电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

HMC327MS8G

器件型号:HMC327MS8G
器件类别:热门应用    无线_射频_通信   
厂商名称:Hittite Microwave(ADI)
厂商官网:http://www.hittite.com/
下载文档

器件描述

3000 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER

3000 MHz - 4000 MHz 射频/微波宽带功率放大器

参数

HMC327MS8G最大输入功率 16 dBm
HMC327MS8G端子数量 8
HMC327MS8G最小工作频率 3000 MHz
HMC327MS8G最大工作频率 4000 MHz
HMC327MS8G最小工作温度 -40 Cel
HMC327MS8G最大工作温度 85 Cel
HMC327MS8G加工封装描述 PLASTIC, SMT, MSOP-8
HMC327MS8Greach_compliant Yes
HMC327MS8G状态 Active
HMC327MS8G微波射频类型 WIDE BAND MEDIUM POWER
HMC327MS8G阻抗特性 50 ohm
HMC327MS8G结构 COMPONENT
HMC327MS8G增益 17 dB
HMC327MS8Gjesd_609_code e0
HMC327MS8G功能数量 1
HMC327MS8G包装材料 PLASTIC/EPOXY
HMC327MS8Gpackage_equivalence_code TSSOP8,.19
HMC327MS8Gpower_supplies__v_ 5
HMC327MS8Gsub_category RF/Microwave Amplifiers
HMC327MS8G工艺 GAAS
HMC327MS8G端子涂层 TIN LEAD

文档预览

HMC327MS8G器件文档内容

                                                                     HMC327MS8G / 327MS8GE

                                                           v04.0607                GaAs InGaP HBT MMIC
                                                                     POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

5AMPLIFIERS - SMT                                                    Features
             Typical Applications
                                                                     Gain: 21 dB
                 This amplifier is ideal for use as a power          Saturated Power: +30 dBm
                 amplifier for 3.3 - 3.6 GHz applications:           45% PAE
                  Wireless Local Loop                               Supply Voltage: +5.0 V
                                                                     Power Down Capability
                                                                     Low External Part Count

                  Functional Diagram                                 General Description

                                                                     The HMC327MS8G & HMC327MS8GE are high effi-
                                                                     ciency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor
                                                                     (HBT) MMIC Power amplifiers which operate between
                                                                     3.0 and 4.0 GHz. The amplifier is packaged in a low
                                                                     cost, surface mount 8 leaded package with an exposed
                                                                     base for improved RF and thermal performance. With
                                                                     a minimum of external components, the amplifier pro-
                                                                     vides 21 dB of gain, +30 dBm of saturated power at
                                                                     45% PAE from a +5.0V supply voltage. Power down
                                                                     capability is available to conserve current consump-
                                                                     tion when the amplifier is not in use.

                  Electrical Specifications, TA = +25 C, Vs = 5V, Vctl = 5V

                  Parameter                                                   Min.                    Typ.     Max.    Units
                                                                                                   3.0 - 4.0           GHz
                  Frequency Range                                                                                24     dB
                                                                                                        21     0.035  dB / C
                  Gain                                                        17                     0.025              dB
                                                                                                                        dB
                  Gain Variation Over Temperature                                                       15             dBm
                                                                                                        8              dBm
                  Input Return Loss                                                           24        27             dBm
                  Output Return Loss                                                                    30              dB
                  Output Power for 1dB Compression (P1dB)                                     36        40              mA
                  Saturated Output Power (Psat)                                                        5.0              mA
                  Output Third Order Intercept (IP3)                 Vpd = 0V/5V                  0.002 / 250            ns
                  Noise Figure                                           Vpd = 5V                       7
                  Supply Current (Icq)                                                                  40
                  Control Current (Ipd)                                tON, tOFF
                  Switching Speed

5 - 72                       For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
                               20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
                                                                   Order On-line at www.hittite.com
                                                                                          v04.0607       HMC327MS8G / 327MS8GE

                                                                                                                         GaAs InGaP HBT MMIC
                                                                                                           POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

Broadband Gain & Return Loss                                                                             Gain vs. Temperature                                                                          5

                  25                                                                                                       24
                                                                                                                           22
                  20                                                                                                                                                                                   AMPLIFIERS - SMT

                  15                                                                                                       20
                                                                                                                           18
RESPONSE (dB)     10                                                                 S21                                   16

                  5                                                                  S11                 GAIN (dB)

                                                                                     S22                                   14
                                                                                                                                                                                       +25 C

                  0                                                                                                        12           +85 C

                  -5                                                                                                       10           -40 C

                  -10                                                                                                      8

                                                                                                                           6

                  -15                                                                                                      4

                  -20                                                                                                      2

                  -25                                                                                                      0

                       2  2.5     3  3.5                                             4         4.5  5                      2.5  3  3.5                                                         4  4.5

                                  FREQUENCY (GHz)                                                                                  FREQUENCY (GHz)

Input Return Loss vs. Temperature                                                                        Output Return Loss vs. Temperature

       0                                                                                                        0

                  -5                                                                    +25 C                                                                                +25 C
                                                                                                                                                                             +85 C
                                                                                        +85 C                                                                                -40 C

RETURN LOSS (dB)                                                                        -40 C                  -5RETURN LOSS (dB)

                  -10

                  -15

                  -20                                                                                                      -10

                  -25

                  -30                                                                                                      -15

                  2.5          3     3.5                                                  4         4.5                    2.5  3  3.5                                                         4  4.5

                                  FREQUENCY (GHz)                                                                                  FREQUENCY (GHz)

P1dB vs. Temperature                                                                                     Psat vs. Temperature

                  34                                                                                                       34

                  32                                                                                                       32

                  30                                                                                                       30

                  28                                                                                                       28

P1dB (dBm)        26                                                                                     Psat (dBm)        26

                  24                                                                                                       24
                                                                                                                                                                                        +25 C

                  22                                                                                                       22           +85 C
                                                                              +25 C
                                                                                                                                        -40 C
                  20                      +85 C                                                                            20

                  18                      -40 C                                                                            18

                  16                                                                                                       16

                  14                                                                                                       14

                  2.5          3     3.5                                                  4         4.5                    2.5  3  3.5                                                         4  4.5

                                  FREQUENCY (GHz)                                                                                  FREQUENCY (GHz)

                          For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:                                                                                      5 - 73
                             20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
                                                                Order On-line at www.hittite.com
                                                                                                                    v04.0607       HMC327MS8G / 327MS8GE

                                                                                                                                                   GaAs InGaP HBT MMIC
                                                                                                                                     POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

5       Power Compression @ 3.5 GHz                                                                                                Output IP3 vs. Temperature

                                                        48                                                                                         44

AMPLIFIERS - SMT                                                                                                                                   42
                        Pout (dBm), GAIN (dB), PAE (%)
                                                        42        Pout (dBm)                                                                       40

                                                                                          Gain (dB)                                                38
                                                        36
                                                                                                                                                   36
                                                                                          PAE (%)

                                                        30                                                                         OIP3 (dBm)      34

                                                                                                                                                   32

                                                        24                                                                                         30

                                                                                                                                                   28                   +25 C

                                                                                                                                                   26                   +85 C

                                                        18                                                                                         24                   -40 C

                                                        12                                                                                         22

                                                                                                                                                   20

                                                        6                                                                                          18

                                                                                                                                                   16

                                                        0                                                                                          14
                                                          -5 -3 -1 1 3 5 7 9 11 13 15
                                                                                      INPUT POWER (dBm)                                            2.5    3        3.5         4             4.5

                                                                                                                                                             FREQUENCY (GHz)

        Noise Figure vs. Temperature                                                                                               Gain & Power vs. Supply Voltage

        NOISE FIGURE (dB)                               10                                                                         GAIN dB)        28                                            32
                                                         9                                                                                         27                                            31
                                                         8                                                          +25 C                          26        Gain                      P1dB      30
                                                         7                                                          +85 C                          25                                  Psat      29
                                                         6                                                          -40 C                          24                                            28
                                                         5                                                                                         23                                            27
                                                         4        3.5                                            4            4.5                  22                         5                  26
                                                         3                                                                                         21        Vcc SUPPLY VOLTAGE (Vdc)            25
                                                         2                                                                                         20                                            24
                                                         1                                                                                         19                                            23
                                                         0                                                                                         18                                            22
                                                            3                                                                                                                                5.25
                                                                                                                                                    4.75

                                                                  FREQUENCY (GHz)

        Reverse Isolation vs. Temperature                                                                                          Power Down Isolation

               0                                                                                                                                   0

                                                        -10                                                                                        -5

                                                                                                                                                   -10

        ISOLATION (dB)                                  -20                                               +25 C                    ISOLATION (dB)  -15

                                                                                                          +85 C

                                                        -30                                               -40 C                                    -20

                                                        -40                                                                                        -25

                                                                                                                                                   -30

                                                        -50                                                                                        -35

                                                        -60                                                                                        -40

                                                        2.5    3                                     3.5            4         4.5                  2.5    3        3.5         4             4.5

                                                                  FREQUENCY (GHz)                                                                            FREQUENCY (GHz)

5 - 74                                                         For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
                                                                 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
                                                                                                     Order On-line at www.hittite.com
                                  v04.0607                    HMC327MS8G / 327MS8GE

                                                                              GaAs InGaP HBT MMIC
                                                                POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

Gain, Power & Quiescent Supply                                Absolute Maximum Ratings                                     5
Current vs. Vpd @ 3.5 GHz

30                                             250            Collector Bias Voltage (Vcc)       +5.5 Vdc

GAIN (dB), P1dB (dBm), Psat (dBm)                             Control Voltage (Vpd)              +5.5 Vdc

                                                                                     AMPLIFIERS - SMT25200
                                                              RF Input Power (RFin)(Vs = Vctl = +5.0 Vdc) +16 dBm

                                               150            Junction Temperature               150 C

20           Icq                                    Icq (mA)

                                                              Continuous Pdiss (T = 85 C)       1.88 W
                                                              (derate 29 mW/C above 85 C)

15                                             100            Thermal Resistance
                                                              (junction to ground paddle)
                                                                                                 34 C/W

10                                P1dB         50

                                  Psat                        Storage Temperature                -65 to +150 C

                                  Gain

                                                              Operating Temperature              -40 to +85 C

5                                              0

2.5  3            3.5  4          4.5       5

                       Vpd (Vdc)                              ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
                                                              OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

Outline Drawing

                                                              NOTES:
                                                              1. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY
                                                              2. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS]
                                                              3. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.
                                                              4. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.
                                                              5. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE SOLDERED TO

                                                                  PCB RF GROUND.

Package Information

Part Number            Package Body Material                   Lead Finish           MSL Rating  Package Marking [3]
                                                              Sn/Pb Solder             MSL1 [1]
HMC327MS8G             Low Stress Injection Molded Plastic                             MSL1 [2]           H327
                                                                                                          XXXX
  HMC327MS8GE RoHS-compliant Low Stress Injection Molded Plastic 100% matte Sn
                                                                                                          H327
[1] Max peak reflow temperature of 235 C                                                                 XXXX
[2] Max peak reflow temperature of 260 C
[3] 4-Digit lot number XXXX

     For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:                               5 - 75
        20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
                                           Order On-line at www.hittite.com
                                        v04.0607  HMC327MS8G / 327MS8GE

                                                                  GaAs InGaP HBT MMIC
                                                    POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

5
             Pin Descriptions

AMPLIFIERS - SMT  Pin Number  Function            Description                                                   Interface Schematic

                                        Power Control Pin. For maximum power, this pin hsould be connected

                  1           Vpd       to 5.0V. A higher voltage is not recommended. For lower idle current,

                                                  this voltage can be reduced.

                  2, 4, 7     GND       Ground: Backside of package has exposed metal ground slug that must
                     3                    be connected to ground thru a short path. Vias under the device are
                                                                                  required.

                              RFIN      This pin is AC coupled and matched to 50 Ohms from 3.0 to 4.0 GHz.

                  5, 6        RFOUT     RF output and bias for the output stage. The power supply for the

                                        output device needs to be supplied to these pins.

                                        Power supply voltage for the first amplifier stage. An external bypass

                  8           Vcc       capacitor of 330 pF is required. This capacitor should be placed as

                                                  close to the device as possible.

5 - 76                        For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
                                20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
                                                                    Order On-line at www.hittite.com
                                         v04.0607                HMC327MS8G / 327MS8GE

Evaluation PCB                                                                   GaAs InGaP HBT MMIC
                                                                   POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

                                                                                             5

                                                                                                                         AMPLIFIERS - SMT

List of Materials for Evaluation PCB 104991 [1]

Item     Description                                             The circuit board used in the final application should
J1 - J2  PCB Mount SMA RF Connector                              use RF circuit design techniques. Signal lines
J3       2 mm DC Header                                          should have 50 ohm impedance while the package
C1 - C3  330 pF Capacitor, 0603 Pkg.                             ground leads and exposed paddle should be con-
C4       1.2 pF Capacitor, 0603 Pkg.                             nected directly to the ground plane similar to that
C5       2.0 pF Capacitor, 0402 Pkg.                             shown. A sufficient number of via holes should be
C6       2.2 F Capacitor, Tantalum                               used to connect the top and bottom ground planes.
L1       3.0 nH Inductor, 0805 Pkg.                              The evaluation board should be mounted to an
R1       130 Ohm Resistor, 0603 Pkg.                             appropriate heat sink. The evaluation circuit board
U1       HMC327MS8G / HMC327MS8GE Amplifier                      shown is available from Hittite upon request.

PCB [2]  104829 Eval Board

[1] Reference this number when ordering complete evaluation PCB

[2] Circuit Board Material: Rogers 4350

         For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:                         5 - 77
            20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
                                               Order On-line at www.hittite.com
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

小广播

HMC327MS8G器件购买:

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved