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DSF8025SE25

器件型号:DSF8025SE25
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Dynex
厂商官网:http://www.dynexsemi.com/
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DSF8025SE25器件文档内容

Replaces March 1998 version, DS4146-4.4                                     DSF8025SE

                                                                DSF8025SE

                                                          Fast Recovery Diode
                                                            Advance Information

                                                                           DS4146-5.0 January 2000

APPLICATIONS                                                                                                                 KEY PARAMETERS
s Induction Heating
s A.C. Motor Drives                                                                                                          VRRM    2500V
s Inverters And Choppers                                                                                                     IF(AV)
s Welding                                                                                                                    IFSM     650A
s High Frequency Rectification                                                                                               Qr
s UPS                                                                                                                        trr     7500A
                                                                                                                                     540C
                                                                                                                                      5.0s

FEATURES
s Double side cooling
s High surge capability
s Low recovery charge

VOLTAGE RATINGS

Type Number  Repetitive Peak                  Conditions

             Reverse Voltage

                     V
                               RRM
                       V

DSF8025SE25              2500            V = V + 100V
DSF8025SE24              2400            RSM  RRM
DSF8025SE23              2300
DSF8025SE22              2200
DSF8025SE21              2100
DSF8025SE20              2000

Lower voltage grades available.                                           Outline type code: E
                                                          See Package Details for further information.

CURRENT RATINGS

Symbol                   Parameter                                                Conditions                                 Max. Units

Double Side Cooled                                        Half wave resistive load, Tcase = 65oC
                                                          Tcase = 65oC
IF(AV)   Mean forward current                             T = 65oC                                                           650     A
I        RMS value
                                                             case                                                            1020    A
F(RMS)
                                                          Half wave resistive load, T = 65oC
I        Continuous (direct) forward current                                                                           case  785     A

F                                                        Tcase = 65oC
                                                          T = 65oC
Single Side Cooled (Anode side)
                                                             case
I        Mean forward current                                                                                                385     A
  F(AV)  RMS value
         Continuous (direct) forward current                                                                                 604     A
I
                                                                                                                             465     A
F(RMS)

  I

     F

                                                                                                                                        1/8
DSF8025SE

SURGE RATINGS

Symbol                        Parameter                                    Conditions                   Max. Units
                                                     10ms half sine; with 0% VRRM, Tj = 150oC
     I  FSM  Surge (non-repetitive) forward current  10ms half sine; with 50% VRRM, Tj = 150oC          7.5  kA

        I2t  I2t for fusing                                                                             281 x 103 A2s

     IFSM    Surge (non-repetitive) forward current                                                     6.0  kA

        I2t  I2t for fusing                                                                             180 x 103 A2s

THERMAL AND MECHANICAL DATA

Symbol                        Parameter              Conditions                                    Min. Max. Units

     Rth(j-c) Thermal resistance - junction to case  Double side cooled               dc           - 0.047 oC/W
                                                     Single side cooled               Anode dc     - 0.094 oC/W
                                                                                      Cathode dc
                                                     Clamping force 8.0kN             Double side  - 0.094 oC/W
                                                     with mounting compound           Single side  - 0.018 oC/W

     Rth(c-h) Thermal resistance - case to heatsink                                                - 0.036 oC/W

     Tvj     Virtual junction temperature            On-state (conducting)                         -    150  oC

     Tstg    Storage temperature range                                                             -55 175   oC

        -    Clamping force                                                                        7.0 9.0 kN

CHARACTERISTICS

Symbol                        Parameter                                   Conditions               Typ. Max. Units
                                                     At 1000A peak, Tcase = 25oC
     VFM     Forward voltage                         At VRRM, Tcase = 150oC                        -    2.3  V

     I  RRM  Peak reverse current                    IF = 1000A, diRR/dt = 100A/s                 -    50 mA
                                                     Tcase = 150oC, VR = 100V
        trr  Reverse recovery time                                                                 -    5.0 s
                                                     At T = 150oC
     QRA1    Recovered charge (50% chord)                     vj                                   -    540 C

     IRM     Reverse recovery current                At T = 150oC                                  -    235  A
                                                              vj
        K    Soft factor                                                                           1.8  -    -
                                                     di/dt = 1000A/s, Tj = 125oC
     VTO     Threshold voltage                                                                     -    1.48 V
      r      Slope resistance
             Forward recovery voltage                                                              -    0.8 m
          T
                                                                                                   70   -    V
     VFRM

2/8
DEFINITION OF K FACTOR AND QRA1                                                                                     DSF8025SE

dIR/dt     t1        QRA1 = 0.5x IRR(t1 + t2)                                                                                         3/8
               t2 k = t1/t2

                                

0.5x IRR
      IRR

CURVES

                                                       4000
                                                                  Measured under pulse conditions

                                                       3500

                                                       3000

               Instantaneous forward current IF - (A)  2500

                                                       2000

                                                       1500         Tj = 150C
                                                       1000                            Tj = 25C

                                                       500     1.0  2.0                            3.0         4.0
                                                            0

                                                               Instantaneous forward voltage VF - (V)

                                                               Fig. 1 Maximum (limit) forward characteristics
DSF8025SE                                          500
                                                            Measured under pulse conditions
4/8
                                                   400

           Instantaneous forward current IF - (A)  300                                       Tj = 25C

                                                                 Tj = 150C
                                                   200

                                                   100

                                                   0

                                                   1.00       1.25            1.50           1.75                              2.00

                                                           Instantaneous forward voltage VF - (V)

                                                           Fig. 2 Maximum (limit) forward characteristics

                                                   250

           Transient forward votage VFP - (V)                VFR                         Current
                                                   200                                   waveform

                                                                           y             Voltage
                                                                                         waveform

                                                                              di = y
                                                                              dt x

                                                   150     x

                                                                                                             Tj = 125C limit
                                                   100

                                                                                                             Tj = 25C limit
                                                   50

                                                   0

                                                        0     500             1000           1500                              2000

                                                           Rate of rise of forward current dIF/dt - (A/s)

           Fig. 3 Transient forward voltage vs rate of rise of forward current
                                                                                                                                         DSF8025SE

                                  100000       IF                     50s                      Conditions:
                                   10000
                                                                 QS = 0                         Tj = 150C,
                                                                                                VR = 100V
                                                                             QS
Reverse recovered charge QS - (C)             tp = 1ms               IRR
                                                         dIR/dt

                                    1000                                         IF = 2000A
                                                                                 IF = 1000A

                                                                                 IF = 200A

                                       100                       100             1000                                             10000
                                           10
                                               Rate of rise of reverse current dIR/dt - (A/s)
                                    10000
                                                   Fig. 4 Recovered charge

                                                                                             Conditions:

                                                                                             Tj = 150C,
                                                                                             VR = 100V

Reverse recovery current IRR - (A)  1000
                                                                                                                               A
                                                                                                                               B
                                                                                                                               C

                                     100

                                                                                             A: IF = 2000A

                                                                                             B: IF = 1000A

                                    10                                                       C: IF = 200A

                                          1                      10              100                                              1000

                                               Rate of rise of reverse current dIR/dt - (A/s)

                                    Fig. 5 Typical reverse recovery current vs rate of fall of forward current

                                                                                                                                         5/8
DSF8025SE          Thermal Impedance - Junction to case (C/W)                                Anode side cooled
                                                                                              Double side cooled
                0.1

              0.01

                                                                0.001
                                                                0.001  0.01  0.1         1.0                                                           10

                                                                             Time - (s)

                                                                       Fig. 6 Maximum (limit) transient thermal impedance - junction to case - (C/W)

6/8
                                                                                                                   DSF8025SE

PACKAGE DETAILS

For further package information, please contact your local Customer Service Centre. All dimensions in mm, unless stated otherwise.
DO NOT SCALE.

                                        2 holes 3.6 0.1 x 2.0 0.1 deep
                                        (One in each electrode)

Cathode

         42max
         25nom.

                                                                 15
                                                              14

         25nom.                                              Anode

      Nominal weight: 82g
  Clamping force: 8kN 10%

Package outine type code: E

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                                                                     Number
                                      Title                          AN4506
                                                                     AN4839
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                 TO T

                                                                                7/8
DSF8025SE

POWER ASSEMBLY CAPABILITY

The Power Assembly group was set up to provide a support service for those customers requiring more than the basic semiconduc-
tor, and has developed a flexible range of heatsink / clamping systems in line with advances in device types and the voltage and
current capability of our semiconductors.

We offer an extensive range of air and liquid cooled assemblies covering the full range of circuit designs in general use today. The
Assembly group continues to offer high quality engineering support dedicated to designing new units to satisfy the growing needs of
our customers.

Using the up to date CAD methods our team of design and applications engineers aim to provide the Power Assembly Complete
solution (PACs).

DEVICE CLAMPS

Disc devices require the correct clamping force to ensure their safe operation. The PACs range offers a varied selection of pre-
loaded clamps to suit all of our manufactured devices. This include cube clamps for single side cooling of `T' 22mm

Clamps are available for single or double side cooling, with high insulation versions for high voltage assemblies.

Please refer to our application note on device clamping, AN4839

HEATSINKS

Power Assembly has it's own proprietary range of extruded aluminium heatsinks. They have been designed to optimise the
performance or our semiconductors. Data with respect to air natural, forced air and liquid cooling (with flow rates) is available on
request.

For further information on device clamps, heatsinks and assemblies, please contact your nearest Sales Representative or the
factory.

                                                  http://www.dynexsemi.com
                                        e-mail: power_solutions@dynexsemi.com

HEADQUARTERS OPERATIONS                 CUSTOMER SERVICE CENTRES
DYNEX SEMICONDUCTOR LTD                 France, Benelux, Italy and Spain Tel: +33 (0)1 69 18 90 00. Fax: +33 (0)1 64 46 54 50
Doddington Road, Lincoln.               North America Tel: 011-800-5554-5554. Fax: 011-800-5444-5444
Lincolnshire. LN6 3LF. United Kingdom.  UK, Germany, Scandinavia & Rest Of World Tel: +44 (0)1522 500500. Fax: +44 (0)1522 500020
Tel: 00-44-(0)1522-500500
Fax: 00-44-(0)1522-500550               SALES OFFICES
                                        France, Benelux, Italy and Spain Tel: +33 (0)1 69 18 90 00. Fax: +33 (0)1 64 46 54 50
DYNEX POWER INC.                        Germany Tel: 07351 827723
Unit 7 - 58 Antares Drive,              North America Tel: (613) 723-7035. Fax: (613) 723-1518. Toll Free: 1.888.33.DYNEX (39639) /
Nepean, Ontario, Canada K2E 7W6.        Tel: (831) 440-1988. Fax: (831) 440-1989 / Tel: (949) 733-3005. Fax: (949) 733-2986.
Tel: 613.723.7035                       UK, Germany, Scandinavia & Rest Of World Tel: +44 (0)1522 500500. Fax: +44 (0)1522 500020
Fax: 613.723.1518                       These offices are supported by Representatives and Distributors in many countries world-wide.
Toll Free: 1.888.33.DYNEX (39639)       Dynex Semiconductor 2000 Publication No. DS4146-5 Issue No. 5.0 January 2000
                                        TECHNICAL DOCUMENTATION NOT FOR RESALE. PRINTED IN UNITED KINGDOM

Datasheet Annotations:
Dynex Semiconductor annotate datasheets in the top right hard corner of the front page, to indicate product status. The annotations are as follows:-
Target Information: This is the most tentative form of information and represents a very preliminary specification. No actual design work on the product has been started.
Preliminary Information: The product is in design and development. The datasheet represents the product as it is understood but details may change.
Advance Information: The product design is complete and final characterisation for volume production is well in hand.
No Annotation: The product parameters are fixed and the product is available to datasheet specification.

This publication is issued to provide information only which (unless agreed by the Company in writing) may not be used, applied or reproduced for any purpose nor form part of any order or contract nor to be regarded as
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