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FSX017WF

器件型号:FSX017WF
器件类别:晶体管   
厂商名称:FUJITSU
厂商官网:http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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器件描述

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET

×波段, 砷化镓, N沟道, 射频小信号, 结型场效应管

参数

FSX017WF端子数量 2
FSX017WF最小击穿电压 12 V
FSX017WF加工封装描述 HERMETIC SEALED, 金属 陶瓷, CASE WF, 2 PIN
FSX017WF无铅 Yes
FSX017WF欧盟RoHS规范 Yes
FSX017WF状态 TRANSFERRED
FSX017WF包装形状 矩形的
FSX017WF包装尺寸 凸缘安装
FSX017WF表面贴装 Yes
FSX017WF端子形式 FLAT
FSX017WF端子涂层 NOT SPECIFIED
FSX017WF端子位置
FSX017WF包装材料 陶瓷, 金属-SEALED COFIRED
FSX017WF结构 单一的
FSX017WF壳体连接
FSX017WF元件数量 1
FSX017WF晶体管应用 放大器
FSX017WF晶体管元件材料 砷化镓
FSX017WF通道类型 N沟道
FSX017WF场效应晶体管技术 JUNCTION
FSX017WF操作模式 DEPLETION
FSX017WF晶体管类型 射频小信号
FSX017WF最高频带 ×波段

文档预览

FSX017WF器件文档内容

                                                FSX017WF

                                                                     General Purpose GaAs FET
FEATURES

Medium Power Output: P1dB=21.5dB (Typ.)@8.0GHz
High Power Gain: G1dB=11dB (Typ.)@8.0GHz
Hermetic Metal/Ceramic Package
Proven Reliability

DESCRIPTION

The FSX017WF is a general purpose GaAs FET designed for medium
power applications up to the 12GHz. These devices have a wide
dynamic range and are suitable for use in medium power, wide band,
linear drive amplifiers or oscillators.

Fujitsu's stringent Quality Assurance Program assures the highest
reliability and consistent performance.

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25C)

             Item             Symbol            Condition                                                    Rating       Unit
                                                                                                                            V
Drain-Source Voltage          VDS               Tc = 25C                                                       12          V
Gate-Source Voltage           VGS                                                                               -5         W
Total Power Dissipation                                                                                        1.0         C
Storage Temperature           Ptot                                                                        -65 to +175      C
Channel Temperature                                                                                            175
                              Tstg                                                                                        Unit
                              Tch                                                                                         mA
                                                                                                                          mS
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:

         1. The drain - source operating voltage (VDS) should not exceed 8 volts.
         2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.7 and -0.1 mA respectively with

            gate resistance of 2000.
         3. The operating channel temperature (Tch) should not exceed 145C.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25C)

             Item             Symbol  Test Conditions                                                           Limit
                                                                                                       Min. Typ. Max.

Saturated Drain Current       IDSS VDS = 3V, VGS = 0V                                                  35 55 75

Transconductance              gm VDS = 3V, IDS = 27mA                                                  -     50        -

Pinch-off Voltage             Vp VDS = 3V, IDS = 2.7mA -0.7 -1.2 -1.7                                                     V

Gate Source Breakdown Voltage VGSO IGS = -2.7A                                                        -5.0 -          -  V

Noise Figure                  NF                                                                      - 2.5 -            dB
Associated Gain               Gas
Output Power at 1 dB G.C.P.  P1dB    VDS = 3V, IDS = 10mA

Power Gain at 1 dB G.C.P.    G1dB    f = 8GHz                                                         - 10.5 -           dB
Thermal Resistance            Rth
CASE STYLE: WF                        VDS = 8V,        f = 4GHz - 21.5 -                                                  dBm
                                                                                                                          dBm
                                                       f = 8GHz 20.5 21.5 -                                               dBm
                                      IDS = 0.7IDSS f = 12GHz - 20.5 -                                                     dB
                                                                                                                           dB
                                      VDS = 8V,        f = 4GHz - 15.0 -
                                      IDS = 0.7IDSS                                                                         dB
                                                       f = 8GHz                                        10.0  11.0      -
                                                       f = 12GHz                                         -    7.5      -  C/W

                                      Channel to Case                                                  - 120 150

                                                                                                               G.C.P.: Gain Compression Point

Edition 1.2

July 1999                             1
FSX017WF

General Purpose GaAs FET

                                     POWER DERATING CURVE                                                                  DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE

Total Power Dissipation (W)                                                                                            70

                             1.0                                                                   Drain Current (mA)  60           VGS = 0V
                             0.8
                             0.6                                                                                       50           -0.2V
                             0.4
                             0.2                                                                                       40              -0.4V

                                                                                                                       30                                           -0.6V

                                                                                                                       20                                           -0.8V

                                                                                                                                                                                        -1.0V
                                                                                                                       10

                                                                                                                                                                                          -1.2V

                                  0  50 100 150 200                                                                        2  4  6  8                               10

                                     Case Temperature (C)                                                                    Drain-Source Voltage (V)

                                  OUTPUT POWER vs. INPUT POWER                                                                                  P1dB vs. VDS

                             22 VDS = 8V                                    f=4GHz 8GHz 12GHz                                     f = 8GHz
                                                                                                                           22 IDS = 0.7 IDSS
Output Power (dBm)                  IDS = 0.5 IDSS                          f=4GHz             60  add (%)                 20
                                                                                                               P1dB (dBm)  18
                             20                                                     8GHz 12GHz 40                          16
                                                                                                                           14
                                                             Pout                              20
                                                                                                                                       4 5678
                             18                                                                                                           Drain-Source Voltage (V)

                             16

                             14

                             12
                                                                       add

                             10

                              8

                                  -4 -2 0 2 4 6 8 10 12
                                             Input Power (dBm)

                                                                                                   2
                                                                                                          FSX017WF

                                                                                                 General Purpose GaAs FET

                                      +j50                                          S11                                    +90                               S21
                                                                                                                                                              S12
                                                                                    S22
                                                                                                                                                             0
        +j25                      20                       +j100

                  18                                       250                                   2
                                                         0.5GHz                                                           4

                                    12                                   +j250                   20                                    6
                                                 14
+j10 16
                      10

               8                  20                 16                                  0.5GHz           20 2 4
   14
                                                                                                                                          8

0        10           25              50                                         180 5 4        18 18    0.5GHz 8

                                                                                         SCALE FOR |S21|

                                               18                                                                                              10
                                                                                                                                   12

                                                                         0.5GHz                       16 14                        12
-j10 12 6                                                                -j250                            SCALE FOR |S12|
                                                                    2
                  10                                     4                                                                 0.1

                               8            6                     -j100
                      4
        -j25

                                            2                                                                              0.2
                                                                                                                             -90
                                      -j50

                                                                         S-PARAMETERS

                                                                         VDS =8V, IDS = 35mA

FREQUENCY                         S11                                    S21                     S12                                               S22

(MHZ)                 MAG ANG                            MAG ANG                         MAG ANG                                   MAG                  ANG

   500                .994                  -17.5        4.666           165.0           .007             75.3                     .826                 -8.4
1000                                                    4.499           151.2
2000                 .982                  -33.7        4.066           124.2           .013             69.9                     .819                 -17.3
3000                                                    3.486           101.1
4000                 .936                  -66.2        3.001                           .022             47.3                     .808                 -33.3
5000                                                    2.706             82.3
6000                 .891                  -92.7        2.555             66.1          .026             30.2                     .799                 -47.7
7000                                                    2.407             49.2
8000                 .855                  -112.9       2.206             30.3          .027             17.5                     .796                 -59.2
9000                                                    2.020             12.0
10000                 .817                  -131.0       1.894             -5.3          .026             7.6                      .795                 -67.5
11000                                                    1.842            -20.9
12000                 .778                  -150.4       1.750            -38.1          .026             0.0                      .791                 -76.3
13000                                                    1.595            -57.3
14000                 .738                  -172.0       1.422            -76.9          .026             -12.8                    .778                 -88.8
15000                                                    1.298            -94.9
                      .705                  167.8                        -111.5          .022             -20.7                    .774                 -102.1

                      .693                  150.3                                        .025             -24.2                    .777                 -115.7

                      .679                  135.1                                        .028             -31.8                    .780                 -127.6

                      .655                  117.2                                        .035             -43.3                    .791                 -140.5

                      .631                     96.4                                      .042             -60.2                    .798                 -155.2

                      .610                     78.9                                      .047             -79.6                    .809                 -173.0

                      .573                     64.6                                      .050             -96.0                    .830                 172.1

                      .503                     48.0                                      .058         -113.5                       .846                 163.3

                                                                                 3
FSX017WF

General Purpose GaAs FET

                                                             Case Style "WF"
                                                 Metal-Ceramic Hermetic Package

1.0 Min.                                                                                  0.10.05
   (0.039)                                                                                 (0.004)

               1                            2-1.60.01

                                            (0.063)

2.50.15                              2
   (0.098)              0.6

            4

1.0 Min.       3 (0.024)
   (0.039)
                                                        2.5 Max.
                 2.5                                       (0.098)
               (0.098)

               6.10.1                      0.80.1                              1: Gate
               (0.240)                         (0.031)                           2: Source (Flange)
                                                                                 3: Drain
               8.50.2                                                           4: Source (Flange)
               (0.335)
                                                                                 Unit: mm (Inches)

For further information please contact:

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2355 Zanker Rd.
San Jose, CA 95131-1138, U.S.A.          Fujitsu Compound Semiconductor Products contain gallium arsenide
Phone: (408) 232-9500                    (GaAs) which can be hazardous to the human body and the environment.
FAX: (408) 428-9111                      For safety, observe the following procedures:
www.fcsi.fujitsu.com
                                          Do not put these products into the mouth.
FUJITSU MICROELECTRONICS, LTD.
Compound Semiconductor Division          Do not alter the form of this product into a gas, powder, or liquid
Network House                             through burning, crushing, or chemical processing as these by-products
Norreys Drive                             are dangerous to the human body if inhaled, ingested, or swallowed.
Maidenhead, Berkshire SL6 4FJ
Phone:+44 (0)1628 504800                  Observe government laws and company regulations when discarding this
FAX:+44 (0)1628 504888                    product. This product must be discarded in accordance with methods
                                          specified by applicable hazardous waste procedures.

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1998 FUJITSU COMPOUND SEMICONDUCTOR, INC.
Printed in U.S.A. FCSI0598M200

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