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H03N60

器件型号:H03N60
厂商名称:HSMC
厂商官网:http://www.hsmc.com.tw/
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器件描述

N-Channel Power Field Effect Transistor

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H03N60器件文档内容

                  HI-SINCERITY                                                       Spec. No. : MOS200602
                                                                                     Issued Date : 2006.02.01
                  MICROELECTRONICS CORP.                                             Revised Date : 2006.02.07
                                                                                     Page No. : 1/5

H03N60 Series                                                                 H03N60 Series Pin Assignment

N-Channel Power Field Effect Transistor                                     Tab

Description                                                                                          3-Lead Plastic TO-220AB
                                                                                                     Package Code: E
                                                                                                     Pin 1: Gate
                                                                                                     Pin 2 & Tab: Drain
                                                                                                     Pin 3: Source

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to                    3
provide enhanced voltage-blocking capability without degratding                2
performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to     1
withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new
energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast                   3-Lead Plastic TO-220FP
recovery time. Designed for high voltage, high speed switching                            Package Code: F
applications in power supplies, converters and PWM motor controls,                        Pin 1: Gate
these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode                Pin 2: Drain
speed and commutating safe operating areas are critical and offer                         Pin 3: Source
additional and saafety margin against unexpected voltage transients.
                                                                            1          3      D
Features                                                                            2

                                                                            H03N60 Series  G

                                                                            Symbol:

                                                                                              S

Robust High Voltage Termination
Avalanc he Energy Specified
Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Absolute Maximum Ratings

Symbol                                      Parameter                          Value          Units
    ID     Drain to Current (Continuous)                                         3              A
   IDM     Drain to Current (Pulsed)                                             12             A
   VGS     Gate-to-Source Voltage (Continue)                                                    V
           Total Power Dissipation (TC=25oC)                                    30
   PD      H03N60E (TO-220AB)                                                                   W
           H03N60F (TO-220FP)                                                    55
Tj, Tstg                                                                        28           W/C
   EAS     Derate above 25C
    TL     H03N60E (TO-220AB)                                                   0.4            C
           H03N60F (TO-220FP)                                                  0.33            mJ
           Operating and Storage Temperature Range                          -55 to 150         C
                                                                                 35
           Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Enrgy-Tj=25C
           (VDD=100V, VGS=10V, IL=2A, L=10mH, RG=25)                            260
           Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8"
           from case for 10 seconds

H03N60E, H03N60F                                                                     HSMC Product Specification
                  HI-SINCERITY                                                                 Spec. No. : MOS200602
                                                                                               Issued Date : 2006.02.01
                  MICROELECTRONICS CORP.                                                       Revised Date : 2006.02.07
                                                                                               Page No. : 2/5

Thermal Characteristics

Symbol                        Parameter                                        Value                              Units
                                                                 TO-220AB                            2
RJC        Thermal Resistance Junction to Case Max.              TO-220FP
                                                                                                                  C/W
RJA        Thermal Resistance Junction to Ambient Max.                         62.5                 3.3

                                                                                                                  C/W

ELectrical Characteristics (Tj=25C, unless otherwise specified)

Symbol                                           Characteristic                             Min. Typ. Max. Unit

V(BR)DSS   Drain-Source Breakdown Voltage (VGS=0V, ID=250uA)                                600 -   -    V
           Drain-Source Leakage Current (VDS=600V, VGS=0V)
  IDSS     Drain-Source Leakage Current (VDS=480V, VGS=0V, Tj=125C)                        -  -    1    uA
           Gate-Source Leakage Current-Forward (Vgsf=30V, VDS=0V)
IGSSF     Gate-Source Leakage Current-Reverse (Vgsr=-30V, VDS=0V)                          -  -    50 uA
IGSSR     Gate Threshold Voltage (VDS=VGS, ID=250uA)
VGS(th)   Static Drain-Source On-Resistance (VGS=10V, ID=1.5A)*                            -  - 100 nA
RDS(on)
  gFS                                                                                       -  - -100 nA
  Ciss
  Coss                                                                                      2  -    4    V
  Crss
  td(on)                                                                                    -  -    4   

    tr     Forward Transconductance (VDS50V, ID=1.5A)*                                      1  -    - mhos
  td(off)  Input Capacitance
                                                                                            - 465 -
    tf
   Qg      Output Capacitance                    VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz                    -  66   -    pF
  Qgs      Reverse Transfer Capacitance
  Qgd                                                                                       -  13   -

   LD      Turn-on Delay Time                                                               -  12   -

           Rise Time                             (VDD=300V, ID=3A, RG=18,                   -  21   -    ns
           Turn-off Delay Time                   VGS=10V)*
                                                                                            -  30   -

           Fall Time                                                                        -  24   -

           Total Gate Charge                                                                -  18 30

           Gate-Source Charge                    (VDS=300V, ID=3A, VGS=10V)*                -  5    -    nC
           Gate-Drain Charge
                                                                                            -  12   -

           Internal Drain Inductance (Measured from the drain lead 0.25" from               -  4.5  -    nH
           package to center of die)

LS         Internal Drain Inductance (Measured from the drain lead 0.25" from               -  7.5  -    nH
           package to source bond pad)

*: Pulse Test: Pulse Width 300us, Duty Cycle2%

Source-Drain Diode

Symbol                                           Characteristic                             Min. Typ. Max. Units
                                                             IS=3A, VGS=0V, TJ=25oC
VSD        Forward On Voltage(1)                                                            -  -    1.6  V
                                                             IS=3A, VGS=0V, dIS/dt=100A/us
ton        Forward Turn-On Time                                                             -  **   -    ns

trr        Reverse Recovery Time                                                            - 340 -      ns

**: Negligible, Dominated by circuit inductance

H03N60E, H03N60F                                                                               HSMC Product Specification
            HI-SINCERITY                                                                                                                                                        Spec. No. : MOS200602
                                                                                                                                                                                Issued Date : 2006.02.01
                   MICROELECTRONICS CORP.                                                                                                                                       Revised Date : 2006.02.07
                                                                                                                                                                                Page No. : 3/5
Characteristics Curve

                                                      On-Region Characteristic                                                                                         Capacitance Characteristics

                                         10                                                           VGS=10V                                      1000
                                          9                                                                                                         800
ID, Drain-Source Current (A)              8                    VGS=8V                                                                               600
                                          7                                                                                                         400
                                          6                                                           VGS=6V         Capacitance (pF)               200
                                          5                                                           VGS=5V                                           0
                                          4                                                                                                              0.1
                                          3                                                                                                                                                           Ciss
                                          2
                                          1                                                           VGS=4V                                                              Crss                        Coss
                                          0
                                             0     2     4     6                                      8        10                                                      1          10                        100

                                                      VDS, Drain-Source Voltage (V)                                                                                    VDS, Deain-Source Voltage (V)

                                                     Typical On-Resistance & Drain Current                                                                             Drain Current Variation with

                                         6.0                                                                                                                        Gate Voltage and Temperature

                                                                                                                                                   6

RDS(ON), Drain-Source On-Resistanc .e..  5.5                                                                                                          VDS=10 V                        TC= 25oC

                                         5.0                                                                         ID, Drain-Source Current (A)  5
                                                                                             VGS=10V
                                                                                                                                                   4
                                         4.5

                                         4.0                                                                                                       3

                                         3.5

                                                                                                                                                   2

                                         3.0

                                         2.5                                                                                                       1

                                         2.0                                                                                                       0

                                                0  1  2     3              4                             5        6                                  0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
                                                                                                                                                                             VGS, Gate-Source Voltage (V)
                                                      ID, Drain Current (A)

                       Gate Charge Waveforms                                                                                                                        Maximum Safe Operating Area

12                                                                                                                                                 10

10

                                         8                                                                           ID, Drain Current (A)                   VDS=200V        1ms
                                                                                                                                                   1                       10ms
VGS (V)                                  6
                                                                                                                                                                          100ms
                                         4

                                         2

                                         0                                                                           0.1
                                                                                                                         10
                                            0      1     2     3                                      4        5                                                                          100               1000
                                                                                                                                                                       VDS, Drain-Source Voltage (V)
                                                      Q, Gate Charge (nC)

H03N60E, H03N60F                                                                                                                                                                HSMC Product Specification
                           HI-SINCERITY                                                                                       Spec. No. : MOS200602
                                                                                                                              Issued Date : 2006.02.01
                           MICROELECTRONICS CORP.                                                                             Revised Date : 2006.02.07
                                                                                                                              Page No. : 4/5

TO-220AB Dimension

                                                                       Marking:                                               DIM Min. Max.

                                                                                                                              A        5.58 7.49

               A        B                F                             Pb Free Mark                                           B        8.38 8.90
D
                              E                                        Pb-Free: " . " (Note)                                  C        4.40 4.70

                                                            C          Normal: None H                 E                       D        1.15 1.39

                                                                                              0 3N60                          E        0.35 0.60

                                                                                                                              F        2.03 2.92

                                                                       Date Code                         Control Code         G        9.66 10.28

                        H                                                                                                     H        - *16.25

                  I                                M                K                                                         I        -      *3.83
                                                                               Note: Green label is used for pb-free packing
                              3              O                                                                                J        3.00 4.00
                                         J
                                                                    N  Pin Style: 1.Gate 2 & Tab.Drain 3.Source               K        0.75 0.95

   G                          2                                                                                               L        2.54 3.42

                                      1                                Material:                                              M        1.14 1.40
               Tab
                                                                        Lead solder plating: Sn60/Pb40 (Normal),             N        -      *2.54
                       P                                                 Sn/3.0Ag/0.5Cu or Pure-Tin (Pb-free)
   L                                                                                                                          O 12.70 14.27
                                                                        Mold Compound: Epoxy resin family,
                                                                         flammability solid burning class: UL94V-0            P 14.48 15.87

                                                                                                                                       *: Typical, Unit: mm

                         3-Lead TO-220AB
                          Plastic Package
                     HSMC Package Code: E

TO-220FP Dimension

                                                                       Marking:                                                 DIM    Min.   Max.
                                                                                                                                  A    6.48   7.40
        A                             4                                Pb Free Mark                                               C    4.40   4.90
      1                 5                                                                                                         D    2.34   3.00
                                                                       Pb-Free: " . " (Note)                                      E    0.45   0.80
                                                                                                                                  F    9.80   10.36
                                                         EO            Normal: None H                 F                           G    3.10   3.60
                                                                 C                                                                 I   2.70   3.43
D                                                                                             0 3N60                              J    0.60   1.00
                                                                                                                                  K    2.34   2.74
2        3                                                                                                                        L    12.48  13.60
                                                                                                                                  M    15.67  16.20
                                                                       Date Code                         Control Code             N    0.90   1.47
                                                                                                                                  O    2.00   2.96
      G                                  I                  J          Note: Green label is used for pb-free packing                           *5o
                                                      N                                                                       1/2/4/5     -   *27o
                                                                       Pin Style: 1.Gate 2.Drain 3.Source                        3        -
                           3
                                                                       Material:
   F                       2                                           Lead solder plating: Sn60/Pb40 (Normal),

                                                         K               Sn/3.0Ag/0.5Cu or Pure-Tin (Pb-free)
                                                                        Mold Compound: Epoxy resin family,
                           1
                                                                         flammability solid burning class: UL94V-0
                     M                      L
                                                                                                                                       *: Typical, Unit: mm

                         3-Lead TO-220FP
                          Plastic Package
                     HSMC Package Code: F

Important Notice:

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of HSMC.
HSMC reserves the right to make changes to its products without notice.
HSMC semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.
HSMC assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.

Head Office And Factory:

Head Office (Hi-Sincerity Microelectronics Corp.): 10F.,No. 61, Sec. 2, Chung-Shan N. Rd. Taipei Taiwan R.O.C.
  Tel: 886-2-2521-2056 Fax: 886-2-2563-2712

Factory 1: No. 38, Kuang Fu S. Rd., Fu-Kou Hsin-Chu Industrial Park Hsin-Chu Taiwan. R.O.C
  Tel: 886-3-598-3621~5 Fax: 886-3-598-2931

H03N60E, H03N60F                                                                                                              HSMC Product Specification
                  HI-SINCERITY                                                             Spec. No. : MOS200602
                                                                                           Issued Date : 2006.02.01
                  MICROELECTRONICS CORP.                                                   Revised Date : 2006.02.07
                                                                                           Page No. : 5/5
Soldering Methods for HSMC's Products
                                                                                   Critical Zone
1. Storage environment: Temperature=10oC~35oC Humidity=65%15%                        TL to TP

2. Reflow soldering of surface-mount devices                                       Pb-Free Assembly
                                                                                         <3oC/sec
Figure 1: Temperature profile                     Ramp-up             tP                   150oC
                                                                               tL          200oC
                         TP
                                                                                        60~180 sec
                         TL                                                              <3oC/sec
                                  Tsmax                                                    217oC

Temperature       Tsmin                                                                 60~150 sec
                                                                                      260oC +0/-5oC
                                             tS                       Ramp-down
                                         Preheat                                        20~40 sec
                                                                                         <6oC/sec
             25                                                                         <8 minutes
                                                t 25oC to Peak
                                                                                       Dipping time
                                                                Time                   10sec 1sec
                                                                                       10sec 1sec
                Profile Feature            Sn-Pb Eutectic Assembly
Average ramp-up rate (TL to TP)                     <3oC/sec                              HSMC Product Specification
Preheat
- Temperature Min (Tsmin)                             100oC
- Temperature Max (Tsmax)                             150oC
- Time (min to max) (ts)                           60~120 sec
Tsmax to TL
- Ramp-up Rate                                      <3oC/sec
Time maintained above:
- Temperature (TL)                                    183oC
- Time (tL)                                        60~150 sec
Peak Temperature (TP)                            240oC +0/-5oC
Time within 5oC of actual Peak
Temperature (tP)                                   10~30 sec
Ramp-down Rate                                      <6oC/sec
Time 25oC to Peak Temperature                      <6 minutes

3. Flow (wave) soldering (solder dipping)

                  Products                        Peak temperature
Pb devices.                                           245oC 5oC
Pb-Free devices.                                      260oC 5oC

H03N60E, H03N60F
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