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H11A3

器件型号:H11A3
器件类别:光电元器件
文件大小:408.09KB,共0页
厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT

1 通道

参数

H11A3最大工作温度 100 Cel
H11A3最小工作温度 -55 Cel
H11A3功能数量 1
H11A3加工封装描述 PLASTIC, DIP-6
H11A3无铅 Yes
H11A3欧盟RoHS规范 Yes
H11A3状态 ACTIVE
H11A3端子涂层 NOT SPECIFIED
H11A3结构 SINGLE
H11A3光电器件类型 TRANSISTOR OUTPUT
H11A3最小Coll-emtr Bkdn电压 30 V
H11A3最大集电极暗电流 50 nA
H11A3额定电流传输比 20 %
H11A3最大输入控制电流 60 mA
H11A3最大绝缘电压 5300 V

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H11A3器件文档内容

                                                                                           PHOTOTRANSISTOR

                                                                                                         Industry Standard
                                                                                                             Single Channel

                                                                                                   6 Pin DIP Optocoupler

DEVICE TYPES                                                                 Dimensions in Inches (mm)

Part No. CTR % Min.  Part No.           CTR % Min.
                     MCT2               20
4N25      20         MCT2E              20                                                 321          pin one ID
                     MCT270             50
4N26      20         MCT271             4590
                     MCT272             75150
4N27      10         MCT273             125250                              .248 (6.30)                Anode 1                               6 Base
                     MCT274             225400                              .256 (6.50)                                                      5 Collector
4N28      10         MCT275             7090                                                           Cathode 2                             4 Emitter
                     MCT276             1560                                     .039
4N35      100        MCT277             100                                     (1.00)     4 56                                 .300 (7.62)
                                                                                                                                    typ.
4N36      100                                                                     Min.     .335 (8.50)               NC 3
                                                                                           .343 (8.70)
4N37      100                                                                         4
                                                                                    typ.
4N38      10                                                                               .048 (0.45)
                                                                              .018 (0.45)  .022 (0.55)
H11A1 50                                                                      .022 (0.55)

H11A2 20                                                                                                .130 (3.30)
                                                                                                        .150 (3.81)
H11A3 20
                                                                                                                                  18
H11A4 10                                                                                                                                        .114 (2.90)
                                                                                                                                  .010 (.25)    .130 (3.0)
H11A5 30                                                                                                .031 (0.80) min. 39            typ.
                                                                                                           .031 (0.80)
FEATURES                                                                                                   .035 (0.90)          .300.347
                                                                                                                                (7.628.81)
Interfaces with Common Logic Families                                                                 .100 (2.54) typ.

Input-output Coupling Capacitance < 0.5 pF

Industry Standard Dual-in-line 6-pin Package                               DESCRIPTION
Field Effect Stable by TRIOS
                                                                             This data sheet presents five families of Infineon Industry Standard
5300 VRMS Isolation Test Voltage                                           Single Channel Phototransistor Couplers. These families include the
Underwriters Laboratory File #E52744                                       4N25/26/27/28 types, the 4N35/36/37/38 couplers, the H11A1/A2/
                                                                             A3/A4/A5, the MCT2/2E, and MCT270/271/272/273/274/275/276/
   V  VDE #0884 Approval Available with Option 1                            277 devices.Each optocoupler consists of Gallium Arsenide infra-
   DE                                                                        red LED and a silicon NPN phototransistor.

APPLICATIONS                                                                 These couplers are Underwriters Laboratories (UL) listed to comply
AC Mains Detection                                                         with a 5300 VRMS Isolation Test Voltage. This isolation performance
Reed Relay Driving                                                         is accomplished through Infineon double molding isolation manu-
Switch Mode Power Supply Feedback                                          facturing process. Compliance to VDE 0884 partial discharge isola-
Telephone Ring Detection                                                   tion specification is available for these families by ordering option 1.
Logic Ground Isolation                                                     Phototransistor gain stability, in the presence of high isolation volt-
Logic Coupling with High Frequency Noise                                   ages, is insured by incorporating a TRansparent lOn Shield
                                                                             (TRIOS) on the phototransistor substrate. These isolation pro-
   Rejection                                                                 cesses and the Infineon IS09001 Quality program results in the
                                                                             highest isolation performance available for a commercial plastic
Notes:                                                                       phototransistor optocoupler.
    Designing with data sheet is covered in Application Note 45.
                                                                             The devices are available in lead formed configuration suitable for
                                                                             surface mounting and are available either on tape and reel, or in
                                                                             standard tube shipping containers.

2001 Infineon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA
www.infineon.com/opto 1-888-Infineon (1-888-463-4636)

                                                                             253                                               March 27, 2000-00
Maximum Ratings TA=25C
Emitter

Reverse Voltage .......................................................................................... 6.0 V
Forward Current ........................................................................................ 60 mA
Surge Current (t10 s)............................................................................... 2.5 A
Power Dissipation................................................................................... 100 mW
Detector

Collector-Emitter Breakdown Voltage........................................................... 70 V
Emitter-Base Breakdown Voltage ................................................................ 7.0 V
Collector Current ....................................................................................... 50 mA
Collector Current(t <1.0 ms).................................................................... 100 mA
Power Dissipation................................................................................... 150 mW
Package

Isolation Test Voltage.......................................................................... 5300 VRMS
Creepage .............................................................................................. 7.0 mm
Clearance ............................................................................................. 7.0 mm
Isolation Thickness between Emitter and Detector ............................... 0.4 mm
Comparative Tracking Index per DIN IEC 112/VDE0303, part 1 .................. 175
Isolation Resistance

   VIO=500 V, TA=25C...............................................................................1012
   VIO=500 V, TA=100C............................................................................ 1011
Storage Temperature................................................................ 55C to +150C
Operating Temperature ............................................................ 55C to +100C
Junction Temperature................................................................................ 100C
Soldering Temperature (max. 10 s, dip soldering:
   distance to seating plane 1.5 mm) ...................................................... 260C

4N25/26/27/28--Characteristics TA=25C                 Symbol                Min.  Typ.                           Max. Unit  Condition
Emitter                                               VF                    --    1.3                                       IF=50 mA
Forward Voltage*                                      IR                    --    0.1                            1.5 V      VR=3.0 V
Reverse Current*                                      CO                    --    25                                        VR=0
Capacitance                                                                                                      100 A
Detector                                                                                                                    IC=1.0 mA
                                                                                                                  --   pF    IE=100 A
                                                                                                                             IC=100 A
Breakdown Voltage*              Collector-Emitter      BV CEO                30    --                             --   V     VCE=10 V, (base open)
                                                       BV ECO                                                                VCB=10 V, (emitter open)
ICEO(dark)*                     Emitter-Collector      BV CBO                7.0 --                               --         VCE=0
ICBO(dark)*                                            --
Capacitance, Collector-Emitter  Collector-Base                               70    --                             --         VCE=10 V, IF=10 mA
Package                                                --
DC Current Transfer Ratio*      4N25/26/27             CCE                   --    5.0                            50   nA    Peak, 60 Hz
                                4N28
                                                                                   10                             100        ICE=2.0 mA, IF=50 mA
                                                                                                                             VIO=500 V
                                                                             --    2.0                            20   nA    f=1.0 MHz
                                                                                                                             IF=10 mA
                                                                             --    6.0                            --   pF    VCE=10 V, RL=100

                                4N25/26                CTR                   20    50                             --   %          Phototransistor, Industry Standard
                                                                                                                                                      March 27, 2000-00
                                4N27/28                                      10    30                             --

Isolation Voltage*              4N25                   VIO                   2500 --                              --   V
                                4N26/27
                                                                             1500 --                              --

                                                 4N28                        500 --                               --
Saturation Voltage, Collector-Emitter
Resistance, Input to Output*                           VCE(sat)              --    --                             0.5 V
Coupling Capacitance
Rise and Fall Times                                    RIO                   100 --                               --   G

                                                       CIO                   --    0.5                            --   pF

                                                       tr, tf                --    2.0                            --   s

* Indicates JEDEC registered values

2001 Infineon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA
www.infineon.com/opto 1-888-Infineon (1-888-463-4636)

                                                                             254
4N35/36/37/38--Characteristics TA=25C              Symbol                   Min.  Typ.  Max. Unit  Condition
Emitter                                            VF                       0.9   1.3              IF=10 mA
                                                                                         1.5 V      IF=10 mA, TA=55C
Forward Voltage*                                   IR                             0.1   1.7        VR=6.0 V
                                                    CO                             25    10 A      VR=0, f=1.0 MHz
Reverse Current*                                                                         -- pF
Capacitance
Detector                               4N35/36/37   BVCEO 30                       --    --  V      IC=1.0 mA
Breakdown Voltage, Collector-Emitter*  4N38
                                                                             80 -- --
Breakdown Voltage, Emitter-Collector*  4N35/36/37
Breakdown Voltage, Collector-Base*     4N38         BVECO 7.0 --                         --  V      IE=100 A
                                       4N35/36/37
Leakage Current, Collector-Emitter*    4N38         BVCBO 70                       --    --  V      IC=100 A, IB=1.0 A
                                       4N35/36/37
Leakage Current, Collector-Emitter*    4N38                                  80 -- -- --

Capacitance, Collector-Emitter         4N35/36/37   ICEO                     --    5.0 50    nA VCE=10 V, IF=0
Package                                4N38         ICEO
DC Current Transfer Ratio*             4N35/36/37   CCE                      -- -- 50               VCE=60 V, IF=0
                                       4N38
DC Current Transfer Ratio*                                                   --    --    500 A VCE=30 V, IF=0, TA=100C

Resistance, Input to Output*                                                 -- 6.0 --              VCE=60 V, IF=0, TA=100C

                                                                             --    6.0 --    pF     VCE=0

                                                    CTR                      100 --      --  %      VCE=10 V, IF=10 mA,

                                                                             20 -- --               VCE=1.0 V, IF=20 mA

                                                    CTR                      40 50 --        %      VCE=10 V, IF=10 mA,
                                                    --
                                                                             --    30    --  --     TA=55 to 100C

                                                    RIO                      1011 --     --         VIO=500 V

Coupling Capacitance                               CIO                      -- 0.5 -- pF f=1.0 MHz
Switching Time*
* Indicates JEDEC registered value                  tON, tOFF --                   10    --  s     IC=2.0 mA, RL=100 , VCC=10 V

H11A1 through H11A5--Characteristics TA=25C        Symbol                   Min.  Typ.  Max. Unit  Condition
Emitter                                            VF                       --    1.1   1.5 V      IF=10 mA
                                                                             --    1.1   1.7
Forward Voltage                        H11A1H11A4  IR                       --    --    10 A      VR=3.0 V
                                                    C0                       --    50    -- pF      VR=0, f=1.0 MHz
                                       H11A5

Reverse Current

Capacitance

Detector

Breakdown Voltage, Collector-Emitter                BVCEO 30                       --    --  V      IC=1.0 mA, IF=0 mA

Breakdown Voltage, Emitter-Collector                BVECO 7.0 --                         --  V      IE=100 A, IF=0 mA

Breakdown Voltage, Collector-Base                   BVCBO 70                       --    --  V      IC=10 A, IF=0 mA

Leakage Current, Collector-Emitter                  ICEO                     --    5.0 50    nA VCE=10 V, IF=0 mA

Capacitance, Collector-Emitter                      CCE                      --    6.0 --    pF     VCE=0

Package

DC Current Transfer Ratio              H11A1        CTR                      50    ----%            VCE=10 V, IF=10 mA
                                                                                   ----
                                       H11A2/3                               20    ----             ICE=0.5 mA, IF=10 mA
                                                                                   ----             --
                                       H11A4                                 10    -- 0.4 V         IC=2.0 mA, RL=100 , VCE=10 V
                                                                                   0.5 -- pF
                                       H11A5                                 30    3.0 -- s

Saturation Voltage, Collector-Emitter               VCEsat --

Capacitance, Input to Output                        CIO                      --

Switching Time                                      tON, tOFF --

2001 Infineon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA                                Phototransistor, Industry Standard
www.infineon.com/opto 1-888-Infineon (1-888-463-4636)                                                                        March 27, 2000-00

                                                                             255
MCT2/MCT2E--Characteristics TA=25C              Symbol                      Min.  Typ.      Max. Unit  Condition
Emitter                                         VF                          --    1.1       1.5 V      IF=20 mA
                                                 IR                          --    --        10 A      VR=3.0 V
Forward Voltage                                  CO                          --    25        -- pF      VR=0, f=1.0 MHz

Reverse Current                                  BVCEO                       30    --        --V        IC=1.0 mA, IF=0 mA
                                                 BVECO                       7.0   --        --         IE=100 A, IF=0 mA
Capacitance                                      BVCBO                       70    --        --         IC=10 A, IF=0 mA
                                                 ICBO                        --    5.0       50 nA      VCE=10 V, IF=0
Detector                                         ICBO                        --    --        20 --
                                                 CCE                         --    10        -- pF      VCE=0
Breakdown Voltage             Collector-Emitter
                                                 CTR                         20    60        --%        VCE=10 V, IF=10 mA
                              Emitter-Collector  CIO                         --    0.5       -- pF      --
                                                 RIO                         --    100       -- G       --
                              Collector-Base     tON, tOFF                   --    3.0       -- s      IC=2.0 mA, RL=100 , VCE=10 V

Leakage Current               Collector-Emitter

                              Collector-Base

Capacitance, Collector-Emitter --

Package

DC Current Transfer Ratio

Capacitance, Input to Output

Resistance, Input to Output

Switching Time

MCT270 through MCT277--Characteristics TA=25C                               Symbol      Min.  Typ.     Max. Unit  Condition
Emitter                                                                     VF          --    --       1.5 V      IF=20 mA
                                                                             IR          --    --       10 A      VR=3.0 V
Forward Voltage                                                              CO          --    25       -- pF      VR=0, f=1.0 MHz

Reverse Current                                                                                --       --V        IC=10 A, IF=0 mA
                                                                                               --       --         IE=10 A, IF=0 mA
Capacitance                                                                                    --       ----       IC=10 A, IF=0 mA
                                                                                               --       50 nA      VCE=10 V, IF=0 mA
Detector
                                                                                               --       --%        VCE=10 V, IF=10 mA
Breakdown Voltage                     Collector-Emitter                      BVCEO 30          --       90
                                                                                               --       150        VCE=0.4 V, IF=16 mA
                                      Emitter-Collector                      BVECO 7.0         --       250
                                                                                               --       400        ICE=2.0 mA, IF=16 mA
                                      Collector-Base                         BVCBO 70          --       210        --
                                                                                               --       60         VIO=500 VDC
Leakage Current, Collector-Emitter                                           ICEO        --    --       --         IC=2.0 mA,
                                                                                               --       --%        RL=100 ,
Package                                                                                        --       ----       VCE=5.0 V
                                                                                               --       0.4 V
DC Current Transfer Ratio             MCT270                                 CTR         50    0.5      -- pF
                                                                                               1012     --
                                      MCT271                                             45    --       10 s
                                                                                               --       7.0
                                      MCT272                                             75    --       20
                                                                                               --       25
                                      MCT273                                             125   --       15
                                                                                               --       3.5
                                      MCT274                                             225

                                      MCT275                                             70

                                      MCT276                                             15

                                      MCT277                                             100

Current Transfer Ratio, CollectorEmitter MCT271276                         CTRCE       12.5
                                                                                         40
                                      MCT277

CollectorEmitter Saturation Voltage                                         VCEsat --

Capacitance, Input to Output                                                 CIO         --

Resistance, Input to Output                                                  RIO         --

Switching Time                        MCT270/272                             tON, tOFF --

                                      MCT271                                             --

                                      MCT273                                             --

                                      MCT274                                             --

                                      MCT275/277                                         --

                                      MCT276                                             --

2001 Infineon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA                                        Phototransistor, Industry Standard
www.infineon.com/opto 1-888-Infineon (1-888-463-4636)                                                                                March 27, 2000-00

                                                                             256
Figure 1. Forward Voltage vs. Forward Current                                Figure 4. Normalized Non-saturated and Saturated
                                                                             CTR, TA=70C vs. LED Current
VF - Forward Voltage - V  1.4         TA = 55C                                   NCTR - Normalized CTR
                          1.3         TA = 25C                                         1.5
                          1.2                                                                    Normalized to:
                          1.1             TA = 85C                                               Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25C
                          1.0                                                                     CTRce(sat) Vce=0.4 V
                          0.9
                          0.8                                                           1.0
                          0.7                                                                     TA=70C

                               .1                                                                                0.5                                     NCTR(SAT)
                                                                                                                                                         NCTR
                                                                                                                 0.0
                                      1              10         100                                                  .1                1                 10         100

                                   IF - Forward Current - mA                                                             IF - LED Current - mA

Figure 2. Normalized Non-saturated and SaturatedNCTR - Normlized CTR         Figure 5. Normalized Non-saturated and SaturatedNCTR - Normalized CTR
CTR, TA=25C vs. LED Current                                                 CTR, TA=85C vs. LED Current

          1.5                                                                           1.5
                    Normalized to:                                                               Normalized to:
                     Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25C                                                  Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25C
                     CTRce(sat) Vce=0.4 V                                                         CTRce(sat) Vce = 0.4 V

          1.0                                                                           1.0
                      TA=25C                                                                     TA=85C

                          0.5                        NCTR(SAT)                                                   0.5                                     NCTR(SAT)
                                                     NCTR                                                                                                NCTR
                          0.0                                                                                    0.0
                               0   1     10                     100                                                  .1                1                 10         100

                                   IF - LED Current - mA                                                                 IF - LED Current - mA

Figure 3. Normalized Non-saturated and Saturated                             Figure 6. Collector-emitter Current vs. Temperature
CTR, TA=50C vs. LED Current                                                 and LED Current

           1.5NCTR - Normalized CTR                                                Ice - Collector Current - mA  35
                    Normalized to:                                                                               30
                     Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25C
                     CTRce(sat) Vce=0.4 V                                                                        25
                                                                                                                                             50C
           1.0
                     TA=50C                                                                                     20

                                                                                                                 15                                           70C
                                                                                                                                 25C
                          0.5                                                                                                                      85C
                                                                                                                 10
                          0.0
                              .1                     NCTR(SAT)                                                   5
                                                     NCTR

                                                                                                                 0

                                   1     10                     100                                                  0   10 20                     30    40   50 60

                                   IF - LED Current - mA                                                                               IF - LED Current - mA

2001 Infineon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA                                                                            Phototransistor, Industry Standard
www.infineon.com/opto 1-888-Infineon (1-888-463-4636)                                                                                                                    March 27, 2000-00

                                                                             257
Figure 7. Collector-emitter Leakage Current vs. Temp.                                                              Figure 10. Normalized Non-saturated HFE vs. Base
          10 5                                                                                                     Current and Temperature

Iceo - Collector-Emitter - nA                       10 4                                                                        1.2
                                                                                                                                                                              70C
                                                    10 3                                                                                          NHFE - Normalized HFE
                                                                                                                                                                   50C
                                                    10 2
                                                                                                                                1.0
                                                    10 1                                 Vce = 10 V                                                                25C

                                                                                       Typical                                                20C
                                                    10 0                                                                        0.8

                                                    10 1                                                                                 Normalized to:
                                                                                                                                          Ib=20 A, Vce=10 V, TA=25C
                                                                                                                                0.6

                                                    10 2                                                                                                                   0.4
                                                                                                                                                                                 1
                                                       20 0            20         40 60                80 100                                                                                 10   100               1000

                                                               TA - Ambient Temperature - C                                                                                                Ib - Base Current - A

Figure 8. Normalized CTRcb vs. LED Current and Temp.                                                               Figure 11. Normalized HFE vs. Base Current and Temp.

           1.5           NCTRcb - Normalized CTRcb                                                                                                NHFE(sat) - Normalized    1.5                     Normalized to:
                      Normalized to:                                                                                                                 Saturated HFE                                  Vce=10 V, Ib=20 A
                      Vcb=9.3 V, IF=10 mA, TA=25C                                                                                                                                  70C 50C       TA=25C
                                                                                                                                                                            1.0
                                                    1.0

                                                    0.5                                                                                                                             25C
                                                                                                                                                                                     20C
                                                                  25C                                                                                                      0.5
                                                                  50C
                                                                  70C                                                                                                              Vce=0.4 V

                                                    0.0                     1                   10         100                                                              0.0                10   100               1000
                                                        .1                                                                                                                       1

                                                                        IF - LED Current - mA                                                                                               Ib - Base Current - A

Figure 9. Normalized Photocurrent vs. IF and Temp.                                                                 Figure 12. Propagation Delay vs. Collector Load Resistor
        10
                                                                                                                         1000                                                IF=10 mA, TA=25C                              2.5
                  Normalized to:
                                                                                                                   tPLH - Propagation Delay - s                             VCC=5.0 V, Vth=1.5 V                                tPHL - Propagation Delay - s
                  IF=10 mA, TA=25C
Normalized Photocurrent
                                                    1                                                                                                        tPHL                                                           2.0
                                                                                                                                                  100

                          0.1                                                                       Nib, TA=20C                                 10                                                                        1.5
                                                                                                    Nib, TA=25C
                         0.01                                                                       Nib, TA= 50C                                                            tPLH
                              .1                                                                    Nib, TA=70C

                                                                                                                                                                         1                                               1.0
                                                                                                                                                                                                                      100
                                                                            1                   10         100                                                           .1                 1       10

                                                                        IF - LED Current - mA                                                                                       RL - Collector Load Resistor - k

Figure 13. Switching Timing                                                                                        Figure 14. Switching Schematic

                                                           IF                                                                                                                                       VCC = 5.0 V

                                                                        tD                                                                                                               F=10 KHz,  RL
                                                                                                                                                                                         DF= 50 %          VO
                                                           VO                  tR
                                                                                                                                                                             IF=10 mA
                                                                                   tPLH

                                                                                                VTH=1.5 V

                                                                        tPHL             tS         tF

2001 Infineon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA                                                                                                                         Phototransistor, Industry Standard
www.infineon.com/opto 1-888-Infineon (1-888-463-4636)                                                                                                                                                                 March 27, 2000-00

                                                                                                                   258
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