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HMC383-SX

器件型号:HMC383-SX
器件类别:半导体    无线和射频集成电路   
厂商名称:Analog Devices Inc.
标准:
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器件描述

RF Amplifier 11-31 GHz pHEMT Driver amp

参数

产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Analog Devices Inc.
产品种类:
Product Category:
RF Amplifier
RoHS:YES
系列:
Series:
HMC383G
封装:
Packaging:
Gel Pack
商标:
Brand:
Analog Devices
产品类型:
Product Type:
RF Amplifier
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
2
子类别:
Subcategory:
Wireless & RF Integrated Circuits

HMC383-SX器件文档内容

                                                                                                                                                   HMC383

                                                                            v02.0907

                                                                                                                     GaAs PHEMT MMIC MEDIUM

                                                                                                               POWER AMPLIFIER, 12 - 30 GHz

                                  Typical Applications                                                      Features

                                  The HMC383 is ideal for use as a driver amplifier         for:            Gain: 16 dB

                                  • Point-to-Point Radios                                                   Saturated Output Power: +18 dBm

3                                 • Point-to-Multi-Point Radios & VSAT                                      Output IP3: +25 dBm

                                  • Test Equipment & Sensors                                                Single Positive Supply: +5V @ 101 mA

                                  • LO Driver for HMC Mixers                                                50 Ohm Matched Input/Output

LINEAR & POWER AMPLIFIERS - CHIP  • Military & Space                                                        Die Size: 2.26 x 1.35 x 0.1 mm

                                  Functional Diagram                                                        General Description

                                                                                                            The   HMC383     is    a  general  purpose                                              GaAs  PHEMT

                                                                                                            MMIC     Driver  Amplifier     which   operates                                         between                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                 12

                                                                                                            and 30 GHz. The amplifier provides 16 dB of gain

                                                                                                            and +18 dBm of saturated power from a +5V supply.

                                                                                                            Consistent       gain     and   output     power                                        across                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                  the

                                                                                                            operating band make it possible to use a common

                                                                                                            driver/LO amplifier approach in multiple radio bands.

                                                                                                            The HMC383 amplifier can easily be integrated into

                                                                                                            Multi-Chip-Modules (MCMs) due to its compact size,

                                                                                                            single supply operation, and DC blocked RF I/Os. All

                                                                                                            data is measured with the chip in a 50 Ohm test fix-

                                                                                                            ture  connected  via      0.025mm      (1  mil)                                         diameter                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                            wire

                                                                                                            bonds of minimal length 0.31mm (12 mils).

                                  Electrical Specifications, TA             = +25° C,       Vdd       = +5V

                                                Parameter             Min.  Typ.      Max.  Min.      Typ.     Max.  Min.    Typ.     Max.  Min.       Typ.                                         Max.  Units

                                  Frequency Range                           12 - 18                   18 - 24                24 - 28                28 - 30                                               GHz

                                  Gain                                13    16                    14  17             13      16                12                                               15                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                      dB

                                  Gain Variation Over Temperature           0.03      0.04            0.03     0.04          0.03     0.04             0.03                                         0.04  dB/ °C

                                  Input Return Loss                         14                        12                     14                                                                 7                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                       dB

                                  Output Return Loss                        13                        12                     7                                                                  5                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                       dB

                                  Output Power for 1 dB Compression   12    15              13.5      16.5           13      16                13                                               16        dBm

                                  (P1dB)

                                  Saturated Output Power (Psat)             18                        18                     17                                                                 18        dBm

                                  Output Third Order Intercept (IP3)        25                        25                     24                                                                 23        dBm

                                  Noise Figure                              9                         7                      6.5                       7.5                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                              dB

                                  Supply Current (Idd)                      101       125             101      125           101      125              101                                          125                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                 mA

3-2                               IrrliniecgfseohpntrsomsenoasftiisibtohingilrirtdyafunpirstnaeairdstsihesbesuyFdmthiomeba2dtyprm0lbiAcpyaanyAAtariorlnioelncapgsluoeohlDrgt,eofaDrvtodheimcevReericwistloesiissivusaefseodbeur.nrei,dtSlyiseepC,vureesacahdeinf,niyectnoadopltmriaboftentoeossrnatasfcnouopcyrburljipernadaacfrttct,eientnoegMatecnrmhdiogAaehrnrntedgst0lseiaoe1obwffr8lAieptshn.a2oa,tHue4loptongwntsloDeePotviecraehveori,.cstoheNneesnoor. ec:oFOP9nohn7rotean8pTecr-ei:c2tc7eh5H8,n10iod-t-3leto32ilgit9v3eye-44rWMy73,a0iya0c,nF•Prdao.OOxtwor.d:Baep9ovrla7xeoc8n9eCl1-in02ooe6r5dr,a0peNtr-owos3:rrww3aAwo7tno.iaao3dlnon,agM:loADge.0cv2oic0me6s2,-9In10c.6,

                                  Order On-line Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. at www.Ahpitptliitcea.tcioon mSupport: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                                             HMC383

                                                              v02.0907                                   GaAs PHEMT MMIC MEDIUM

                                                                              POWER AMPLIFIER, 12 - 30 GHz

Broadband                           Gain & Return Loss                        Gain vs. Temperature

                  20                                                                            20

                  15

                                                                                                16

                  10                                S21                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                    3

RESPONSE (dB)                                       S11

                  5                                 S22                       GAIN (dB)         12

                  0

                  -5                                                                            8                                +25C

                                                                                                                                 +85C                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                      CHIP

                  -10                                                                                                            -55C

                                                                                                4

                  -15

                  -20                                                                           0

                       8        12  16      20  24        28      32      36                         10  12  14  16  18  20  22  24                          26  28  30                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                32  -

                                        FREQUENCY (GHz)                                                              FREQUENCY (GHz)                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                       POWER AMPLIFIERS

Input                      Return   Loss vs. Temperature                      Output Return                          Loss vs. Temperature

                  0                                                                             0

                                                    +25C                                                                     +25C

                  -5                                                                            -5                           +85C

RETURN LOSS (dB)                                    +85C                      RETURN LOSS (dB)                                   -55C

                                                    -55C

                  -10                                                                           -10

                  -15                                                                           -15

                  -20                                                                           -20                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                        &

                       10  12   14  16  18  20  22  24    26  28      30  32                         10  12  14  16  18  20  22  24                          26  28  30                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                32

                                        FREQUENCY (GHz)                                                              FREQUENCY (GHz)                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                       LINEAR

P1dB                       vs.  Temperature                                   Psat vs. Temperature

                  22                                                                            22

                  20                                                                            20

                  18                                                                            18

                  16                                                                            16

P1dB (dBm)        14                                                          Psat (dBm)        14

                  12                                                                            12

                  10                                                                            10

                  8                                 +25C                                        8                                +25C

                  6                                 +85C                                        6                                +85C

                  4                                 -55C                                        4                                -55C

                  2                                                                             2

                  0                                                                             0

                       10  12   14  16  18  20  22  24    26  28      30  32                         10  12  14  16  18  20  22  24                          26  28  30                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                32

                                        FREQUENCY (GHz)                                                              FREQUENCY (GHz)

IrrliniecgfseohpntrsomsenoasftiisibtohingilrirtdyafunpirstnaeairdstsihesbesFuydmthoim2ebardtyp0mlbipAcyaanAyrAtaiiorlnlcoenpagseluoohlDrg,t aeofDrdvtoheimRceevericwilsoteisivssaiuseefsdobeurr.ne,iydtSliseC,epvureaeshcadeinnf,eiyctndoalopmtriabotftenoeossrnaftascopnoucyrbrlujiapdernaacfc,rttteientenMogatecnromAhdigaerhnrndte0gstlseiea1oobwfr8flAsiept2hn.a,oat4HuelpotongwntlsoePDeotvieacrheveorsio,.ctheeNnnesoor.ec:oFOP9nohn7troea8npTce-rei:2tcc75eHh8,n01iodt--3tle3oi2ltgi3e9vye-44rWMy37,a0iyac0F,nr•Pdao.OOxwtor.:daB9epvorl7aexoc8n9eC-l1i2n0ooe56rrd,a0peNt-rowos3r:rww3aAw7otnio.o3aadlnno,ag:MloADge.0cv2oic0me6s2,- 9In10c.6,      3-3

Order On-line Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. at www.hAiptptilticea.tcioonmSupport: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                                   HMC383

                                                                                              v02.0907                                   GaAs PHEMT MMIC MEDIUM

                                                                                                                 POWER AMPLIFIER, 12 - 30 GHz

                  Power                            Compression              @   18        GHz                    Power                        Compression @ 30 GHz

                                          20                                                                                        20

                  (%)                                                                                            (%)                                   Pout (dBm)

                                                                                                                                                       Gain (dB)

                  PAE                     16                                                                     PAE                16                 PAE (%)

3                 (dB),                                     Pout (dBm)                                           (dB),

                                                            Gain (dB)

                                          12                PAE (%)                                                                 12

                  GAIN                                                                                           GAIN

                  Pout (dBm),             8                                                                      Pout (dBm),        8

CHIP                                      4                                                                                         4

                                          0                                                                                         0

-                                             -18      -14      -10         -6            -2      2       6                              -14      -10          -6          -2          2                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                6

POWER AMPLIFIERS                                                INPUT POWER (dBm)                                                                          INPUT POWER (dBm)

                  Output IP3 vs. Temperature                                                                     Noise                        Figure   vs. Temperature

                                          30                                                                                        12

                                          26                                                                                        10

                                                                                                                 NOISE FIGURE (dB)  8

                  IP3 (dBm)               22

                                                                                                                                    6

                                          18                                        +25C

                                                                                    +85C

                                                                                    -55C                                            4

                                          14                                                                                        2                                  +25C

                                                                                                                                                                       +85C

                                                                                                                                                                       -55C

&                                         10                                                                                        0

                                              10   12  14   16  18      20      22  24        26  28  30  32                             10       14       18          22          26      30

LINEAR                                                          FREQUENCY (GHz)                                                                            FREQUENCY (GHz)

                  Gain &                           Power    vs. Supply Voltage                        @  18 GHz  Reverse Isolation vs. Temperature

                                          20                                                                                        0

                  (dBm)                   19

                  (dB), P1dB (dBm), Psat                                                                                            -20

                                          18                                                                     ISOLATION (dB)

                                                                                                                                                                       +25C

                                          17                                                                                        -40                                +85C

                                                                                                                                                                           -55C

                                          16

                                                                                    Gain                                            -60

                  GAIN                    15                                        P1dB

                                                                                    Psat

                                          14                                                                                        -80

                                              4.5                           5                             5.5                            10   12  14   16  18      20  22      24  26  28  30                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                           32

                                                                Vdd Supply Voltage (V)                                                                     FREQUENCY (GHz)

3-4               IrrliniecgfseohpntrsomsenoasftiisibtohingilrirtdyafunpirstnaeairdstsihesbesuyFdmthiomeba2dtyprm0lbiAcpyaanyAAtariorlnioelncapgsluoeohlDrgt,eofaDrvtodheimcevReericwistloesiissivusaefseodbeur.nrei,dtSlyiseepC,vureesacahdeinf,niyectnoadopltmriaboftentoeossrnatasfcnouopcyrburljipernadaacfrttct,eientnoegMatecnrmhdiogAaehrnrntedgst0lseiaoe1obwffr8lAieptshn.a2oa,tHue4loptongwntsloDeePotviecraehveori,.cstoheNneesnoor. ec:oFOP9nohn7rotean8pTecr-ei:c2tc7eh5H8,n10iod-t-3leto32ilgit9v3eye-44rWMy73,a0iya0c,nF•Prdao.OOxtwor.d:Baep9ovrla7xeoc8n9eCl1-in02ooe6r5dr,a0peNtr-owos3:rrww3aAwo7tno.iaao3dlnon,agM:loADge.0cv2oic0me6s2,-9In10c.6,

                  Order On-line Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. at www.Ahpitptliitcea.tcioon mSupport: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                                             HMC383

                                        v02.0907                  GaAs PHEMT MMIC MEDIUM

                                                              POWER AMPLIFIER, 12 - 30 GHz

Absolute Maximum Ratings                                  Typical Supply Current vs. Vdd

Drain Bias Voltage (Vdd)                +5.5 Vdc                  Vdd (V)                                                                                    Idd (mA)

RF Input Power (RFIN)(Vdd = +5.0  Vdc)  +10 dBm                   +4.5                                                                                       100

Channel Temperature                     175 °C                    +5.0                                                                                       101                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                       3

Continuous Pdiss (T= 85 °C)             0.89 W                    +5.5                                                                                       102

(derate 9.9 mW/°C above 85 °C)                            Note:  Amplifier will operate over full voltage ranges shown above

Thermal Resistance                      101.0 °C/W

(channel to die bottom)                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                LINEAR & POWER AMPLIFIERS - CHIP

Storage Temperature                     -65 to +150 °C            ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

Operating Temperature                   -55 to +85 °C             OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

ESD Sensitivity (HBM)                   Class 1A

Outline Drawing

Die Packaging Information [1]                             NOTES:

                                                          1.  ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM]

                                                          2. DIE THICKNESS IS .004”

Standard                                Alternate         3. TYPICAL BOND PAD IS .004” SQUARE

GP-2 (Gel Pack)                                 [2]       4.  BACKSIDE METALLIZATION:  GOLD

                                                          5.  BOND PAD METALLIZATION:   GOLD

[1] Refer to the “Packaging Information” section for die  6. BACKSIDE METAL IS GROUND.

packaging dimensions.                                     7.  CONNECTION NOT REQUIRED FOR      UNLABELED BOND PADS.

[2] For alternate packaging information contact Hittite   8. OVERALL DIE SIZE ± .002

Microwave Corporation.

IrrliniecgfseohpntrsomsenoasftiisibtohingilrirtdyafunpirstnaeairdstsihesbesFuydmthoim2ebardtyp0mlbipAcyaanAyrAtaiiorlnlcoenpagseluoohlDrg,t aeofDrdvtoheimRceevericwilsoteisivssaiuseefsdobeurr.ne,iydtSliseC,epvureaeshcadeinnf,eiyctndoalopmtriabotftenoeossrnaftascopnoucyrbrlujiapdernaacfc,rttteientenMogatecnromAhdigaerhnrndte0gstlseiea1oobwfr8flAsiept2hn.a,oat4HuelpotongwntlsoePDeotvieacrheveorsio,.ctheeNnnesoor.ec:oFOP9nohn7troea8npTce-rei:2tcc75eHh8,n01iodt--3tle3oi2ltgi3e9vye-44rWMy37,a0iyac0F,nr•Pdao.OOxwtor.:daB9epvorl7aexoc8n9eC-l1i2n0ooe56rrd,a0peNt-rowos3r:rww3aAw7otnio.o3aadlnno,ag:MloADge.0cv2oic0me6s2,- 9In10c.6,  3-5

Order On-line Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. at www.hAiptptilticea.tcioonmSupport: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                                                                                HMC383

                                                        v02.0907                           GaAs PHEMT MMIC MEDIUM

                                                                               POWER AMPLIFIER, 12 - 30 GHz

                                  Pad Descriptions

                                  Pad Number  Function            Description                                    Interface Schematic

                                  1           RFIN                This pad is AC coupled

3                                                                 and matched to 50 Ohms.

                                  2           Vdd       Power Supply Voltage for the amplifier. External bypass

LINEAR & POWER AMPLIFIERS - CHIP                        capacitors of 100 pF and 0.1 μF are required.

                                  3           RFOUT               This pad is AC coupled

                                                                  and matched to 50 Ohms.

                                  Die Bottom  GND       Die bottom must be connected to RF/DC ground.

                                  Assembly Diagram

3-6                               IrrliniecgfseohpntrsomsenoasftiisibtohingilrirtdyafunpirstnaeairdstsihesbesuyFdmthiomeba2dtyprm0lbiAcpyaanyAAtariorlnioelncapgsluoeohlDrgt,eofaDrvtodheimcevReericwistloesiissivusaefseodbeur.nrei,dtSlyiseepC,vureesacahdeinf,niyectnoadopltmriaboftentoeossrnatasfcnouopcyrburljipernadaacfrttct,eientnoegMatecnrmhdiogAaehrnrntedgst0lseiaoe1obwffr8lAieptshn.a2oa,tHue4loptongwntsloDeePotviecraehveori,.cstoheNneesnoor. ec:oFOP9nohn7rotean8pTecr-ei:c2tc7eh5H8,n10iod-t-3leto32ilgit9v3eye-44rWMy73,a0iya0c,nF•Prdao.OOxtwor.d:Baep9ovrla7xeoc8n9eCl1-in02ooe6r5dr,a0peNtr-owos3:rrww3aAwo7tno.iaao3dlnon,agM:loADge.0cv2oic0me6s2,-9In10c.6,

                                  Order On-line Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. at www.Ahpitptliitcea.tcioon mSupport: Phone: 1-800-ANALOG-D
                                                                                                                                                             HMC383

                                        v02.0907                            GaAs PHEMT MMIC MEDIUM

                                                                   POWER AMPLIFIER, 12 - 30 GHz

Mounting & Bonding Techniques for Millimeterwave GaAs MMICs

The die should be attached directly to the ground plane eutectically or with

conductive epoxy (see HMC general Handling, Mounting, Bonding Note).             0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

50 Ohm Microstrip transmission lines on 0.127mm (5 mil) thick alumina                                                                                        Wire Bond

thin film substrates are recommended for bringing RF to and from the chip        0.076mm                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               3

(Figure 1).  If 0.254mm (10 mil) thick alumina thin film substrates must be      (0.003”)

used,     the die should be raised 0.150mm (6 mils) so that the surface of

the die is coplanar with the surface of the substrate.   One way to accom-

plish this is to attach the 0.102mm (4 mil) thick die to a 0.150mm (6 mil)                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                             LINEAR & POWER AMPLIFIERS - CHIP

thick molybdenum heat spreader (moly-tab) which is then attached to the                    RF Ground Plane

ground plane (Figure 2).

Microstrip substrates should be mounted as close to the die as possible

in order to minimize bond wire length.  Typical die-to-substrate spacing is                0.127mm (0.005”) Thick Alumina

0.076mm to 0.152 mm (3 to 6 mils).                                                                                                                           Thin Film Substrate

                                                                                           Figure 1.

Handling Precautions

Follow these precautions to avoid permanent damage.                              0.102mm (0.004”) Thick GaAs MMIC

Storage: All bare die are placed in either Waffle or Gel based ESD protec-                                                                                   Wire Bond

tive containers, and then sealed in an ESD protective bag for shipment.          0.076mm

Once the sealed ESD protective bag has been opened, all die should be            (0.003”)

stored in a dry nitrogen environment.

Cleanliness:  Handle the chips in a clean environment. DO NOT attempt

to clean the chip using liquid cleaning systems.                                           RF Ground Plane

Static    Sensitivity:  Follow  ESD     precautions  to  protect   against  ESD

strikes.                                                                         0.150mm (0.005”) Thick

                                                                                 Moly Tab

Transients: Suppress instrument and bias supply transients while bias is                   0.254mm (0.010”) Thick Alumina

applied. Use shielded signal and bias cables to minimize inductive pick-                                                                                     Thin Film Substrate

up.                                                                                        Figure 2.

General Handling:       Handle the chip along the edges with a vacuum collet or with a sharp pair of bent tweezers. The

surface of the chip may have fragile air bridges and should not be touched with vacuum collet, tweezers, or fingers.

Mounting

The chip is back-metallized and can be die mounted with AuSn eutectic preforms or with electrically conductive epoxy.

The mounting surface should be clean and flat.

Eutectic Die Attach:    A 80/20 gold tin preform is recommended with a work surface temperature of 255 °C and a tool

temperature of 265 °C. When hot 90/10 nitrogen/hydrogen gas is applied, tool tip temperature should be 290 °C. DO

NOT expose the chip to a temperature greater than 320 °C for more than 20 seconds.         No more than 3 seconds of

scrubbing should be required for attachment.

Epoxy Die Attach:       Apply a minimum amount of epoxy to the mounting surface so that a thin epoxy fillet is observed

around the perimeter of the chip once it is placed into position.  Cure epoxy per the manufacturer’s schedule.

Wire Bonding

Ball or wedge bond with 0.025mm (1 mil) diameter pure gold wire.            Thermosonic wirebonding with a nominal stage

temperature of 150 °C and a ball bonding force of 40 to 50 grams or wedge bonding force of 18 to 22 grams is recom-

mended.      Use the minimum level of ultrasonic energy to achieve reliable wirebonds. Wirebonds should be started on

the chip and terminated on the package or substrate.     All bonds should be as short as possible <0.31mm (12 mils).

IrrliniecgfseohpntrsomsenoasftiisibtohingilrirtdyafunpirstnaeairdstsihesbesFuydmthoim2ebardtyp0mlbipAcyaanAyrAtaiiorlnlcoenpagseluoohlDrg,t aeofDrdvtoheimRceevericwilsoteisivssaiuseefsdobeurr.ne,iydtSliseC,epvureaeshcadeinnf,eiyctndoalopmtriabotftenoeossrnaftascopnoucyrbrlujiapdernaacfc,rttteientenMogatecnromAhdigaerhnrndte0gstlseiea1oobwfr8flAsiept2hn.a,oat4HuelpotongwntlsoePDeotvieacrheveorsio,.ctheeNnnesoor.ec:oFOP9nohn7troea8npTce-rei:2tcc75eHh8,n01iodt--3tle3oi2ltgi3e9vye-44rWMy37,a0iyac0F,nr•Pdao.OOxwtor.:daB9epvorl7aexoc8n9eC-l1i2n0ooe56rrd,a0peNt-rowos3r:rww3aAw7otnio.o3aadlnno,ag:MloADge.0cv2oic0me6s2,- 9In10c.6,  3-7

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