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HAF2012

器件型号:HAF2012
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厂商名称:RENESAS [Renesas Technology Corp]
厂商官网:http://www.renesas.com
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HAF2012器件文档内容

HAF2012(L), HAF2012(S)

Silicon N Channel MOS FET Series
Power Switching

                                                                                                                       REJ03G1139-0400
                                                                                                                                     Rev.4.00

                                                                                                                                 Jul 13, 2007

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature.

This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down
the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc.

Features

Logic level operation (4 to 6 V Gate drive)
High endurance capability against to the short circuit
Built-in the over temperature shut-down circuit
Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004AE-A              RENESAS Package code: PRSS0004AE-B
(Package name: LDPAK (L) )                      (Package name: LDPAK (S)-(1) )

                                     4                                      4       1. Gate
                                                                                    2. Drain
                              1                                      123            3. Source
                                  2                                  D              4. Drain
                                     3

G                                               Gate Resistor

                                       Tempe-   Latch       Gate
                                       rature   Circuit     Shut-
                                       Sensing              down
                                       Circuit              Circuit

                                                                     S

REJ03G1139-0400 Rev.4.00 Jul 13, 2007
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HAF2012(L), HAF2012(S)

Absolute Maximum Ratings                               Symbol                     Value     (Ta = 25C)
                                                         VDSS                       60
                            Item                         VGSS                       16     Unit
Drain to source voltage                                  VGSS                      2.8     V
Gate to source voltage                                     ID                       20      V
                                                                                    40      V
Drain current                                        ID (pulse) Note 1              20      A
Drain peak current                                         IDR                      50      A
Body-drain diode reverse drain current                                             150      A
Channel dissipation                                   Pch Note 2                            W
Channel temperature                                       Tch                 55 to +150   C
Storage temperature                                      Tstg                               C
Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%

          2. Value at Ta = 25C

Typical Operation Characteristics

                                                                                           (Ta = 25C)

                    Item                Symbol       Min                Typ   Max  Unit    Test Conditions
Input voltage                              VIH
                                           VIL       3.5                --    --   V
Input current                              IIH1
(Gate non shut down)                       IIH2      --                 --    1.2  V
                                            IIL
Input current                                        --                 --    100  A Vi = 8 V, VDS = 0
(Gate shut down)                         IIH (sd) 1
Shut down temperature                    IIH (sd) 2  --                 --    50   A Vi = 3.5 V, VDS = 0
Gate operation voltage
                                          Tsd        --                 --    1    A Vi = 1.2 V, VDS = 0
                                          VOP
                                                     --                 0.8   --   mA Vi = 8 V, VDS = 0

                                                     --                 0.35  --   mA Vi = 3.5 V, VDS = 0

                                                     --                 175   --   C Channel temperature

                                                     3.5                --    13   V

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HAF2012(L), HAF2012(S)

Electrical Characteristics

               Item                         Symbol      Min   Typ Max        Unit                   (Ta = 25C)
                                                ID1      10                   A
Drain current                                   ID2      --   --   --        mA          Test Conditions
                                                         60                   V    VGS = 3.5 V, VDS = 2 V
                                            V (BR) DSS   16   --   10         V    VGS = 1.2 V, VDS = 2 V
                                            V (BR) GSS  2.8                  V    ID = 10 mA, VGS = 0
Drain to source breakdown voltage           V (BR) GSS   --   --   --         A   IG = 100 A, VDS = 0
Gate to source breakdown voltage                         --                   A   IG = 100 A, VDS = 0
                                              IGSS1      --   --   --         A   VGS = 8 V, VDS = 0
                                              IGSS2      --                   A   VGS = 3.5 V, VDS = 0
                                              IGSS3      --   --   --        mA    VGS = 1.2 V, VDS = 0
                                              IGSS4      --                  mA    VGS = 2.4 V, VDS = 0
Gate to source leak current                 IGS (op) 1   --   -- 100          A   VGS = 8 V, VDS = 0
                                            IGS (op) 2  1.0                   V    VGS = 3.5 V, VDS = 0
                                               IDSS      --   --   50        m     VDS = 50 V, VGS = 0
                                             VGS (off)   --                  m     ID = 1 mA, VDS = 10 V
                                             RDS (on)     6   --          1   S    ID = 10 A, VGS = 4 V Note 3
                                             RDS (on)    --                   pF   ID = 10 A, VGS = 10 V Note 3
                                               |yfs|          -- 100              ID = 10 A, VDS = 10 V Note 3
                                              Coss                            s   VDS = 10 V, VGS = 0
Input current (shut down)                                     0.8  --         s   f = 1 MHz
                                                                              s   ID = 5 A
Zero gate voltage drain current                               0.35 --         s   VGS = 5 V
Gate to source cutoff voltage                                                 V    RL = 6
Static drain to source on state resistance                    -- 250          ns
                                                                                   IF = 20 A, VGS = 0
Forward transfer admittance                                   -- 2.25        ms    IF = 20 A, VGS = 0
Output capacitance                                                           ms    diF/dt = 50 A/s
                                                              50   65              VGS = 5 V, VDD = 12 V
                                                                                   VGS = 5 V, VDD = 24 V
                                                              30   43

                                                              12   --

                                                              630 --

Turn-on delay time                          td (on)     --    7.5  --
Rise time                                     tr
Turn-off delay time                                     --    29   --
Fall time                                   td (off)
Body-drain diode forward voltage              tf        --    34   --
Body-drain diode reverse recovery time
                                            VDF         --    26   --
                                             trr
                                                        --    1.0  --

                                                        -- 110 --

Over load shut down operation time Note4    tos1        --    1.8  --

                                            tos2        --    0.7  --

Notes: 3. Pulse test

4. Including the junction temperature rise of the over loaded condition.

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HAF2012(L), HAF2012(S)                                                                                                                         Maximum Safe Operation Area

Main Characteristics                                                                                                                  500
                                                                                                                                            Thermal shut down
                      Power vs. Temperature Derating
                  80                                                                                                                  200 Operation area

Channel Dissipation Pch (W)                                                                      Drain Current ID (A)                 100                                                                       20 s

                                      60

                                      40                                                                                              50                   RtDhDCiSsO(aporene)rPaaWtion=(1T10cmm=1s0s205Cs )

                                      20                                                                                              20    Operation in
                                                                                                                                      10    is limited by

                                                                                                                                       5

                                                                                                                                       2
                                                                                                                                       1

                                      0                                                                                               0.5 Ta = 25C                 5 10 20 50 100
                                                                                                                                      0.3
                                      0       50                100     150        200
                                                                                                                                         0.3 0.5 1 2

                                              Case Temperature Tc (C)                                                                      Drain to Source Voltage VDS (V)

                                              Typical Output Characteristics                                                                Typical Transfer Characteristics

                                      50                                Pulse Test                                                    50
                                                       10 V                      5V                                                          VDS = 10 V
                                                                                                                                             Pulse Test
                                                 8V
                                                                                                                                      40
Drain Current ID (A)                  40         6V                                              Drain Current ID (A)

                                      30                                                                                              30                   Tc = 25C
                                                                                         4V
                                                                                                                                                                    25C

                                      20                                     3.5 V                                                                                  75C
                                                                                                                                      20

                                      10                                VGS = 3 V                                                     10

                                      0                                                                                               0

                                      0       2              4       6  8                    10                                             0  1           2        3     4                                     5

                                           Drain to Source Voltage VDS (V)                                                                  Gate to Source Voltage VGS (V)

Drain to Source Voltage VDS (on) (V)    Drain to Source Saturation Voltage vs.                   Drain to Source on State Resistance  Static Drain to Source on State Resistance
                                                  Gate to Source Voltage                            RDS (on) ()                                        vs. Drain Current

                                      2.0                                                                                             0.5
                                                                                Pulse Test                                                   Pulse Test

                                      1.6                                                                                             0.2

                                      1.2                                                                                              0.1
                                                                                                                                      0.05
                                                                                                                                                  VGS = 4 V

                                      0.8                               ID = 20 A

                                      0.4                                    10 A                                                                             10 V
                                                                                                                                      0.02

                                                                             5A

                                      0                                                                                               0.01
                                                                                                                                            1
                                           0  2              4       6  8                    10                                                2 5 10 20 50 100 200
                                                                                                                                                  Drain Current ID (A)
                                           Gate to Source Voltage VGS (V)

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Static Drain to Source on State Resistance   Static Drain to Source on State Resistance                                                    Forward Transfer Admittance vs.
   RDS (on) ()                                                vs. Temperature                                                                          Drain Current

                                            0.10                                           Forward Transfer Admittance |yfs| (S)  100                                  VDS = 10 V
                                                    Pulse Test

                                                                                                                                  50                                   Pulse Test

                                            0.08                   ID = 20 A
                                            0.06
                                                  VGS = 4 V                          10 A                                         20           Tc = 25C
                                                                              5A

                                            0.04                              ID = 20 A                                           10
                                                                                                                                                                            25C
                                                                   5 A, 10 A
                                                                                                                                   5
                                                                                                                                                            75C

                                            0.02  10 V                                                                            2

                                            0                40 80 120 160                                                        1                            5 10 20 50
                                            40 0                                                                                 0.5 1 2

                                                  Case Temperature Tc (C)                                                                 Drain Current ID (A)

                                                  Body-Drain Diode Reverse                                                                 Switching Characteristics
                                                         Recovery Time

                                            1000                                                                                  100
                                             500
Reverse Recovery Time trr (ns)                                                                                                    50                  td(off)

                                                                                           Switching Time t (s)                           tf

                                            200                                                                                   20                           td(on)
                                            100                                                                                                  tr

                                             50                                                                                   10

                                                                                                                                  5

                                            20                     di / dt = 50 A / s                                            2                   VGS = 5 V, VDD = 30 V
                                                                   VGS = 0, Ta = 25C                                             1                   PW = 300 s, duty  1 %
                                            10                                                                                    0.1 0.2
                                              0.5 1 2              5 10 20 50                                                                  0.5 1 2 5 10 20 50

                                                  Reverse Drain Current IDR (A)                                                            Drain Current ID (A)

                                                      Reverse Drain Current vs.                                                            Typical Capacitance vs.
                                                       Source to Drain Voltage                                                             Drain to Source Voltage

                                            50                                                                    10000
                                                  Pulse Test
Reverse Drain Current IDR (A)                                                              Capacitance C (pF)                     3000
                                            40                                                                                    1000

                                            30                                                                                     300                         Coss
                                                        VGS = 5 V                                                                  100

                                            20                     0V

                                            10                                                                                    30 VGS = 0

                                                                                                                                           f = 1 MHz

                                            0                                                                                     10
                                             0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
                                                                                                                                        0  10         20       30 40 50
                                               Source to Drain Voltage VSD (V)
                                                                                                                                        Drain to Source Voltage VDS (V)

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Gate to Source Voltage VGS (V)           Gate to Source Voltage vs.                                                                   Shutdown Case Temperature Tc (C)         Shutdown Case Temperature vs.
                                    Shutdown Time of Load-Short Test                                                                                                                  Gate to Source Voltage

                                10                                                                                                                                       200
                                                                                                                                                                                                                 ID = 5 A
                                             VDD = 36 V
                                 8                                                                                                                                       180

                                                        24 V                                                                                                             160
                                                                 12 V
                                                                                                                                                                         140
                                 6
                                                                     9V

                                 4

                                2                                                                                                                                        120

                                 0                                                                                                                                       100
                                  0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
                                                                                                                                                                              0       2                      4  6          8   10
                                Shutdown Time of Load-Short Test PW (ms)
                                                                                                                                                                                 Gate to Source Voltage VGS (V)

                                                                                                                            TTL Drive Characteristics

                                                                                                                        10                                                       1.0

                                                                                                                                          ID = 5 A

                                                                                                  Input Voltage VI (V)  8                                                        0.8  Input Current II (mA)

                                                                                                                        6                                                        0.6

                                                                                                                                      VI

                                                                                                                        4                                                        0.4

                                                                                                                        2             II                                         0.2

                                                                                                                        0                                                        0

                                                                                                                        0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10

                                                                                                                            Gate Series Resistance RG (k)

                                   Normalized Transient Thermal Impedance  s (t)                 Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

                                                                                  3

                                                                                                                                                                                                                Tc = 25C

                                                                                  1
                                                                                      D=1

                                                                                        0.5
                                                                                  0.3

                                                                                        0.2

                                                                                  0.1 0.1                                                 ch c (t) =  s (t) ch c
                                                                                                                                          ch c = 2.50C/W, Tc = 25C

                                                                                        0.05                                                                                                                    D = PW
                                                                                                                                                                                                                        T
                                                                                        00.0.021                                          PDM
                                                                                          1shot
                                                                                  0.03            pulse

                                                                                                                                                                                    PW
                                                                                                                                                                                     T

                                                                                  0.01            100                      1m  10 m                                     100 m                               1             10
                                                                                     10

                                                                                                                                Pulse Width PW (S)

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                                               Test Circuit

                                        RL                                    5A
                                                                            Thermal shut down
                  +     II              D.U.T                   ID

                       Rg                                   0
                                                                VI
VCC                  HD74LS08 VI
=5V                                                          0
                                                                 II

                                                             0

     Switching Time Test Circuit                                          Waveform

     Vin Monitor                      Vout                                            90%
                                      Monitor
                        D.U.T.                               Vin 10%
                                RL

                                                             Vout    10%                       10%
                                                                                                 tf
     Vin  50                    VDD                                   90%        90%
     5V                         = 30 V                                  tr  td(off)

                                                             td(on)

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Package Dimensions

Package Name   JEITA Package Code                     RENESAS Code                           Previous Code MASS[Typ.]                                                  Unit: mm
   LDPAK(L)               
                                                      PRSS0004AE-A LDPAK(L) / LDPAK(L)V                                   1.40g

                                                             (1.4)                    10.2 0.3                                          4.44 0.2
                                                                                                                                          1.3 0.15
                                          11.3 0.5  0.3    8.6 0.3
                                                        0.5                                                                               2.49 0.2

                                                      +                                                                               0.4 0.1
                                                        

                                                      10.0                                          1.3 0.2
                                                                                                    1.37 0.2

                                                                                                    0.86  +  0.2          11.0 0.5
                                                                                                            0.1

                                                                                                    0.76 0.1

                                                             2.54 0.5                             2.54 0.5

Package Name   JEITA Package Code                     RENESAS Code                           Previous Code           MASS[Typ.]                                        Unit: mm
LDPAK(S)-(1)            SC-83
                                                      PRSS0004AE-B LDPAK(S)-(1) / LDPAK(S)-(1)V                           1.30g

                                   10.2 0.3                              (1.4)             4.44 0.2                               7.87.8
                                                                                                          1.3 0.15                  6.67.0

                                                                           8.6 0.3  0.3                                                   2.2                   1.7
                                                                                        0.5

                                                                                      +                      2.49 0.2
                                                                                       

                                   (1.5)                                              10.0   (1.5)           0.1  +  0.2
                                                                                                                    0.1

                                                             1.37 0.2

                 1.3 0.2                                   0.86       +  0.2                               0.4 0.1
               2.54 0.5                                                 0.1
                                                                                      0.3
                                                                                        0.5

                                                             2.54 0.5               +
                                                                                       

                                                                                      3.0

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Ordering Information

        Part Name               Quantity                 Shipping Container
HAF2012-90L        Max: 50 pcs/sack
HAF2012-90S        Max: 50 pcs/sack       Sack
HAF2012-90STL      1000 pcs/Reel          Sack
HAF2012-90STR      1000 pcs/Reel          Embossed tape
                                          Embossed tape

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                                                                  Sales Strategic Planning Div. Nippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan

Notes:
1. This document is provided for reference purposes only so that Renesas customers may select the appropriate Renesas products for their use. Renesas neither makes

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     destruction or for the purpose of any other military use. When exporting the products or technology described herein, you should follow the applicable export control laws
     and regulations, and procedures required by such laws and regulations.
4. All information included in this document such as product data, diagrams, charts, programs, algorithms, and application circuit examples, is current as of the date this
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     undersea communication transmission. If you are considering the use of our products for such purposes, please contact a Renesas sales office beforehand. Renesas shall
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8. Notwithstanding the preceding paragraph, you should not use Renesas products for the purposes listed below:

      (1) artificial life support devices or systems
      (2) surgical implantations
      (3) healthcare intervention (e.g., excision, administration of medication, etc.)
      (4) any other purposes that pose a direct threat to human life
     Renesas shall have no liability for damages arising out of the uses set forth in the above and purchasers who elect to use Renesas products in any of the foregoing
     applications shall indemnify and hold harmless Renesas Technology Corp., its affiliated companies and their officers, directors, and employees against any and all
     damages arising out of such applications.
9. You should use the products described herein within the range specified by Renesas, especially with respect to the maximum rating, operating supply voltage range,
     movement power voltage range, heat radiation characteristics, installation and other product characteristics. Renesas shall have no liability for malfunctions or damages
     arising out of the use of Renesas products beyond such specified ranges.
10. Although Renesas endeavors to improve the quality and reliability of its products, IC products have specific characteristics such as the occurrence of failure at a certain
     rate and malfunctions under certain use conditions. Please be sure to implement safety measures to guard against the possibility of physical injury, and injury or damage
     caused by fire in the event of the failure of a Renesas product, such as safety design for hardware and software including but not limited to redundancy, fire control and
     malfunction prevention, appropriate treatment for aging degradation or any other applicable measures. Among others, since the evaluation of microcomputer software
     alone is very difficult, please evaluate the safety of the final products or system manufactured by you.
11. In case Renesas products listed in this document are detached from the products to which the Renesas products are attached or affixed, the risk of accident such as
     swallowing by infants and small children is very high. You should implement safety measures so that Renesas products may not be easily detached from your products.
     Renesas shall have no liability for damages arising out of such detachment.
12. This document may not be reproduced or duplicated, in any form, in whole or in part, without prior written approval from Renesas.
13. Please contact a Renesas sales office if you have any questions regarding the information contained in this document, Renesas semiconductor products, or if you have
     any other inquiries.

RENESAS SALES OFFICES                                                                                       http://www.renesas.com

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450 Holger Way, San Jose, CA 95134-1368, U.S.A
Tel: <1> (408) 382-7500, Fax: <1> (408) 382-7501

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Dukes Meadow, Millboard Road, Bourne End, Buckinghamshire, SL8 5FH, U.K.
Tel: <44> (1628) 585-100, Fax: <44> (1628) 585-900

Renesas Technology (Shanghai) Co., Ltd.
Unit 204, 205, AZIACenter, No.1233 Lujiazui Ring Rd, Pudong District, Shanghai, China 200120
Tel: <86> (21) 5877-1818, Fax: <86> (21) 6887-7898

Renesas Technology Hong Kong Ltd.
7th Floor, North Tower, World Finance Centre, Harbour City, 1 Canton Road, Tsimshatsui, Kowloon, Hong Kong
Tel: <852> 2265-6688, Fax: <852> 2730-6071

Renesas Technology Taiwan Co., Ltd.
10th Floor, No.99, Fushing North Road, Taipei, Taiwan
Tel: <886> (2) 2715-2888, Fax: <886> (2) 2713-2999

Renesas Technology Singapore Pte. Ltd.
1 Harbour Front Avenue, #06-10, Keppel Bay Tower, Singapore 098632
Tel: <65> 6213-0200, Fax: <65> 6278-8001

Renesas Technology Korea Co., Ltd.
Kukje Center Bldg. 18th Fl., 191, 2-ka, Hangang-ro, Yongsan-ku, Seoul 140-702, Korea
Tel: <82> (2) 796-3115, Fax: <82> (2) 796-2145

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