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GL195A

器件型号:GL195A
厂商名称:GTM
厂商官网:http://www.gtm.com.tw/
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器件描述

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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GL195A器件文档内容

                                                    CORPORATION ISSUED DATE :2006/06/07
                                                                                                                                REVISED DATE :

GL195A                        PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

Description

The GL195A is designed for medium power amplifier applications.

Features

1 Amp continuous current

Complementary to GL194A

Package Dimensions

                                                 SOT-223

                                                          REF.          Millimeter  REF.    Millimeter
                                                                      Min. Max.           Min. Max.
                                                            A         6.70 7.30       B
                                                            C         2.90 3.10       J      13TYP.
                                                            D         0.02 0.10       1     2.30 REF.
                                                            E          0 10         2   6.30 6.70
                                                            I         0.60 0.80       3   6.30 6.70
                                                            H         0.25 0.35       4   3.30 3.70
                                                                                      5   3.30 3.70
                                                                                          1.40 1.80

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25

           Parameter                Symbol                     Ratings                       Unit

Junction Temperature                     Tj                      +150                        

Storage Temperature                 Tstg                  -55~+150                           

Collector to Base Voltage           VCBO                         -40                         V

Collector to Emitter Voltage        VCEO                         -40                         V

Emitter to Base Voltage             VEBO                         -5                          V

Collector Current (DC)                   IC                      -1                          A

Collector Current (Pulse)                IC                      -2                          A

Total Power Dissipation             PD                           2                           W

Electrical Characteristics (Ta = 25, unless otherwise stated)

      Symbol          Min.    Typ.           Max.   Unit                    Test Conditions

BVCBO                   -40   -              -      V     IC=-100uA , IE=0

*BVCEO                  -40   -              -      V     IC=-10mA, IB=0

BVEBO                    -5   -              -      V     IE=-100uA ,IC=0

ICBO                     -    -              -100   nA VCB=-30V, IE=0

ICES                     -    -              -100   nA    VCES=-30V

IEBO                     -    -              -100   nA VEB=-4V, IC=0

*VCE(sat)1               -    -              -0.2   V     IC=-100mA, IB=-1mA

*VCE(sat)2               -    -              -0.35  V     IC=-500mA, IB=-20mA

*VCE(sat)3               -    -              -0.5   V     IC=-1A, IB=-100mA

*VBE(sat)                -    -              -1.1   V     IC=-1A, IB=-50mA

*VBE(on)                 -    -              -1.0   V     VCE=-5V, IC=-1A

*hFE1                   300   -              -            VCE=-5V, IC=-1mA

*hFE2                   300   -              900          VCE=-5V, IC=-100mA

*hFE3                   250   -              -            VCE=-5V, IC=-500mA

*hFE4                   160   -              -            VCE=-5V, IC=-1A

*hFE5                   30    -              -            VCE=-5V, IC=-2A

fT                      150   -              -      MHz VCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz

Cob                      -    -              10     pF VCB=-10V, IE=0, f=1MHz

                                                    *Measured under pulse condition. Pulse width=300 s, Duty Cycle2%

Classification Of hFE2

      Rank               P       Q

      Range   300 ~ 700       500 ~ 900

GL195A                                                                                          Page: 1/2
                       CORPORATION ISSUED DATE :2006/06/07
                                                                                                   REVISED DATE :

Characteristics Curve

Important Notice:                                                                                                                       Page: 2/2
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          GTM assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.

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          Taiwan: No. 17-1 Tatung Rd. Fu Kou Hsin-Chu Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R. O. C.

   TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785
          China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China

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GL195A
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