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HMC557

器件型号:HMC557
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:ADI [Analog Devices Inc]
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器件描述

RF Mixer Fundamental mix Chip 2.5 - 7.5 GHz

参数
产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
RF Mixer
制造商:
Manufacturer:
Analog Devices Inc.
RoHS:YES
RF Frequency:2.5 GHz to 7 GHz
Conversion Loss - Max:10.5 dB
NF - Noise Figure:10.5 dB
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 85 C
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
安装风格:
Mounting Style:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Package / Case:
Chip
商标:
Brand:
Analog Devices / Hittite
封装:
Packaging:
Waffle
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
492 mW
系列:
Series:
HMC557G
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
50
技术:
Technology:
GaAs

HMC557器件文档内容

Analog Devices Welcomes

Hittite Microwave Corporation

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www.analog.com  www.hittite.com
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                                                                                                                                                        HMC557

                                                                 v01.1007

                                                                                                                       GaAs MMIC FUNDAMENTAL

                                                                                                                                            MIXER, 2.5 - 7.0 GHz

                                 Typical Applications                                                  Features

                                 The HMC557 is ideal for:                                              High LO/RF Isolation: 48 dB

                                 • WiMAX & Fixed Wireless                                              Wide IF Bandwidth: DC - 3 GHz

                                 • Microwave Radio                                                     Passive Double Balanced Topology

                                 • Military & Space                                                    Low Conversion Loss: 7 dB

                                 • Communications, Radar & EW                                          Small Size: 1.02 x 0.94 x 0.1 mm

4                                • Test Equipment & Sensors

MIXERS - DOUBLE-BALANCED - CHIP  Functional Diagram                                                    General Description

                                                                                                       The       HMC557          is  a      passive   double  balanced   mixer

                                                                                                       that can be used as an upconverter or downconverter

                                                                                                       between         2.5  and          7  GHz.  The   miniature       monolithic

                                                                                                       mixer is fabricated in a GaAs MESFET process, and

                                                                                                       requires        no   external        components        or  matching     cir-

                                                                                                       cuitry. The HMC557 operates with LO drive levels as

                                                                                                       low as +9 dBm and provides excellent LO to RF and

                                                                                                       LO to IF isolation due to optimized balun structures.

                                                                                                       Measurements              were       made      with  the   chip  mounted

                                                                                                       into in a 50 ohm test fixture and includes the parasitic

                                                                                                       effects         of  wire  bond       assembly.       Connections     were

                                                                                                       made with a 1 mil wire bond with minimal length (<12

                                                                                                       mil).

                                 Electrical Specifications, TA = +25°                    C, IF= 100 MHz, LO=               +15 dBm*

                                                      Parameter                          Min.  Typ.              Max.            Min.             Typ.        Max.      Units

                                 Frequency Range, RF & LO                                      2.5 - 5.0                                    5.0 - 7.0                    GHz

                                 Frequency Range, IF                                           DC - 3                                       DC - 3                       GHz

                                 Conversion Loss                                               7                 9.5                              8           10.5       dB

                                 Noise Figure (SSB)                                            7                 9.5                              8           10.5       dB

                                 LO to RF Isolation                                      40    48                                    35           45                     dB

                                 LO to IF Isolation                                      25    30                                    22           28                     dB

                                 RF to IF Isolation                                      10    18                                    18           24                     dB

                                 IP3 (Input)                                                   17                                                 22                     dBm

                                 IP2 (Input)                                                   50                                                 50                     dBm

                                 1 dB Gain Compression (Input)                                 10                                                 12                     dBm

                                 *Unless otherwise noted, all measurements performed as  downconverter, IF= 100  MHz.

                                              For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

4 - 66                                               20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824       Phone: 978-250-3343                       Fax: 978-250-3373

                                                                 Order On-line at www.hittite.com
                                                                                                                                       HMC557

                                                                  v01.1007

                                                                                                             GaAs MMIC FUNDAMENTAL

                                                                                                                      MIXER, 2.5 - 7.0 GHz

Conversion Gain vs.

Temperature @ LO = +15 dBm                                                     Isolation                     @  LO    =  +15  dBm

                      0                                                                              0

                                                                                                     -10                      RF/IF

CONVERSION GAIN (dB)                                                                                                          LO/RF

                      -5                                                                                                      LO/IF

                                                                               ISOLATION (dB)        -20

                      -10                                                                            -30

                                                                                                     -40                                        4

                      -15                           +25C

                                                    +85C

                                                    -55C                                             -50

                      -20                                                                            -60                                        CHIP

                           2  3       4       5     6          7     8      9                             2  3     4     5    6        7  8  9

                                         FREQUENCY (GHz)                                                              FREQUENCY (GHz)

                                                                                                                                                -

Conversion                         Gain vs. LO Drive                           Return                        Loss  @ LO = +15 dBm               DOUBLE-BALANCED

                      0                                                                              0

CONVERSION GAIN (dB)                                                                                 -5

                      -5                                                       RETURN LOSS (dB)

                                                                                                     -10

                      -10

                                                                                                     -15

                                                 +9 dBm

                      -15                        +12 dBm

                                                 +15 dBm                                             -20                         RF

                                                 +18 dBm                                                                         LO

                      -20                                                                            -25

                           2  3       4       5     6          7     8      9                             2  3     4     5    6        7  8  9

                                         FREQUENCY (GHz)                                                              FREQUENCY (GHz)

                                                                                                                                                -

                                                                               Upconverter Performance                                          MIXERS

IF                    Bandwidth       @  LO = +15 dBm                          Conversion Gain vs. LO Drive

                      0                                                                              0

                      -5

                      -10                                                      CONVERSION GAIN (dB)  -5

RESPONSE (dB)         -15

                                                                                                     -10

                      -20

                      -25                                                                                                     +9 dBm

                                                                                                     -15                      +12 dBm

                                                                                                                              +15 dBm

                      -30                           IF Return Loss                                                            +18 dBm

                                                    Conversion Gain

                      -35                                                                            -20

                           0  0.5  1     1.5     2        2.5     3  3.5    4                             2  3     4     5    6        7  8  9

                                         FREQUENCY (GHz)                                                              FREQUENCY (GHz)

                                   For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

                                   20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824         Phone: 978-250-3343                    Fax: 978-250-3373         4 - 67

                                                                     Order On-line at www.hittite.com
                                                                                                                                      HMC557

                                                                         v01.1007

                                                                                                        GaAs MMIC FUNDAMENTAL

                                                                                                                    MIXER, 2.5 - 7.0 GHz

                                                                                      Input IP3 vs.

                 Input              IP3 vs.  LO     Drive *                           Temperature                @  LO = +15 dBm         *

                             30                                                                  30

                             25                                                                  25

                             20                                                                  20

                 (dBm)       15                                                       (dBm)      15

                 IP3                                                                  IP3

4                            10                                                                  10                        +25C

                                                             +9 dBm                                                        +85C

                                                             +12 dBm                                                       -40C

                                                             +15 dBm

                             5                               +17 dBm                             5

CHIP                         0                                                                   0

                                 2  3        4      5        6        7     8      9                 2     3     4      5  6          7          8  9

                                                 FREQUENCY (GHz)                                                    FREQUENCY (GHz)

-

DOUBLE-BALANCED                                                                       Input IP2 vs.

                 Input              IP2 vs.  LO Drive *                               Temperature                @  LO = +15 dBm         *

                             70                                                                  70

                             60                                                                  60

                             50                                                                  50

                 IP2 (dBm)   40                                                       IP2 (dBm)  40

                             30                                                                  30

                             20                                                                  20                        +25C

                                                       +9 dBm                                                              +85C

                                                       +12 dBm                                                             -40C

                             10                        +15 dBm                                   10

                                                       +17 dBm

                             0                                                                   0

                                 2  3        4      5        6        7     8      9                 2     3     4      5  6          7          8  9

                                                 FREQUENCY (GHz)                                                    FREQUENCY (GHz)

-

MIXERS           Input P1dB vs.

                 Temperature @                  LO = +15 dBm                          MxN Spurious Outputs

                             16                                                                                            nLO

                                                                                                 mRF          0     1      2                  3     4

                             14                                                                  0         xx       -6     24            26         41

                 P1dB (dBm)                                                                      1         14       0      37            35         71

                             12

                                                                                                 2         76       53     71            52         77

                             10                                                                  3         94       95     86            73         97

                                                                                                 4         94       94     97            100        102

                             8                                  +25C                  RF = 5.1 GHz @ -10 dBm

                                                                +85C

                                                                -55C                  LO = 5 GHz @ +15 dBm

                                                                                      All values in dBc below the IF    output power  level.

                             6

                                 2     3         4     5          6      7         8

                                                 FREQUENCY (GHz)

                 * Two-tone input power = -10 dBm each tone, 1 MHz spacing.

                                       For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

4 - 68                                    20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824         Phone: 978-250-3343           Fax: 978-250-3373

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                                         v01.1007

                                                                  GaAs MMIC FUNDAMENTAL

                                                                                       MIXER, 2.5 - 7.0 GHz

Absolute Maximum                Ratings

RF / IF Input                   +25 dBm

LO Drive                        +25 dBm                           ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

Channel Temperature             150 °C                            OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

Continuous Pdiss (T = 85 °C)    492 mW

(derate 7.6 mW/°C above 85 °C)

Thermal Resistance              132 °C/W

(channel to die bottom)                                                                                            4

Storage Temperature             -65 to +150 °C

Operating Temperature           -55 to +85 °C

Outline Drawing                                                                                                    MIXERS - DOUBLE-BALANCED - CHIP

Die Packaging Information [1]                             NOTES:

                                                          1.  ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM].

          Standard              Alternate                 2.  DIE THICKNESS IS .004”.

WP-7 (Waffle Pack)                        [2]             3.  TYPICAL BOND PAD IS .004” SQUARE.

                                                          4.  BOND PAD SPACING CENTER TO CENTER IS .006”.

[1] Refer to the “Packaging Information” section for die  5.  BACKSIDE METALLIZATION: GOLD.

packaging dimensions.                                     6.  BOND PAD METALLIZATION: GOLD.

[2] For alternate packaging information contact Hittite   7.  BACKSIDE METAL IS GROUND.

Microwave Corporation.                                    8.  CONNECTION NOT REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS.

                                                          9.  THIS DIE IS DESIGNED FOR PICK-UP WITH VACUUM (EDGE)

                                                              COLLET TOOLS. TO PRECLUDE THE RISK OF PERMANENT

                                                              DAMAGE, NO CONTACT TO THE DIE SURFACE IS ALLOWED

                                                              WITHIN THIS RECTANGULAR AREA.

               For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

               20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824        Phone: 978-250-3343  Fax: 978-250-3373                   4 - 69

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                                                       v01.1007

                                                                                          GaAs                        MMIC FUNDAMENTAL

                                                                                                                      MIXER, 2.5 - 7.0 GHz

                                 Pad Descriptions

                                 Pad Number  Function            Description                                          Interface Schematic

                                 1           LO                  This pin is DC coupled

                                                                 and matched to 50 Ohms.

4                                                                This pin is DC coupled

                                 2           RF                  and matched to 50 Ohms.

MIXERS - DOUBLE-BALANCED - CHIP                        This pad is DC coupled. For applications not requiring

                                                       operation to DC, this port should be DC blocked externally

                                 3           IF        using a series capacitor whose value has been chosen to

                                                       pass the necessary IF frequency range. For operation to DC,

                                                       this pin must not source or sink more than 2 mA of current or

                                                       part non-function and possible part failure will result.

                                 Die Bottom  GND       Die bottom must be connected to RF/DC ground.

                                 Assembly    Drawing

                                             For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

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                                               v01.1007

                                                                                        GaAs MMIC FUNDAMENTAL

                                                                                              MIXER, 2.5 - 7.0 GHz

Mounting & Bonding Techniques for Millimeterwave GaAs MMICs

The  die  should   be  attached  directly  to  the  ground  plane  eutectically  or     with

conductive epoxy (see HMC general Handling, Mounting, Bonding Note).                          0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

50 Ohm Microstrip transmission lines on 0.127mm (5 mil) thick alumina thin film

substrates are recommended for bringing RF to and from the chip (Figure 1).             If                            3 mil Ribbon Bond

                                                                                              0.076mm

0.254mm (10 mil) thick alumina thin film substrates must be used,      the die should         (0.003”)

be raised 0.150mm (6 mils) so that the surface of the die is coplanar with the surface

of the substrate.  One way to accomplish this is to attach the 0.102mm (4 mil) thick

die to a 0.150mm (6 mil) thick molybdenum heat spreader (moly-tab) which is then                                                               4

attached to the ground plane (Figure 2).                                                                RF  Ground Plane

Microstrip substrates should be brought as close to the die as possible in order to

minimize ribbon bond length. Typical die-to-substrate spacing is 0.076mm (3 mils).

Gold ribbon of 0.075 mm (3 mil) width and minimal length <0.31 mm (<12 mils) is                                                                MIXERS - DOUBLE-BALANCED - CHIP

recommended to minimize inductance on          RF, LO & IF ports.                                           0.127mm (0.005”) Thick Alumina

                                                                                                                          Thin Film Substrate

Handling Precautions                                                                                        Figure 1.

Follow these precautions to avoid permanent damage.                                           0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

Storage: All bare die are placed in either Waffle or Gel based ESD protective

containers, and then sealed in an ESD protective bag for shipment. Once the                                           3 mil Ribbon Bond

sealed ESD protective bag has been opened, all die should be stored in a dry                  0.076mm

nitrogen environment.                                                                         (0.003”)

Cleanliness: Handle the chips in a clean environment. DO NOT attempt to clean

the chip using liquid cleaning systems.

Static Sensitivity: Follow ESD precautions to protect against ESD strikes.

Transients: Suppress instrument and bias supply transients while bias is applied.                       RF Ground Plane

Use shielded signal and bias cables to minimize inductive pick-up.

General Handling: Handle the chip along the edges with a vacuum collet or with

a sharp pair of bent tweezers. The surface of the chip has fragile air bridges and            0.150mm (0.005”) Thick

should not be touched with vacuum collet, tweezers, or fingers.                               Moly Tab

                                                                                                            0.254mm (0.010”) Thick Alumina

Mounting                                                                                                                  Thin Film Substrate

                                                                                                            Figure 2.

The chip is back-metallized and can be die mounted with AuSn eutectic preforms

or with electrically conductive epoxy. The mounting surface should be clean and flat.

Eutectic Die Attach: A 80/20 gold tin preform is recommended with a work surface temperature of 255 °C and a tool temperature

of 265 °C.   When hot 90/10 nitrogen/hydrogen gas is applied, tool tip temperature should be 290 °C. DO NOT expose the chip

to a temperature greater than 320 °C for more than 20 seconds.         No more than 3 seconds of scrubbing should be required for

attachment.

Epoxy Die Attach: Apply a minimum amount of epoxy to the mounting surface so that a thin epoxy fillet is observed around the

perimeter of the chip once it is placed into position.   Cure epoxy per the manufacturer’s schedule.

Wire Bonding

Ball or wedge bond with 0.025 mm (1 mil) diameter pure gold wire is recommended. Thermosonic wirebonding with a nominal stage

temperature of 150 °C and a ball bonding force of 40 to 50 grams or wedge bonding force of 18 to 22 grams is recommended. Use

the minimum level of ultrasonic energy to achieve reliable wirebonds.  Wirebonds should be started on the chip and terminated on

the package or substrate.  All bonds should be as short as possible <0.31 mm (12 mils).

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                   20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824              Phone: 978-250-3343       Fax: 978-250-3373                                4 - 71

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