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DL213B

器件型号:DL213B
厂商名称:SITI
厂商官网:http://www.siti.com.tw/
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器件描述

Optical Fiber Transmitting IC

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DL213B器件文档内容

42-DL213B

           Version      : A.003
           Issue Date   : 2006/12/13
           File Name    : SP-DL213B-A.003.doc
           Total Pages  :6

Optical Fiber Transmitting IC

                         9  7  1

                           SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

                         9-7F-1, Prosperity Road I, Science Based Industrial Park,
                                   Hsin-Chu, Taiwan 300, R.O.C.

                            Tel886-3-5645656 Fax886-3-5645626
                                                   42-DL213B

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

42-DL213B
                    OPTICAL FIBER TRANSMITTING IC

GENERAL DESCRIPTION

            42-DL213B is a driver IC designed for the application of high-speed optical fiber
    transmission. It integrates the LED driver with constant current output to reduce the complexity
    and the cost of the transmission module. 42-DL213B can transmit with the speed up to 25Mb/s.
    42-DL213B are fabricated by using CMOS technology with low power consumption purpose.

FEATURES

    1. TTL interface compatible
    2. High speed (up to 25Mb/s)
    3. Uniform output waveform
    4. Constant current output
    5. Low power consumption
    6. Wide range for Supply Voltage (2.7V-5.5V)

BLOCK DIAGRAM And APPLICATION CIRCUIT

                          Power

42-DL213B

                     VDD        OUT

                 IN
Signal

                           VSS
                     Ground

SP-DL213B-A.003                      -1-          VersionA.003
                                                                                    42-DL213B

           SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.                                        Unit
                                                                                 V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS                                                         V
                                                                                 
           Item             Symbol                         Rating               
                                                                                kV
Supply Voltage                   VDD                     -0.5 to +7             mA
Input Voltage                     VIN                 -0.5 to VDD +0.5
Operating Temperature            Topr
Storage Temperature              Tstg                    -40 to +85
Electrostatic Damage             ESD                    -55 to +100
Output Sinking Current           IOUT
                                                              6.5
                                                              50

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

           ITEM                           SYMBOL             MIN.     TYP.      MAX. UNIT
                                                              2.7       -
Supply Voltage                            VDD                 2.0       -       5.5 V
                                                               0        -
High Level Input Voltage                  VIH                                   VDD  V

Low Level Input Voltage                   VIL                                   0.8 V

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VDD=5.0V, TA=25, if not mentioned )

ITEM                      SYMBOL                 CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT

High Level Input Voltage    VIH                  VDD= 3V or 5V 2.0 - VDD V

Low Level Input Voltage     VIL                  VDD= 3V or 5V     0        - 0.8 V

Input Leakage Current       IIN                  VIN=VDD or VSS    -        -   1 uA

Quiescent Supply Current    IDDQ                 VIN = VDD or VSS -     5.4     -    mA

Output Sinking Current      IOUT_ON              VDD=3V or 5V,     3.5 4.4 5.3 mA
                            IOUT_OFF             VIN=VDD,
Output Leakage Current    TPLH , TPHL            VFLED=2.0V        -        -   5 uA
                             Tr, Tf              VDD=3V or 5V,
Propagation Delay                                VOUT=3V,          -        - 100 ns
Rise Time, Fall Time of       tw                 VIN=VSS
IOUT                          tj                 VDD=3V,           -        - 10 ns
Pulse Width Distortion                           CLED=15pF,
Jitter of Output Current                         VFLED=2.0V        - 10 0       10 ns
                                                 VDD=3 V,                    1  25 ns
                                                 CLED=15pF,
                                                 VFLED=2.0V
                                                 CLED=15pF,
                                                 VFLED=2.0V
                                                 CLED=15pF,
                                                 VFLED=2.0V

Data Rate                   FDATA                NRZ Code,         -        - 25 Mb/s
                                                 CLED=15pF,
                                                 VFLED=2.0V

Note1IOUT = IOUT_OFF when Vin=5V, VDD=floating.

           SP-DL213B-A.003                       -2-                    VersionA.003
                                                                      42-DL213B

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

PAD DESCRIPTIONS

PAD NO.  PAD NAME                            DESCRIPTIONS

     1         IN                        Input Pad(High Active)
     2       VDD                               Supply Voltage
     3       OUT
     4        VSS             Output Pad Sinking Current(Active Low)
                                                   Ground

DIE CONFIGURATION

                                                      (387.1, 422.5)

                               1. IN

         2. VDD                Center (248.9, 336.5)

         Center (66, 273.7)

          3. OUT               Center (321.2, 66)

         Center (76.2, 73.7)    4. VSS

         (0, 0)                                Unitum

            Die Size: 387.1um * 422.5um
            Die Thickness: 15mil(=381um)
            Pad Size: 90um * 90um

* Note: SiTI reserves the right to improve the device geometry and manufacturing
          processes without prior notice. Though these improvements may result in
          slight geometry changes, they will not affect die electrical characteristics
          and pad layouts.

         SP-DL213B-A.003                  -3-          VersionA.003
                                                                       42-DL213B

                     SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

REQUIREMENTS FOR WAFER DELIVERY

           Material Silicon with P-Substrate
           Diameter 6 inches(15cm)
           Thickness 15 mils(381um)
           Malfunctioned dieMarked with red ink or equivalent marking

HANDLING RECOMMENDATION FOR STATIC ELECTRICITY PROTECTION

    (1) Avoid any circumstance that produce static electricity, e.g. rubbing against plastic, during
        moving, storing and processing 42-DL213B.

    (2) Process 42-DL213B in a clean room with proper temperature and humidity.
    (3) Ground all working machines and workers wear anti-electrostatic ring to ground during

        processing.
    (4) Avoid contact 42-DL213Bwith bare hands .If unavoided, wear anti-electrostatic ring and use

        anti-electrostatic tool to pick it up.

GUARANTED TEMPERATURE AND RETENTION CYCLE

(1) The device/wafer 42-DL213B should be stored in the nitrogenous chest. The conditions
   suggested are as follows:
                   Temperature = 233
                   Relative Humidity = 5010%
                   Minimum nitrogen inflow = 3 liters/minute

(2) If the device/wafer, 42-DL213B is incidentally exposed to the air, use it for manufacturing as
   soon as possible.

(3) Under the storage environment specified in item (1), six-month safe storage period is
    guaranteed.

SP-DL213B-A.003  -4-  VersionA.003
                                    42-DL213B

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

The products listed herein are designed for ordinary electronic applications, such as
electrical appliances, audio-visual equipment, communications devices and so on. Hence,
it is advisable that the devices should not be used in medical instruments, surgical
implants, aerospace machinery, nuclear power control systems, disaster/crime-prevention
equipment and the like. Misusing those products may directly or indirectly endanger
human life, or cause injury and property loss.
Silicon Touch Technology, Inc. will not take any responsibilities regarding the misusage
of the products mentioned above. Anyone who purchases any products described herein
with the above-mentioned intention or with such misused applications should accept full
responsibility and indemnify. Silicon Touch Technology, Inc. and its distributors and all
their officers and employees shall defend jointly and severally against any and all claims
and litigation and all damages, cost and expenses associated with such intention and
manipulation.

SP-DL213B-A.003                -5-  VersionA.003
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