电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

G2301

器件型号:G2301
厂商名称:GTM
厂商官网:http://www.gtm.com.tw/
下载文档

器件描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文档预览

G2301器件文档内容

                                                                            Pb Free Plating Product

                                                  CORPORATION ISSUED DATE :2004/10/12
                                                                                                                              REVISED DATE :2005/03/22B

G2301                                                                             BVDSS                -20V

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET                                           RDS(ON)           130m
                                                                                  ID                  -2.6A
Description

The G2301 provides the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The G2301 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low

voltage applications such as DC/DC converters.

Features

Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON)
Reliable and Rugged

Applications

Power Management in Notebook Computer
Portable Equipment
Battery Powered System.

Package Dimensions

                     TPU.34)QBDLBHF*

                                                                REF.  Millimeter  REF.     Millimeter

                                                                  A   Min. Max.     G      Min.        Max.
                                                                  B                 H
                                                                  C   2.70  3.10    K      1.90 REF.
                                                                  D                 J
                                                                  E   2.40  2.80    L      1.00        1.30
                                                                  F                 M
                                                                      1.40  1.60           0.10        0.20

                                                                      0.35  0.50           0.40        -

                                                                      0     0.10           0.85        1.15

                                                                      0.45  0.55           0           10

Absolute Maximum Ratings                                Symbol     Ratings                  Unit

                             Parameter                  VDS          -20                     V
                                                        VGS         f12                      V
Drain-Source Voltage                              ID @TA=25         -2.6                     A
Gate-Source Voltage                               ID @TA=70         -2.1                     A
Continuous Drain Current3                                IDM         -10                     A
Continuous Drain Current3                         PD @TA=25         1.38                    W
Pulsed Drain Current                                                0.01                   W/
Power Dissipation                                     Tj, Tstg  -55 ~ +150                  
Linear Derating Factor
                                                                 Ratings                   Unit
Operating Junction and Storage Temperature Range                     90                    /W

Thermal Data                                      Symbol
                                                   Rthj-a
                     Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.

                                                                                                       1/4
                                                          CORPORATION ISSUED DATE :2004/10/12
                                                                                                                                      REVISED DATE :2005/03/22B

Electrical Characteristics(Tj = 25 Unless otherwise specified)

           Parameter                   Symbol       Min.  Typ.   Max.   Unit                         Test Conditions

Drain-Source Breakdown Voltage         BVDSS        -20      -       -   V    VGS=0, ID=-250uA
                                                                        V/    Reference to 25, ID=-1mA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient BVDSS/Tj     -  -0.1       -
                                                                         V    VDS= VGS, ID=-250uA
Gate Threshold Voltage                 VGS(th)      -0.5     -       -   S    VDS=-5.0V, ID=-2.8A
Forward Transconductance                gfs           -                  nA   VGS= 12V
                                                          4.4        -   uA
                                                                         uA   VDS=-20V, VGS=0
Gate-Source Leakage Current            IGSS            -     -   100    m
                                                                              VDS=-16V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=25)    IDSS            -     -   -1      nC
                                                                              ID=-2.8A, VGS=-5.0V
Drain-Source Leakage Current(Tj=70)                    -     -   -10     ns   ID=-2.0A, VGS=-2.8V
                                                                              ID=-2.8A
Static Drain-Source On-Resistance2     RDS(ON)         -     -   130          VDS=-6.0V
                                                                              VGS=-5.0V
                                                       -     -   190
                                                                              VDS=-15V
Total Gate Charge2                     Qg              -  5.2    10           ID=-1A
                                                                              VGS=-10V
Gate-Source Charge                     Qgs             -  1.36       -        RG=6
                                                                              RD=15
Gate-Drain ("Miller") Change           Qgd             -  0.6        -
Turn-on Delay Time2
                                       Td(on)          -  5.2        -

Rise Time                              Tr              -  9.7        -

Turn-off Delay Time                    Td(off)         -     19      -

Fall Time                              Tf              -     29      -

Input Capacitance                      Ciss            -  295        -            VGS=0V
Output Capacitance                                                      pF VDS=-6V
Reverse Transfer Capacitance           Coss            -  170        -
                                                                                  f=1.0MHz
                                       Crss            -     65      -

Source-Drain Diode

Forward On Voltage2                    VSD          -     -      -1.2   V     IS=-1.6A, VGS=0 Tj=25

Continuous Source Current(Body Diode)  IS           -     -      -1     A     VD= VG=0V, VS=-1.2V

Pulsed Source Current (Body Diode) 1   ISM          -     -      -10    A

Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.

         2. Pulse width300us, duty cycle2%.
         3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board;270/w when mounted on min. copper pad.

Characteristics Curve

                                                                                                                      2/4
CORPORATION ISSUED DATE :2004/10/12
                                                                            REVISED DATE :2005/03/22B
                                                                           3/4
CORPORATION ISSUED DATE :2004/10/12
                                                                            REVISED DATE :2005/03/22B

   Important Notice:
          All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of GTM.
          GTM reserves the right to make changes to its products without notice.
          GTM semiconductor products are not warranted to be suitable for use in life-support Applications, or systems.
          GTM assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.

Head Office And Factory:
          Taiwan: No. 17-1 Tatung Rd. Fu Kou Hsin-Chu Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R. O. C.

   TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785
          China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China

   TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165

                                                                                                                                        4/4
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved