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HMC442

器件型号:HMC442
器件类别:热门应用    无线_射频_通信   
厂商名称:ADI [Analog Devices Inc]
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器件描述

RF Amplifier Medium pow amp Chip, 17.5 - 25.5 GHz

参数

产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
RF Amplifier
制造商:
Manufacturer:
Analog Devices Inc.
RoHS:YES
类型:
Type:
RF Amplifier
技术:
Technology:
GaAs
Operating Frequency:25.5 GHz
Gain:15 dB
NF - Noise Figure:6.5 dB
P1dB - Compression Point:22 dBm
OIP3 - Third Order Intercept:28 dBm
工作电源电压:
Operating Supply Voltage:
5 V
工作电源电流:
Operating Supply Current:
85 mA
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 85 C
安装风格:
Mounting Style:
SMD/SMT
封装:
Packaging:
Gel Pack
Amplifier Type:Power
商标:
Brand:
Analog Devices / Hittite
Frequency Range:17.5 GHz to 25.5 GHz
Input Return Loss:15 dB
Number of Channels:1 Channel
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
0.64 W
系列:
Series:
HMC442G
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
50
单位重量:
Unit Weight:
0.016649 oz

HMC442器件文档内容

                                                                                                                                                                                                                                                                                                      HMC442

                                                                                     v04.0913

                                                                                                                                                                                                                                                                    GaAs pHEMT MMIC MEDIUM

                                                                                                            POWER AMPLIFIERS, 17.5 - 25.5 GHz

                                  Typical Applications                                                                                                                                                                                                        Features

                                  The   HMC442       is  ideal  for   use  as     a  medium    power                                                                                                                                                          Saturated Power: +23 dBm @ 25% PAE

LINEAR & POWER AMPLIFIERS - CHIP  amplifier for:                                                                                                                                                                                                              Gain: 15 dB

                                  • Point-to-Point and Point-to-Multi-Point Radios                                                                                                                                                                            Supply Voltage: +5V

                                  • VSAT                                                                                                                                                                                                                      50 Ohm  Matched Input/Output

                                                                                                                                                                                                                                                              Die Size: 1.03 x 1.13 x 0.1 mm

                                  Functional Diagram                                                                                                                                                                                                          General Description

                                                                                                                                                                                                                                                              The   HMC442       is  an    efficient  GaAs    PHEMT                          MMIC

                                                                                                                                                                                                                                                              Medium  Power          Amplifier   which     operates  between

                                                                                                                                                                                                                                                              17.5 and 25.5 GHz. The HMC442 provides 15 dB of

                                                                                                                                                                                                                                                              gain, +23 dBm of saturated power and 25% PAE from

                                                                                                                                                                                                                                                              a +5V supply voltage. The amplifier chip can easily be

                                                                                                                                                                                                                                                              integrated into Multi-Chip-Modules (MCMs) due to its

                                                                                                                                                                                                                                                              small size. All data is tested with the chip in a 50 Ohm

                                                                                                                                                                                                                                                              test fixture connected via 0.025mm (1 mil) diameter

                                                                                                                                                                                                                                                              wire bonds of minimal length 0.31mm (12 mils).

                                  Electrical Specifications, TA                      =  +25°   C, Vdd       = 5V,                                                                                                                                             Idd   = 85mA*

                                                      Parameter                         Min.   Typ.         Max.                                                                                                                                              Min.    Typ.           Max.  Min.       Typ.    Max.                           Units

                                  Frequency Range                                              17.5 - 21.0                                                                                                                                                          21.0 - 24.0                  24.0 - 25.5                                 GHz

                                  Gain                                                  12     14.5                                                                                                                                                           12      15                   13.5       16                                     dB

                                  Gain Variation Over Temperature                              0.02         0.03                                                                                                                                                      0.02           0.03             0.02    0.03                           dB/ °C

                                  Input Return Loss                                            15                                                                                                                                                                     13                              10                                     dB

                                  Output Return Loss                                           10                                                                                                                                                                     10                              10                                     dB

                                  Output Power for 1 dB Compression (P1dB)              18     21                                                                                                                                                             18.5    21.5                 19         22                                     dBm

                                  Saturated Output Power (Psat)                         20     23                                                                                                                                                             20      23                   20         23.5                                   dBm

                                  Output Third Order Intercept (IP3)                           29                                                                                                                                                                     28                              27                                     dBm

                                  Noise Figure                                                 6.5                                                                                                                                                                    5.5                               6                                    dB

                                  Supply Current (Idd)(Vdd = 5V, Vgg = -1V Typ.)               85           110                                                                                                                                                       85             110              85      110                            mA

                                  * Adjust Vgg between -1.5 to -0.5V to achieve Idd = 85mA typical.

                                  IrnefsoFpromonarstiibopinlirtyfiucirsneais,shsedudmeebldyivbAeynAraylnoaglaoDgneDdveicvteicosesipsfolbareitlciseevuesdeo, rtnodorbefeorrsaac:ncyHuirnaifrtteitnigatenemdeMrnetlsiiacobfrlepo.awtHeonawtsveoevreorC,thneoor  rpoFOornaretpTioreicnceh,,n2odleoElgilviyezrWayb,ayae,ntPdh.OtDo. rBpivolaxec9,e1C0oh6rd,eeNlrmos:rswAfoonoarddlo,,gMMADAe0v2i0c0e16s28,-29In410c.6,

1                                 rliicgehntsseofisthgirrdanptaerdtiebsythimatpmlicaaPytiorhensouonlrt ofertoh:me9rwit7sis8ues-eu2.ndS5ep0reca-inf3iyc3aptia4otne3sntsourbjpeFacttaetnoxt c:rhig9ahn7tgs8eowf-2Aithn5oau0lotg-n3oDti3ecve7i.c3eNso.           POhrodnee:r7O81n-3-2li9n-e47a0t0w• wOrwde.hr oitntliitnee.catowmww.analog.com

                                  Trademarks and registered trademarks arAe tphepplriocpearttyioofntheSir urespppecotivret:owPnehrso. ne: 978-250-3A3p4p3licaotrionaSpuppsp@orht:iPtthitoen.ec: o1-m800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                                                                                                                                        HMC442

                                                                  v04.0913

                                                                                                                                                                                                                                                 GaAs pHEMT MMIC MEDIUM

                                                                               POWER AMPLIFIERS, 17.5 - 25.5 GHz

Broadband Gain & Return                                       Loss                                                                                                                                                          Gain                 vs.  Temperature

               20                                                                                                                                                                                                                       20

               10                                                                                                                                                                                                                       16                                                                                                                                        AMPLIFIERS - CHIP

RESPONSE (dB)  0                                                                                                                                                                                                            GAIN (dB)   12

               -10                                                                                                                                                                                                                      8

               -20                                                                                                                                                                                                                      4

               -30                                                                                                                                                                                                                      0

                    14      17         20          23         26           29                                                                                                                                                                16  17   18  19     20  21  22  23     24  25  26     27

                                       FREQUENCY (GHz)                                                                                                                                                                                                           FREQUENCY (GHz)

                                S21            S11                  S22                                                                                                                                                                                   +25 C          +85 C              -55 C

Input                   Return Loss vs. Temperature                                                                                                                                                                         Output Return Loss vs. Temperature                                                                                                                    LINEAR & POWER

               0                                                                                                                                                                                                                        0

               -5                                                                                                                                                                                                                       -5

(dB)           -10                                                                                                                                                                                                          (dB)        -10

LOS S          -15                                                                                                                                                                                                          LOS S       -15

RETURN         -20                                                                                                                                                                                                          RETURN      -20

               -25                                                                                                                                                                                                                      -25

               -30                                                                                                                                                                                                                      -30

                    16  17  18  19     20  21  22   23    24  25  26       27                                                                                                                                                                16  17   18  19     20  21  22  23     24  25  26     27

                                       FREQUENCY (GHz)                                                                                                                                                                                                           FREQUENCY (GHz)

                                +25 C              +85 C            -55 C                                                                                                                                                                                 +25 C          +85 C              -55 C

P1dB                    vs. Temperature                                                                                                                                                                                     Psat                 vs.  Temperature

               30                                                                                                                                                                                                                       30

               26                                                                                                                                                                                                                       26

P1dB (dBm)     22                                                                                                                                                                                                           Psat (dBm)  22

               18                                                                                                                                                                                                                       18

               14                                                                                                                                                                                                                       14

               10                                                                                                                                                                                                                       10

                    16  17  18  19     20  21  22   23    24  25  26       27                                                                                                                                                                16  17   18  19     20  21  22  23     24  25  26     27

                                       FREQUENCY (GHz)                                                                                                                                                                                                           FREQUENCY (GHz)

                                +25 C          +85 C              -55 C                                                                                                                                                                                   +25 C              +85 C          -55 C

IrnefsoFpromonarstiibopinlirtyfiucirsneais,shsedudmeebldyivbAeynAraylnoaglaoDgneDdveicvteicosesipsfolbareitlciseevuesdeo, rtnodorbefeorrsaac:ncyHuirnaifrtteitnigatenemdeMrnetlsiiacobfrlepo.awtHeonawtsveoevreorC,thneoor  rpoFOornaretpTioreicnceh,,n2odleoElgilviyezrWayb,ayae,ntPdh.OtDo. rBpivolaxec9,e1C0oh6rd,eeNlrmos:rswAfoonoarddlo,,gMMADAe0v2i0c0e16s28,-29In410c.6,

rliicgehntsseofisthgirrdanptaerdtiebsythimatpmlicaaPytiorhensouonlrt ofertoh:me9rwit7sis8ues-eu2.ndS5ep0reca-inf3iyc3aptia4otne3sntsourbjpeFacttaetnoxt c:rhig9ahn7tgs8eowf-2Aithn5oau0lotg-n3oDti3ecve7i.c3eNso.                       POhrodnee:r7O81n-3-2li9n-e47a0t0w• wOrwde.hr oitntliitnee.catowmww.analog.com                                                             2

Trademarks and registered trademarks arAe tphepplriocpearttyioofntheSir urespppecotivret:owPnehrso. ne: 978-250-3A3p4p3licaotrionaSpuppsp@orht:iPtthitoen.ec: o1-m800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                           HMC442

                                                                                                                  v04.0913

                                                                                                                                                                                                                                                                                         GaAs pHEMT MMIC MEDIUM

                                                                                                                                         POWER AMPLIFIERS, 17.5 - 25.5 GHz

                   Power                                       Compression @ 21                          GHz                                                                                                                                   Power                                     Compression @ 25                                  GHz

                                                   28                                                                                                                                                                                                                          35

AMPLIFIERS - CHIP  Pout (dBm), GAIN (dB), PAE (%)  24                                                                                                                                                                                          Pout (dBm), GAIN (dB), PAE (%)  30

                                                   20                                                                                                                                                                                                                          25

                                                   16                                                                                                                                                                                                                          20

                                                   12                                                                                                                                                                                                                          15

                                                   8                                                                                                                                                                                                                           10

                                                   4                                                                                                                                                                                                                           5

                                                   0                                                                                                                                                                                                                           0

                                                       -10      -6              -2       2            6       10           14                                                                                                                                                       -10      -6          -2          2              6      10          14

                                                                                INPUT POWER (dBm)                                                                                                                                                                                                            INPUT POWER (dBm)

                                                               Pout (dBm)                Gain (dB)                PAE (%)                                                                                                                                                                    Pout (dBm)              Gain (dB)                  PAE (%)

LINEAR & POWER     Output IP3 vs. Temperature                                                                                                                                                                                                  Noise                                     Figure vs. Temperature

                                                   34                                                                                                                                                                                                                          10

                                                   30                                                                                                                                                                                                                          8

                   IP3 (dBm)                       26                                                                                                                                                                                          NOISE FIGURE (dB)               6

                                                   22                                                                                                                                                                                                                          4

                                                   18                                                                                                                                                                                                                          2

                                                   14                                                                                                                                                                                                                          0

                                                       16   17  18   19         20  21      22   23      24   25   26      27                                                                                                                                                       16   17  18          19  20      21      22        23  24   25     26

                                                                                FREQUENCY (GHz)                                                                                                                                                                                                              FREQUENCY (GHz)

                                                                     +25 C                  +85 C                  -55 C                                                                                                                                                                         +25 C                       +85 C              -55 C

                   Gain                                     &   Power vs. Supply Voltage @                                      25  GHz                                                                                                        Reverse                                       Isolation vs. Temperature

                                                   26                                                                                                                                                                                                                          0

                   (dBm)                           24                                                                                                                                                                                                                          -10

                   (dB), P1dB (dBm), Psat          22

                                                   20                                                                                                                                                                                          ISOLATION (dB)                  -20

                                                   18                                                                                                                                                                                                                          -30

                                                   16                                                                                                                                                                                                                          -40

                                                   14

                   GAIN                            12                                                                                                                                                                                                                          -50

                                                   10                                                                                                                                                                                                                          -60

                                                       2.7      3.1        3.5      3.9     4.3          4.7  5.1          5.5                                                                                                                                                      16   17  18  19          20  21      22  23        24  25   26     27

                                                                           Vdd Supply Voltage (Vdc)                                                                                                                                                                                                          FREQUENCY (GHz)

                                                                     Gain                       P1dB                   Psat                                                                                                                                                                      +25 C                   +85 C                  -55 C

                   IrnefsoFpromonarstiibopinlirtyfiucirsneais,shsedudmeebldyivbAeynAraylnoaglaoDgneDdveicvteicosesipsfolbareitlciseevuesdeo, rtnodorbefeorrsaac:ncyHuirnaifrtteitnigatenemdeMrnetlsiiacobfrlepo.awtHeonawtsveoevreorC,thneoor  rpoFOornaretpTioreicnceh,,n2odleoElgilviyezrWayb,ayae,ntPdh.OtDo. rBpivolaxec9,e1C0oh6rd,eeNlrmos:rswAfoonoarddlo,,gMMADAe0v2i0c0e16s28,-29In410c.6,

3                  rliicgehntsseofisthgirrdanptaerdtiebsythimatpmlicaaPytiorhensouonlrt ofertoh:me9rwit7sis8ues-eu2.ndS5ep0reca-inf3iyc3aptia4otne3sntsourbjpeFacttaetnoxt c:rhig9ahn7tgs8eowf-2Aithn5oau0lotg-n3oDti3ecve7i.c3eNso.                                           POhrodnee:r7O81n-3-2li9n-e47a0t0w• wOrwde.hr oitntliitnee.catowmww.analog.com

                   Trademarks and registered trademarks arAe tphepplriocpearttyioofntheSir urespppecotivret:owPnehrso. ne: 978-250-3A3p4p3licaotrionaSpuppsp@orht:iPtthitoen.ec: o1-m800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                                                                                                                                HMC442

                                    v04.0913

                                                                                                                                                                                                                                    GaAs pHEMT MMIC MEDIUM

                                                          POWER AMPLIFIERS, 17.5 - 25.5 GHz

Absolute Maximum Ratings                                                                                                                                                                                                    Typical Supply Current vs. Vdd

Drain Bias Voltage (Vdd)            +5.5 Vdc                                                                                                                                                                                        Vdd (Vdc)                                   Idd (mA)

Gate Bias Voltage (Vgg)             -4 to 0 Vdc                                                                                                                                                                                     +4.5                                        82                                                                                                LINEAR & POWER AMPLIFIERS - CHIP

RF Input Power (RFIN)(Vdd = +5Vdc)  +20 dBm                                                                                                                                                                                         +5.0                                        85

Channel Temperature                 175 °C                                                                                                                                                                                          +5.5                                        89

Continuous Pdiss (T= 85 °C)         0.64 W                                                                                                                                                                                          +2.7                                        79

(derate 7.1 mW/°C above 85 °C)                                                                                                                                                                                                      +3.0                                        83

Thermal Resistance                  141 °C/W                                                                                                                                                                                        +3.3                                        86

(channel to die bottom)

Storage Temperature                 -65 to +150 °C                                                                                                                                                                          Note:  Amplifier will operate  over  full  voltage  ranges shown                   above

Operating Temperature               -55 to +85 °C

                                                                                                                                                                                                                                    ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

                                                                                                                                                                                                                                    OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

Outline Drawing

Die Packaging Information [1]                                                                                                                                                                                               NOTES:

                                                                                                                                                                                                                            1.  ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM]

                                                                                                                                                                                                                            2. DIE THICKNESS IS .004”

Standard                            Alternate                                                                                                                                                                               3. TYPICAL BOND IS .004” SQUARE

GP-2 (Gel Pack)                     [2]                                                                                                                                                                                     4.  BACKSIDE METALLIZATION:    GOLD

                                                                                                                                                                                                                            5.  BOND PAD METALLIZATION:    GOLD

[1] Refer to the “Packaging Information” section for die                                                                                                                                                                    6. BACKSIDE METAL IS GROUND.

packaging dimensions.                                                                                                                                                                                                       7.  CONNECTION NOT REQUIRED FOR

[2] For alternate packaging information contact Hittite                                                                                                                                                                         UNLABELED BOND PADS.

Microwave Corporation.

IrnefsoFpromonarstiibopinlirtyfiucirsneais,shsedudmeebldyivbAeynAraylnoaglaoDgneDdveicvteicosesipsfolbareitlciseevuesdeo, rtnodorbefeorrsaac:ncyHuirnaifrtteitnigatenemdeMrnetlsiiacobfrlepo.awtHeonawtsveoevreorC,thneoor  rpoFOornaretpTioreicnceh,,n2odleoElgilviyezrWayb,ayae,ntPdh.OtDo. rBpivolaxec9,e1C0oh6rd,eeNlrmos:rswAfoonoarddlo,,gMMADAe0v2i0c0e16s28,-29In410c.6,

rliicgehntsseofisthgirrdanptaerdtiebsythimatpmlicaaPytiorhensouonlrt ofertoh:me9rwit7sis8ues-eu2.ndS5ep0reca-inf3iyc3aptia4otne3sntsourbjpeFacttaetnoxt c:rhig9ahn7tgs8eowf-2Aithn5oau0lotg-n3oDti3ecve7i.c3eNso.               POhrodnee:r7O81n-3-2li9n-e47a0t0w• wOrwde.hr oitntliitnee.catowmww.analog.com                                                                     4

Trademarks and registered trademarks arAe tphepplriocpearttyioofntheSir urespppecotivret:owPnehrso. ne: 978-250-3A3p4p3licaotrionaSpuppsp@orht:iPtthitoen.ec: o1-m800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                                                                                                                          HMC442

                                                              v04.0913

                                                                                                                                                                                                                                                              GaAs pHEMT  MMIC MEDIUM

                                                                        POWER AMPLIFIERS,                                                                                                                                                                                 17.5 - 25.5 GHz

                                  Pad Descriptions

                                  Pad Number        Function            Description                                                                                                                                                                                       Pin Schematic

LINEAR & POWER AMPLIFIERS - CHIP                              Gate control for amplifier. Adjust to achieve Id of 85mA.

                                  1                  Vgg      Please follow “MMIC Amplifier Biasing Procedure”

                                                                        Application Note.

                                  2                  RFIN               This pad is AC coupled

                                                                        and matched to 50 Ohms

                                                              Power Supply Voltage for the amplifier. External

                                  3                  Vdd                bypass

                                                              capacitors of 100 pF and 0.01 µF are required.

                                  4                 RFOUT               This pad is AC coupled

                                                                        and matched to 50 Ohms.

                                  Assembly  Diagram

                                  IrnefsoFpromonarstiibopinlirtyfiucirsneais,shsedudmeebldyivbAeynAraylnoaglaoDgneDdveicvteicosesipsfolbareitlciseevuesdeo, rtnodorbefeorrsaac:ncyHuirnaifrtteitnigatenemdeMrnetlsiiacobfrlepo.awtHeonawtsveoevreorC,thneoor  rpoFOornaretpTioreicnceh,,n2odleoElgilviyezrWayb,ayae,ntPdh.OtDo. rBpivolaxec9,e1C0oh6rd,eeNlrmos:rswAfoonoarddlo,,gMMADAe0v2i0c0e16s28,-29In410c.6,

5                                 rliicgehntsseofisthgirrdanptaerdtiebsythimatpmlicaaPytiorhensouonlrt ofertoh:me9rwit7sis8ues-eu2.ndS5ep0reca-inf3iyc3aptia4otne3sntsourbjpeFacttaetnoxt c:rhig9ahn7tgs8eowf-2Aithn5oau0lotg-n3oDti3ecve7i.c3eNso.           POhrodnee:r7O81n-3-2li9n-e47a0t0w• wOrwde.hr oitntliitnee.catowmww.analog.com

                                  Trademarks and registered trademarks arAe tphepplriocpearttyioofntheSir urespppecotivret:owPnehrso. ne: 978-250-3A3p4p3licaotrionaSpuppsp@orht:iPtthitoen.ec: o1-m800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                                                                                                    HMC442

                                       v04.0913

                                                                                                                                                                                                                            GaAs pHEMT MMIC MEDIUM

                                                     POWER AMPLIFIERS, 17.5 - 25.5 GHz

Mounting & Bonding Techniques for Millimeterwave GaAs MMICs

The die should be attached directly to the ground plane eutectically or with

conductive epoxy (see HMC general Handling, Mounting, Bonding Note).                                                                                                                                                        0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

50 Ohm Microstrip transmission lines on 0.127mm (5 mil) thick alumina                                                                                                                                                                               Wire Bond                                                                                                                     LINEAR & POWER AMPLIFIERS - CHIP

thin film substrates are recommended for bringing RF to and from the chip                                                                                                                                                   0.076mm

(Figure 1). If 0.254mm (10 mil) thick alumina thin film substrates must be                                                                                                                                                  (0.003”)

used, the die should be raised 0.150mm (6 mils) so that the surface of

the die is coplanar with the surface of the substrate. One way to accom-

plish this is to attach the 0.102mm (4 mil) thick die to a 0.150mm (6 mil)

thick molybdenum heat spreader (moly-tab) which is then attached to the                                                                                                                                                               RF Ground Plane

ground plane (Figure 2).

Microstrip substrates should be located as close to the die as possible

in order to minimize bond wire length. Typical die-to-substrate spacing is                                                                                                                                                            0.127mm (0.005”) Thick Alumina

0.076mm to 0.152 mm (3 to 6 mils).                                                                                                                                                                                                                     Thin Film Substrate

                                                                                                                                                                                                                                      Figure 1.

Handling Precautions

Follow these precautions to avoid permanent damage.                                                                                                                                                                         0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

Storage: All bare die are placed in either Waffle or Gel based ESD protec-                                                                                                                                                                          Wire Bond

tive containers, and then sealed in an ESD protective bag for shipment.                                                                                                                                                     0.076mm

Once the sealed ESD protective bag has been opened, all die should be                                                                                                                                                       (0.003”)

stored in a dry nitrogen environment.

Cleanliness: Handle the chips in a clean environment. DO NOT attempt

to clean the chip using liquid cleaning systems.                                                                                                                                                                                      RF Ground Plane

Static Sensitivity: Follow ESD precautions to protect against > ± 250V

ESD strikes.                                                                                                                                                                                                                0.150mm (0.005”) Thick

                                                                                                                                                                                                                            Moly Tab

Transients: Suppress instrument and bias supply transients while bias is                                                                                                                                                              0.254mm (0.010”) Thick Alumina

applied. Use shielded signal and bias cables to minimize inductive pick-                                                                                                                                                                            Thin Film Substrate

up.                                                                                                                                                                                                                                   Figure 2.

General Handling: Handle the chip along the edges with a vacuum collet or with a sharp pair of bent tweezers. The

surface of the chip may have fragile air bridges and should not be touched with vacuum collet, tweezers, or fingers.

Mounting

The chip is back-metallized and can be die mounted with AuSn eutectic preforms or with electrically conductive epoxy.

The mounting surface should be clean and flat.

Eutectic Die Attach: A 80/20 gold tin preform is recommended with a work surface temperature of 255 °C and a tool

temperature of 265 °C. When hot 90/10 nitrogen/hydrogen gas is applied, tool tip temperature should be 290 °C. DO

NOT expose the chip to a temperature greater than 320 °C for more than 20 seconds. No more than 3 seconds of

scrubbing should be required for attachment.

Epoxy Die Attach: Apply a minimum amount of epoxy to the mounting surface so that a thin epoxy fillet is observed

around the perimeter of the chip once it is placed into position. Cure epoxy per the manufacturer’s schedule.

Wire Bonding

Ball or wedge bond with 0.025mm (1 mil) diameter pure gold wire. Thermosonic wirebonding with a nominal stage

temperature of 150 °C and a ball bonding force of 40 to 50 grams or wedge bonding force of 18 to 22 grams is recom-

mended. Use the minimum level of ultrasonic energy to achieve reliable wirebonds. Wirebonds should be started on

the chip and terminated on the package or substrate. All bonds should be as short as possible <0.31mm (12 mils).

IrnefsoFpromonarstiibopinlirtyfiucirsneais,shsedudmeebldyivbAeynAraylnoaglaoDgneDdveicvteicosesipsfolbareitlciseevuesdeo, rtnodorbefeorrsaac:ncyHuirnaifrtteitnigatenemdeMrnetlsiiacobfrlepo.awtHeonawtsveoevreorC,thneoor  rpoFOornaretpTioreicnceh,,n2odleoElgilviyezrWayb,ayae,ntPdh.OtDo. rBpivolaxec9,e1C0oh6rd,eeNlrmos:rswAfoonoarddlo,,gMMADAe0v2i0c0e16s28,-29In410c.6,

rliicgehntsseofisthgirrdanptaerdtiebsythimatpmlicaaPytiorhensouonlrt ofertoh:me9rwit7sis8ues-eu2.ndS5ep0reca-inf3iyc3aptia4otne3sntsourbjpeFacttaetnoxt c:rhig9ahn7tgs8eowf-2Aithn5oau0lotg-n3oDti3ecve7i.c3eNso.           POhrodnee:r7O81n-3-2li9n-e47a0t0w• wOrwde.hr oitntliitnee.catowmww.analog.com                                                                         6

Trademarks and registered trademarks arAe tphepplriocpearttyioofntheSir urespppecotivret:owPnehrso. ne: 978-250-3A3p4p3licaotrionaSpuppsp@orht:iPtthitoen.ec: o1-m800-ANALOG-D
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HMC442

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