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H02N65

器件型号:H02N65
厂商名称:HSMC
厂商官网:http://www.hsmc.com.tw/
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器件描述

N-Channel Power Field Effect Transistor

H02N65器件文档内容

                  HI-SINCERITY                                                            Spec. No. : MOS200910
                                                                                          Issued Date : 2009.04.07
                  MICROELECTRONICS CORP.                                                  Revised Date :
                                                                                          Page No. : 1/6

H02N65 Series                                                               H02N65 Series Pin Assignment

N-Channel Power Field Effect Transistor                                     Tab

Description                                                                                        3-Lead Plastic TO-220AB
                                                                                                   Package Code: E
                                                                                                   Pin 1: Gate
                                                                                                   Pin 2 & Tab: Drain
                                                                                                   Pin 3: Source

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to                               3
provide enhanced voltage-blocking capability without degratding                           2
performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed                   1
to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new
energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast                      3-Lead Plastic TO-220FP
recovery time. Designed for high voltage, high speed switching                               Package Code: F
applications in power supplies, converters and PWM motor controls,                           Pin 1: Gate
these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode                   Pin 2: Drain
speed and commutating safe operating areas are critical and offer                            Pin 3: Source
additional and saafety margin against unexpected voltage transients.
                                                                                       2  3

                                                                                    1        D

Features                                                                    H02N65 Series G
                                                                                Symbol:

                                                                                                                       S

Robust High Voltage Termination
Avalanc he Energy Specified
Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Absolute Maximum Ratings

Symbol                                      Parameter                          Value         Units
    ID     Drain to Current (Continuous)                                         2             A
   IDM     Drain to Current (Pulsed)                                             8             A
   VGS     Gate-to-Source Voltage (Continue)                                                   V
           Total Power Dissipation (TC=25oC)                                    30
   PD      H02N60E (TO-220AB)                                                                  W
           H02N60F (TO-220FP)                                                    44
Tj, Tstg  Derate above 25C                                                     23          W/C
   EAS     H02N60E (TO-220AB)
    TL     H02N60F (TO-220FP)                                                  0.22           C
           Operating and Storage Temperature Range                             0.18           mJ
                                                                            -55 to 150        C
           Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Enrgy-Tj=25C                 120
           (VDD=100V, VGS=10V, IL=2A, L=10mH, RG=25)
           Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8"                260
           from case for 10 seconds

H02N60E, H02N60F                                                                          HSMC Product Specification
                     HI-SINCERITY                                                     Spec. No. : MOS200910
                                                                                      Issued Date : 2009.04.07
                     MICROELECTRONICS CORP.                                           Revised Date :
                                                                                      Page No. : 2/6

Thermal Characteristics

Symbol                       Parameter                                        Value                       Units
                                                                 TO-220AB                  2.87
RJC       Thermal Resistance Junction to Case Max.               TO-220FP
                                                                                                          C/W
RJA       Thermal Resistance Junction to Ambient Max.                          62.5        5.5

                                                                                                          C/W

ELectrical Characteristics (Tj=25C, unless otherwise specified)

Symbol                                           Characteristic                 Min. Typ. Max. Unit

V(BR)DSS  Drain-Source Breakdown Voltage (VGS=0V, ID=250uA)                     650 -      -    V
          Drain-Source Leakage Current (VDS=650V, VGS=0V)
  IDSS    Drain-Source Leakage Current (VDS=480V, VGS=0V, Tj=125C)             -     -    5    uA
          Gate-Source Leakage Current-Forward (Vgsf=30V, VDS=0V)
IGSSF    Gate-Source Leakage Current-Reverse (Vgsr=-30V, VDS=0V)               -     -    50 uA
IGSSR    Gate Threshold Voltage (VDS=VGS, ID=250uA)
VGS(th)                                                                        -     - 100 nA

                                                                                -     - -100 nA

                                                                                2     -    4    V

RDS(on) Static Drain-Source On-Resistance (VGS=10V, ID=1A)*                     -     -    4.6  

gFS       Forward Transconductance (VDS50V, ID=1A)*                             1     -    - mhos

Ciss      Input Capacitance                                                     - 300 -

Coss      Output Capacitance                     VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz        -     30   -    pF

Crss      Reverse Transfer Capacitance                                          -     3    -

td(on)    Turn-on Delay Time                                                    -     13   -

tr        Rise Time                              (VDD=300V, ID=2A, RG=25,       -     12   -    ns
                                                 VGS=10V)*
td(off)   Turn-off Delay Time                                                   -     73   -

tf        Fall Time                                                             -     15   -

Qg        Total Gate Charge                                                     -     9.3 13

Qgs       Gate-Source Charge                     (VDS=300V, ID=2A, VGS=10V)*    -     2    -    nC

Qgd       Gate-Drain Charge                                                     -     3.3  -

*: Pulse Test: Pulse Width 300us, Duty Cycle2%

Source-Drain Diode

Symbol                                           Characteristic                 Min.  Typ. Max. Units
                                                                                  -
VSD       Forward On Voltage(1)                  IS=2A, VGS=0V, TJ=25oC           -   -    1.4  V
                                                                                  -
trr       Reverse Recovery Time                  IS=2A, VGS=0V, dIS/dt=100A/us        235 -     ns

Qrr       Reverse Recovery Charge                                                     1.0  -    nC

**: Negligible, Dominated by circuit inductance

H02N60E, H02N60F                                                                      HSMC Product Specification
            HI-SINCERITY                       Spec. No. : MOS200910
                                               Issued Date : 2009.04.07
                   MICROELECTRONICS CORP.      Revised Date :
                                               Page No. : 3/6
Characteristics Curve

Figure 1. On-Region Characteristics            Figure 2. Transfer Characteristics

Figure 3. On-Resitance Variation vs                Figure 4. Body Diode Forward Voltage
    Drain Current and Gate Voltage             Variation vs Source Current and Temperature

        Figure 5. Capacitance Characteristics  Figure 6. Gate Charge Characteristics

H02N60E, H02N60F                                                                 HSMC Product Specification
            HI-SINCERITY                   Spec. No. : MOS200910
                                           Issued Date : 2009.04.07
                   MICROELECTRONICS CORP.  Revised Date :
                                           Page No. : 4/6
Characteristics Curve

Figure 7. Breakdown Voltage Variation  Figure 8. Onresistance Variation
              vs Temperature                      vs Temperature

H02N60E, H02N60F                           HSMC Product Specification
            HI-SINCERITY                                                                                                      Spec. No. : MOS200910
                                                                                                                              Issued Date : 2009.04.07
                   MICROELECTRONICS CORP.                                                                                     Revised Date :
                                                                                                                              Page No. : 5/6
TO-220AB Dimension

                                                                       Marking:                                               DIM Min. Max.
                                                            C
                                                                                                                              A        5.58 7.49

               A        B                   F                                                                                 B        8.38 8.90
D
                              E                                                                                               C        4.40 4.70

                                                                                                                              D        1.15 1.39

                                                                                                                              E        0.35 0.60

                                                                                                                              F        2.03 2.92

                                                                                                                              G        9.66 10.28

                        H                                                                                                     H        - *16.25

                  I                                   M             K                                                         I        -      *3.83
                                                                               Note: Green label is used for pb-free packing
                              3                 O                                                                             J        3.00 4.00
                                            J                        N Pin Style: 1.Gate 2 & Tab.Drain 3.Source
   G                          2                                                                                               K        0.75 0.95
                                                                               Material:
                                                                               Lead solder plating: Sn60/Pb40 (Normal),     L        2.54 3.42

                                      1                                          Sn/3.0Ag/0.5Cu or Pure-Tin (Pb-free)         M        1.14 1.40
               Tab                                                             Mold Compound: Epoxy resin family,
                                                                                                                              N        -      *2.54
                       P                                                         flammability solid burning class: UL94V-0
   L                                                                                                                          O 12.70 14.27

                                                                                                                              P 14.48 15.87

                                                                                                                                       *: Typical, Unit: mm

                         3-Lead TO-220AB
                          Plastic Package
                     HSMC Package Code: E

TO-220FP Dimension

        A                             4                             Marking:                                                    DIM    Min.   Max.
      1                 5                                                                                                         A    6.48   7.40
                                                                    Note: Green label is used for pb-free packing                 C    4.40   4.90
D                                                        EO         Pin Style: 1.Gate 2.Drain 3.Source                            D    2.34   3.00
                                                                 C  Material:                                                     E    0.45   0.80
                                                                     Lead solder plating: Sn60/Pb40 (Normal),                    F    9.80   10.36
2        3                                                                                                                        G    3.10   3.60
                                                                      Sn/3.0Ag/0.5Cu or Pure-Tin (Pb-free)                         I   2.70   3.43
      G                                  I                  J       Mold Compound: Epoxy resin family,                          J    0.60   1.00
                                                                                                                                  K    2.34   2.74
                                                  N                   flammability solid burning class: UL94V-0                   L    12.48  13.60
                                                                                                                                  M    15.67  16.20
                           3                                                                                                      N    0.90   1.47
                                                                                                                                  O    2.00   2.96
   F                       2                                                                                                                   *5o
                                                                                                                              1/2/4/5     -    *27o
                                                         K                                                                       3        -

                           1

                     M                         L                                                                                       *: Typical, Unit: mm

                         3-Lead TO-220FP
                          Plastic Package
                     HSMC Package Code: F

Important Notice:

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of HSMC.
HSMC reserves the right to make changes to its products without notice.
HSMC semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.
HSMC assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.

Head Office And Factory:

Head Office (Hi-Sincerity Microelectronics Corp.): 10F.,No. 61, Sec. 2, Chung-Shan N. Rd. Taipei Taiwan R.O.C.
  Tel: 886-2-25212056 Fax: 886-2-25632712, 25368454

H02N60E, H02N60F                                                                                                              HSMC Product Specification
                  HI-SINCERITY                                                             Spec. No. : MOS200910
                                                                                           Issued Date : 2009.04.07
                  MICROELECTRONICS CORP.                                                   Revised Date :
                                                                                           Page No. : 6/6
Soldering Methods for HSMC's Products
                                                                                   Critical Zone
1. Storage environment: Temperature=10oC~35oC Humidity=65%15%                        TL to TP

2. Reflow soldering of surface-mount devices                                       Pb-Free Assembly
                                                                                         <3oC/sec
Figure 1: Temperature profile                     Ramp-up             tP                   150oC
                                                                               tL          200oC
                         TP
                                                                                        60~180 sec
                         TL                                                              <3oC/sec
                                  Tsmax                                                    217oC

Temperature       Tsmin                                                                 60~150 sec
                                                                                      260oC +0/-5oC
                                             tS                       Ramp-down
                                         Preheat                                        20~40 sec
                                                                                         <6oC/sec
             25                                                                         <8 minutes
                                                t 25oC to Peak
                                                                                       Dipping time
                                                                Time                   10sec 1sec
                                                                                       10sec 1sec
              Profile Feature              Sn-Pb Eutectic Assembly
Average ramp-up rate (TL to TP)                      <3oC/sec                              HSMC Product Specification
Preheat
- Temperature Min (Tsmin)                              100oC
- Temperature Max (Tsmax)                              150oC
- Time (min to max) (ts)                            60~120 sec
Tsmax to TL
- Ramp-up Rate                                       <3oC/sec
Time maintained above:
- Temperature (TL)                                     183oC
- Time (tL)                                         60~150 sec
Peak Temperature (TP)                             240oC +0/-5oC
Time within 5oC of actual Peak
Temperature (tP)                                    10~30 sec
Ramp-down Rate                                       <6oC/sec
Time 25oC to Peak Temperature                       <6 minutes

3. Flow (wave) soldering (solder dipping)

                  Products                        Peak temperature
Pb devices.                                           245oC 5oC
Pb-Free devices.                                      260oC 5oC

H02N60E, H02N60F
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