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CMT14N50GN220FP

器件型号:CMT14N50GN220FP
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厂商名称:CHAMP [Champion Microelectronic Corp.]
厂商官网:http://www.champion-micro.com/
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CMT14N50GN220FP器件文档内容

                                                                                      CMT14N50

                                                              POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

GENERAL DESCRIPTION                         FEATURES

This high voltage MOSFET uses an advanced termination         Robust High Voltage Termination
scheme to provide enhanced voltage-blocking capability        Avalanche Energy Specified
without degrading performance over time. In addition, this    Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a
advanced MOSFET is designed to withstand high energy in       Discrete Fast Recovery Diode
avalanche and commutation modes. The new energy               Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
efficient design also offers a drain-to-source diode with a   IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
fast recovery time. Designed for high voltage, high speed
switching applications in power supplies, converters and
PWM motor controls, these devices are particularly well
suited for bridge circuits where diode speed and
commutating safe operating areas are critical and offer
additional and safety margin against unexpected voltage
transients.

PIN CONFIGURATION                           SYMBOL

                             TO-220FP                                            D
                             Top View

                   GATE                                                         G
                           DRAIN
                                    SOURCE

                                                                                             S

                                                                                N-Channel MOSFET

                   12 3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                                                    Rating                         Symbol      Value     Unit
Drain to Current  Continuous                                                           ID         14       A
                                                                                      IDM         56
                       Pulsed                                                         VGS        30       V
Gate-to-Source Voltage  Continue                                                                 40       V
                                                                                     VGSM          35     W
                                  Non-repetitive                                      PD        0.28     W/
Total Power Dissipation                                                                                   
                                                                                   TJ, TSTG  -55 to 150   mJ
    Derate above 25                                                                   EAS        588
Operating and Storage Temperature Range                                                                  /W
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy  TJ = 25                                JC         3.6
(VDD = 100V, VGS = 10V, IL = 14A, L = 6mH, RG = 25)                                   JA        62.5      
Thermal Resistance  Junction to Case                                                   TL        260

                             Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8" from case for 10 seconds

2009/07/17 Rev1.2                           Champion Microelectronic Corporation                         Page 1
                                                                                        CMT14N50

                                                                POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

ORDERING INFORMATION

              Part Number                          Package
CMT14N50GN220FP*                           TO-220 Full Package

*Note: G : Suffix for PB Free Product

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Unless otherwise specified, TJ = 25.

                                                                                    CMT14N50

                           Characteristic                           Symbol     Min  Typ       Max              Units
                                                                    V(BR)DSS                                     V
Drain-Source Breakdown Voltage                                                 500
                                                                      IDSS                                      A
(VGS = 0 V, ID = 250 A)
                                                                      IGSSF                                     nA
Drain-Source Leakage Current
                                                                      IGSSR                                     nA
(VDS = 500 V, VGS = 0 V)                                                                       1
(VDS = 400 V, VGS = 0 V, TJ = 125)                                   VGS(th)                   3                 V
                                                                                              100
Gate-Source Leakage Current-Forward                                  RDS(on)                                    
                                                                     VDS(on)                                     V
(Vgsf = 30 V, VDS = 0 V)
                                                                       gFS                                     mhos
Gate-Source Leakage Current-Reverse                                    Ciss                   100                pF
                                                                      Coss                                       pF
(Vgsr = -30 V, VDS = 0 V)                                              Crss                                      pF
                                                                      td(on)                                     ns
Gate Threshold Voltage                                                         2.0            4.0                ns
                                                                        tr                                       ns
(VDS = VGS, ID = 250 A)                                               td(off)                                    ns
                                                                                                                nC
Static Drain-Source On-Resistance (VGS = 10 V, ID = 7A) *               tf                    0.34              nC
                                                                       Qg                     7.5               nC
Drain-Source On-Voltage (VGS = 10 V)                                   Qgs                                      nH
   (ID = 7 A)                                                          Qgd
                                                                       LD                                       nH
Forward Transconductance (VDS = 50 V, ID = 8.4A) *                             9.3
                                                                       LS                  2038
Input Capacitance                      (VDS = 25 V, VGS = 0 V,                              307
Output Capacitance                            f = 1.0 MHz)             VSD                   10
Reverse Transfer Capacitance                                           ton                   15
                                                                        trr                  36
Turn-On Delay Time                     (VDD = 250 V, ID = 7 A,                               35
Rise Time                                      RD = 17,                                      29
Turn-Off Delay Time                                                                                        64
Fall Time                                    RG = 6.2) *                                                   16
                                                                                                           26
Total Gate Charge                      (VDS = 400 V, ID = 7 A,                               5.0
Gate-Source Charge                           VGS = 10 V)*
Gate-Drain Charge

Internal Drain Inductance

(Measured from the drain lead 0.25" from package to center of die)

Internal Drain Inductance                                                           13

(Measured from the source lead 0.25" from package to source bond

pad)

SOURCE-DRAIN DIODE CHARACTERISTICS

Forward On-Voltage(1)                  (IS =7 A, VGS = 0 V,                                   1.5              V
Forward Turn-On Time                    dIS/dt = 100A/s)
Reverse Recovery Time                                                               **                         ns

                                                                                    487       731              ns

* Pulse Test: Pulse Width 300s, Duty Cycle 2%
** Negligible, Dominated by circuit inductance

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                                                   POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

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                   POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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                   POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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                                           CMT14N50

                   POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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PACKAGE DIMENSION                                 CMT14N50

                          POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

                   TO-220FP

2009/07/17 Rev1.2  Champion Microelectronic Corporation  Page 7
                                                                      CMT14N50

                                                   POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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integrated circuit product or service without notice, and advises its customers to obtain the latest version of relevant information
to verify, before placing orders, that the information being relied on is current.

A few applications using integrated circuit products may involve potential risks of death, personal injury, or severe property or
environmental damage. CMC integrated circuit products are not designed, intended, authorized, or warranted to be suitable for
use in life-support applications, devices or systems or other critical applications. Use of CMC products in such applications is
understood to be fully at the risk of the customer. In order to minimize risks associated with the customer's applications, the
customer should provide adequate design and operating safeguards.

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