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H2N7002KSN

器件型号:H2N7002KSN
厂商名称:HSMC
厂商官网:http://www.hsmc.com.tw/
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器件描述

N-CHANNEL TRANSISTOR

H2N7002KSN器件文档内容

            HI-SINCERITY                                                                     Spec. No. : MOS200809
                                                                                             Issued Date : 2008.11.18
            MICROELECTRONICS CORP.                                                           Revised Date :2010.04.14
                                                                                             Page No. : 1/4

H2N7002KSN                                                                         H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol

N-CHANNEL TRANSISTOR                                                               3     3-Lead Plastic SOT-323
                                                                                     12  Package Code: SN
Description                                                                              Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain

N-channel enhancement-mode MOS transistor.
ESD protected

Absolute Maximum Ratings

Drain-Source Voltage ............................................................................................................................................ 60 V
Drain-Gate Voltage (RGS=1M)............................................................................................................................. 60 V
Gate-Source Voltage ........................................................................................................................................... 20 V
Continuous Drain Current (TA=25C)(1)............................................................................................................. 200 mA
Continuous Drain Current (TA=100C)(1)........................................................................................................... 115 mA
Pulsed Drain Current (TA=25C)(2) .................................................................................................................... 800 mA
Storage Temperature............................................................................................................................... -55 to 150 C
Operating Junction Temperature ............................................................................................................. -55 to 150 C
Lead Temperature, for 10 second Soldering ...................................................................................................... 260 C

Gate Source ESD Rating................................................................................................................ 2KV

Electrical Characteristics (TA=25C)

                     Parameter           Symbol             Test Conditions              Min Typ. Max Unit
Drain-Source Breakdown Voltage            BVDSS     VGS=0, ID=10uA
Gate Threshold Voltage                    VGS(th)   VDS= VGS, ID=0.25mA                  60  -   -    V
Gate Source Leakage Current, Forward      IGSS/F    VGS=+20V, VDS=0
Gate Source leakage Current, Reverse      IGSS/R    VGS=-20V, VDS=0                      1   -   2.0  V
Zero Gate Voltage Drain Current                     VDS=48V, VGS=0
On-State Drain Current                     IDSS     VDS>2VDS(ON), VGS=10V                -   -   10 uA
                                          ID(ON)    ID=50mA, VGS=5V
Static Drain-Source On-State Voltage                ID=500mA, VGS=10V                    -   -   -10 uA
                                         VDS(ON)    ID=75mA, VGS=4.5V
Static Drain-Source On-State Resistance             ID=50mA, VGS=5V                      -   -   10 uA
                                         RDS(ON)    ID=500mA, VGS=10V
Forward Transconductance                            VDS>2VDS(ON), ID=200mA               500 -   - mA
Turn-on Delay Time                         GFS      (VDD=50V, RD=250,
Turn-off Delay Time                        td(on)   VGS=10V, RG=50)                      -   - 0.375 V
Input Capacitance                          td(off)
Output Capacitance                         Ciss     VDS=25V, VGS=0, f=1MHz               -   - 3.75 V
Reverse Transfer Capacitance               Coss
                                           Crss                                                  5.3

                                                                                         -   -   5.0  

                                                                                         -   -   5.0  

                                                                                         80  -   -    mS

                                                                                         -   20  -    nS

                                                                                         -   40  -    nS

                                                                                         -   50       pF

                                                                                         -   25       pF

                                                                                         -   5        pF

(1)The Power Dissipation of the package may result in a continuous drain current.
(2)Pulse Width300us, Duty cycle2%.

H2N7002KSN                                                                                   HSMC Product Specification
            HI-SINCERITY                                                                                                                                          Spec. No. : MOS200809
                                                                                                                                                                  Issued Date : 2008.11.18
                   MICROELECTRONICS CORP.                                                                                                                         Revised Date :2010.04.14
                                                                                                                                                                  Page No. : 2/4
Characteristics Curve

                       1.4        VGS=10V

                                                              VGS=7V VGS=6V                                                       1.6
                                                                                                                                  1.4
                       1.2                                                                                                        1.2

ID-Drain Current         1                                    VGS=5V                                   ID-Drain Current             1
                                                                                                                                  0.8
                       0.8                                    VGS=4V                                                              0.6               Tj=25                        Tj=75
                                                                                                                                  0.4                             Tj=125
                       0.6                                                                                                        0.2

                       0.4                                                                                                          0
                                                                                                                                       0
                                                                                           VGS=3V

                       0.2

                         0

                            0  1  2                     3     4                                    5                                            1          2           3                          4

                               VDS-Drain-to-Source Voltage(V) Output                                                                        VGS- Gate-to-Source Voltage(v) Transfer
                                               Characteristics                                                                                              Characteristics

                            4                                                                                                     1.6

RDS(on)-On-              3.5                                                                                                      1.4
    Resistance(Normaliz
                            3  VGS=4.5V at 200mA                                                       VGS(th) Varian             1.2
                                                                                                                                                        ID=250uA
                         2.5
                                                                                                                                    1

                           2                                                                                                      0.8
                                                VGS=10V at 500mA
                                                                                                                                  0.6
                         1.5
                                                                                                                                  0.4
                            1
                                                                                                                                  0.2
                         0.5
                                                                                                                                  0

                            0                                                                                                           25  50      75 100 125 150

                             25 50 75 100 125 150                                                                                       TJ-Junction Temperature() Threshold

                                TJ-Junction Temperature() On-                                                                           Voltage Variance Over Temperature

                             Resistance VS.Junction Temperature

                         3                                                                                                      10              Safe Operating Area

RDS(on)-On-Resistance  2.5                                                                                                        1                                                       PT=1ms

                         2                              ID=500mA                                                                0.1
                                                                                                                                     1
                       1.5                                                                             Collector Current-IC (mA)

                                              ID=200mA
                         1

                       0.5

                         0                                                                                                                          PT=100ms
                                                                                                                                                                    PT=10ms

                            0  2  4                        6      8                                10

                            VGS-Gate-to-Source Voltage(v) On-                                                                                   10                100                             1000
                            Resistance vs.Gate-Source Voltage

                                                                                                                                            Forward Biased Voltage-VCE (V)

H2N7002KSN                                                                                                                                                        HSMC Product Specification
            HI-SINCERITY                                                                         Spec. No. : MOS200809
                                                                                                 Issued Date : 2008.11.18
                   MICROELECTRONICS CORP.                                                        Revised Date :2010.04.14
                                                                                                 Page No. : 3/4
SOT-323 (SC-70) Dimension

                                        Marking:                                                 DIM Min. Max.

            A                                                                                    A  1.80 2.20
                 L
                                                                                                 B  1.15 1.35
                  3
                                                                                                 C  0.80 1.00

                                                                                                 D  0.30 0.40

                                                                                                 G  1.20 1.40

   S                 B                                                                           H  0.00 0.10

                                                                                                 J  0.10 0.25

                                        Note: Pb-free product can distinguish by the green       K  0.425 (REF)
                                                label or the extra description on the right
            1        2                          side of the label.                               L  0.65 (BSC)

                 G      D                                                                        N  0.70 (REF)

                                        Pin Style: 1.Gate 2.Source 3.Drain                       S  2.00 2.40

                                        Material:                                                                                Unit: mm

                                        Lead solder plating: Sn60/Pb40 (Normal),

                     C               N  Sn/3.0Ag/0.5Cu or Pure-Tin (Pb-free)

                                        Mold Compound: Epoxy resin family,

H                          K                          flammability solid burning class: UL94V-0
                                     J

             3-Lead SOT-323 Plastic
            Surface Mounted Package
            HSMC Package Code: SN

Important Notice:

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of HSMC.
HSMC reserves the right to make changes to its products without notice.
HSMC semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.
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H2N7002KSN                                                                                       HSMC Product Specification
                         HI-SINCERITY                                                                  Spec. No. : MOS200809
                                                                                                       Issued Date : 2008.11.18
                         MICROELECTRONICS CORP.                                                        Revised Date :2010.04.14
                                                                                                       Page No. : 4/4
Soldering Methods for HSMC's Products
                                                                                               Critical Zone
1. Storage environment: Temperature=10oC~35oC Humidity=65%15%                                    TL to TP

2. Reflow soldering of surface-mount devices                                                   Pb-Free Assembly
                                                                                                     <3oC/sec
Figure 1: Temperature profile                     Ramp-up                         tP                   150oC
                                                                                           tL          200oC
                         TP
                                                                                                    60~180 sec
                         TL                                                                          <3oC/sec
                                  Tsmax                                                                217oC

            Temperature  Tsmin                                                                      60~150 sec
                                                                                                  260oC +0/-5oC
                                             tS                                   Ramp-down
                                         Preheat                                                    20~40 sec
                                                                                                     <6oC/sec
                         25                                                                         <8 minutes
                                                            t 25oC to Peak
                                                                                                   Dipping time
                                                                            Time                    5sec 1sec
                                                                                                    5sec 1sec
              Profile Feature              Sn-Pb Eutectic Assembly
Average ramp-up rate (TL to TP)                      <3oC/sec
Preheat
- Temperature Min (Tsmin)                              100oC
- Temperature Max (Tsmax)                              150oC
- Time (min to max) (ts)                            60~120 sec
Tsmax to TL
- Ramp-up Rate                                       <3oC/sec
Time maintained above:
- Temperature (TL)                                     183oC
- Time (tL)                                         60~150 sec
Peak Temperature (TP)                             240oC +0/-5oC
Time within 5oC of actual Peak
Temperature (tP)                                    10~30 sec
Ramp-down Rate                                       <6oC/sec
Time 25oC to Peak Temperature                       <6 minutes

3. Flow (wave) soldering (solder dipping)

                  Products                        Peak temperature
Pb devices.                                           245oC 5oC
Pb-Free devices.
                                                    260oC +0/-5oC

H2N7002KSN                                                                                     HSMC Product Specification
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