电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

D209L

器件型号:D209L
厂商名称:WINSEMI [WINSEMI]
厂商官网:http://www.winsemi.com/
下载文档

文档预览

D209L器件文档内容

                                                      D209L

                  High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

Features

Very High Switching Speed
High Voltage Capability
Wide Reverse Bias SOA

General Description                                          TO-3P

This Device is designed for high voltage, High speed
switching characteristics required such as lighting system,
switching mode power supply.

Absolute Maximum Ratings

Symbol            Parameter                                 Test Conditions         Value     Units
                                                        VBE = 0                       700       V
VCES    Collector-Emitter Voltage                       IB = 0                                  V
                                                        IC = 0                        400       V
VCEO    Collector-Emitter Voltage                                                     9.0       A
VEBO                                                    tP = 5ms                       12       A
IC      Emitter-Base Voltage                                                           25       A
ICP     Collector Current                                                             6.0       A
IB      Collector pulse Current                                                        12
IBM     Base Current                                                                  130       W
        Base Peak Current                                                             2.3
PC      Total Dissipation at Tc = 25                                              - 40 ~ 150   
        Total Dissipation at Ta= 25                                                            
TJ                                                                                - 40 ~ 150
        Operation Junction Temperature

TSTG    Storage Temperature

Tc: Case temperature (good cooling)

Ta: Ambient temperature (without heat sink)

Thermal Characteristics                      Parameter                            Value       Units
                                                                                   0.96        /W
    Symbol                                                                          40
                                                                                               /W
RJc     Thermal Resistance Junction to Case

RJA     Thermal Resistance Junction to Ambient

Jan 2009. Rev. 0                                                                              1/5

                  Copyright @WinSemi Semiconductor Co.,Ltd.,All rights reserved.
D209L

   Electrical Characteristics (TC=25 unless otherwise noted)

Symbol    Parameter                                                                              Test Conditions          Value
                                                                                                                                           Units

                                                                                                                  Min Typ Max

VCEO(sus) Collector-Emitter Breakdown Voltage Ic=10mA,Ib=0                                                        400 -  -V

                                                Ic=5.0A,Ib=1.0A                                                          0.5
                                                Ic=8.0A,Ib=1.6A
                                                Ic=12A,Ib=3.0A                                                    -  - 1.0 V

VCE(sat)  Collector-Emitter Saturation Voltage                                                                           1.5

VBE(sat)                                        Ic=8.0A,Ib=1.6A                                                   -  - 2.0 V
                                                Tc=100
ICBO                                            I Ic=5.0A,Ib=1.0A                                                 -  -   1.2  V
hFE                                             Ic=8.0A,Ib=1.6A
ts                                              Ic=8.0A,Ib=1.6A                                                          1.6
tf                                              Tc=100
ts        Base-Emitter Saturation Voltage
tf
ts                                                                                                                -  - 1.5 V
tf
          Collector-Base Cutoff Current         Vcb=700V                                                          -  -   1.0  mA
          (Vbe=-1.5V)                           Vcb=700V, Tc=100
                                                                                                                         5.0

          DC Current Gain                       Vce=5V,Ic=5.0A                                                    10 - 40
                                                Vce=5V, Ic=8.0A
          Resistive Load                                                                                          6  -   40
          Storage Time
          Fall Time                             VCC=125V , Ic=6.0A                                                -
          Inductive Load                                                                                                 1.5 3.0
          Storage Time                          ITBp1==12.56A ,                                  IB2=-1.6A              0.16 0.4
          Fall Time
          Inductive Load                        VCC=15V ,Ic=5A                                                    - 0.6 2.0
          Storage Time                          IB1=1.6A , Vbe(off)=5V                                            - 0.04 0.1
          Fall Time                             L=0.35mH,Vclamp=300V

                                                VCC=15V ,Ic=1A

                                                IB1=0.4A , Vbe(off)=5V                                            - 0.8 2.5
                                                L=0.2mH,Vclamp=300V
                                                                                                 Tc=100 - 0.05 0.15

  Note:
            Pulse Test : Pulse width 300, Duty cycle 2%

2/5

                                                                                              .
                                         D209L

Fig. 1 DC Current Gain                   Fig. 2 Collector-Emitter Saturation Voltage

Fig. 3 Base--Emitter Saturation Voltage  Fig. 4 Safe Operation Area

Fig.5 Power Derating                     Fig.6 Reverse Biased Safe Operation Area

                                                                                          3/5
D209L

Resistive Load Switching Test Circuit

Inductive Load Switching & RBSOA Test Circuit

4/5

                                                                                                 .
                            D209L

TO-3P(B) Package Dimension

         Unit: mm

                            5/5
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved