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GBU6D

器件型号:GBU6D
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商名称:GeneSiC
厂商官网:http://www.genesicsemi.com/
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器件描述

bridge rectifiers 200v 6A bridge rectifier

参数
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codecompli
最小击穿电压200 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流175 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

GBU6D器件文档内容

Silicon Bridge                                                               GBU6A thru GBU6G
Rectifier
                                                                                         VRRM = 50 V - 1000 V
Features                                                                                 IF =6 A
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0                                                            GBU Package
Types up to 1000 V VRRM
Ideal for printed circuit board
High surge overload rating
High temperature soldering guaranteed: 260C/ 10
seconds, 0.375(9.5mm) lead length
Glass passivated chip junction
High case dielectric strength 1500 VRMS

Mechanical Data
Case: Molded plastic body over passivated junctions
Mounting position: Any
Terminals: Plated leads, solderable per MIL-STD-750
Method 2026 guaranteed

Maximum ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                       Symbol   Conditions               GBU6A   GBU6B   GBU6D  GBU6G  Unit

Repetitive peak reverse voltage VRRM                              50      100     200    400    V

RMS reverse voltage             VRMS                              35      70      140    280    V

DC blocking voltage             VDC                               50      100     200    400    V

Continuous forward current      IF       TC  100 C               6       6       6      6      A

Surge non-repetitive forward    IF,SM    TC = 25 C, tp = 8.3 ms  175     175     175    175    A
current, Half Sine Wave

Operating temperature           Tj                                -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 C
                                                                  -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 C
Storage temperature             Tstg

Electrical characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                       Symbol         Conditions         GBU6A   GBU6B   GBU6D  GBU6G  Unit
Diode forward voltage                VF                              1.1     1.1
Reverse current                      IR    IF = 6 A, Tj = 25 C       5       5   1.1    1.1    V
                                         VR = 50 V, Tj = 25 C      500     500
                                         VR = 50 V, Tj = 125 C                    5      5     A
                                                                     7.4     7.4  500    500
                                                                     2.2     2.2
Thermal characteristics         RthJA                                             7.4    7.4    C/W
                                RthJL
Thermal resistance, junction -                                                    2.2    2.2
case

www.genesicsemi.com                                  1
                        GBU6A thru GBU6G

www.genesicsemi.com  2
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