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HMC460LC5TR

器件型号:HMC460LC5TR
器件类别:热门应用    无线/射频/通信   
厂商名称:Analog Devices Inc.
标准:
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器件描述

RF Amplifier SMT, lo Noise amp, DC - 20 GHz

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Analog Devices Inc.
产品种类:
Product Category:
RF Amplifier
RoHS:YES
安装风格:
Mounting Style:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Package / Case:
QFN-32
类型:
Type:
RF Amplifier
技术:
Technology:
GaAs
Operating Frequency:20 GHz
P1dB - Compression Point:16.5 dBm
Gain:14 dB
工作电源电压:
Operating Supply Voltage:
8 V
NF - Noise Figure:2.5 dB
OIP3 - Third Order Intercept:29.5 dBm
工作电源电流:
Operating Supply Current:
75 mA
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 85 C
系列:
Series:
HMC460G
封装:
Packaging:
Cut Tape
封装:
Packaging:
MouseReel
封装:
Packaging:
Reel
Frequency Range:9 GHz to 18 GHz
商标:
Brand:
Analog Devices / Hittite
Number of Channels:1 Channel
Input Return Loss:10 dB
Moisture Sensitive:Yes
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
1.25 W
产品类型:
Product Type:
RF Amplifier
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
100
子类别:
Subcategory:
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量:
Unit Weight:
0.006653 oz

HMC460LC5TR器件文档内容

                                                                                                                                                                          HMC460

                                                                                                                                                                                                v09.1217

                                                                                                                                          GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                                                                            AMPLIFIER, DC - 20 GHz

                               Typical Applications                                                                                       Features

                               The HMC460 is ideal for:                                                                                   Noise Figure: 2.5 dB @ 10 GHz

AMPLIFIERS - LOW NOISE - CHIP  • Telecom Infrastructure                                                                                   Gain: 14 dB @ 10 GHz

                               • Microwave Radio & VSAT                                                                                   P1dB Output Power: +16 dBm @ 10 GHz

                               • Military & Space                                                                                         Supply Voltage: +8V @ 60 mA

                               • Test Instrumentation                                                                                     50 Ohm Matched Input/Output

                                                                                                                                          Die Size: 3.12 x 1.63 x 0.1 mm

                               Functional Diagram                                                                                         General Description

                                                                                                                                          The HMC460 is a GaAs MMIC PHEMT Low Noise

                                                                                                                                          Distributed Amplifier die which operates between DC

                                                                                                                                          and 20 GHz.       The amplifier provides 14 dB of gain,

                                                                                                                                          2.5 dB noise figure and +16 dBm of output power at

                                                                                                                                          1 dB gain compression while requiring only 60 mA

                                                                                                                                          from a +8V supply.      The HMC460 amplifier can easily

                                                                                                                                          be integrated into Multi-Chip-Modules (MCMs) due to

                                                                                                                                          its small size. All data is with the chip in a 50 Ohm test

                                                                                                                                          fixture connected via 0.025mm (1 mil) diameter wire

                                                                                                                                          bonds of minimal length 0.31mm (12 mils).

                               Electrical Specifications, TA               = +25° C, Vdd= 8V,                                             Idd=  60 mA*

                                                  Parameter                Min.  Typ.                             Max.                    Min.  Typ.        Max.  Min.    Typ.         Max.     Units

                               Frequency Range                                   DC - 6.0                                                       6.0 - 18.0                18.0 - 20.0           GHz

                               Gain                                        12    14                                                       12    14                11      13                    dB

                               Gain Flatness                                     ± 0.5                                                          ± 0.15                    ± 0.25                dB

                               Gain Variation Over Temperature                   0.008                            0.016                         0.01        0.02          0.01         0.02     dB/ °C

                               Noise Figure                                      4.0                              5.0                           2.5         3.5           3.0          4.0      dB

                               Input Return Loss                                 17                                                             22                        15                    dB

                               Output Return Loss                                17                                                             15                        15                    dB

                               Output Power for 1 dB Compression   (P1dB)  14    17                                                       13    16                12      15                    dBm

                               Saturated Output Power (Psat)                     18                                                             18                        17                    dBm

                               Output Third Order Intercept (IP3)                27.5                                                           28                        27                    dBm

                               Supply Current                                    60                                                             60                        60                    mA

                               (Idd) (Vdd= 8V, Vgg1= -0.9V Typ.)

                               * Adjust Vgg between -2 to 0V to achieve Idd= 60 mA typical.

                               Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no               For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc.,

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                                                                                                                                                                             v09.1217

                                                                                                              GaAs         PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                                              AMPLIFIER, DC - 20 GHz

Broadband                             Gain & Return                   Loss                 Gain                       vs.  Temperature

               20                                                                                             20

               15

               10                                                                                             16                                                                       NOISE - CHIP

RESPONSE (dB)  5

               0                                                                           GAIN (dB)          12

               -5

               -10

               -15                                                                                            8

               -20

               -25                                                                                            4

               -30

               -35                                                                                            0

                    0   2  4       6     8  10  12  14  16     18     20  22  24       26                          0  2    4  6         8  10  12  14     16  18  20     22

                                            FREQUENCY (GHz)                                                                             FREQUENCY (GHz)

                                   S21                  S11                       S22                                         +25 C            +85 C              -55 C                LO W

Input                  Return Loss vs. Temperature                                         Output                        Return Loss vs. Temperature                                   -

               0                                                                                              0                                                                        AMPLIFIERS

               -5                                                                                             -5

(dB)           -10                                                                         (dB)

                                                                                                              -10

LOS S          -15                                                                         LOS S

RETURN                                                                                     RETURN             -15

               -20

                                                                                                              -20

               -25

               -30                                                                                            -25

               -35                                                                                            -30

                    0   2     4       6     8   10  12  14        16      18  20       22                          0  2    4  6         8  10  12  14     16  18  20     22

                                            FREQUENCY (GHz)                                                                             FREQUENCY (GHz)

                                   +25 C                +85 C                 -55 C                                           +25    C             +85 C          -55 C

Low Frequency Gain & Return                                                   Loss         Noise                      Figure vs. Temperature

               25                                                                                             10

               20

               15                                                                                             8

               10                                                                          NOISE FIGURE (dB)

RESPONSE (dB)  5

               0                                                                                              6

               -5

               -10

               -15                                                                                            4

               -20

               -25                                                                                            2

               -30

               -35

               -40                                                                                            0

               0.00001     0.0001        0.001  0.01         0.1          1            10                          0  2    4  6         8  10  12  14     16  18  20     22

                                            FREQUENCY (GHz)                                                                             FREQUENCY (GHz)

                                   S21                  S11                   S22                                             +25 C            +85 C              -55 C

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                                                                  Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com                                                                 2

                                                                          Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                      HMC460

                                                                                                                                                                                      v09.1217

                                                                                                                     GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                                                    AMPLIFIER, DC - 20 GHz

            Output                             P1dB vs. Temperature                           Psat                          vs.  Temperature

                                    25                                                                               25

- CHIP                              22                                                                               22

            P1dB (dBm)              19                                                        PSAT (dBm)             19

                                    16                                                                               16

NOISE                               13                                                                               13

                                    10                                                                               10

                                         0  2  4  6      8  10  12  14     16  18  20     22                             0    2  4  6      8  10     12   14    16    18  20     22

                                                         FREQUENCY (GHz)                                                                   FREQUENCY (GHz)

LO W                                              +25 C         +85 C              -55 C                                            +25 C                +85 C            -55 C

                                                                                              Gain, Power & Noise Figure

-           Output                             IP3 vs. Temperature                            vs. Supply Voltage @ 10 GHz,                                                Fixed Vgg1

AMPLIFIERS                          32                                                                               18                                                          5

                                    30

                                                                                                                     16                                                          4

                                    28                                                        GAIN (dB), P1dB (dBm)                                                                   NOISE FIGURE (dB)

            IP3 (dBm)               26                                                                               14                                                          3

                                    24                                                                               12                                                          2

                                    22

                                                                                                                     10                                                          1

                                    20

                                    18                                                                               8                                                           0

                                         0  2  4  6      8  10  12  14     16  18  20     22                         7.5            7.75          8             8.25             8.5

                                                         FREQUENCY (GHz)                                                                      Vdd (V)

                                                  +25 C             +85 C          -55 C                                            GAIN                                  P1dB

                                                                                                                                                     NOISE FIGURE

                                                                                                                     Additive Phase Noise Vs Offset Frequency,

            Reverse Isolation vs. Temperature                                                                        RF Frequency = 10 GHz,

                                                                                                                     RF Input Power = 9 dBm (Psat)

                                    0                                                                                -80

                                    -10                                                                              -90

            REVERSE ISOLATION (dB)                                                            PHASE NOISE (dBc/Hz)   -100

                                    -20

                                                                                                                     -110

                                    -30                                                                              -120

                                    -40                                                                              -130

                                    -50                                                                              -140

                                                                                                                     -150

                                    -60                                                                              -160

                                    -70                                                                              -170

                                         0  2  4  6      8  10  12  14     16  18  20     22

                                                         FREQUENCY (GHz)                                             -180

                                                                                                                         100        1K               10K            100K              1M

                                                  +25 C             +85 C          -55 C                                                  OFFSET FREQUENCY (Hz)

            For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

3                                                                          Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

                                                                               Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                       HMC460

                                                                                                                 v09.1217

                                                          GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                  AMPLIFIER, DC - 20 GHz

Absolute Maximum                Ratings                   Typical Supply Current vs. Vdd

Drain Bias Voltage (Vdd)              +9 Vdc                      Vdd (V)                              Idd (mA)

Gate Bias Voltage (Vgg)               -2 to 0 Vdc                 +7.5                                 59                  AMPLIFIERS - LOW NOISE - CHIP

Gate Bias Voltage (Igg)               2.5 mA                      +8.0                                 60

RF Input Power (RFIN)(Vdd = +8  Vdc)  +18 dBm                     +8.5                                 62

Channel Temperature                   175 °C

Continuous Pdiss (T = 85 °C)          2.17 W

(derate 24 mW/°C above 85 °C)

Thermal Resistance                    41.5 °C/W

(channel to die bottom)

Storage Temperature                   -65 to +150 °C              ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

Operating Temperature                 -55 to +85 °C               OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

ESD Sensitivity (HBM)                 Class 1A

Outline Drawing

Die Packaging Information [1]                             NOTES:

                                                          1. ALL DIMENSIONS IN INCHES [MILLIMETERS]

                                                          2. NO CONNECTION REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS

Standard                              Alternate           3. DIE THICKNESS IS 0.004 (0.100)

                                                          4. TYPICAL BOND PAD IS 0.004 (0.100) SQUARE

GP-1 (Gel Pack)                          [2]              5. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD

                                                          6. BACKSIDE METAL IS GROUND

[1] Refer to the “Packaging Information” section for die  7. BOND PAD METALIZATION: GOLD

packaging dimensions.

[2] For alternate packaging information contact Analog

Devices, Inc.

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                                                                                                                         HMC460

                                                                                                                                        v09.1217

                                                                                                             GaAs        PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                                         AMPLIFIER, DC - 20 GHz

                               Pad Descriptions

                               Pad Number  Function                    Description                                       Pin Schematic

AMPLIFIERS - LOW NOISE - CHIP  1           RFIN                        This pad is DC coupled

                                                                       and matched to 50 Ohms.

                               2           Vdd                         Power supply voltage for the amplifier.

                                                                       External bypass capacitors are required

                               3           ACG1                   Low  frequency termination. Attach bypass  capacitor

                                                                       per application circuit herein.

                               4           RFOUT                       This pad is DC coupled

                                                                       and matched to 50 Ohms.

                               5           ACG2                   Low  frequency termination. Attach bypass  capacitor

                                                                       per application circuit herein.

                               6           Vgg                    Gate control for amplifier. Adjust to achieve Idd= 60

                                                                       mA.

                               Die Bottom  GND                    Die bottom must be connected to RF/DC ground.

                               For price, delivery, and to place  orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

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                                                                        HMC460

                                                                        v09.1217

                  GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                  AMPLIFIER, DC - 20 GHz

Assembly Diagram

                                                                                                                           AMPLIFIERS - LOW NOISE - CHIP

For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

                  Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com                                                     6

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                                                                                                                                          HMC460

                                                                                                                                                     v09.1217

                                                                                    GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

                                                                                                             AMPLIFIER, DC - 20 GHz

                               Mounting & Bonding Techniques for Millimeterwave GaAs MMICs

                               The die should be attached directly to the ground plane eutectically or with

                               conductive epoxy (see HMC general Handling, Mounting, Bonding Note).               0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

AMPLIFIERS - LOW NOISE - CHIP  50 Ohm Microstrip transmission lines on 0.127mm (5 mil) thick alumina                                      Wire Bond

                               thin film substrates are recommended for bringing RF to and from the chip          0.076mm

                               (Figure 1). If 0.254mm (10 mil) thick alumina thin film substrates must be         (0.003”)

                               used, the die should be raised 0.150mm (6 mils) so that the surface of

                               the die is coplanar with the surface of the substrate. One way to accom-

                               plish this is to attach the 0.102mm (4 mil) thick die to a 0.150mm (6 mil)

                               thick molybdenum heat spreader (moly-tab) which is then attached to the                      RF Ground Plane

                               ground plane (Figure 2).

                               Microstrip substrates should be located as close to the die as possible

                               in order to minimize bond wire length. Typical die-to-substrate spacing is                   0.127mm (0.005”) Thick Alumina

                               0.076mm to 0.152 mm (3 to 6 mils).                                                                            Thin Film Substrate

                                                                                                                            Figure 1.

                               Handling Precautions

                               Follow these precautions to avoid permanent damage.                                0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

                               Storage: All bare die are placed in either Waffle or Gel based ESD pro-                                    Wire Bond

                               tective containers, and then sealed in an ESD protective bag for shipment.         0.076mm

                               Once the sealed ESD protective bag has been opened, all die should be              (0.003”)

                               stored in a dry nitrogen environment.

                               Cleanliness: Handle the chips in a clean environment. DO NOT attempt

                               to clean the chip using liquid cleaning systems.                                             RF Ground Plane

                               Static Sensitivity: Follow ESD precautions to protect against > ± 250V

                               ESD strikes.                                                                       0.150mm (0.005”) Thick

                                                                                                                  Moly Tab

                               Transients: Suppress instrument and bias supply transients while bias is                     0.254mm (0.010”) Thick Alumina

                               applied. Use shielded signal and bias cables to minimize inductive pick-up.                                Thin Film Substrate

                               General Handling: Handle the chip along the edges with a vacuum collet                       Figure 2.

                               or with a sharp pair of bent tweezers. The surface of the chip may have fragile air bridges and should not be touched

                               with vacuum collet, tweezers, or fingers.

                               Mounting

                               The chip is back-metallized and can be die mounted with AuSn eutectic preforms or with electrically conductive epoxy.

                               The mounting surface should be clean and flat.

                               Eutectic Die Attach: A 80/20 gold tin preform is recommended with a work surface temperature of 255 °C and a tool

                               temperature of 265 °C. When hot 90/10 nitrogen/hydrogen gas is applied, tool tip temperature should be 290 °C. DO

                               NOT expose the chip to a temperature greater than 320 °C for more than 20 seconds. No more than 3 seconds of

                               scrubbing should be required for attachment.

                               Epoxy Die Attach: Apply a minimum amount of epoxy to the mounting surface so that a thin epoxy fillet is observed

                               around the perimeter of the chip once it is placed into position. Cure epoxy per the manufacturer’s schedule.

                               Wire Bonding

                               Ball or wedge bond with 0.025mm (1 mil) diameter pure gold wire. Thermosonic wirebonding with a nominal stage

                               temperature of 150 °C and a ball bonding force of 40 to 50 grams or wedge bonding force of 18 to 22 grams is rec-

                               ommended. Use the minimum level of ultrasonic energy to achieve reliable wirebonds. Wirebonds should be started

                               on the chip and terminated on the package or substrate. All bonds should be as short as possible <0.31mm (12 mils).

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Notes:

                                                                                                                                AMPLIFIERS - LOW NOISE - CHIP

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