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FDN352AP

器件型号:FDN352AP
器件类别:晶体管
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厂商名称:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/
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器件描述

1300 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL,

1300 mA, 30 V, P沟道, , 小信号,

参数

FDN352AP端子数量 3
FDN352AP最小击穿电压 30 V
FDN352AP加工封装描述 SUPERSOT-3, 3 PIN
FDN352AP无铅 Yes
FDN352AP欧盟RoHS规范 Yes
FDN352AP状态 ACTIVE
FDN352AP包装形状 矩形的
FDN352AP包装尺寸 SMALL OUTLINE
FDN352AP表面贴装 Yes
FDN352AP端子形式 GULL WING
FDN352AP端子涂层 MATTE 锡
FDN352AP端子位置
FDN352AP包装材料 塑料/环氧树脂
FDN352AP结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
FDN352AP元件数量 1
FDN352AP晶体管应用 开关
FDN352AP晶体管元件材料
FDN352AP通道类型 P沟道
FDN352AP场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
FDN352AP操作模式 ENHANCEMENT
FDN352AP晶体管类型 通用小信号
FDN352AP最大漏电流 1.3 A
FDN352AP最大漏极导通电阻 0.1800 ohm

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FDN352AP器件文档内容

                                                                                                   August 2005                        FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

FDN352AP
Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

Features                                                            General Description

1.3 A, 30V     RDS(ON) = 180 m @ VGS = 10V                      This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fair-
   1.1 A, 30V   RDS(ON) = 300 m @ VGS = 4.5V                     child Semiconductor advanced Power Trench process that has
                                                                    been especially tailored to minimize the on-state resistance and
High performance trench technology for extremely low               yet maintain low gate charge for superior switching perfor-
                                                                    mance.
RDS(ON).
                                                                    These devices are well suited for low voltage and battery pow-
High power version of industry Standard SOT-23 package.            ered applications where low in-line power loss is needed in a
                                                                    very small outline surface mount package.
Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling

capability.

Applications

Notebook computer power management

                                                                                    D

                   D                                                             G              S

                                             S
                                   G

             SuperSOTTM-3

Absolute Maximum Ratings TA = 25C unless otherwise noted

Symbol                                     Parameter                                Ratings          Units

VDSS              Drain-Source Voltage                                (Note 1a)          30             V
VGSS              Gate-Source Voltage                                 (Note 1a)          25             V
ID                Drain Current Continuous                          (Note 1b)          1.3            A
                                                                                         10             W
PD                                        Pulsed                     (Note 1a)          0.5            C
                  Power Dissipation for Single Operation              (Note 1)           0.46          C/W
                                                                                    55 to +150
TJ, TSTG          Operating and Storage Junction Temperature Range                                 Quantity
                                                                                         250
Thermal Characteristics                                                                   75       3000 units

R  JA             Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RJC               Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking                              Device         Reel Size                Tape width

          52AP                             FDN352AP              7''                      8mm

2005 Fairchild Semiconductor Corporation                   1                                      www.fairchildsemi.com

FDN352AP Rev. C1
Electrical Characteristics TA = 25C unless otherwise noted                                                                                          FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

Symbol                   Parameter                         Test Conditions                 Min Typ Max Units

Off Characteristics

BVDSS DrainSource Breakdown Voltage                VGS = 0 V, ID = 250 A                30                    V
                                                    ID = 250 A, Referenced to 25C                  17      mV/C
BVDSS    Breakdown Voltage Temperature Coefficient
  TJ                                                VDS = 24 V, VGS = 0 V
                                                    VGS = 25 V, VDS = 0 V
IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current                                                                   1  A

IGSS     GateBody Leakage                                                                                 100 nA

On Characteristics (Note 2)

VGS(th)  Gate Threshold Voltage                     VDS = VGS, ID = 250 A                0.8 2.0 2.5      V
VGS(th)                                             ID = 250 A, Referenced to 25C
         Gate Threshold Voltage                                                            4                   mV/C
  TJ     Temperature Coefficient
                                                    VGS = 10 V, ID = 1.3 A               150 180 m
RDS(on)  Static DrainSource                        VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A              250 300
         OnResistance                              VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A, TJ = 125C  330 400

gFS      Forward Transconductance                   VDS = 5 V, ID = 0.9 A                2.0                 S

Dynamic Characteristics

Ciss     Input Capacitance                          VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz    150                 pF

Coss     Output Capacitance                                                                40                  pF

Crss     Reverse Transfer Capacitance                                                      20                  pF

Switching Characteristics (Note 2)

td(on)   TurnOn Delay Time                         VDD = 10 V, ID = 1 A,                4               8   ns
tr       TurnOn Rise Time                          VGS = 10 V, RGEN = 6
                                                                                           15              28  ns

td(off)  TurnOff Delay Time                                                               10              18  ns

tf       TurnOff Fall Time                                                                1               2   ns

Qg       Total Gate Charge                          VDS = 10V, ID = 0.9 A,               1.4 1.9 nC
                                                    VGS = 4.5 V
Qgs      GateSource Charge                                                                0.5                 nC

Qgd      GateDrain Charge                                                                 0.5                 nC

DrainSource Diode Characteristics and Maximum Ratings

IS       Maximum Continuous DrainSource Diode Forward Current                                             0.42 A

VSD      DrainSource Diode Forward Voltage         VGS = 0 V, IS = 0.42 A (Note 2)       0.8 1.2           V

trr      Diode Reverse Recovery Time                IF = 3.9 A,                           17                  ns
                                                    dIF/dt = 100 A/s
Qrr      Diode Reverse Recovery Charge                                                     7                   nC

Notes:
1. RJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting

   surface of the drain pins RJC is guaranteed by design while RJA is determined by the user's board design.
   (a) RJA = 250C/W when mounted on a 0.02 in2 pad of 2oz. copper.
   (b) RJA = 270C/W when mounted on a 0.001 in2 pad of 2oz. copper.

2. Pulse Test: Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2.0%

                                                        2                                                  www.fairchildsemi.com

FDN352AP Rev. C1
Typical Characteristics                                                                                                                                                                                                                                                     FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

                        10                                                                                                     RDS(ON), NORMALIZED                  2.4
                                 VGS = -10V                                                                                        DRAIN-SOURCE ON-RESISTANCE                VGS = -4.0V

                         8                                                                                                                                          2.2

-ID, DRAIN CURRENT (A)   6                                                                                                                                          2.0

                                                           -6.0V                                                                                                                       -4.5V
                                                                                                                                                                    1.8

                                                                                                                                                                                                -5.0V

                                                                                                                                                                    1.6

                                                                           -4.5V                                                                                                                       -6.0V
                        4
                                                                                                                                                                    1.4                                           -7.0V
                                                                                          -4.0V
                                                                                                                                                                                                                         -8.0V

                                                                                                                                                                    1.2                                                                            -10V

                        2                                                                           -3.5V

                                                                                                                                                                    1.0

                                                                                                               -3.0V

                        0                                                                                                                                           0.8
                                                                                                                                                                         0
                                0            1                    2               3                 4                 5                                                                   2            4          6                             8                      10

                                                -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                                                      -ID, DRAIN CURRENT (A)

                                      Figure 1. On-Region Characteristics.                                                                                             Figure 2. On-Resistance Variation with
                                                                                                                                                                           Drain Current and Gate Voltage.

RDS(ON), NORMALIZED             1.4                                                                                            RDS(ON), ON-RESISTANCE (OHM)    0.7
    DRAIN-SOURCE ON-RESISTANCE              ID = -0.9A                                                                                                                                                                                                    ID = -0.45A
                                           VGS = -10V
                                                                                                                                                               0.6
                                1.2

                                                                                                                                                               0.5

                                   1                                                                                                                           0.4                           TA = 125 oC

                                0.8                                                                                                                            0.3
                                                                                                                                                                          TA = 25 oC

                                                                                                                                                               0.2

                                0.6                                                                                                                            0.1

                                      -50 -25           0         25    50           75             100 125 150                                                     2                     4                    6                             8                         10

                                                        TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)                                                                                                   -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

                                   Figure 3. On-Resistance Variation with                                                                                              Figure 4. On-Resistance Variation with
                                                     Temperature.                                                                                                                Gate-to-Source Voltage.

                        10                                           TA = -55 oC                                               -IS, REVERSE DRAIN CURRENT (A)       100
                                     VDS = -5V                                                                                                                                VGS = 0V

                         8                                                                                                                                           10

-ID, DRAIN CURRENT (A)   6                                                                          125 oC                                                           1
                                                                                                                                                                  0.1
                         4                                                           25oC                                                                       0.01                         TA = 125 oC
                                                                                                                                                               0.001                                               25 oC
                                                                                                                                                                                                                                 -55oC

                        2

                        0                                                                                                                                      0.0001

                                1     2                 3            4            5              6          7            8                                               0.0  0.2            0.4          0.6     0.8                   1.0        1.2                 1.4

                                                -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                                      -VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

                                      Figure 5. Transfer Characteristics.                                                      Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
                                                                                                                                     with Source Current and Temperature.

                                                                                                                            3                                                                                                                   www.fairchildsemi.com

FDN352AP Rev. C1
Typical Characteristics                                                                                                                                                                                                                                                               FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

-VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)  10                                                   VDS = -10V                                                                            200
                                      ID = -0.9A                                                                                                                                                                                                                       f = 1 MHz
                                                                                                                -20V                     CAPACITANCE (pF)                                                                                                              VGS = 0 V
                                8
                                                                                                                                                                          150
                                6
                                                                                                                                                                                                                                             Ciss
                                4
                                                                                                                                                                          100

                                                                                                      -15V

                                                                                                                                                                                                          Coss
                                                                                                                                                                          50

                               2

                                                                                                                                                                                 Crss

                               0                                                                                                                                          0

                                    0                                   0.5   1     1.5                     2         2.5     3                                               0        5     10                          15         20       25                                   30

                                                                              Qg, GATE CHARGE (nC)                                                                                        -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

                                     Figure 7. Gate Charge Characteristics.                                                                                                   Figure 8. Capacitance Characteristics.

                               100                                                                                                                                        50

                                                                                                                                         P(pk), PEAK TRANSIENT POWER (W)                                                                 SINGLE PULSE

                                                                                                                                                                          40                                                             RJA = 270C/W
                                                                                                                                                                                                                                            TA = 25C
-ID, DRAIN CURRENT (A)         10                                                                                      100s
                                            RDS(ON) LIMIT                                                       1ms

                                                                                                                                                                          30

                                 1                                                                  10ms                                                                  20

                                            VGS = -10V                                          100ms
                               0.1 SINGLE PULSE                                              1s
                                                                                       10s
                                         RJA = 270oC/W                              DC
                                             TA = 25oC
                                                                                                                                                                          10

                               0.01                                                                                                                                       0

                                     0.1                                         1                          10                100                                         0.0001 0.001 0.01                         0.1      1           10  100        1000

                                                                              -VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                                        t1, TIME (sec)

                                  Figure 9. Maximum Safe Operating Area.                                                                                                         Figure 10. Single Pulse Maximum
                                                                                                                                                                                           Power Dissipation.

                               r(t), NORMALIZED EFFECTIVE            1        D = 0.5                                                                                                                                       RJA(t) = r(t) * R JA
                                   TRANSIENT THERMAL RESISTANCE   0.1          0.2                                                                                                                                           RJA = 270C/W
                                                                 0.01           0.1
                                                                                0.05                                                                                                                                     P(pk)
                                                                                  0.02                                                                                                                                             t1
                                                                                    0.01                                                                                                                                              t2

                                                                                        SINGLE PULSE                                                                                                                       TJ TA = P * RJA(t)
                                                                                                                                                                                                                          Duty Cycle, D = t 1 / t2

                                                                 0.001              0.001                       0.01             0.1                                             1                              10                  100             1000
                                                                      0.0001

                                                                                                                                      t1, TIME (sec)

                                                                                        Figure 11. Transient Thermal Response Curve.

                                                                                    Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
                                                                                    Transient thermal response will change depending on the circuit board design.

                                                                                                                                      4                                                                                                      www.fairchildsemi.com

FDN352AP Rev. C1
TRADEMARKS                                                                                                                     FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.

ACExTM                FAST                  ISOPLANARTM        PowerSaverTM                SuperSOTTM-8
                                            LittleFETTM        PowerTrench                 SyncFETTM
ActiveArrayTM FASTrTM                       MICROCOUPLERTM     QFET                        TinyLogic
                                            MicroFETTM         QSTM                        TINYOPTOTM
BottomlessTM FPSTM                          MicroPakTM         QT OptoelectronicsTM        TruTranslationTM
                                            MICROWIRETM        Quiet SeriesTM              UHCTM
Build it NowTM FRFETTM                      MSXTM              RapidConfigureTM            UltraFET
                                            MSXProTM           RapidConnectTM              UniFETTM
CoolFETTM             GlobalOptoisolatorTM  OCXTM              SerDesTM                   VCXTM
                                            OCXProTM           SILENT SWITCHER             WireTM
CROSSVOLTTM GTOTM                           OPTOLOGIC          SMART STARTTM
                                            OPTOPLANARTM       SPMTM
DOMETM                HiSeCTM               PACMANTM           StealthTM
                                            POPTM              SuperFETTM
EcoSPARKTM I2CTM                            Power247TM         SuperSOTTM-3

E2CMOSTM              i-LoTM                PowerEdgeTM        SuperSOTTM-6

EnSignaTM             ImpliedDisconnectTM

FACTTM                IntelliMAXTM

FACT Quiet SeriesTM

Across the board. Around the world.TM
The Power Franchise
Programmable Active DroopTM

DISCLAIMER

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY
ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT
CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.

LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILD'S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT

DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.

As used herein:

1. Life support devices or systems are devices or              2. A critical component is any component of a life

systems which, (a) are intended for surgical implant into      support device or system whose failure to perform can

the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose         be reasonably expected to cause the failure of the life

failure to perform when properly used in accordance            support device or system, or to affect its safety or

with instructions for use provided in the labeling, can be     effectiveness.
reasonably expected to result in significant injury to the

user.

PRODUCT STATUS DEFINITIONS

Definition of Terms

Datasheet Identification            Product Status                             Definition

Advance Information                 Formative or               This datasheet contains the design specifications for
                                    In Design                  product development. Specifications may change in
                                                               any manner without notice.

Preliminary                         First Production           This datasheet contains preliminary data, and
                                                               supplementary data will be published at a later date.
                                                               Fairchild Semiconductor reserves the right to make
                                                               changes at any time without notice in order to improve
                                                               design.

No Identification Needed            Full Production            This datasheet contains final specifications. Fairchild
                                                               Semiconductor reserves the right to make changes at
                                                               any time without notice in order to improve design.

            Obsolete                Not In Production          This datasheet contains specifications on a product
FDN352AP Rev. C1                                               that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
                                                               The datasheet is printed for reference information only.

                                                                                                                     Rev. I16

                                                            5                              www.fairchildsemi.com
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