                                                            -40

                   0                                                            -50

                        6  7  8  9  10  11         12   13  14                       6       7  8  9      10  11    12  13  14

                                 FREQUENCY (GHz)                                                   FREQUENCY (GHz)

For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

                                        Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com                                          2

                                                   Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                                          HMC564

                                                                                                                                                                                                        v01.1017

                                                                                                                                               GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                                                                           AMPLIFIER, 7 - 13.5 GHz

                   P1dB                          vs. Temperature                                                Psat vs.                                Temperature

                                          20                                                                                                   20

AMPLIFIERS - CHIP                         16                                                                                                   16

                   P1dB (dBm)             12                                                                    Psat (dBm)                     12

                                          8                                                                                                    8                                +25C

                                                                                                                                                                                +85C

                                                                                                                                                                                -55C

                                          4                          +25C                                                                      4

                                                                     +85C

                                                                     -55C

                                          0                                                                                                    0

                                              6  7    8    9     10      11  12    13   14                                                           6  7      8       9    10  11        12      13    14

                                                           FREQUENCY (GHz)                                                                                        FREQUENCY (GHz)

LOW NOISE          Output                        IP3  vs.  Temperature                                          Power                                   Compression @ 8 GHz

                                          35                                                                                                   20

                                          30                                                                    Pout (dBm), GAIN (dB), PAE(%)

                                                                                                                                               15

                   OIP3 (dBm)             25

                                          20                                                                                                   10

                                          15                         +25C

                                                                     +85C                                                                                                                         Pout

                                                                     -55C                                                                      5                                                  Gain

                                          10                                                                                                                                                      PAE

                                          5                                                                                                    0

                                              6  7    8    9     10      11  12    13   14                                                         -15            -10                 -5                0

                                                           FREQUENCY (GHz)                                                                                        INPUT POWER (dBm)

                                                                                                                Additive Phase Noise Vs Offset Frequency,

                                                                                                                RF Frequency = 11 GHz,

                                                 Gain, Noise Figure & Power        vs.                          RF Input Power = 2.5 dBm (Psat)

                                                    Supply Voltage @ 8 GHz                                                                     -80

                                          20                                            10                                                     -90

                                                                                                                PHASE NOISE (dBc/Hz)           -100

                                          16                                            8                                                      -110

                   GAIN (dB), P1dB (dBm)                   P1dB              Gain            NOISE FIGURE (dB)                                 -120

                                          12                                            6                                                      -130

                                                                                                                                               -140

                                          8                                             4                                                      -150

                                                                     Noise Figure                                                              -160

                                          4                                             2                                                      -170

                                                                                                                                               -180

                                          0                                             0                                                      100         1K          10K      100K          1M        10M

                                          2.5                    3                      3.5                                                                       OFFSET FREQUENCY (Hz)

                                                              Vdd (Vdc)

                   For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

3                                                                        Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

                                                                             Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                    HMC564

                                                                                                                    v01.1017

                                                                                  GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                  AMPLIFIER, 7 - 13.5 GHz

                                       Additive Phase Noise Vs Offset Frequency,

                                       RF Frequency = 11 GHz,

                                       RF Input Power = -4 dBm (P1dB)

                                                             -80                                                                AMPLIFIERS - CHIP

                                                             -90

                                       PHASE NOISE (dBc/Hz)  -100

                                                             -110

                                                             -120

                                                             -130

                                                             -140

                                                             -150

                                                             -160

                                                             -170

                                                             -180

                                                             100   1K  10K  100K              1M               10M

                                                                       OFFSET FREQUENCY (Hz)

Notes:                                                                                                                          NOISE

                                                                                                                                LO W

For price,  delivery,  and  to  place  orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

                                                             Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com               4

                                                                   Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                 HMC564

                                                                                                                                                       v01.1017

                                                                                           GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                               AMPLIFIER, 7 - 13.5 GHz

                             Absolute Maximum Ratings                                  Typical Supply Current vs. Vdd

                             Drain Bias Voltage (Vdd1, Vdd2)         +3.5 Vdc                  Vdd (Vdc)                         Idd (mA)

LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP  RF Input Power (RFIN)(Vdd = +3.0  Vdc)  +5 dBm                    +2.5                              49

                             Channel Temperature                     175 °C                    +3.0                              51

                             Continuous Pdiss (T= 85 °C)             1.17 W                    +3.5                              53

                             (derate 12.97 mW/°C above 85 °C)                          Note: Amplifier will operate over full voltage ranges shown

                             Thermal Resistance                      77 °C/W           above.

                             (channel to die bottom)

                             Storage Temperature                     -65 to +150 °C

                             Operating Temperature                   -55 to +85 °C

                                                                                               ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

                                                                                               OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

                             Outline Drawing

                             Die Packaging Information [1]                             NOTES:

                                                                                       1.  ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM]

                                                                                       2. DIE THICKNESS IS .004”

                             Standard                                Alternate         3. TYPICAL BOND IS .004” SQUARE

                             GP-2 (Gel Pack)                         [2]               4.  BACKSIDE METALLIZATION:         GOLD

                                                                                       5.  BOND PAD METALLIZATION:         GOLD

                             [1] Refer to the “Packaging Information” section for die  6. BACKSIDE METAL IS GROUND.

                             packaging dimensions.                                     7.  CONNECTION NOT REQUIRED FOR           UNLABELED BOND PADS.

                             [2] For alternate packaging information contact Hittite

                             Microwave Corporation.

                             For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

5                                                                    Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

                                                                     Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                            HMC564

                                                                                                                 v01.1017

                                                GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                            AMPLIFIER, 7 - 13.5 GHz

Pad Descriptions

Pad Number  Function               Description                                              Interface Schematic

1           IN                     This pad is AC coupled and matched to                                                    LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP

                                   50 Ohms from 7 - 13.5 GHz.

2, 3        Vdd1, 2                Power Supply Voltage for the amplifier. External bypass

                                   capacitors of 100 pF and 0.1 µF are required.

4           OUT                    This pad is AC coupled and matched to

                                   50 Ohms from 7 - 13.5 GHz.

Die Bottom  GND                    Die Bottom must be connected to RF/DC ground.

Assembly Diagram

For price, delivery, and to place  orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

                                   Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com                                     6

                                   Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                                HMC564

                                                                                                                                                           v01.1017

                                                                                                    GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                                        AMPLIFIER, 7 - 13.5 GHz

                             Mounting & Bonding Techniques for Millimeterwave GaAs MMICs

                             The  die  should   be  attached  directly  to  the  ground  plane  eutectically  or  with

LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP  conductive epoxy (see HMC general Handling, Mounting, Bonding Note).                       0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

                             50 Ohm Microstrip transmission lines on 0.127mm (5 mil) thick alumina thin film                                    Wire Bond

                             substrates are recommended for bringing RF to and from the chip (Figure 1). If             0.076mm

                             0.254mm (10 mil) thick alumina thin film substrates must be used, the die should be        (0.003”)

                             raised 0.150mm (6 mils) so that the surface of the die is coplanar with the surface

                             of the substrate.  One way to accomplish this is to attach the 0.102mm (4 mil) thick

                             die to a 0.150mm (6 mil) thick molybdenum heat spreader (moly-tab) which is then

                             attached to the ground plane (Figure 2).                                                             RF Ground Plane

                             Microstrip substrates should be brought as close to the die as possible in order to

                             minimize bond wire length.  Typical die-to-substrate spacing is 0.076mm (3 mils).

                             Handling Precautions                                                                                 0.127mm (0.005”) Thick Alumina

                             Follow these precautions to avoid permanent damage.                                                                Thin Film Substrate

                             Storage:  All bare die are placed in either Waffle or Gel based ESD protective                       Figure 1.

                             containers, and then sealed in an ESD protective bag for shipment. Once the

                             sealed ESD protective bag has been opened, all die should be stored in a dry               0.102mm   (0.004”) Thick GaAs MMIC

                             nitrogen environment.

                             Cleanliness:  Handle the chips in a clean environment. DO NOT attempt to clean                                     Wire Bond

                             the chip using liquid cleaning systems.                                                    0.076mm

                             Static Sensitivity:    Follow ESD precautions to protect against > ± 250V ESD              (0.003”)

                             strikes.

                             Transients:   Suppress instrument and bias supply transients while bias is applied.

                             Use shielded signal and bias cables to minimize inductive pick-up.

                             General Handling:      Handle the chip along the edges with a vacuum collet or with                  RF Ground Plane

                             a sharp pair of bent tweezers. The surface of the chip has fragile air bridges and

                             should not be touched with vacuum collet, tweezers, or fingers.

                                                                                                                        0.150mm (0.005”) Thick

                             Mounting                                                                                   Moly Tab

                             The chip is back-metallized and can be die mounted with AuSn eutectic preforms or                    0.254mm (0.010”) Thick Alumina

                                                                                                                                                   Thin Film Substrate

                             with electrically conductive epoxy. The mounting surface should be clean and flat.                   Figure 2.

                             Eutectic Die Attach:       A 80/20 gold tin preform is recommended with a work

                             surface temperature of 255 °C and a tool temperature of 265 °C.        When hot 90/10 nitrogen/hydrogen gas is applied, tool tip

                             temperature should be 290 °C. DO NOT expose the chip to a temperature greater than 320 °C for more than 20 seconds.           No more

                             than 3 seconds of scrubbing should be required for attachment.

                             Epoxy Die Attach:      Apply a minimum amount of epoxy to the mounting surface so that a thin epoxy fillet is observed around the

                             perimeter of the chip once it is placed into position.  Cure epoxy per the manufacturer’s schedule.

                             Wire Bonding

                             Ball or wedge bond with 0.025 mm (1 mil) diameter pure gold wire is recommended. Thermosonic wirebonding with a nominal stage

                             temperature of 150 °C and a ball bonding force of 40 to 50 grams or wedge bonding force of 18 to 22 grams is recommended.          Use

                             the minimum level of ultrasonic energy to achieve reliable wirebonds.  Wirebonds should be started on the chip and terminated on

                             the package or substrate.   All bonds should be as short as possible <0.31 mm (12 mils).

                             For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

7                                                             Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

                                                                        Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D
Mouser Electronics

Authorized Distributor

Click to View Pricing, Inventory,  Delivery  &  Lifecycle  Information:

Analog Devices Inc.:

HMC564LC4TR-R5

小广播

HMC564LC4TR-R5器件购买:

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved