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CMT05N50N220FP

器件型号:CMT05N50N220FP
厂商名称:ETC
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器件描述

Power MOSFET

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CMT05N50N220FP器件文档内容

GENERAL DESCRIPTION                                                                      CMT05N50

This Power MOSFET is designed for low voltage, high                                    POWER MOSFET
speed power switching applications such as switching
regulators, conveters, solenoid and relay drivers.           FEATURES

PIN CONFIGURATION                                            ! Higher Current Rating
                                                             ! Lower rDS(ON), Lower Capacitances
                           TO-220/TO-220FP                   ! Lower Total Gate Charge
                             Top View                        ! Tighter VSD Specifications
                                                             ! Avalanche Energy Specified

                                                             SYMBOL

                                                                                                   D

                           GATE                                                 G
                                   DRAIN
                                           SOURCE

                           12 3                                                              S

                                                                                N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

              Part Number                          Package
CMT05N50N220                                        TO-220
CMT05N50N220FP                                     TO-220FP

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                                                    Rating                         Symbol      Value     Unit
Drain to Current  Continuous                                                           ID        5.0       A
                                                                                      IDM         18
                       Pulsed (Note 1)                                               VGS         20       V
Gate-to-Source Voltage  Continue                                                      PD          96      W
Total Power Dissipation                                                                         0.77     W/
                                                                                      EAS        125      mJ
    Derate above 25                                                                TJ, TSTG               
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)                                                       -55 to 150  /W
Operating and Storage Temperature Range                                               JC        1.70
Thermal Resistance  Junction to Case                                                  JA          62      
                                                                                      TL         300
                             Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8" from case for 10 seconds

2002/05/29 Preliminary Rev. 1.0 Champion Microelectronic Corporation                                     Page 1
                                                                                               CMT05N50

                                                                                          POWER MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Unless otherwise specified, TJ = 25.

                                                                                          CMT05N50

                              Characteristic                              Symbol     Min  Typ       Max   Units
                                                                          V(BR)DSS                          V
Drain-Source Breakdown Voltage                                                       500
                                                                             IDSS                          A
(VGS = 0 V, ID = 250 A)
                                                                            IGSSF                          nA
Drain-Source Leakage Current
                                                                            IGSSR                          nA
(VDS = 500V, VGS = 0 V)                                                                             25
                                                                           VGS(th)                  100     V
Gate-Source Leakage Current-Forward
                                                                           RDS(on)                          
(Vgsf = 20 V, VDS = 0 V)                                                     gFS                          mhos
                                                                             Ciss
Gate-Source Leakage Current-Reverse                                         Coss                    -100    pF
                                                                             Crss                           pF
(Vgsr = -20 V, VDS = 0 V)                                                   td(on)                          pF
                                                                              tr                            ns
Gate Threshold Voltage                                                      td(off)  2.0            4.0     ns
                                                                              tf                            ns
(VDS = VGS, ID = 250 A)                                                      Qg                             ns
                                                                             Qgs                           nC
Static Drain-Source On-Resistance (VGS = 10 V, ID = 2.7A) (Note 4)           Qgd                    1.5    nC
                                                                             LD                            nC
Forward Transconductance (VDS = 15V, ID = 2.5 A) (Note 4)                            2.8                   nH
                                                                             LS
Input Capacitance                    (VDS = 25 V, VGS = 0 V,                              520       730    nH
Output Capacitance                          f = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance                                                              170       240

                                                                                          11        20

Turn-On Delay Time                                                                        7.0       10

Rise Time                                  (VDD = 250 V, ID = 5 A,                        9.0       20
Turn-Off Delay Time                  RG = 9.1, VGS = 10 V) (Note 4)
Fall Time                                                                                 20        40

                                                                                          10        20

Total Gate Charge                             (VDS = 400V, ID = 5A                        10
Gate-Source Charge                            VGS = 10 V) (Note 4)
Gate-Drain Charge                                                                         2

                                                                                          3

Internal Drain Inductance                                                                 4.5
   (Measured from the drain lead 0.25" from package to center of die)

Internal Drain Inductance                                                                 7.5
   (Measured from the source lead 0.25" from package to source bond pad)

SOURCE-DRAIN DIODE CHARACTERISTICS

Reverse Recovery Charge                                                   Qrr             1.8             C

Forward Turn-On Time                 IF = 5A, di/dt = 100A/s , TJ = 25   ton             **

Reverse Recovery Time                                                     trr             415             ns

Diode Forward Voltage                         IS = 5A, VGS = 0 V          VSD                       1.5   V

Note
(1) Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature
(2) VDD = 100V, VGS = 10V, L=10mH, IAS = 5A, RG = 25
(3) ISD  4.5A, di/dt  75A/s, VDD  V(BR)DSS, TJ  150
** Negligible, Dominated by circuit inductance

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                                                                           CMT05N50

                                                                      POWER MOSFET

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

2002/05/29 Preliminary Rev. 1.0 Champion Microelectronic Corporation  Page 3
PACKAGE DIMENSION                                                    TO-220                                CMT05N50

                                    D                                    A                              POWER MOSFET
                                                                                 c1
                                                                                           PIN 1: GATE
   L1                                                        E                             PIN 2: DRAIN
      F                                                                                    PIN 3: SOURCE

                               E1

                                                                                           A

                                                                                           A1

                                                                                           b

                                                                                           b1

                                                                                           c

                                                                                           c1

                                                                                           D

                               L                                                           E

                                                                                           E1

                                                                                           e

                                                                                           e1

                                                                                           F

                                                                                           L

                        e                                            A1                    L1

                    b1                                               c                     

                            b

                    e1                                               Side View

             Front View

   R1.50     B              R3.18 0.10                         TO-220FP
             C
                                                             I
                                                                  J
                            A
D  Q                                             H

                                                                        O                                  A
                                                                                                    R1.50
                                                                                                           B

                                                                                                           C

                                                                                                           D

E                                                                                                          E

   P                                                      K                                                G

                                                                                                           H

                                                                                                           I

                                                                                                           J

                                                                                                           K

                            R1.60                                                                          M

                                                                                                           N

                                                                                                           O

                                                                                                           P

                                                                                                           Q

G         b                                                                                                R

                                                                                                           b

                                                                                                           b1

                                                                                                           b2

                                                                                                           e

             b1         b2                                   N

                                                             M

                 e                                        R

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2002/05/29 Preliminary Rev. 1.0 Champion Microelectronic Corporation                                           Page 4
                                                                      CMT05N50

                                                                         POWER MOSFET

                                       IMPORTANT NOTICE

Champion Microelectronic Corporation (CMC) reserves the right to make changes to its products or to discontinue any
integrated circuit product or service without notice, and advises its customers to obtain the latest version of relevant information
to verify, before placing orders, that the information being relied on is current.

A few applications using integrated circuit products may involve potential risks of death, personal injury, or severe property or
environmental damage. CMC integrated circuit products are not designed, intended, authorized, or warranted to be suitable for
use in life-support applications, devices or systems or other critical applications. Use of CMC products in such applications is
understood to be fully at the risk of the customer. In order to minimize risks associated with the customer's applications, the
customer should provide adequate design and operating safeguards.

HsinChu Headquarter             Sales & Marketing

5F-1, No. 11, Park Avenue II,   11F, No. 306-3, SEC. 1, Ta Tung Road,
Science-Based Industrial Park,  Hsichih, Taipei Hsien 221, Taiwan
HsinChu City, Taiwan
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