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CR02AM

器件型号:CR02AM
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厂商名称:Suntac
厂商官网:http://suntac-semi.myweb.hinet.net/
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器件描述

sensitive gate silicon controlled rectifier

CR02AM器件文档内容

NCR169D

AA dvance Information

GSeTnCeraCl RP0u2rpAoMse                                                                               SCR

Sensitive Gate                                                                              0.8  AMPERES RMS

Silicon Controlled Rectifier                                                                     600 VOLTS

Reverse Blocking Thyristor

   PNPN        device    designed   for            line-powered   general    purpose

applications such as relay and lamp drivers, small motor controls, gate                                       G

drivers  for  larger   thyristors,  and            sensing  and   detection  circuits.      A                        K

Supplied in a cost effective plastic TO-92 package.

•  Sensitive Gate Allows Direct Triggering by Microcontrollers and

   Other Logic Circuits

•  On–State Current Rating of       0.8 Amperes RMS at 80°C

•  Surge Current Capability – 10 Amperes

•  Immunity to dV/dt – 20 V/µsec Minimum at 110°C

•  Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity

•  Blocking Voltage to 600 Volts

MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)                                               1

                                                                                                    2  3

               Rating                              Symbol         Value         Unit

   Peak Repetitive Off–State Voltage (Note 1.)     VDRM,          600           Volts            TO−92 (TO−226)

   (TJ = *40 to 110°C, Sine Wave, 50 to            VRRM                                             CASE 029

   60 Hz; Gate Open)                                                                                STYLE 10

   On-State RMS Current                            IT(RMS)        0.8           Amp

   (TC = 80°C) 180° Conduction Angles                                                            PIN ASSIGNMENT

   Peak Non-Repetitive Surge Current                        ITSM  10            Amps    14                  Cathode

   (1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz,

   TJ = 25°C)                                                                           2                     Anode

   Circuit Fusing Consideration (t = 10 ms)                 I2t   0.415         A2s     3                     Gate

   Forward Peak Gate Power                                  PGM   0.1           Watt

   (TA = 25°C, Pulse Width v 1.0 µs)

   Forward Average Gate Power                      PG(AV)         0.10          Watt

   (TA = 25°C, t = 20 ms)

   Forward Peak Gate Current                                IGM   1.0           Amp

   (TA = 25°C, Pulse Width v 1.0 µs)

   Reverse Peak Gate Voltage                       VGRM           5.0           Volts

   (TA = 25°C, Pulse Width v 1.0 µs)

   Operating Junction Temperature Range                     TJ    –40 to        °C

   @ Rate VRRM and VDRM                                           110

   Storage Temperature Range                                Tstg  –40 to        °C

                                                                  150

(1) VDRM and VRRM for all types can be applied on a continuous basis. Ratings

   apply for zero or negative gate voltage; however, positive gate voltage shall

   not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking

   voltages shall not be tested with a constant source such that the voltage

   ratings of the devices are exceeded.

©  Semiconductor Components Industries, LLC, 2000                            1                            Publication Order Number:

December, 2000 – Rev. 0                                                                                                 NCR169D/D
                                                                  CR02AM

THERMAL CHARACTERISTICS

                                      Characteristic                                  Symbol         Max        Unit

    Thermal Resistance – Junction to Case                                                 RθJC       75         °C/W

                   – Junction to Ambient                                                  RθJA       200

    Lead Solder Temperature                                                               TL         260        °C

    (t1/16″ from case, 10 secs max)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)

                                Characteristic                                Symbol            Min  Typ   Max      Unit

OFF CHARACTERISTICS

    Peak Repetitive Forward or                                                IDRM, IRRM

    Reverse Blocking Current (Note 1.)                            TC = 25°C                     –    –     10         µA

    (VD = Rated VDRM and VRRM; RGK = 1.0 kΩ)                      TC = 110°C                    –    –     0.1      mA

ON CHARACTERISTICS

    Peak Forward On–State Voltage(*)                                          VTM               –    –     1.7  Volts

    (ITM = 1.0 Amp Peak @ TA = 25°C)

    Gate Trigger Current (Continuous dc) (Note 2.)                TC = 25°C   IGT               –    6     8          µA

    (VAK = 12 V, RL = 100 Ohms)

    Holding Current (Note 2.)                                     TC = 25°C   IH                –    0.5   5.0      mA

    (VAK = 12 V, IGT = 0.5 mA)                                    TC = –40°C                    –    –     10

    Latch Current                                                 TC = 25°C   IL                –    0.6   10       mA

    (VAK = 12 V, IGT = 0.5 mA, RGK = 1.0 k)                       TC = –40°C                    –    –     15

    Gate Trigger Voltage (Continuous dc) (Note 2.)                TC = 25°C   VGT               –    0.62  0.8  Volts

    (VAK = 12 V, RL = 100 Ohms, IGT = 10 mA)                      TC = –40°C                    –    –     1.2

DYNAMIC CHARACTERISTICS

    Critical Rate of Rise of Off–State Voltage                                dV/dt             20   35    –        V/µs

    (VD = Rated VDRM, Exponential Waveform, RGK = 1000 Ohms,

    TJ = 110°C)

    Critical Rate of Rise of On–State Current                                 di/dt             –    –     50       A/µs

    (IPK = 20 A; Pw = 10 µsec; diG/dt = 1.0 A/µsec, Igt = 20 mA)

*Indicates Pulse Test: Pulse Width ≤ 1.0 ms, Duty Cycle ≤ 1%.

1.  RGK = 1000 Ohms included in measurement.

2.  Does not include RGK in measurement.

                                                                  2
                                                                                     CR02AM

                                                                 Voltage Current Characteristic of SCR

                                                                                                                                               +    Current                   Anode +

                           Symbol     Parameter                                                                                                              VTM

                           VDRM       Peak Repetitive Off State Forward Voltage                                                           on state

                           IDRM       Peak Forward Blocking Current                                                                                    IH

                           VRRM       Peak Repetitive Off State Reverse Voltage      IRRM at VRRM

                           IRRM       Peak Reverse Blocking Current

                           VTM        Peak on State Voltage                                                                                                                     +      Voltage

                           IH         Holding Current                                     Reverse Blocking Region                                                 IDRM at VDRM

                                                                                                                             (off state)               Forward Blocking Region

                                                                                     Reverse Avalanche Region                                                    (off state)

                                                                                     Anode –

                           100                                                                                          1.0

                           90                                                             GATE TRIGGER VOLTAGE (VOLTS)  0.9

GATE TRIGGER CURRENT (mA)  80                                                                                           0.8

                           70                                                                                           0.7

                           60

                                                                                                                        0.6

                           50

                           40                                                                                           0.5

                           30                                                                                           0.4

                           20                                                                                           0.3

                           10                                                                                           0.2

                           –40   –25  –10  5  20       35    50  65  80          95  110                                –40  –25          –10       5  20    35   50  65      80       95  110

                                      TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)                                                                       TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

                                 Figure 1. Typical Gate Trigger Current  versus                                              Figure 2. Typical Gate Trigger Voltage                    versus

                                           Junction Temperature                                                                                     Junction Temperature

                                                                                          3
                                                                                               CR02AM

1000                                                                                                    1000

HOLDING CURRENT (mA)                         100                                                        LATCHING CURRENT (mA)                      100

                                             10                                                                                                    10

                                             –40     –25  –10  5  20   35  50   65   80    95  110                                                 –40       –25  –10  5    20    35   50   65   80   95     110

                                                          TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)                                                                           TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

                                                     Figure 3. Typical Holding Current versus                                                                Figure 4. Typical Latching Current versus

                                                               Junction Temperature                                                                                    Junction Temperature

TC, MAXIMUM ALLOWABLE CASE TEMPERATURE (°C)  120                                                        IT, INSTANTANEOUS ON-STATE CURRENT (AMPS)  10

                                             110                                                                                                             MAXIMUM @ TJ = 25°C

                                             100                                                                                                                                       MAXIMUM @ TJ = 110°C

                                             90

                                                                                               DC

                                             80                                                                                                    1

                                             70                                                180°

                                             60

                                             50

                                                                  30°      60°  90°            120°

                                             40   0       0.1     0.2      0.3       0.4       0.5                                                 0.1  0.5  0.8  1.1  1.4  1.7   2.0  2.3  2.6  2.9  3.2    3.5

                                                     IT(RMS), RMS ON-STATE CURRENT (AMPS)                                                               VT, INSTANTANEOUS ON-STATE VOLTAGE (VOLTS)

                                                     Figure 5. Typical RMS Current Derating                                                                  Figure 6. Typical On–State Characteristics

                                                                                                     4
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