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HMC-ALH382

器件型号:HMC-ALH382
器件类别:微波射频   
厂商名称:Hittite Microwave(ADI)
厂商官网:http://www.hittite.com/
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器件描述

57000 MHz - 65000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

57000 MHz - 65000 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

参数

HMC-ALH382最大工作温度 85 Cel
HMC-ALH382最小工作温度 -55 Cel
HMC-ALH382最大输入功率 -5 dBm
HMC-ALH382最大工作频率 65000 MHz
HMC-ALH382最小工作频率 57000 MHz
HMC-ALH382加工封装描述 1.55 X 0.73 MM, 0.10 MM HEIGHT, DIE-4
HMC-ALH382无铅 Yes
HMC-ALH382欧盟RoHS规范 Yes
HMC-ALH382状态 ACTIVE
HMC-ALH382结构 COMPONENT
HMC-ALH382端子涂层 NOT SPECIFIED
HMC-ALH382阻抗特性 50 ohm
HMC-ALH382微波射频类型 WIDE BAND LOW POWER

文档预览

HMC-ALH382器件文档内容

                                                                                         v01.0108LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIPHMC-ALH382

1                                                                                                                      GaAs HEMT LOW NOISE
             Typical Applications                                                                                      AMPLIFIER, 57 - 65 GHz
                 This HMC-ALH382 is ideal for:
                  Short Haul / High Capacity Links                                                        Features
                  Wireless LANs
                  Military & Space                                                                        Noise Figure: 3.8 dB
                                                                                                           P1dB: +12 dBm
             Functional Diagram                                                                            Gain: 21 dB
                                                                                                           Supply Voltage: +2.5V
                                                                                                           50 Ohm Matched Input/Output
                                                                                                           Die Size: 1.55 x 0.73 x 0.1 mm

                                                                                                           General Description

                                                                                                           The HMC-ALH382 is a high dynamic range, four
                                                                                                           stage GaAs HEMT MMIC Low Noise Amplifier
                                                                                                           (LNA) which operates between 57 and 65 GHz. The
                                                                                                           HMC-ALH382 features 21 dB of small signal gain,
                                                                                                           4 dB of noise figure and an output power of +12
                                                                                                           dBm at 1dB compression from a +2.5V supply
                                                                                                           voltage. All bond pads and the die backside are Ti/
                                                                                                           Au metallized and the amplifier device is fully
                                                                                                           passivated for reliable operation. This versatile LNA
                                                                                                           is compatible with conventional die attach methods,
                                                                                                           as well as thermocompression and thermosonic
                                                                                                           wirebonding, making it ideal for MCM and hybrid
                                                                                                           microcircuit applications. All data shown herein is
                                                                                                           measured with the chip in a 50 Ohm environment and
                                                                                                           contacted with RF probes.

                             Electrical Specifications, TA = +25 C, Vdd = 2.5V, Idd = 64 mA*

                                                 Parameter                                                 Min.  Typ.     Max.      Units
                                                                                                                           5.5      GHz
                             Frequency Range                                                                     57 - 65  100        dB
                                                                                                                                     dB
                             Gain                                                                          19    21                  dB
                                                                                                                                     dB
                             Noise Figure                                                                        4                  dBm
                                                                                                                                     mA
                             Input Return Loss                                                                   12

                             Output Return Loss                                                                  10

                             Output Power for 1 dB Compression (P1dB)                                            12

                             Supply Current (Idd)(Vdd= 2.5V,Vgg= -0.3V Typ.)                                     64

                             *Unless otherwise indicated, all measurements are from probed die
                             [2] Adjust Vgg between -1V to +0.3V (Typ. -0.2V) to achieve Iddtotal = 64 mA

1 - 174                                    For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
                                             20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
                                                                                 Order On-line at www.hittite.com
                                                                                              HMC-ALH382

                                                v01.0108

                                                                                          GaAs HEMT LOW NOISE
                                                                                          AMPLIFIER, 57 - 65 GHz

Linear Gain vs. Frequency                                                                1

      30                                                      Noise Figure vs. Frequency

                                                                      6

                  25                                                             5                                      LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP

                  20                                          NOISE FIGURE (dB)  4

GAIN (dB)         15                                                             3

                  10                                                             2

                  5                                                              1

                  0                                                              0

                       57  59  61               63        65                          57  59  61               63   65

                               FREQUENCY (GHz)                                                FREQUENCY (GHz)

Input Return Loss vs. Frequency                               Output Return Loss vs. Frequency

        0                                                             0

RETURN LOSS (dB)  -5                                          RETURN LOSS (dB)   -5

                  -10                                                            -10

                  -15                                                            -15

                  -20                                                            -20

                       57  59  61               63        65                          57  59  61               63   65

                               FREQUENCY (GHz)                                                FREQUENCY (GHz)

                           For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:      1 - 17
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                                                                                         v01.0108                   HMC-ALH382

1                                                                                                              GaAs HEMT LOW NOISE
             Wideband Linear Gain                                                                              AMPLIFIER, 57 - 65 GHz

                                                                                                   Wideband Input Return Loss

LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP  Wideband Output Return Loss

1 - 176                      For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
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                       v01.0108                                     HMC-ALH382

Absolute Maximum Ratings                                     GaAs HEMT LOW NOISE
                                                              AMPLIFIER, 57 - 65 GHz
Drain Bias Voltage     +5.5 Vdc                                                                                LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP
Gate Bias Voltage      -1 to +0.3 Vdc                                            1
RF Input Power         -5 dBm
Storage Temperature    -65 to +150 C                     ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
Operating Temperature  -55 to +85 C                      OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

Outline Drawing

Die Packaging Information [1]                             NOTES:
                                                          1. ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM].
Standard               Alternate                          2. TYPICAL BOND PAD IS .004" SQUARE.
                                                          3. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD.
WP - 8                    [2]                             4. BACKSIDE METAL IS GROUND.
                                                          5. BOND PAD METALLIZATION: GOLD.
[1] Refer to the "Packaging Information" section for die  6. CONNECTION NOT REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS.
packaging dimensions.                                     7. OVERALL DIE SIZE .002"
[2] For alternate packaging information contact Hittite
Microwave Corporation.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:                        1 - 17
  20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
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                                                   v01.0108                                  HMC-ALH382

                                                                                      GaAs HEMT LOW NOISE
                                                                                      AMPLIFIER, 57 - 65 GHz

1
             Pad Descriptions

LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP  Pad Number  Function                     Description                                   Interface Schematic

                             1           RFIN                 This pad is AC coupled
                                                             and matched to 50 Ohms.
                             2           RFOUT
                                                              This pad is AC coupled
                                                             and matched to 50 Ohms.

                             3           Vdd       Power Supply Voltage for the amplifier. See assembly for
                                                                    required external components.

                                                   Gate control for amplifier. Please follow "MMIC Amplifier Bias-

                             4           Vgg       ing Procedure" application note. See assembly for required

                                                             external components.

                             Die bottom  GND       Die bottom must be connected to RF/DC ground.

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                                                                  v01.0108         HMC-ALH382

Assembly Diagram                                                            GaAs HEMT LOW NOISE
                                                                            AMPLIFIER, 57 - 65 GHz

                                                                                                 1

                                                                                         LOW NOISE AMPLIFIERS - CHIP

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