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CSD17309Q3

器件型号:CSD17309Q3
器件类别:晶体管
文件大小:9628.5KB,共0页
厂商名称:TI [Texas Instruments]
厂商官网:http://www.ti.com/
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器件描述

20 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,

20 A, 30 V, 0.0085 ohm, N沟道, , POWER,

参数

CSD17309Q3端子数量 5
CSD17309Q3最小击穿电压 30 V
CSD17309Q3加工封装描述 3.30 X 3.30 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SON-8
CSD17309Q3无铅 Yes
CSD17309Q3欧盟RoHS规范 Yes
CSD17309Q3中国RoHS规范 Yes
CSD17309Q3状态 ACTIVE
CSD17309Q3包装形状 SQUARE
CSD17309Q3包装尺寸 SMALL OUTLINE
CSD17309Q3表面贴装 Yes
CSD17309Q3端子形式 NO LEAD
CSD17309Q3端子涂层 TIN
CSD17309Q3端子位置 DUAL
CSD17309Q3包装材料 PLASTIC/EPOXY
CSD17309Q3结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
CSD17309Q3壳体连接 DRAIN
CSD17309Q3元件数量 1
CSD17309Q3晶体管应用 SWITCHING
CSD17309Q3晶体管元件材料 SILICON
CSD17309Q3通道类型 N-CHANNEL
CSD17309Q3场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
CSD17309Q3操作模式 ENHANCEMENT
CSD17309Q3晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
CSD17309Q3最大漏电流 20 A
CSD17309Q3额定雪崩能量 162 mJ
CSD17309Q3最大漏极导通电阻 0.0085 ohm
CSD17309Q3最大漏电流脉冲 112 A

文档预览

CSD17309Q3器件文档内容

                                                        Product                                 Sample &  Technical        Tools &              Support &
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                                                                                                                                                                CSD17309Q3

                                                                                                                                                         SLPS261B MARCH 2010 REVISED SEPTEMBER 2014

                                                        CSD17309Q3 30-V N-Channel NexFETTM Power MOSFET

1 Features                                                                                                                           Product Summary

1 Optimized for 5 V Gate Drive                                                                                 TA = 25C                                      TYPICAL VALUE            UNIT
Ultra-Low Qg and Qgd                                                                                                                                                                    V
Low Thermal Resistance                                                                                        VDS       Drain-to-Source Voltage              30                        nC
Avalanche Rated                                                                                                                                                                        nC
Pb Free Terminal Plating                                                                                      Qg        Gate Charge Total (4.5 V)            7.5
RoHS Compliant                                                                                                                                                                         m
Halogen Free                                                                                                  Qgd       Gate Charge Gate-to-Drain            1.7
SON 3.3 mm 3.3 mm Plastic Package                                                                                                                                                     V
                                                                                                                                                               VGS = 3 V         6.3
2 Applications
                                                                                                                RDS(on) Drain-to-Source On-Resistance          VGS = 4.5 V       4.9
Notebook Point of Load
Point of Load Synchronous Buck in Networking,                                                                                                                VGS = 8 V         4.2

    Telecom, and Computing Systems                                                                              VGS(th) Threshold Voltage                      1.2

3 Description                                                                                                                                        .
                                                                                                                                     Ordering Information(1)
This 30 V, 4.2 m NexFETTM power MOSFET is
designed to minimize losses in power conversion                                                                      Device          Media           Qty       Package                  Ship
applications and optimized for 5 V gate drive                                                                   CSD17309Q3
applications.                                                                                                   CSD17309Q3T          13-Inch Reel 2500 SON 3.3 3.3 mm Tape and

                                      Top View                                                                                       7-Inch Reel 250 Plastic Package                    Reel

                                                                                                                (1) For all available packages, see the orderable addendum at
                                                                                                                     the end of the data sheet.

                                                                                                                                     Absolute Maximum Ratings

                                                                                                                TA = 25C                                                 VALUE         UNIT
                                                                                                                                                                             30           V
                                                                                                                VDS Drain-to-Source Voltage                                               V
                                                                                                                                                                          +10 / 8        A
                                                                                                                VGS Gate-to-Source Voltage                                   60           A
                                                                                                                                                                             20           A
                                                                                                                ID        Continuous Drain Current, TC = 25C                112          W
                                                                                                                          Continuous Drain Current(1)                        2.8

                                          S1                            8D                                      IDM Pulsed Drain Current, TA = 25C(2)

                                          S2                            7D                                      PD        Power Dissipation(1)

                                                                                                                TJ, Operating Junction and                     55 to 150 C
                                                                                                                Tstg Storage Temperature Range

                                          S3                            6D                                      EAS       Avalanche Energy, Single Pulse                    162           mJ
                                                                                                                          ID = 57 A, L = 0.1 mH, RG = 25
                                                                    D   5D
                                          G4                                                                    (1) Typical RJA = 45C/W when mounted on a 1 inch2 (6.45
                                                                             P0095-01                                cm2), 2 oz. (0.071 mm thick) Cu pad on a
                                                                                                                     0.06 inch (1.52 mm) thick FR4 PCB.

                                                                                                                (2) Pulse duration 300 s, duty cycle 2%.

                                                                                                                Spacing

                                                        RDS(on) vs VGS                                                                  Gate Charge

                                      16                                                                            8

   RDS(on) - On-State Resistance - m  14                                                        ID = 18A                  ID = 18A
                                                                                                                          VDS = 15V
                                                                                                                    7

                                      12                                                                            6

                                      10                                                                            5
                                                                                    TC = 125C
                                                                                                                    4
                                       8

                                      6                                                                             3

                                      4                                                                             2
                                             TC = 25C
                                                                                                                    1
                                      2

                                      0                                                                             0

                                          0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10                                                       0   2         4          6          8   10                   12

                                                        VGS - Gate-to-Source Voltage - V                  G006                       Qg - Gate Charge - nC                          G003

1

                                      An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
                                      intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
CSD17309Q3                                                                              www.ti.com

SLPS261B MARCH 2010 REVISED SEPTEMBER 2014

                                                Table of Contents

   1 Features .................................................................. 1             6.1 Trademarks ............................................................... 8
   2 Applications ........................................................... 1                6.2 Electrostatic Discharge Caution ................................ 8
   3 Description ............................................................. 1               6.3 Glossary .................................................................... 8
   4 Revision History..................................................... 2            7 Mechanical, Packaging, and Orderable
   5 Specifications......................................................... 3               Information ............................................................. 9
                                                                                               7.1 Q3 Package Dimensions .......................................... 9
          5.1 Electrical Characteristics........................................... 3          7.2 Recommended PCB Pattern................................... 10
          5.2 Thermal Information .................................................. 3         7.3 Recommended Stencil Opening ............................. 10
          5.3 Typical MOSFET Characteristics.............................. 4                   7.4 Q3 Tape and Reel Information................................ 11
   6 Device and Documentation Support.................... 8

4 Revision History

Changes from Revision A (October 2010) to Revision B                                    Page

................................................................................................................................................................................................ 1
Added 7" reel to Ordering Information ................................................................................................................................... 1
Updated mechanical information ........................................................................................................................................... 9

Changes from Original (March 2010) to Revision A                                        Page

Deleted the Package Marking Information section .............................................................................................................. 11

2  Submit Documentation Feedback                                                                           Copyright 20102014, Texas Instruments Incorporated
                                                Product Folder Links: CSD17309Q3
www.ti.com                                                                                                                                   CSD17309Q3

5 Specifications                                                                                         SLPS261B MARCH 2010 REVISED SEPTEMBER 2014

5.1 Electrical Characteristics

(TA = 25C unless otherwise stated)                                 TEST CONDITIONS                      MIN TYP MAX UNIT
                            PARAMETER
                                                       VGS = 0 V, ID = 250 A
STATIC CHARACTERISTICS                                 VGS = 0 V, VDS = 24 V
                                                       VDS = 0 V, VGS = +10 / 8 V
BVDSS    Drain-to-Source Voltage                       VDS = VGS, ID = 250 A                             30                             V
IDSS     Drain-to-Source Leakage Current               VGS = 3 V, ID = 18 A
IGSS     Gate-to-Source Leakage Current                VGS = 4.5 V, ID = 18 A                                       1 A
VGS(th)  Gate-to-Source Threshold Voltage              VGS = 8 V, ID = 18 A
                                                       VDS = 15 V, ID = 18 A                                        100 nA

                                                       VGS = 0 V, VDS = 15 V,                            0.9  1.2   1.7 V
                                                        = 1 MHz
                                                                                                              6.3   8.5 m
                                                       VDS = 15 V, ID = 18 A
RDS(on) Drain-to-Source On-Resistance                                                                         4.9   6.3 m
                                                       VDS = 13 V, VGS = 0 V
                                                                                                              4.2   5.4 m
                                                       VDS = 15 V, VGS = 4.5 V,
gs       Transconductance                              ID = 18 A , RG = 2                                     67                        S

DYNAMIC CHARACTERISTICS                                IDS = 18 A, VGS = 0 V
                                                       VDD = 13 V, IF = 18 A,
CISS     Input Capacitance                             di/dt = 300 A/s                                        1150 1440 pF

COSS     Output Capacitance                                                                                   580   750 pF

CRSS     Reverse Transfer Capacitance                                                                         43    56 pF

Rg       Series Gate Resistance                                                                               1.2   2.4

Qg       Gate Charge Total (4.5 V)                                                                            7.5   10 nC

Qgd      Gate Charge Gate-to-Drain                                                                            1.7                       nC

Qgs      Gate Charge Gate-to-Source                                                                           2.5                       nC

Qg(th) Gate Charge at Vth                                                                                     1.3                       nC

QOSS     Output Charge                                                                                        15                        nC

td(on)   Turn On Delay Time                                                                                   6.1                       ns

tr       Rise Time                                                                                            9.9                       ns

td(off)  Turn Off Delay Time                                                                                  13.2                      ns

t        Fall Time                                                                                            3.6                       ns

DIODE CHARACTERISTICS

VSD      Diode Forward Voltage                                                                                0.85  1V

Qrr      Reverse Recovery Charge                                                                              30                        nC

trr      Reverse Recovery Time                                                                                23                        ns

5.2 Thermal Information

(TA = 25C unless otherwise stated)

                                    THERMAL METRIC                                                       MIN TYP MAX UNIT
                                                                                                                                     2.0
RJC      Junction-to-Case Thermal Resistance(1)                                                                                                C/W
RJA      Junction-to-Ambient Thermal Resistance(1)(2)                                                                                57

(1) RJC is determined with the device mounted on a 1 inch2 (6.45 cm2), Cu pad on a 1.5 inches 1.5 inches thick FR4 PCB. RJC is
      specified by design, whereas RJA is determined by the user's board design.

(2) Device mounted on FR4 material with 1 inch2 2-oz.Cu.

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SLPS261B MARCH 2010 REVISED SEPTEMBER 2014

                                        GATE   Source                                                     GATE        Source

                                                                               Max RJA = 57C/W                                         Max RJA = 174C/W
                                                                               when mounted on                                          when mounted on a
                                                                               1 inch2 (6.45 cm2) of                                    minimum pad area of
                                                                                                                                        2 oz. (0.071 mm thick)
                                                                               2 oz. (0.071 mm thick)                                   Cu.

                                                                               Cu.

                                               DRAIN                                                            DRAIN

                                                                     M0161-01                                                 M0161-02

5.3 Typical MOSFET Characteristics

(TA = 25C unless otherwise stated)

              10

   ZqJA - Normalized Thermal Impedance      1                                                                                    Duty Cycle = t1/t2
                                                     0.5
                                                     0.3                                                                        P

                                         0.1 0.1                                                                                     t1
                                                    0.05                                                                                t2
                                                    0.02
                                                                                                                       Typical RqJA = 139C/W (min Cu)
                                        0.01 0.01                                                                              TJ = P ZqJA RqJA

                                                       Single Pulse

                                        0.001

                                        0.001                        0.01      0.1                     1        10                      100             1k

                                                                                    tp - Pulse Duration - s

                                                                                                                                                        G012

                                                                               Figure 1. Transient Thermal Impedance

4                                       Submit Documentation Feedback                                                                     Copyright 20102014, Texas Instruments Incorporated
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Typical MOSFET Characteristics (continued)

(TA = 25C unless otherwise stated)                                                                                                            50
                                                                                                                                               45 VDS = 5V
            50                                                                                                                                 40

IDS - Drain-to-Source Current - A  45                                                                       IDS - Drain-to-Source Current - A

                                   40                                                                                                                             TC = -55C

                                   35                                                                                                          35
                                                                              VGS = 8V
                                                                                                                                               30
                                   30                                                                                                                                  TC = 25C

                                   25                       VGS = 4.5V                                                                         25

                                   20                       VGS = 3.5V                                                                         20

                                   15                    VGS = 3V                                                                              15     TC = 125C

                                   10                                                                                                          10

                                      5                  VGS = 2.5V                                                                            5

                                      0                                                                                                        0
                                                                                                                                                 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8
                                         0          0.2     0.4         0.6                 0.8      1                                                               VGS - Gate-to-Source Voltage - V         3

                                                         VDS - Drain-to-Source Voltage - V            G001                                                                                                     G002

                                                    Figure 2. Saturation Characteristics                                                                    Figure 3. Transfer Characteristics

8                                                                                                                                                3
                                                                                                                                               2.5
7                                        ID = 18A                                                                                                                                                   f = 1MHz
                                         VDS = 15V                                                                                               2                                                  VGS = 0V
                                                                                                                                               1.5          Coss = Cds + Cgd

6                                                                                                           C - Capacitance - nF                 1
                                                                                                                                               0.5
5
                                                                                                                                                 0
4                                                                                                                                                  0                              Ciss = Cgd + Cgs

3

2

1                                                                                                                                                           Crss = CGgd

0

                                   0        2            4           6  8               10       12                                                   5           10              15  20            25        30

                                                         Qg - Gate Charge - nC                   G003                                                       VDS - Drain-to-Source Voltage - V                    G004

                                                            Figure 4. Gate Charge                                                                                 Figure 5. Capacitance

Copyright 20102014, Texas Instruments Incorporated                                                                                                             Submit Documentation Feedback                        5
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Typical MOSFET Characteristics (continued)

(TA = 25C unless otherwise stated)                                                                                                   16

           1.6                                                               ID = 250A            RDS(on) - On-State Resistance - m  14                                                        ID = 18A

           1.4

   VGS(th) - Threshold Voltage - V  1.2                                                                                               12

                                    1                                                                                                 10
                                                                                                                                                                                    TC = 125C
                                    0.8
                                                                                                                                       8

                                    0.6                                                                                               6

                                    0.4                                                                                               4
                                                                                                                                             TC = 25C
                                    0.2
                                                                                                                                      2

                                    0                                                                                                 0

                                    -75     -25  25  75                      125         175                                              0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

                                                 TC - Case Temperature - C              G005                                                           VGS - Gate-to-Source Voltage - V                   G006

                                             Figure 6. Threshold Voltage vs Temperature                                               Figure 7. On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage

                                    1.6                                                                                               100
                                            ID = 18A
   Normalized On-State Resistance                                                                  ISD - Source-to-Drain Current - A  10
                                    1.4 VGS = 8V

                                    1.2                                                                                                   1

                                                                                                                                                  TC = 125C

                                    1

                                                                                                                                      0.1

                                    0.8

                                    0.6                                                                                                0.01
                                                                                                                                      0.001
                                    0.4                                                                                                                                                         TC = 25C

                                    0.2     -25  25  75                      125         175                                          0.0001      0.2         0.4  0.6                          0.8        1
                                       -75                                                                                                     0
                                                                                             G007                                                                                                           G008
                                                 TC - Case Temperature - C                                                                             VSD - Source-to-Drain Voltage - V

                                    Figure 8. Normalized On-State Resistance vs Temperature                                                       Figure 9. Typical Diode Forward Voltage

6                                   Submit Documentation Feedback                                                                       Copyright 20102014, Texas Instruments Incorporated
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Typical MOSFET Characteristics (continued)                                                                                                                                    SLPS261B MARCH 2010 REVISED SEPTEMBER 2014

(TA = 25C unless otherwise stated)                                                                                                                                  1k

              1k

IDS - Drain-to-Source Current - A100
                                                          IDS - Drain-to-Source Current - A
10                                                                                                                                               1ms                 100
                                                                                                               I(AV) - Peak Avalanche Current - A
                                                                                                                                                 10ms                 10                     TC = 25C
                                                                                                                                                 110101m10s
  1                                                                                                                                              1s                     1     TC = 125C
                         Area Limited                                                                                                            DC                     0.01
                         by RDS(on)
                                                                                                                                                        100
0.1
         Single Pulse                                                                                                                                          G009
         Typical RJA = 139C/W (min Cu)

0.01      0.1  1                             10                                                                                                                               0.1         1  10                   100
    0.01
                                                                                                                                                                                                                      G010
          VDS - Drain-to-Source Voltage - V                                                                                                                                   t(AV) - Time in Avalanche - ms

     Figure 10. Maximum Safe Operating Area (SOA)                                                                                                                    Figure 11. Single Pulse Unclamped Inductive Switching

                                                    70

                                         60

                                         50

                                         40

                                         30

                                         20

                                         10

                                         0        0 25 50 75 100 125 150 175
                                         -50 -25

                                                                                                                                                 TC - Case Temperature - C        G011

                                             Figure 12. Maximum Drain Current vs Temperature

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6 Device and Documentation Support

6.1 Trademarks
NexFET is a trademark of Texas Instruments.
6.2 Electrostatic Discharge Caution

   These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
   during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

6.3 Glossary

SLYZ022 -- TI Glossary.
     This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.

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7 Mechanical, Packaging, and Orderable Information

The following pages include mechanical, packaging, and orderable information. This information is the most
current data available for the designated devices. This data is subject to change without notice and revision of
this document. For browser-based versions of this data sheet, refer to the left-hand navigation.

7.1 Q3 Package Dimensions

            DIM            MILLIMETERS                                                                     INCHES
                                                                                                             NOM
                 MIN       NOM          MAX    MIN                                                           0.039  MAX
                                               0.037                                                         0.000  0.043
            A    0.950     1.000        1.100  0.000                                                         0.013  0.002
                                               0.011                                                                0.016
            A1   0.000     0.000        0.050                                                            0.012 NOM
                                               0.006                                                         0.008  0.010
            b    0.280     0.340        0.400  0.126                                                         0.130  0.134
                                               0.065                                                         0.069  0.071
            b1             0.310 NOM           0.006                                                         0.008  0.010
                                               0.012                                                         0.014  0.016
            c    0.150     0.200        0.250  0.126                                                         0.130  0.134
                                               0.093                                                         0.096  0.100
            D    3.200     3.300        3.400                                                               0.026
                                               0.014                                                         0.018  0.022
            D2   1.650     1.750        1.800
                                               0.014                                                     0.026 TYP  0.022
            d    0.150     0.200        0.250    0                                                           0.018    0
                                                 0                                                             --     0
            d1   0.300     0.350        0.400                                                                  --

            E    3.200     3.300        3.400

            E2   2.350     2.450        2.550

            e              0.650 TYP

            H    0.35      0.450        0.550

            K              0.650 TYP

            L    0.35      0.450        0.550

            L1   0         --           0

                 0         --           0

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SLPS261B MARCH 2010 REVISED SEPTEMBER 2014

7.2 Recommended PCB Pattern

For recommended circuit layout for PCB designs, see application note SLPA005 Reducing Ringing Through
PCB Layout Techniques.

7.3 Recommended Stencil Opening

All dimensions are in mm, unless otherwise specified.

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7.4 Q3 Tape and Reel Information                                                                         SLPS261B MARCH 2010 REVISED SEPTEMBER 2014

                                                             4.00 0.10 (See Note 1)1.75 0.10           2.00 0.05
                                                                                8.00 0.10
                                                                                                          1.50      +0.10
                                                                                                                     0.00

+0.30
   0.10

12.00                 5.50 0.05

                                                                                                                            3.60

                                  1.30
                                                            3.60
                                                                                                                                  M0144-01
Notes:
1. 10 sprocket hole pitch cumulative tolerance 0.2
2. Camber not to exceed 1 mm IN 100 mm, noncumulative over 250 mm
3. Material: black static dissipative polystyrene
4. All dimensions are in mm (unless otherwise specified).
5. Thickness: 0.30 0.05 mm
6. MSL1 260C (IR and Convection) PbF-Reflow compatible

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www.ti.com                                               PACKAGE MATERIALS INFORMATION

TAPE AND REEL INFORMATION                                                                                                                              15-Nov-2014

*All dimensions are nominal

Device                       Package Package Pins  SPQ      Reel Reel A0       B0    K0    P1   W     Pin1
                               Type Drawing        2500  Diameter Width (mm)  (mm)  (mm)  (mm)
                                                                                                (mm) Quadrant
                                                           (mm) W1 (mm)        3.6   1.2   8.0
CSD17309Q3                   VSON- DQG 8                                                        12.0  Q1
                              CLIP                         330.0 12.4 3.6

                                                   Pack Materials-Page 1
www.ti.com                                   PACKAGE MATERIALS INFORMATION

                                                                                                                                           15-Nov-2014

*All dimensions are nominal  Package Type Package Drawing Pins  SPQ   Length (mm) Width (mm) Height (mm)
              Device                                            2500
                             VSON-CLIP  DQG  8                        336.6  336.6  41.3
         CSD17309Q3

                                             Pack Materials-Page 2
                                               IMPORTANT NOTICE

Texas Instruments Incorporated and its subsidiaries (TI) reserve the right to make corrections, enhancements, improvements and other
changes to its semiconductor products and services per JESD46, latest issue, and to discontinue any product or service per JESD48, latest
issue. Buyers should obtain the latest relevant information before placing orders and should verify that such information is current and
complete. All semiconductor products (also referred to herein as "components") are sold subject to TI's terms and conditions of sale
supplied at the time of order acknowledgment.

TI warrants performance of its components to the specifications applicable at the time of sale, in accordance with the warranty in TI's terms
and conditions of sale of semiconductor products. Testing and other quality control techniques are used to the extent TI deems necessary
to support this warranty. Except where mandated by applicable law, testing of all parameters of each component is not necessarily
performed.

TI assumes no liability for applications assistance or the design of Buyers' products. Buyers are responsible for their products and
applications using TI components. To minimize the risks associated with Buyers' products and applications, Buyers should provide
adequate design and operating safeguards.

TI does not warrant or represent that any license, either express or implied, is granted under any patent right, copyright, mask work right, or
other intellectual property right relating to any combination, machine, or process in which TI components or services are used. Information
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endorsement thereof. Use of such information may require a license from a third party under the patents or other intellectual property of the
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Reproduction of significant portions of TI information in TI data books or data sheets is permissible only if reproduction is without alteration
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Resale of TI components or services with statements different from or beyond the parameters stated by TI for that component or service
voids all express and any implied warranties for the associated TI component or service and is an unfair and deceptive business practice.
TI is not responsible or liable for any such statements.

Buyer acknowledges and agrees that it is solely responsible for compliance with all legal, regulatory and safety-related requirements
concerning its products, and any use of TI components in its applications, notwithstanding any applications-related information or support
that may be provided by TI. Buyer represents and agrees that it has all the necessary expertise to create and implement safeguards which
anticipate dangerous consequences of failures, monitor failures and their consequences, lessen the likelihood of failures that might cause
harm and take appropriate remedial actions. Buyer will fully indemnify TI and its representatives against any damages arising out of the use
of any TI components in safety-critical applications.

In some cases, TI components may be promoted specifically to facilitate safety-related applications. With such components, TI's goal is to
help enable customers to design and create their own end-product solutions that meet applicable functional safety standards and
requirements. Nonetheless, such components are subject to these terms.

No TI components are authorized for use in FDA Class III (or similar life-critical medical equipment) unless authorized officers of the parties
have executed a special agreement specifically governing such use.

Only those TI components which TI has specifically designated as military grade or "enhanced plastic" are designed and intended for use in
military/aerospace applications or environments. Buyer acknowledges and agrees that any military or aerospace use of TI components
which have not been so designated is solely at the Buyer's risk, and that Buyer is solely responsible for compliance with all legal and
regulatory requirements in connection with such use.

TI has specifically designated certain components as meeting ISO/TS16949 requirements, mainly for automotive use. In any case of use of
non-designated products, TI will not be responsible for any failure to meet ISO/TS16949.

Products                                       Applications

Audio                  www.ti.com/audio        Automotive and Transportation www.ti.com/automotive

Amplifiers             amplifier.ti.com        Communications and Telecom www.ti.com/communications

Data Converters        dataconverter.ti.com    Computers and Peripherals  www.ti.com/computers

DLP Products          www.dlp.com             Consumer Electronics       www.ti.com/consumer-apps

DSP                    dsp.ti.com              Energy and Lighting        www.ti.com/energy

Clocks and Timers      www.ti.com/clocks       Industrial                 www.ti.com/industrial

Interface              interface.ti.com        Medical                    www.ti.com/medical

Logic                  logic.ti.com            Security                   www.ti.com/security

Power Mgmt             power.ti.com            Space, Avionics and Defense www.ti.com/space-avionics-defense

Microcontrollers       microcontroller.ti.com  Video and Imaging          www.ti.com/video

RFID                   www.ti-rfid.com

OMAP Applications Processors www.ti.com/omap   TI E2E Community           e2e.ti.com

Wireless Connectivity  www.ti.com/wirelessconnectivity

                       Mailing Address: Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
                                            Copyright 2014, Texas Instruments Incorporated

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