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H45N03E

器件型号:H45N03E
厂商名称:HSMC
厂商官网:http://www.hsmc.com.tw/
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器件描述

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 45A)

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H45N03E器件文档内容

              HI-SINCERITY                                                               Spec. No. : MOS200518
                                                                                         Issued Date : 2005.12.01
              MICROELECTRONICS CORP.                                                     Revised Date : 2005.12.16
                                                                                         Page No. : 1/5

H45N03E                                                            H45N03E Pin Assignment

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (25V, 45A)                       Tab

Features                                                                                     3-Lead Plastic TO-220AB
                                                                                             Package Code: E
RDS(on)=15m@VGS=10V, ID=25A                                                                Pin 1: Gate
RDS(on)=20m@VGS=4.5V, ID=25A                                                               Pin 2 & Tab: Drain
Advanced trench process technology                                                         Pin 3: Source
High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance
Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers                          2   3
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Improved Shoot-Through FOM                                                      1                           D

                                                                           Internal Schematic

                                                                             Diagram             G

                                                                                                              S

Maximum Ratings & Thermal Characteristics

(TA=25oC unless otherwise noted)

              Parameter                                 Symbol                  Value                 Units
                                                                                  25                    V
Drain-Source Voltage                                    VDS                     20                    V
Gate-Source Voltage                                     VGS                      45                    A
Continuous Drain Current                                 ID                     180                    A
Pulsed Drain Current *1                                  IDM                     60                    W
Maximum Power Dissipation @ TC=25oC                      PD                                            oC
Operating Junction and Storage Temperature Range       TJ,Tstg              -55 to 150
Avalanche Energy with Single Pulse                                                                    mJ
ID=35A, VDD=20V, L=0.14mH                               EAS                     300
Junction-to-Case Thermal Resistance                                                                  OC/W
Junction-to-Ambient Thermal Resistance(PCB mounted)*2   RJC                     2.1                  OC/W
                                                         RJA                      55
*1: Maximum DC current limited by the package.
*2: 1-in2 2oz Cu PCB board

Switching                                               Switching
                                                        Waveforms
Test Circuit             VDD

                                                                   td(on)    ton                 toff

              VIN        D    VOUT                                                   tr td(off)           tf
                                                                                     90%             90 %

VGEN                                                         Output, VOUT    10%                 10%
                                                             Input, VIN 10%
              RG G                                                                                    Inverted

                                                                                                 90%

                         S                                                   50%            50%

                                                                             Pulse Width

H45N03E                                                                                  HSMC Product Specification
         HI-SINCERITY                                                                     Spec. No. : MOS200518
                                                                                          Issued Date : 2005.12.01
         MICROELECTRONICS CORP.                                                           Revised Date : 2005.12.16
                                                                                          Page No. : 2/5

ELectrical Characteristics                         Symbol   Test Condition            Min. Typ. Max. Unit

                      Characteristic               BVDSS    VGS=0V, ID=250uA          25  -      -   V
Static                                                     VGS=4.5V, ID=25A
Drain-Source Breakdown Voltage                    RDS(on)  VGS=10V, ID=25A           -   -      20
                                                            VDS=VGS, ID=250uA
Drain-Source On-State Resistance                  VGS(th)  VDS=24V, VGS=0V           -   -      15  m
                                                    IDSS    VGS=20V, VDS=0V
Gate Threshold Voltage                             IGSS    VDS=0V, VGS=1V at 1MHz    1   1.6    3   V
Zero Gate Voltage Drain Current                     Rg     VDS=10V, ID=35A
Gate Body Leakage                                   gfs                              -   -      1   uA
Gate Resistance
Forward Transconductance                                                             -   -      100 nA
Dynamic
Total Gate Charge                                                                    -   1      -   
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge                                                                    -   6      -   S
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time                                 Qg                                 -   18.4   -
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time                                Qgs      VDS=15V, ID=35A, VGS=10V  -   3.57   -   nC
Input Capacitance
Output Capacitance                                Qgd                                -   2.9    -
Reverse Transfer Capacitance
Source-Drain Diode                                td(on)                             -   11.7   -
Max. Diode Forward Current
Diode Forward Voltage                               tr     VDD=15V, RL=15, ID=1A     -   3.87   -
                                                   td(off)  VGEN=10V, RG=24
NOTE: Pulse Test: Pulse Width 300us, Duty Cycle2%                                                    nS
                                                      tf
                                                                                      -   32.13  -

                                                                                      -   5.4    -

                                                   Ciss                               - 1176.3 -

                                                   Coss     VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz   - 268.43 -     pF

                                                   Crss                               - 142.67 -

                                                   IS                                 -   -      35  A

                                                   VSD      IS=20A, VGS=0V            -   0.87 1.5   V

H45N03E                                                                                   HSMC Product Specification
            HI-SINCERITY                                                                                                                                                                           Spec. No. : MOS200518
                                                                                                                                                                                                   Issued Date : 2005.12.01
                   MICROELECTRONICS CORP.                                                                                                                                                          Revised Date : 2005.12.16
                                                                                                                                                                                                   Page No. : 3/5
Characteristics Curve

                                                                Fig.1 Output Characteristic                                                                           Fig.2 Transfer Characteristic

                                         80                         VGS=5.0V,6.0V,10.0V                                                           60
                                         60
                                         40                                                                                                                  VDS=10V
                                         20
                                                                                                         4.5V
                                          0
ID, Drain-to-Source Current (A)              0                                                                     ID, Drain Source Current (A)   40

                                                                                                         4.0V

                                                                                                         3.5V                                                                         25oC
                                                                                                                                                  20

                                                                                                                                                            TJ=125oC

                                                                                                         3.0V                                                                               -55oC

                                                                                                                                                  0

                                                      1                 2      3                      4        5                                      2     2.5               3             3.5        4        4.5                       5

                                                                VDS, Drain-to-Source Voltage (V)                                                                     VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

                                                       Fig.3 On Resistance & Drain Current                                                                Fig.4 On Resistance & Gate to Source Voltage

                                         50                                                                                                       80
                                                                                                                                                                                                                                  ID=25A
                                         45
                                                                                                                                                  70

RDS(ON) - On-Resistance (mohm)           40                                                                        RDS(ON), On-Resistance (mohm)  60

                                         35                                                                                                       50

                                         30                                                                                                       40

                                         25                                                                                                       30                                               125oC
                                                      VGS=4.5V
                                                                                                                                                  20
                                         20
                                                                               VGS=10.0V
                                         15
                                                                                                                                                  10                                               TJ =25oC

                                         10                                                                                                       0
                                             0
                                                                20         40                     60           80                                     2              4                      6                8                            10

                                                                    ID - Drain Current (A)                                                                           VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

                                                  Fig.5 On Resistance & Junction Temperature                                                                                     Fig.6 Capacitance

RDS(ON), On-Resistance (Normalized)....  1.6                                                                                                      3000      Ciss                                                    f=1MHz
                                                     VGS=10V                                                                                      2500                                                              VGS=0V
                                                     ID=30A
                                                                                                                   RDS(ON), On-Resistance (mohm)
                                         1.4

                                                                                                                                                  2000

                                         1.2

                                                                                                                                                  1500

                                         1

                                                                                                                                                  1000

                                         0.8                                                                                                      500
                                                                                                                                                                  Coss, Crss

                                         0.6                                                                                                          0
                                             -50 -25
                                                                0   25     50  75 100 125 150                                                            0        5              10                15           20                        25

                                                                   TJ, Junction Temperature (oC)                                                                     VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

H45N03E                                                                                                                                                                                            HSMC Product Specification
                        HI-SINCERITY                                                                         Spec. No. : MOS200518
                                                                                                             Issued Date : 2005.12.01
                        MICROELECTRONICS CORP.                                                               Revised Date : 2005.12.16
                                                                                                             Page No. : 4/5

TO-220AB Dimension

                                                         Marking:                                            DIM Min. Max.

                                                                                                             A  5.58 7.49

               A     B                F                  Pb Free Mark                                        B  8.38 8.90
D
                        E                                Pb-Free: " . " (Note)                               C  4.40 4.70

                                                   C     Normal: None H                 E                    D  1.15 1.39

                                                                                4 5N03                       E  0.35 0.60

                                                                                                             F  2.03 2.92

                                                         Date Code                         Control Code      G  9.66 10.28

                     H                                                                                       H  - *16.25

                  I                             M  K                                                         I  -                *3.83
                                                              Note: Green label is used for pb-free packing
                        3                 O                                                                  J  3.00 4.00
                                      J
                                                      N  Pin Style: 1.Gate 2 & Tab.Drain 3.Source            K  0.75 0.95

G                       2                                                                                    L  2.54 3.42

                                   1                     Material:                                           M  1.14 1.40
            Tab
                                                          Lead solder plating: Sn60/Pb40 (Normal),          N  -                *2.54
                    P                                      Sn/3.0Ag/0.5Cu or Pure-Tin (Pb-free)
L                                                                                                            O 12.70 14.27
                                                          Mold Compound: Epoxy resin family,
                                                           flammability solid burning class: UL94V-0         P 14.48 15.87

                                                                                                                *: Typical, Unit: mm

                         3-Lead TO-220AB
                          Plastic Package
                     HSMC Package Code: E

Important Notice:

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of HSMC.
HSMC reserves the right to make changes to its products without notice.
HSMC semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.
HSMC assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.

Head Office And Factory:

Head Office (Hi-Sincerity Microelectronics Corp.): 10F.,No. 61, Sec. 2, Chung-Shan N. Rd. Taipei Taiwan R.O.C.
  Tel: 886-2-25212056 Fax: 886-2-25632712, 25368454

Factory 1: No. 38, Kuang Fu S. Rd., Fu-Kou Hsin-Chu Industrial Park Hsin-Chu Taiwan. R.O.C
  Tel: 886-3-5983621~5 Fax: 886-3-5982931

H45N03E                                                                                                      HSMC Product Specification
                          HI-SINCERITY                                                                Spec. No. : MOS200518
                                                                                                      Issued Date : 2005.12.01
                          MICROELECTRONICS CORP.                                                      Revised Date : 2005.12.16
                                                                                                      Page No. : 5/5
Soldering Methods for HSMC's Products
                                                                                              Critical Zone
1. Storage environment: Temperature=10oC~35oC Humidity=65%15%                                   TL to TP

2. Reflow soldering of surface-mount devices                                                   Pb-Free Assembly
                                                                                                      <3oC/sec
Figure 1: Temperature profile                                               tP                          150oC
                         TP                         Ramp-up                                             200oC

                      TL                                                                            60~180 sec
                                                                                                      <3oC/sec
                          Tsmax                                                           tL            217oC

         Temperature      Tsmin                                                                     60~150 sec
                                                                                                  260oC +0/-5oC
                                               tS                              Ramp-down
                                           Preheat                                                   20~40 sec
                                                                                                      <6oC/sec
                      25                                                                            <8 minutes
                                                         t 25oC to Peak
                                                                                                   Dipping time
                                                                         Time                       5sec 1sec
                                                                                                    5sec 1sec
                   Profile Feature                  Sn-Pb Eutectic Assembly                           HSMC Product Specification
  Average ramp-up rate (TL to TP)                             <3oC/sec
  Preheat
  - Temperature Min (Tsmin)                                     100oC
  - Temperature Max (Tsmax)                                     150oC
  - Time (min to max) (ts)                                  60~120 sec
  Tsmax to TL
  - Ramp-up Rate                                              <3oC/sec
  Time maintained above:
  - Temperature (TL)                                            183oC
  - Time (tL)                                               60~150 sec
  Peak Temperature (TP)                                    240oC +0/-5oC
  Time within 5oC of actual Peak                             10~30 sec
  Temperature (tP)
  Ramp-down Rate                                              <6oC/sec
  Time 25oC to Peak Temperature                              <6 minutes

3. Flow (wave) soldering (solder dipping)               Peak temperature
                                                             245oC 5oC
                       Products
  Pb devices.                                              260oC +0/-5oC
  Pb-Free devices.

H45N03E
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