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EBD25UC8AKFA-5B-E

器件型号:EBD25UC8AKFA-5B-E
文件大小:1937.82KB,共13页
厂商名称:Elpida Memory
厂商官网:http://www.elpida.com/en
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器件描述

256mb unbuffered ddr sdram dimm (32m words X 64 bits, 1 rank)

EBD25UC8AKFA-5B-E器件文档内容

                                         PRELIMINARY DATA SHEET

         256MB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

                EBD25UC8AKFA-5-E (32M words × 64 bits, 1 Rank)

Description                                                        Features

The EBD25UC8AKFA is 32M words × 64 bits, 1 rank                    • 184-pin socket type dual in line memory module
                                                                      (DIMM)
Double Data Rate (DDR) SDRAM unbuffered module,

mounting 8 pieces of 256M bits DDR SDRAM sealed in                   PCB height:     31.75mm

TSOP     package.   Read          and    write   operations  are     Lead pitch:   1.27mm

performed at the cross points of the CK and the /CK.                 Lead-free

This high-speed data transfer is realized by the 2 bits            • 2.5 V power supply

prefetch-pipelined  architecture.        Data    strobe   (DQS)    • Data rate: 400Mbps (max.)

both for read and write are available for high speed and

reliable data bus design.         By setting extended mode         • 2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O

register, the on-chip Delay Locked Loop (DLL) can be               • Double Data Rate architecture; two data transfers per

set   enable    or  disable.      This   module  provides    high     clock cycle

density  mounting   without       utilizing      surface  mount    • Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted

technology.         Decoupling    capacitors     are      mounted     /received with data, to be used in capturing data at

beside each TSOP on the module board.                                 the receiver

                                                                   • Data inputs and outputs are synchronized with DQS

                                                                   • 4 internal banks for concurrent operation

                                                                      (Components)

                                                                   • DQS is edge aligned with data for READs; center

                                                                      aligned with data for WRITEs

                                                                   •  Differential clock inputs (CK and /CK)

                                                                   •  DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

                                                                      transitions

                                                                   • Commands entered on each positive CK edge; data
                                                                      referenced to both edges of DQS

                                                                   • Data mask (DM) for write data

                                                                   • Auto precharge option for each burst access

                                                                   • Programmable burst length:     2, 4, 8

                                                                   • Programmable /CAS latency (CL):         3

                                                                   • Programmable output driver strength: normal/weak

                                                                   • Refresh cycles:  (8192 refresh cycles /64ms)

                                                                     7.8µs maximum average periodic refresh interval

                                                                   • 2 variations of refresh

                                                                     Auto refresh

                                                                     Self refresh

Document No. E0602E10 (Ver. 1.0)

Date Published  October 2004  (K) Japan

URL:  http://www.elpida.com

                                                                                                       Elpida Memory, Inc. 2004
                                                                                                           EBD25UC8AKFA-5-E

Ordering Information

                        Data rate               Component JEDEC        speed bin                           Contact

Part number             Mbps (max.)             (CL-tRCD-tRP)                       Package                pad        Mounted devices

EBD25UC8AKFA-5B-E       400                     DDR400B (3-3-3)                     184-pin DIMM           Gold       EDD2508AKTA-5B-E

EBD25UC8AKFA-5C-E                               DDR400C (3-4-4)                     (lead-free)                       EDD2508AKTA-5B/5C-E

Pin Configurations

                                                           Front side

                                             1  pin                             52  pin 53 pin    92 pin

                                             93 pin                         144     pin  145  pin 184 pin

                                                           Back side

Pin No.      Pin name   Pin No.                      Pin name          Pin No.                Pin name           Pin No.  Pin name

1            VREF       47                           NC                93                     VSS                139      VSS

2            DQ0        48                           A0                94                     DQ4                140      NC

3            VSS        49                           NC                95                     DQ5                141      A10

4            DQ1        50                           VSS               96                     VDD                142      NC

5            DQS0       51                           NC                97                     DM0/DQS9           143      VDD

6            DQ2        52                           BA1               98                     DQ6                144      NC

7            VDD        53                           DQ32              99                     DQ7                145      VSS

8            DQ3        54                           VDD               100                    VSS                146      DQ36

9            NC         55                           DQ33              101                    NC                 147      DQ37

10           NC         56                           DQS4              102                    NC                 148      VDD

11           VSS        57                           DQ34              103                    NC                 149      DM4/DQS13

12           DQ8        58                           VSS               104                    VDD                150      DQ38

13           DQ9        59                           BA0               105                    DQ12               151      DQ39

14           DQS1       60                           DQ35              106                    DQ13               152      VSS

15           VDD        61                           DQ40              107                    DM1/DQS10          153      DQ44

16           CK1        62                           VDD               108                    VDD                154      /RAS

17           /CK1       63                           /WE               109                    DQ14               155      DQ45

18           VSS        64                           DQ41              110                    DQ15               156      VDD

19           DQ10       65                           /CAS              111                    NC                 157      /CS0

20           DQ11       66                           VSS               112                    VDD                158      NC

21           CKE0       67                           DQS5              113                    NC                 159      DM5/DQS14

22           VDD        68                           DQ42              114                    DQ20               160      VSS

23           DQ16       69                           DQ43              115                    A12                161      DQ46

24           DQ17       70                           VDD               116                    VSS                162      DQ47

25           DQS2       71                           NC                117                    DQ21               163      NC

26           VSS        72                           DQ48              118                    A11                164      VDD

27           A9         73                           DQ49              119                    DM2/DQS11          165      DQ52

28           DQ18       74                           VSS               120                    VDD                166      DQ53

29           A7         75                           /CK2              121                    DQ22               167      NC

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                                       2
                                                                          EBD25UC8AKFA-5-E

Pin No.  Pin name       Pin No.              Pin name  Pin No.  Pin name   Pin No.  Pin name

30       VDD            76                   CK2       122      A8         168      VDD

31       DQ19           77                   VDD       123      DQ23       169      DM6/DQS15

32       A5             78                   DQS6      124      VSS        170      DQ54

33       DQ24           79                   DQ50      125      A6         171      DQ55

34       VSS            80                   DQ51      126      DQ28       172      VDD

35       DQ25           81                   VSS       127      DQ29       173      NC

36       DQS3           82                   VDDID     128      VDD        174      DQ60

37       A4             83                   DQ56      129      DM3/DQS12  175      DQ61

38       VDD            84                   DQ57      130      A3         176      VSS

39       DQ26           85                   VDD       131      DQ30       177      DM7/DQS16

40       DQ27           86                   DQS7      132      VSS        178      DQ62

41       A2             87                   DQ58      133      DQ31       179      DQ63

42       VSS            88                   DQ59      134      NC         180      VDD

43       A1             89                   VSS       135      NC         181      SA0

44       NC             90                   NC        136      VDD        182      SA1

45       NC             91                   SDA       137      CK0        183      SA2

46       VDD            92                   SCL       138      /CK0       184      VDDSPD

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                       3
                                                                                 EBD25UC8AKFA-5-E

Pin Description

Pin name                                        Function

                                                Address input

A0 to A12                                       Row address           A0 to A12

                                                Column address        A0 to A9

BA0, BA1                                        Bank select address

DQ0 to DQ63                                     Data input/output

/RAS                                            Row address strobe command

/CAS                                            Column address strobe command

/WE                                             Write enable

/CS0                                            Chip select

CKE0                                            Clock enable

CK0 to CK2                                      Clock input

/CK0 to /CK2                                    Differential clock input

DQS0 to DQS7                                    Input and output data strobe

DM0 to DM7/DQS9         to  DQS16               Input mask

SCL                                             Clock input for serial PD

SDA                                             Data input/output for serial PD

SA0 to SA2                                      Serial address input

VDD                                             Power for internal circuit

VDDSPD                                          Power for serial EEPROM

VREF                                            Input reference voltage

VSS                                             Ground

VDDID                                           VDD identification flag

NC                                              No connection

Preliminary Data Sheet  E0602E10   (Ver.  1.0)

                                                               4
                                                                                                 EBD25UC8AKFA-5-E

Serial PD Matrix

Byte  No.  Function described                             Bit7  Bit6  Bit5  Bit4  Bit3  Bit2  Bit1  Bit0  Hex value  Comments

0          Number of bytes utilized by module             1     0     0     0     0     0     0     0     80H        128 bytes

           manufacturer

1          Total number of bytes in serial PD             0     0     0     0     1     0     0     0     08H        256 bytes

           device

2          Memory type                                    0     0     0     0     0     1     1     1     07H        DDR SDRAM

3          Number of row address                          0     0     0     0     1     1     0     1     0DH        13

4          Number of column address                       0     0     0     0     1     0     1     0     0AH        10

5          Number of DIMM ranks                           0     0     0     0     0     0     0     1     01H        1

6          Module data width                              0     1     0     0     0     0     0     0     40H        64

7          Module data width continuation                 0     0     0     0     0     0     0     0     00H        0

8          Voltage interface level of this assembly       0     0     0     0     0     1     0     0     04H        SSTL2

9          DDR SDRAM cycle time, CL = 3                   0     1     0     1     0     0     0     0     50H        5.0ns*1

10         SDRAM access from clock (tAC)                  0     1     1     1     0     0     0     0     70H        0.7ns*1

11         DIMM configuration type                        0     0     0     0     0     0     0     0     00H        None.

12         Refresh rate/type                              1     0     0     0     0     0     1     0     82H        7.8µs

13         Primary SDRAM width                            0     0     0     0     1     0     0     0     08H        ×8

14         Error checking SDRAM width                     0     0     0     0     0     0     0     0     00H        None.

           SDRAM device attributes:

15         Minimum clock delay back-to-back               0     0     0     0     0     0     0     1     01H        1 CLK

           column access

16         SDRAM device attributes:                       0     0     0     0     1     1     1     0     0EH        2,4,8

           Burst length supported

17         SDRAM device attributes: Number            of  0     0     0     0     0     1     0     0     04H        4

           banks on SDRAM device

18         SDRAM device attributes:                       0     0     0     1     1     1     0     0     1CH        2, 2.5, 3

           /CAS latency

19         SDRAM device attributes:                       0     0     0     0     0     0     0     1     01H        0

           /CS latency

20         SDRAM device attributes:                       0     0     0     0     0     0     1     0     02H        1

           /WE latency

21         SDRAM module attributes                        0     0     1     0     0     0     0     0     20H        Differential

                                                                                                                     Clock

22         SDRAM device attributes:          General      1     1     0     0     0     0     0     0     C0H        VDD ± 0.2V

23         Minimum clock cycle time at CL = 2.5           0     1     1     0     0     0     0     0     60H        6.0ns*1

24         Maximum data access time (tAC) from            0     1     1     1     0     0     0     0     70H        0.7ns*1

           clock at CL = 2.5

25         Minimum clock cycle time at CL = 2             0     1     1     1     0     1     0     1     75H        0.75ns*1

26         Maximum data access time (tAC) from            0     1     1     1     0     1     0     1     75H        0.75ns*1

           clock at CL = 2

27         Minimum row precharge time (tRP)               0     0     1     1     1     1     0     0     3CH        15ns

           -5B

           -5C                                            0     1     0     0     1     0     0     0     48H        18ns

28         Minimum row active to row active               0     0     1     0     1     0     0     0     28H        10ns

           delay (tRRD)

29         Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)              0     0     1     1     1     1     0     0     3CH        15ns

           -5B

           -5C                                            0     1     0     0     1     0     0     0     48H        18ns

30         Minimum active to precharge time               0     0     1     0     1     0     0     0     28H        40ns

           (tRAS)

31         Module rank density                            0     1     0     0     0     0     0     0     40H        256M bytes

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                                      5
                                                                                           EBD25UC8AKFA-5-E

Byte No.    Function described                      Bit7  Bit6  Bit5  Bit4  Bit3  Bit2  Bit1  Bit0  Hex value  Comments

32          Address and command setup time          0     1     1     0     0     0     0     0     60H        0.6ns*1

            before clock (tIS)

33          Address and command hold time after     0     1     1     0     0     0     0     0     60H        0.6ns*1

            clock (tIH)

34          Data input setup time before clock      0     1     0     0     0     0     0     0     40H        0.4ns*1

            (tDS)

35          Data input hold time after clock (tDH)  0     1     0     0     0     0     0     0     40H        0.4ns*1

36 to 40    Superset information                    0     0     0     0     0     0     0     0     00H        Future use

41          Active command period (tRC)             0     0     1     1     0     1     1     1     37H        55ns*1

            -5B

            -5C                                     0     0     1     1     1     1     0     0     3CH        60ns*1

42          Auto refresh to active/                 0     1     0     0     0     1     1     0     46H        70ns*1

            Auto refresh command cycle (tRFC)

43          SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)         0     0     1     0     0     0     0     0     20H        8ns*1

44          Dout to DQS skew                        0     0     1     0     1     0     0     0     28H        0.4ns*1

45          Data hold skew (tQHS)                   0     1     0     1     0     0     0     0     50H        0.5ns*1

46  to  61  Superset information                    0     0     0     0     0     0     0     0     00H        Future use

62          SPD Revision                            0     0     0     0     0     0     0     0     00H

63          Checksum for bytes 0 to 62              0     1     0     1     1     1     1     0     5EH

            -5B

            -5C                                     0     1     1     1     1     0     1     1     7BH

64  to  65  Manufacturer’s JEDEC ID code            0     1     1     1     1     1     1     1     7FH        Continuation

                                                                                                               code

66          Manufacturer’s JEDEC ID code            1     1     1     1     1     1     1     0     FEH        Elpida Memory

67  to  71  Manufacturer’s JEDEC ID code            0     0     0     0     0     0     0     0     00H

72          Manufacturing location                  ×     ×     ×     ×     ×     ×     ×     ×     ××         (ASCII-8bit

                                                                                                               code)

73          Module part number                      0     1     0     0     0     1     0     1     45H        E

74          Module part number                      0     1     0     0     0     0     1     0     42H        B

75          Module part number                      0     1     0     0     0     1     0     0     44H        D

76          Module part number                      0     0     1     1     0     0     1     0     32H        2

77          Module part number                      0     0     1     1     0     1     0     1     35H        5

78          Module part number                      0     1     0     1     0     1     0     1     55H        U

79          Module part number                      0     1     0     0     0     0     1     1     43H        C

80          Module part number                      0     0     1     1     1     0     0     0     38H        8

81          Module part number                      0     1     0     0     0     0     0     1     41H        A

82          Module part number                      0     1     0     0     1     0     1     1     4BH        K

83          Module part number                      0     1     0     0     0     1     1     0     46H        F

84          Module part number                      0     1     0     0     0     0     0     1     41H        A

85          Module part number                      0     0     1     0     1     1     0     1     2DH        —

86          Module part number                      0     0     1     1     0     1     0     1     35H        5

87          Module part number                      0     1     0     0     0     0     1     0     42H        B

            -5B

            -5C                                     0     1     0     0     0     0     1     1     43H        C

88          Module part number                      0     0     1     0     1     1     0     1     2DH        —

89          Module part number                      0     1     0     0     0     1     0     1     45H        E

90          Module part number                      0     0     1     0     0     0     0     0     20H        (Space)

91          Revision code                           0     0     1     1     0     0     0     0     30H        Initial

92          Revision code                           0     0     1     0     0     0     0     0     20H        (Space)

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                                6
                                                                                      EBD25UC8AKFA-5-E

Byte No.     Function described                Bit7  Bit6  Bit5  Bit4  Bit3  Bit2  Bit1  Bit0   Hex value  Comments

93           Manufacturing date                ×     ×     ×     ×     ×     ×     ×     ×      ××         Year code

                                                                                                           (HEX)

94           Manufacturing date                ×     ×     ×     ×     ×     ×     ×     ×      ××         Week code

                                                                                                           (HEX)

95 to 98     Module serial number

99 to 127    Manufacture specific data

Note: 1.     These specifications are defined  based on component specification,   not module.

Preliminary  Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                           7
                                                                                                               EBD25UC8AKFA-5-E

Block Diagram

                         /CS0                                                                      RS

                                                RS                                                            DM0/DQS9

                         DQS0

                                             8  RS  DQS                 /CS  DM

                         DQ0 to DQ7                 DQ                  U1

                                                RS                                                 RS

                         DQS1                                                                                 DM1/DQS10

                                             8  RS  DQS                 /CS  DM

                         DQ8 to DQ15                DQ                  U11

                                                RS                                                 RS

                         DQS2                                                                                 DM2/DQS11

                                             8  RS  DQS                 /CS  DM

                         DQ16 to DQ23               DQ                  U3

                                                RS                                                 RS

                         DQS3                                                                                 DM3/DQS12

                                             8  RS  DQS                 /CS  DM

                         DQ24 to DQ31               DQ                  U13

                                                RS                                                 RS

                         DQS4                                                                                 DM4/DQS13

                                             8  RS  DQS                 /CS  DM

                         DQ32 to DQ39               DQ                  U14

                                                RS                                                 RS

                         DQS5                                                                                 DM5/DQS14

                                             8  RS  DQS                 /CS  DM

                         DQ40 to DQ47               DQ                  U6

                                                RS                                                 RS

                         DQS6                                                                                 DM6/DQS15

                                             8  RS  DQS                 /CS  DM

                         DQ48 to DQ55               DQ                  U16

                                                RS                                                 RS

                         DQS7                                                                                 DM7/DQS16

                                             8  RS  DQS                 /CS  DM

                         DQ56 to DQ63               DQ                  U8

                                                                                               5.1Ω

*  U1, U3, U6, U8, U11, U13, U14, U16 :      256M bits DDR SDRAM                A0 to A12                A0 to A12 (U1, U3, U6, U8, U11, U13, U14, U16)

   U20:  2k bits EEPROM                                                                        5.1Ω

   RS:   22Ω                                                                    BA0, BA1                 BA0, BA1 (U1, U3, U6, U8, U11, U13, U14, U16)

                                                                                               5.1Ω

   VDD                                                                               /RAS                /RAS (U1, U3, U6, U8, U11, U13, U14, U16)

                                             U1, U3, U6, U8, U11, U13,  U14, U16               5.1Ω

   VREF                                      U1, U3, U6, U8, U11, U13,  U14, U16     /CAS                /CAS (U1, U3, U6, U8, U11, U13, U14, U16)

   VSS                                       U1, U3, U6, U8, U11, U13,  U14, U16     /WE       5.1Ω       (U1, U3, U6, U8, U11, U13, U14, U16)

   VDDID                                                                             CKE0                 (U1, U3, U6, U8, U11, U13, U14, U16)

              open

          Clock wiring                                                                         Serial PD

          Clock input    DDR SDRAMS                                          SCL           SCL

          CK0, /CK0      2DRAM loads                                                                      SDA            SDA

          CK1, /CK1      3DRAM loads                                                               U20

          CK2, /CK2      3DRAM loads                                                           A0    A1   A2

          Note:         Wire per Clock loading table/Wiring diagrams.

                                                                                           SA0     SA1    SA2

                                                                             Notes:

                                                                             1. The SDA pull-up resistor is required due to

                                                                                the open-drain/open-collector output.

                                                                             2. The SCL pull-up resistor is recommended

                                                                                because of the normal SCL line inacitve

                                                                                "high" state.

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                                             8
                                                                                      EBD25UC8AKFA-5-E

Logical Clock Net Structure

6DRAM loads                                  DRAM1           5DRAM loads              DRAM1

             R = 120Ω                        DRAM2                        R  =  120Ω  DRAM2

CLK

                                             DRAM3                                    DRAM3

DIMM                                                         DIMM

connector                                                    connector

                                             DRAM4                                    Capacitance

/CLK

                                             DRAM5                                    DRAM5

                                             DRAM6                                    DRAM6

4DRAM loads                                  DRAM1           3DRAM loads              DRAM1

             R = 120Ω                        DRAM2                        R  =  120Ω  Capacitance

                                             Capacitance                              DRAM3

DIMM                                                         DIMM

connector                                                    connector

                                             Capacitance                              Capacitance

                                             DRAM5                                    DRAM5

                                             DRAM6                                    Capacitance

2DRAM loads                                  DRAM1           1DRAM loads              Capacitance

             R = 120Ω                        Capacitance                  R  =  120Ω  Capacitance

                                             Capacitance                              DRAM3

DIMM                                                         DIMM

connector                                                    connector

                                             Capacitance                              Capacitance

                                             DRAM5

                                             Capacitance                              Capacitance

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                          9
                                                                                               EBD25UC8AKFA-5-E

Electrical Specifications

• All voltages are referenced to VSS (GND).

Absolute Maximum Ratings

Parameter                                           Symbol           Value                        Unit          Note

Voltage on any pin relative to VSS                  VT               –0.5 to +3.6                 V

Supply voltage relative to VSS                      VDD              –0.5 to +3.6                 V

Short circuit output current                        IOS              50                           mA

Power dissipation                                   PD               8                            W

Operating ambient temperature                       TA               0 to +70                     °C            1

Storage temperature                                 Tstg             –55 to +125                  °C

Note:  1.  DDR SDRAM component specification.

Caution    Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause

           permanent damage.                 The device is not meant to be operated under conditions outside the limits

           described in the operational section of this specification Exposure to Absolute Maximum Rating

           conditions for extended periods may affect device reliability.

DC Operating Conditions (TA = 0 to +70°C) (DDR SDRAM Component Specification)

Parameter                           Symbol              min.               typ.             max.                Unit  Notes

Supply voltage                      VDD,VDDQ            2.5                2.6              2.7                 V     1

                                    VSS                 0                  0                0                   V

Input reference voltage             VREF                0.49 × VDDQ        0.50 × VDDQ      0.51 × VDDQ         V

Termination voltage                 VTT                 VREF – 0.04        VREF             VREF + 0.04         V

Input high voltage                  VIH (DC)            VREF + 0.15        —                VDDQ + 0.3          V     2

Input low voltage                   VIL (DC)            –0.3               —                VREF – 0.15         V     3

Input voltage level,                VIN (DC)            –0.3               —                VDDQ + 0.3          V     4

CK and /CK inputs

Input differential cross point      VIX (DC)            0.5 × VDDQ − 0.2V  0.5 × VDDQ       0.5 × VDDQ + 0.2V   V

voltage, CK and /CK inputs

Input differential voltage,         VID (DC)            0.36               —                VDDQ + 0.6          V     5, 6

CK and /CK inputs

Notes: 1.  VDDQ must be lower than or equal to VDD.

       2.  VIH is allowed to exceed VDD up to 3.6V for the period shorter than or equal to 5ns.

       3.  VIL is allowed to outreach below VSS down to – 1.0V for the period shorter than or equal to 5ns.

       4.  VIN (DC) specifies the allowable DC execution of each differential input.

       5.  VID (DC) specifies the input differential voltage required for switching.

       6.  VIH        (CK)    min  assumed    over  VREF      +  0.18V,    VIL   (CK)  max     assumed   under  VREF  –     0.18V

           if measurement.

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                                 10
                                                                                              EBD25UC8AKFA-5-E

DC Characteristics 1 (TA = 0 to +70°C, VDD = 2.6V ± 0.1V, VSS = 0V)

Parameter                             Symbol  Grade                  max.             Unit    Test condition        Notes

Operating current (ACTV-PRE)          IDD0    -5B                    880              mA      CKE ≥ VIH,            1, 2, 9

                                              -5C                    800                      tRC = tRC (min.)

Operating current                             -5B                    1120                     CKE ≥ VIH, BL = 4,

(ACTV-READ-PRE)                       IDD1    -5C                    1040             mA      CL = 3,               1,  2, 5

                                                                                              tRC = tRC (min.)

Idle power down standby current       IDD2P                          24               mA      CKE ≤ VIL             4

Floating idle                         IDD2F                          240              mA      CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH  4,  5

Standby current                                                                               DQ, DQS, DM = VREF

Quiet idle                            IDD2Q                          200              mA      CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH  4,  10

Standby current                                                                               DQ, DQS, DM = VREF

Active power down                     IDD3P                          160              mA      CKE ≤ VIL             3

standby current

Active standby current                IDD3N                          480              mA      CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH  3,  5, 6

                                                                                              tRAS = tRAS (max.)

Operating current                     IDD4R                          1600             mA      CKE ≥ VIH, BL = 2,    1,  2, 5,  6

(Burst read operation)                                                                        CL = 3

Operating current                     IDD4W                          1680             mA      CKE ≥ VIH, BL = 2,    1,  2, 5,  6

(Burst write operation)                                                                       CL = 3

Auto refresh current                  IDD5                           1360             mA      tRFC = tRFC (min.),

                                                                                              Input ≤ VIL or ≥ VIH

Self refresh current                  IDD6                           24               mA      Input ≥ VDD – 0.2 V

                                                                                              Input ≤ 0.2 V

Operating current                     IDD7A                          2560             mA      BL = 4                1, 5, 6,   7

(4 banks interleaving)

Notes: 1.      These IDD data are measured under condition that DQ pins are not connected.

       2.      One bank operation.

       3.      One bank active.

       4.      All banks idle.

       5.      Command/Address transition once per one cycle.

       6.      DQ, DM and DQS transition twice per one cycle.

       7.      4 banks active.   Only one bank is running at tRC = tRC (min.)

       8.      The IDD data on this table are measured with regard to tCK = tCK (min.) in general.

       9.      Command/Address transition once per one every two clock cycles.

       10. Command/Address stable at          ≥ VIH or ≤ VIL.

DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ               =  2.6V ±   0.1V,  VSS =  0V)

Parameter                        Symbol       min.                max.            Unit        Test condition        Note

Input leakage current            ILI          –16                 16              µA          VDD ≥ VIN ≥ VSS

Output leakage current           ILO          –5                  5               µA          VDD ≥ VOUT ≥ VSS

Output high current              IOH          –15.2               —               mA          VOUT = 1.95V          1

Output low current               IOL          15.2                —               mA          VOUT = 0.35V          1

Note:  1.      DDR SDRAM component specification.

Preliminary Data Sheet   E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                                  11
                                                                                              EBD25UC8AKFA-5-E

Pin Capacitance (TA =       25°C,    VDD = 2.6V     ±  0.1V)

Parameter                              Symbol          Pins                         max.                  Unit        Note

Input capacitance                      CI1             Address, /RAS,  /CAS,  /WE,  70                    pF

                                                       /CS, CKE

Input capacitance                      CI2             CK, /CK                      50                    pF

Data and DQS input/output              CO              DQ, DQS, DM                  10                    pF

capacitance

AC Characteristics (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ = 2.6V ±                0.1V, VSS    =  0V)

(DDR SDRAM Component Specification)

                                                       -5B                             -5C

Parameter                                    Symbol    min.            max.            min.         max.        Unit  Notes

Clock cycle time                             tCK       5               8               5            8           ns    10

CK high-level width                          tCH       0.45            0.55            0.45         0.55        tCK

CK low-level width                           tCL       0.45            0.55            0.45         0.55        tCK

CK half period                               tHP       min             —               min          —           tCK

                                                       (tCH, tCL)                      (tCH,  tCL)

DQ output access time from CK, /CK           tAC       –0.7            0.7             –0.7         0.7         ns    2,    11

DQS output access time from CK, /CK          tDQSCK    –0.55           0.55            –0.55        0.55        ns    2,    11

DQS to DQ skew                               tDQSQ     —               0.4             —            0.4         ns    3

DQ/DQS output hold time from DQS             tQH       tHP – tQHS      —               tHP –  tQHS  —           ns

Data hold skew factor                        tQHS      —               0.5             —            0.5         ns

Data-out high-impedance time                 tHZ       —               0.7             —            0.7         ns    5,    11

from CK, /CK

Data-out low-impedance time                  tLZ       –0.7            0.7             –0.7         0.7         ns    6,    11

from CK, /CK

Read preamble                                tRPRE     0.9             1.1             0.9          1.1         tCK

Read postamble                               tRPST     0.4             0.6             0.4          0.6         tCK

DQ and DM input setup time                   tDS       0.4             —               0.4          —           ns    8

DQ and DM input hold time                    tDH       0.4             —               0.4          —           ns    8

DQ and DM input pulse width                  tDIPW     1.75            —               1.75         —           ns    7

Write preamble setup time                    tWPRES    0               —               0            —           ns

Write preamble                               tWPRE     0.25            —               0.25         —           tCK

Write postamble                              tWPST     0.4             0.6             0.4          0.6         tCK   9

Write command to first DQS latching          tDQSS     0.72            1.28            0.72         1.28        tCK

transition

DQS falling edge to CK setup time            tDSS      0.2             —               0.2          —           tCK

DQS falling edge hold time from CK           tDSH      0.2             —               0.2          —           tCK

DQS input high pulse width                   tDQSH     0.35            —               0.35         —           tCK

DQS input low pulse width                    tDQSL     0.35            —               0.35         —           tCK

Address and control input setup time         tIS       0.6             —               0.6          —           ns    8

Address and control input hold time          tIH       0.6             —               0.6          —           ns    8

Address and control input pulse width        tIPW      2.2             —               2.2          —           ns    7

Mode register set command cycle time         tMRD      2               —               2            —           tCK

Active to Precharge command period           tRAS      40              120000          40           120000      ns

Active to Active/Auto refresh command        tRC       55              —               60           —           ns

period

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                                 12
                                                                                               EBD25UC8AKFA-5-E

                                                          -5B                           -5C

Parameter                                    Symbol       min.            max.          min.          max.         Unit  Notes

Auto refresh to Active/Auto refresh          tRFC         70              —             70            —            ns

command period

Active to Read/Write delay                   tRCD         15              —             18            —            ns

Precharge to active command period           tRP          15              —             18            —            ns

Active to Autoprecharge delay                tRAP         tRCD min.       —             tRCD min.     —            ns

Active to active command period              tRRD         10              —             10            —            ns

Write recovery time                          tWR          15              —             15            —            ns

Auto precharge write recovery and            tDAL         (tWR/tCK)+      —             (tWR/tCK)+    —            tCK   13

precharge time                                            (tRP/tCK)                     (tRP/tCK)

Internal write to Read command delay         tWTR         2               —             2             —            tCK

Average periodic refresh interval            tREF         —               7.8           —             7.8          µs

Notes: 1.  All the AC parameters listed in this data sheet is component specifications.                   For AC testing conditions,

           refer to the corresponding component data sheet.

2.         This  parameter         defines   the  signal  transition  delay  from  the  cross  point  of  CK  and  /CK.  The signal

           transition is defined to occur when the signal level crossing VTT.

3.         The timing reference level is VTT.

4.         Output valid window is defined to be the period between two successive transition of data out or DQS

           (read) signals.     The signal transition is defined to occur when the signal level crossing VTT.

5.         tHZ is defined as DOUT transition delay from Low-Z to High-Z at the end of read burst operation.                     The

           timing reference is cross point of CK and /CK.             This parameter is not referred to a specific DOUT voltage

           level, but specify when the device output stops driving.

6.         tLZ is defined as DOUT transition delay from High-Z to Low-Z at the beginning of read operation.                     This

           parameter is not referred to a specific DOUT voltage level, but specify when the device output begins

           driving.

7.         Input valid windows is defined to be the period between two successive transition of data input or DQS

           (write) signals.    The signal transition is defined to occur when the signal level crossing VREF.

8.         The timing reference level is VREF.

9.         The transition from Low-Z to High-Z is defined to occur when the device output stops driving.                 A specific

           reference voltage to judge this transition is not given.

10. tCK (max.) is determined by the lock range of the DLL.                      Beyond this lock range, the DLL operation is not

           assured.

11. tCK = tCK (min) when these parameters are measured.                            Otherwise, absolute minimum values of these

           values are 10% of tCK.

12. VDD is assumed to be 2.6V ± 0.1V.                     VDD power supply variation per cycle expected to be less than

           0.4V/400 cycle.

13.        tDAL = (tWR/tCK)+(tRP/tCK)

           For each of the terms above, if not already an integer, round to the next highest integer.

                        Example:   For –5C Speed at CL = 3, tCK = 5ns, tWR = 15ns and tRP= 18ns,

                        tDAL = (15ns/5ns) + (18ns/5ns) = (3) + (4)

                        tDAL = 7 clocks

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                                      13
                                                                                   EBD25UC8AKFA-5-E

Timing Parameter Measured in Clock Cycle         for Unbuffered  DIMM

                                                                 Number of  clock  cycle

tCK                                                              5ns

Parameter                                        Symbol          min.              max.   Unit

Write to pre-charge command delay (same bank)    tWPD            4 + BL/2          —      tCK

Read to pre-charge command delay (same bank)     tRPD            BL/2              —      tCK

Write to read command delay (to input all data)  tWRD            2 + BL/2          —      tCK

Burst stop command to write command delay        tBSTW           3                 —      tCK

Burst stop command to DQ High-Z                  tBSTZ           3                 3      tCK

Read command to write command delay              tRWD            3 + BL/2          —      tCK

(to output all data)

Pre-charge command to High-Z                     tHZP            3                 3      tCK

Write command to data in latency                 tWCD            1                 1      tCK

Write recovery                                   tWR             3                 —      tCK

DM to data in latency                            tDMD            0                 0      tCK

Mode register set command cycle time             tMRD            2                 —      tCK

Self refresh exit to non-read command            tSNR            15                —      tCK

Self refresh exit to read command                tSRD            200               —      tCK

Power down entry                                 tPDEN           1                 1      tCK

Power down exit to command input                 tPDEX           1                 —      tCK

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

                                                         14
                                                                                                EBD25UC8AKFA-5-E

Pin Functions

CK, /CK (input pin)

The CK and the /CK are the master clock inputs.          All inputs except DMs, DQSs and DQs are referred to the cross

point of the CK rising edge and the VREF level.          When a read operation, DQSs and DQs are referred to the cross

point of the CK and the /CK.     When a write operation, DMs and DQs are referred to the cross point of the DQS and

the VREF level.  DQSs for write operation are referred to the cross point of the CK and the /CK.

/CS (input pin)

When /CS is low, commands and data can be input.                 When /CS is high, all inputs are ignored.             However, internal

operations (bank active, burst operations, etc.) are held.

/RAS, /CAS, and /WE (input pins)

These pins define operating commands (read, write, etc.) depending on the combinations of their voltage levels.

See "Command operation".

A0 to A12 (input pins)

Row address (AX0 to AX12) is determined by the A0 to the A12 level at the cross point of the CK rising edge and the

VREF level in a bank active command cycle.               Column address (AY0 to AY9) is loaded via the A0 to the A9 at the

cross point of the CK rising edge and the VREF level in a read or a write command cycle.                      This column address

becomes the starting address of a burst operation.

A10 (AP) (input pin)

A10 defines the precharge mode when a precharge command, a read command or a write command is issued.                                 If

A10 = high when a precharge command is issued, all banks are precharged.                            If A10 = low when a precharge

command is issued, only the bank that is selected by BA1, BA0 is precharged.                        If A10 = high when read or write

command, auto-precharge function is enabled.             While A10 = low, auto-precharge function is disabled.

BA0, BA1 (input pin)

BA0, BA1 are bank select signals             (BA).  The  memory  array  is  divided  into  bank 0,  bank  1,  bank  2  and  bank  3.  (See

Bank Select Signal Table)

[Bank Select Signal Table]

                                             BA0                                           BA1

Bank 0                                       L                                             L

Bank 1                                       H                                             L

Bank 2                                       L                                             H

Bank 3                                       H                                             H

Remark:    H:  VIH.     L: VIL.

CKE (input pin)

CKE controls power down and self-refresh.                The power down and the self-refresh commands are entered when the

CKE is driven low and exited when it resumes to high.

The CKE level must be kept for 1 CK cycle at least, that is, if CKE changes at the cross point of the CK rising edge

and the VREF level with proper setup time tIS, at the next CK rising edge CKE level must be kept with proper hold

time tIH.

DQ (input and output pins)

Data are input to and output from these pins.

DQS (input and output pin)

DQS provide the read data strobes (as output) and the write data strobes (as input).

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

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                                                                                        EBD25UC8AKFA-5-E

DM (input pins)

DM is the reference signal of the data input mask     function.  DMs  are  sampled  at  the cross point of DQS and VREF

VDD (power supply pins)

2.5V is applied.  (VDD is for the internal circuit.)

VDDSPD (power supply pin)

2.5V is applied (For serial EEPROM).

VSS (power supply pin)

Ground is connected.

Detailed Operation Part and Timing Waveforms

Refer to the EDD2508AKTA-5-E datasheet (E0609E).

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

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                                                                                                                     EBD25UC8AKFA-5-E

Physical Outline

                                                                                                                                                Unit:  mm

                                                              133.35 ± 0.15

                                                                           128.95

                                                                                                                          4.00 max

                                        (64.48)                                    (DATUM   -A-)

                                                         Component area                                                          min

2.30                                                          (Front)                                                            4.00

              1                                                                                                      92

                                                                                     B                         A

                                                  64.77                                           49.53                   1.27 ± 0.10

2       –  φ  2.50  ±  0.10

              93                                                                                                     184  10.00

                                                         Component area                                                          17.80  ± 0.15

                                                              (Back)                                                                    31.75

0.10                   R 2.00                                                                                  3.00  min

4.00 ±

                             Detail  A                                     Detail B

                                     2.50 ± 0.20              1.27 typ                      (DATUM -A-)

                                                                                     6.62

                                                              0.20 ± 0.15                   2.175

                                                                                                  R 0.90

                                                                                                   6.35

                               1.00 ± 0.05                                 3.80                   1.80 ± 0.10

                             Note:   Tolerance on        all  dimensions   ± 0.13 unless otherwise specified.

                                                                                                                                        ECA-TS2-0040-01

Preliminary Data Sheet       E0602E10 (Ver. 1.0)

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                                                                                               EBD25UC8AKFA-5-E

CAUTION FOR HANDLING MEMORY MODULES

When handling or inserting memory modules, be sure not to touch any components on the modules, such as

the memory ICs, chip capacitors and chip resistors. It is necessary to avoid undue mechanical stress on

these components to prevent damaging them.

In particular, do not push module cover or drop the modules in order to protect from mechanical defects,

which would be electrical defects.

When re-packing memory modules, be sure the modules are not touching each other.

Modules in contact with other modules may cause excessive mechanical stress, which                               may  damage the

modules.

                                                                                                                            MDE0202

                                             NOTES FOR CMOS DEVICES

1  PRECAUTION AGAINST ESD FOR MOS DEVICES

   Exposing the MOS devices to a strong electric field can cause destruction of the gate

   oxide and ultimately degrade the MOS devices operation. Steps must be taken to stop

   generation of static electricity as much as possible, and quickly dissipate it, when once

   it  has  occurred.            Environmental       control     must   be  adequate.     When      it  is  dry,  humidifier

   should   be          used.    It  is      recommended   to    avoid   using    insulators     that   easily   build  static

   electricity.         MOS      devices     must    be    stored  and    transported     in  an  anti-static     container,

   static shielding bag or conductive material. All test and measurement tools including

   work     bench       and      floor       should  be   grounded.    The  operator      should      be  grounded      using

   wrist    strap.      MOS      devices     must    not   be    touched    with  bare    hands.    Similar      precautions

   need to be taken for PW boards with semiconductor MOS devices on it.

2  HANDLING OF UNUSED INPUT PINS FOR CMOS DEVICES

   No     connection           for   CMOS    devices       input   pins   can     be  a   cause   of    malfunction.    If  no

   connection is provided to the input pins, it is possible that an internal input level may be

   generated            due      to  noise,  etc.,        hence  causing    malfunction.       CMOS       devices     behave

   differently than Bipolar or NMOS devices. Input levels of CMOS devices must be fixed

   high or low by using a pull-up or pull-down circuitry. Each unused pin should be connected

   to VDD or GND with a resistor, if it is considered to have a possibility of being an output

   pin. The unused pins must be handled in accordance with the related specifications.

3  STATUS BEFORE INITIALIZATION OF MOS DEVICES

   Power-on does not necessarily define initial status of MOS devices. Production process

   of MOS does not define the initial operation status of the device. Immediately after the

   power    source           is  turned      ON,     the  MOS    devices    with  reset   function     have  not   yet  been

   initialized.         Hence,       power-on        does  not    guarantee       output  pin  levels,      I/O   settings  or

   contents of registers. MOS devices are not initialized until the reset signal is received.

   Reset operation must be executed immediately after power-on for MOS devices having

   reset function.

                                                                                                                            CME0107

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

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Descriptions            of   circuits,    software       and     other   related        information       in  this    document        are   provided       for

illustrative purposes in semiconductor product operation and application examples. The incorporation of

these circuits, software and information in the design of the customer's equipment shall be done under

the   full  responsibility          of  the   customer.          Elpida  Memory,        Inc.     assumes          no  responsibility    for     any  losses

incurred by customers or third parties arising from the use of these circuits, software and information.

[Product applications]

Elpida Memory, Inc. makes every attempt to ensure that its products are of high quality and reliability.

However,        users        are    instructed      to   contact      Elpida     Memory's        sales    office      before     using  the     product    in

aerospace,        aeronautics,          nuclear        power,     combustion       control,      transportation,           traffic,  safety     equipment,

medical     equipment             for   life  support,       or  other       such  application        in  which       especially      high      quality  and

reliability is demanded or where its failure or malfunction may directly threaten human life or cause risk

of bodily injury.

[Product usage]

Design      your        application     so    that     the   product     is  used   within      the   ranges      and      conditions   guaranteed         by

Elpida      Memory,          Inc.,  including       the     maximum      ratings,       operating     supply          voltage  range,       heat  radiation

characteristics,            installation      conditions     and      other  related        characteristics.      Elpida      Memory,       Inc.  bears    no

responsibility          for  failure    or    damage         when     the    product        is  used    beyond        the     guaranteed        ranges   and

conditions.     Even         within     the   guaranteed         ranges      and   conditions,        consider        normally       foreseeable     failure

rates or failure modes in semiconductor devices and employ systemic measures such as fail-safes, so

that the equipment incorporating Elpida Memory, Inc. products does not cause bodily injury, fire or other

consequential damage due to the operation of the Elpida Memory, Inc. product.

[Usage environment]

This product is not designed to be resistant to electromagnetic waves or radiation. This product must be

used in a non-condensing environment.

If you export the products or technology described in this document that are controlled by the Foreign

Exchange        and     Foreign        Trade       Law   of  Japan,     you   must      follow   the    necessary         procedures        in  accordance

with  the   relevant         laws      and    regulations     of    Japan.    Also,     if  you  export       products/technology           controlled     by

U.S. export control regulations, or another country's export control laws or regulations, you must follow

the necessary procedures in accordance with such laws or regulations.

If these products/technology are sold, leased, or transferred to a third party, or a third party is granted

license     to  use         these   products,       that     third    party   must      be      made  aware       that     they  are    responsible        for

compliance with the relevant laws and regulations.

                                                                                                                                                         M01E0107

Preliminary Data Sheet  E0602E10 (Ver. 1.0)

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