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FXT450

器件型号:FXT450
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厂商名称:ZETEX [Zetex Semiconductors]
厂商官网:http://www.zetex.com/
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FXT450器件文档内容

NPN SILICON PLANAR                                          FXT450

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1  SEPT 93
FEATURES
* 45 Volt VCEO
* 1 Amp continuous current
* Ptot=1 Watt

                                                            B
                                                             C
                                                                E

     REFER TO ZTX450 FOR GRAPHS                                    E-Line
                                                            TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
                                          SYMBOL        VALUE      UNIT
PARAMETER                                VCBO             60        V
Collector-Base Voltage                   VCEO             45        V
Collector-Emitter Voltage                VEBO              5        V
Emitter-Base Voltage                     ICM               2        A
Peak Pulse Current                       IC                1        A
Continuous Collector Current             Ptot              1        W
Power Dissipation at Tamb=25C           Tj:Tstg                   C
Operating and Storage Temperature Range              -55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C).

PARAMETER           SYMBOL MIN. TYP. MAX.             UNIT  CONDITIONS.
                                                      V     IC=100A, IE=0
Collector-Base      V(BR)CBO 60                       V
Breakdown Voltage                                     V     IC=10mA, IB=0*
                                                      A
Collector-Emitter   VCEO(SUS) 45                      A    IE=100A, IC=0
Sustaining Voltage                                    V
                                                      V     VCB=45V, IE=0
Emitter-Base        V(BR)EBO 5
Breakdown Voltage                                     pF    VEB=4V, IC=0
                                                            IC=150mA, IB=15mA*
Collector Cut-Off   ICBO                        0.1
                                                            IC=150mA, IB=15mA*
Current
                                                            IC=150mA, VCE=10V*
Emitter Cut-Off Current IEBO                    0.1         IC=1A, VCE=10V*
                                                0.25        IC=50mA, VCE=10V
Collector-Emitter   VCE(sat)                                f=100MHz
Saturation Voltage                                          VCB=10V, f=1MHz

Base-Emitter        VBE(sat)                    1.1

Saturation Voltage

Static Forward Current hFE    100               300

Transfer Ratio                15

Transition          fT        150
Frequency

Output Capacitance  Cobo                        15

                                          3-31
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