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CBR1A-020

器件型号:CBR1A-020
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Central Semiconductor
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器件描述

2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

参数
CBR1A-020端子数量 4
CBR1A-020元件数量 4
CBR1A-020最小击穿电压 650 V
CBR1A-020最大平均输入电流 2 A
CBR1A-020加工封装描述 CASE A, 4 PIN
CBR1A-020状态 ACTIVE
CBR1A-020包装形状 ROUND
CBR1A-020包装尺寸 CYLINDRICAL
CBR1A-020端子形式 WIRE
CBR1A-020端子涂层 TIN LEAD
CBR1A-020端子位置 BOTTOM
CBR1A-020包装材料 PLASTIC/EPOXY
CBR1A-020工艺 AVALANCHE
CBR1A-020结构 BRIDGE, 4 ELEMENTS
CBR1A-020二极管元件材料 SILICON
CBR1A-020二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE
CBR1A-020相数 1
CBR1A-020最大重复峰值反向电压 600 V
CBR1A-020最大非重复峰值正向电流 50 A

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CBR1A-020器件文档内容

Bridge Rectifiers, Controlled Avalanche*
Single Phase, Full Wave

1.5 to 35 Amperes
200 to 800 Volts

IO (AMPS)            1.5          2.0         3.0             6.0           10

@TA (oC)             50           55          2.0 @ 25        50

@TC (oC)                                      3.0 @ 50        100           100

IFSM (AMPS)                       60          50              150           150

      CASE                CASE A            CASE C                 CASE CM
VRRM (VOLTS)
               CBR1A-020    CBR2A-020    CBR3A-P020     CBR6A-020    CBR10A-J020
        200    CBR1A-040    CBR2A-040    CBR3A-P040     CBR6A-040    CBR10A-J040
        400    CBR1A-060    CBR2A-060    CBR3A-P060     CBR6A-060    CBR10A-J060
        600    CBR1A-080    CBR2A-080    CBR3A-P080     CBR6A-080    CBR10A-J080
        800

  VF MAX @ IF  1.0V @ 1.0A  1.1V @ 2.0A  1.1V @ 1.5A    1.1V @ 3.0A  1.2V @ 5.0A
IR MAX @ VRRM       10A         10A        10A           10A         10A

                            *AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE

                            VRRM         MIN            MAX

                            200V         250            700

                            400V         450            900

                            600V         650            1100

                            800V         850            1300

                                         175

www.centralsemi.com
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