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C2M0080170D

器件型号:C2M0080170D
器件类别:半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
厂商名称:Wolfspeed (Cree)
标准:
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器件描述

MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM

参数
产品属性属性值
制造商:Cree, Inc.
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:SiC
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-4
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV
Id-连续漏极电流:40 A
Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 25 V
Qg-栅极电荷:120 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:277 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
商标:Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值:9.73 S
下降时间:18 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:600
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:34 ns
典型接通延迟时间:25 ns

C2M0080170D器件文档内容

                                                                                                                      VDS               1700 V

C2M0080170P                                                                                                           ID @ 25˚C         40 A

Silicon Carbide Power MOSFET                                                                                          RDS(on)           80 mΩ

C2M        TM  MOSFET Technology

N-Channel Enhancement Mode                                                                       

Features                                                                        Package

•      Optimized package with separate driver source pin                              TAB

•      8mm of creepage distance between drain and source                              Drain

•      High blocking voltage with low On-resistance

•      High speed switching with low capacitances

•      Easy to parallel and simple to drive

•      Halogen Free, RoHS compliant

Benefits

                                                                                                                                 Drain

•                                                                                                                              (Pin 1, TAB)

       Reduce switching losses and minimize gate ringing

•      Higher system efficiency                                                    1  2      3  4

•                                                                                  D  S      S  G

       Reduced cooling requirements

•      Increased power density

•      Increased system switching frequency                                                                Gate

                                                                                                           (Pin 4)

Applications                                                                                                         Driver             Power

                                                                                                                     Source             Source

•                                                                                                                    (Pin 3)            (Pin 2)

       1500V Solar Inverters

•      Switch Mode Power Supplies               

•      High voltage DC/DC Converters                                            Part Number                          Package                     Marking

•      Capacitor discharge

                                                                                C2M0080170P                TO-247-4 Plus                         C2M0080170P

Maximum    Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise            specified)

Symbol                           Parameter                             Value    Unit                       Test Conditions                       Note

VDSmax     Drain - Source Voltage                                      1700     V            VGS = 0 V, ID = 100 μA

VGSmax     Gate - Source Voltage                                       -10/+25  V            AC (f >1 Hz)                                        Note: 1

VGSop      Gate - Source Voltage                                       -5/+20   V            Static                                              Note: 2

                                                                       40                    VGS = 20  V,  TC = 25˚C                             Fig. 19

   ID      Continuous Drain Current                                             A

                                                                       27                    VGS = 20  V,  TC = 100˚C

ID(pulse)  Pulsed Drain Current                                        80       A            Pulse width tP limited by Tjmax                     Fig. 22

   PD      Power Dissipation                                           277      W            TC=25˚C, TJ = 150 ˚C                                Fig. 20

TJ , Tstg  Operating Junction and Storage Temperature                  -55 to   ˚C

                                                                       +150

   TL      Solder Temperature                                          260      ˚C           1.6mm (0.063”) from case for 10s

Note (1):  When using MOSFET Body Diode VGSmax = -5V/+25V

Note (2):  MOSFET can also safely operate at 0/+20V

1          C2M0080170P Rev. A,       05-2018
Electrical   Characteristics        (TC = 25˚C  unless  otherwise  specified)

Symbol                  Parameter                         Min.     Typ.        Max.   Unit                     Test Conditions      Note

   V(BR)DSS  Drain-Source Breakdown Voltage               1700                        V     VGS = 0 V, ID = 100 μA

                                                          2.0      2.6             4  V     VDS = VGS, ID = 10 mA

   VGS(th)   Gate Threshold Voltage                                2.0                V     VDS = VGS, ID = 10 mA, TJ = 150ºC       Fig. 11

   IDSS      Zero Gate Voltage Drain Current                       1           100    μA    VDS = 1700 V, VGS = 0 V

   IGSS      Gate-Source Leakage Current                                       250    nA    VGS = 20 V, VDS = 0 V

                                                                   80          125          VGS = 20 V, ID = 28 A                   Fig.     4,

   RDS(on)   Drain-Source On-State Resistance                      150                mΩ    VGS = 20 V, ID = 28 A, TJ = 150ºC       5, 6

                                                                   9.73                     VDS= 20 V, IDS= 20 A

   gfs       Transconductance                                      10.07              S     VDS= 20 V, IDS= 20 A, TJ = 150ºC        Fig. 7

   Ciss      Input Capacitance                                     2250

                                                                                            VGS = 0 V                               Fig. 17,

   Coss      Output Capacitance                                    105                pF    VDS = 1000 V                            18

   Crss      Reverse Transfer Capacitance                          4                        f = 1 MHz

   Eoss      Coss Stored Energy                                    65                 μJ    VAC = 25 mV                             Fig. 16

   EON       Turn-On Switching Energy (SiC Diode FWD)              0.3                      VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 20A,  Fig. 26,

                                                                                      mJ    RG(ext) = 2.5Ω, L= 200 μH, TJ = 150ºC,  29b

   EOFF      Turn Off Switching Energy (SiC Diode FWD)             0.1                      Using SiC Diode as FWD

   EON       Turn-On Switching Energy (Body Diode FWD)             1.1                      VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 20A,  Fig. 26,

                                                                                      mJ    RG(ext) = 2.5Ω, L= 200 μH, TJ = 150ºC,  29a

   EOFF      Turn Off Switching Energy (Body Diode FWD)            0.1                      Using MOSFET as FWD

   td(on)    Turn-On Delay Time                                    25

                                                                   9                        VDD = 1200 V, VGS = -5/20 V

   tr        Rise Time                                                                      ID = 20 A, RG(ext) = 2.5 Ω,

                                                                                      ns    Timing relative to VDS                  Fig. 27

   td(off)   Turn-Off Delay Time                                   34                       Inductive load

   tf        Fall Time                                             18

   RG(int)   Internal Gate Resistance                              2                  Ω     f = 1 MHz, VAC = 25 mV

   Qgs       Gate to Source Charge                                 28                       VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V

   Qgd       Gate to Drain Charge                                  33                 nC    ID  = 20 A                              Fig. 12

   Qg        Total Gate Charge                                     120                      Per IEC60747-8-4 pg 21

Reverse      Diode Characteristics

Symbol       Parameter                                    Typ.     Max.        Unit             Test Conditions                     Note

                                                          4.1                  V      VGS = - 5 V, ISD = 10 A                       Fig. 8,

   VSD       Diode Forward Voltage                                                                                                  9, 10

                                                          3.6                  V      VGS = - 5 V, ISD = 10 A, TJ = 150 °C

   IS        Continuous Diode Forward Current                      28          A      TC = 25˚C, VGS = - 5 V                        Note 1

   trr       Reverse Recover time                         36                   ns

   Qrr       Reverse Recovery Charge                      1                    µC     VGS = - 5 V, ISD = 20 A, VR = 1200 V          Note 1

                                                                                      dif/dt = 2600 A/µs, TJ = 150 °C

   Irrm      Peak Reverse Recovery Current                38                   A

Thermal      Characteristics

Symbol       Parameter                                             Typ.        Max.   Unit                     Test Conditions      Note

   RθJC      Thermal Resistance from Junction to Case              0.37        0.45

                                                                                      °C/W                                          Fig. 21

   RθJA      Thermal Resistance From Junction to Ambient                       40

2            C2M0080170P Rev. A,       05-2018
Typical                             Performance

                               100                                                                                                                                       100

                                         Conditions:                                  VGS = 18V                                                                                       Conditions:

                                         TJ = -55 °C                                             VGS = 16V      VGS = 14V                                                             TJ = 25 °C                             VGS = 20V   VGS = 18V  VGS = 16V  VGS = 14V

                                         tp = < 200 µs               VGS = 20V                                                                                                        tp = < 200 µs

                               80                                                                                                                                        80                                                                                          VGS = 12V

(A)                                                                                                                                       (A)

IDS                                                                                                             VGS = 12V                 IDS

Current,                       60                                                                                                         Current,                       60                                                                                          VGS = 10V

Drain-Source                   40                                                                                          VGS = 10V      Drain-Source                   40

                               20                                                                                                                                        20

                               0                                                                                                                                         0

                                    0.0  2.5                5.0  7.5            10.0      12.5        15.0      17.5       20.0                                               0.0     2.5                5.0     7.5         10.0       12.5        15.0       17.5       20.0

                                                                 Drain-Source Voltage, VDS       (V)                                                                                                             Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                         Figure         1. Output Characteristics                TJ = -55   ºC                                                                        Figure         2.  Output Characteristics TJ =                25 ºC

                               100                                                                                                                                       3.0

                                         Conditions:                                                                                                                                  Conditions:

                                         TJ = 150 °C                                                                                                                                  IDS = 28 A

                                         tp = < 200 µs                                                                                                                   2.5          VGS = 20 V

                               80                                                                               VGS = 16V                                                             tp < 200 µs

Drain-Source Current, IDS (A)                                                                    VGS = 18V

                                                                                                                           VGS = 14V      On Resistance, RDS On (P.U.)

                                                                                      VGS = 20V                            VGS = 12V

                                                                                                                           VGS = 10V                                     2.0

                               60

                                                                                                                                                                         1.5

                               40

                                                                                                                                                                         1.0

                               20                                                                                                                                        0.5

                               0                                                                                                                                         0.0

                                    0.0  2.5                5.0  7.5            10.0      12.5        15.0      17.5       20.0                                                  -50  -25                     0  25          50          75         100        125              150

                                                                 Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                   Junction Temperature, TJ (°C)

                                         Figure         3.  Output Characteristics TJ =               150   ºC                                                                   Figure 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature

                               320                                                                                                                                       200

                                         Conditions:                                                                                                                                  Conditions:

                               280       VGS = 20 V                                                                                                                      180          IDS = 28 A

                                         tp < 200 µs                                                                                                                                  tp < 200 µs

                                                                                                                                                                         160

On Resistance, RDS On (mOhms)  240                                                                                                        On Resistance, RDS On (mOhms)

                                                                                                                                                                         140

                               200                                                                                                                                       120

                                                                 TJ = 150 °C                                                                                                                      VGS = 12 V

                               160                                                                                                                                       100

                                                                                                                                                                         80                       VGS = 14 V

                               120                                                                                                                                                                                           VGS = 16 V

                                                                 TJ = 25 °C                                                                                              60                                      VGS = 18 V

                               80                                                                                                                                                                  VGS = 20 V

                                                                                                                                                                         40

                               40                                TJ = -55 °C

                                                                                                                                                                         20

                               0                                                                                                                                              0

                                    0    10             20       30   40              50         60         70  80                    90                                         -50  -25                     0  25          50          75         100        125              150

                                                                 Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                                   Junction Temperature, TJ (°C)

                                         Figure 5. On-Resistance vs. Drain Current                                                                                                    Figure 6. On-Resistance vs. Temperature

                                                        For Various Temperatures                                                                                                                              For Various Gate Voltage

3                                        C2M0080170P Rev. A,                    05-2018
Typical                                   Performance

                               100                                                                                                                                  -7         -6               -5              -4                -3             -2         -1           0

                                          Conditions:                                                                                                                                                                                                                          0

                                   90     VDS = 20 V

                                          tp < 200 µs                                                                                                                                               VGS = -5 V

                                   80                                                                                                                                                                                                                                          -10

Drain-Source Current, IDS (A)      70                                                                                                Drain-Source Current, IDS (A)                                                          VGS =     0  V                                     -20

                                   60                               TJ = 25 °C

                                                                                                                                                                                                                                                                               -30

                                   50                                                                                                                                                                                                                                          -40

                                                       TJ = 150 °C                     TJ = -55 °C                                                                                                                  VGS  =  -2 V

                                   40                                                                                                                                                                                                                                          -50

                                   30

                                                                                                                                                                                                                                                                               -60

                                   20

                                   10                                                                                                                                                                                                                                          -70

                                                                                                                                                                                                                                                            Conditions:        -80

                                    0                                                                                                                                                                                                                       TJ = -55°C

                                       0      2        4            6           8  10         12       14   16           18     20                                                                                                                          tp < 200 µs

                                                                    Gate-Source Voltage, VGS (V)                                                                                                    Drain-Source         Voltage VDS (V)                                       -90

                                                      Figure 7. Transfer Characteristic for                                                                                    Figure        8.  Body Diode              Characteristic at              -55 ºC

                                                       Various Junction Temperatures

                               -7         -6           -5              -4          -3              -2       -1               0                                      -7         -6                -5             -4                -3             -2         -1              0

                                                                                                                                0                                                                                                                                                 0

                                                                    VGS = -5 V                                                  -10                                                                                                                                               -10

(A)                                                                                                                                  (A)                                                                        VGS =    -5 V         VGS = 0 V

IDS                                                                                VGS = 0 V                                    -20  IDS                                                                                                                                          -20

Current,                                                                                                                        -30  Current,                                                                                                                                     -30

                                                                                   VGS = -2 V                                                                                                                                               VGS = -2 V

Drain-Source                                                                                                                    -40  Drain-Source                                                                                                                                 -40

                                                                                                                                -50                                                                                                                                               -50

                                                                                                                                -60                                                                                                                                               -60

                                                                                                                                -70                                                                                                                                               -70

                                                                                                            Conditions:                                                                                                                                     Conditions:

                                                                                                            TJ = 25°C           -80                                                                                                                         TJ = 150°C            -80

                                                                                                            tp < 200 µs                                                                                                                                     tp < 200 µs

                                                           Drain-Source Voltage VDS (V)                                         -90                                                                  Drain-Source Voltage VDS (V)                                                 -90

                                          Figure       9.  Body Diode Characteristic                   at  25 ºC                                                               Figure 10.           Body Diode Characteristic                           at  150 ºC

                               3.0                                                                                                                                      25

                                                                                                                Conditons                                                      Conditions:

                                                                                                                VGS = VDS                                                      IDS = 20 A

                               2.5                                                                              IDS = 5 mA                                              20     IGS = 50 mA

                                                                                                                                                                               VDS = 1200 V

                                                                                                                                     Gate-Source Voltage, VGS (V)              TJ = 25 °C

Threshold Voltage, Vth (V)     2.0                                                                                                                                      15

                               1.5                                                                                                                                      10

                               1.0                                                                                                                                      5

                               0.5                                                                                                                                      0

                               0.0                                                                                                                                      -5

                                    -50       -25          0           25          50          75      100        125           150                                         0               25            50                      75             100            125               150

                                                                    Junction Temperature TJ (°C)                                                                                                                    Gate Charge, QG (nC)

                                          Figure 11. Threshold Voltage vs. Temperature                                                                                             Figure            12.  Gate Charge Characteristics

4                                         C2M0080170P Rev. A,                      05-2018
Typical                                  Performance

                               -6           -5        -4            -3         -2                    -1               0                     -6                           -5       -4           -3                    -2                -1           0

                                                                                                                         0                                                                                                                                     0

(A)                                                       VGS  =0V                                                       -10  (A)                                                                                                                              -10

                                                                                                                                                                                       VGS  =  0V

IDS                                                                                                                      -20  IDS                                                                                                                              -20

Current,                                                                                                                      Current,                                                         VGS =  5V

                                                               VGS = 5 V                                                 -30                                                                                                                                   -30

                                                                                                         VGS = 10  V

Drain-Source                                                                                                             -40  Drain-Source                                                                                                                     -40

                                                                                                VGS = 15 V                                                                                                               VGS =  10  V

                                                                                                                         -50                                                                                                                                   -50

                                                                                          VGS  = 20 V                                                                                                             VGS =  15 V

                                                                                                                         -60                                                                                                                                   -60

                                                                                                                         -70                                                                          VGS  =  20  V                                            -70

                                                                                                     Conditions:                                                                                                                       Conditions:

                                                                                                     TJ = -55 °C         -80                                                                                                           TJ = 25 °C              -80

                                                                                                     tp < 200 µs                                                                                                                       tp < 200 µs

                                                      Drain-Source Voltage VDS (V)                                       -90                                                      Drain-Source Voltage VDS (V)                                                 -90

                                         Figure 13. 3rd Quadrant Characteristic at -55 ºC                                                                            Figure  14.  3rd Quadrant Characteristic at                       25 ºC

                               -6           -5        -4            -3         -2                    -1               0                                       70

                                                                                                                         0

                                                                                                                                                              60

Drain-Source Current, IDS (A)                                  VGS = 0 V                                                 -10

                                                                                          VGS = 5 V                      -20  Stored Energy, EOSS (µJ)        50

                                                               VGS = 20 V           VGS = 10 V                           -30                                  40

                                                                               VGS = 15 V                                -40

                                                                                                                                                              30

                                                                                                                         -50

                                                                                                                         -60                                  20

                                                                                                                         -70                                  10

                                                                                                     Conditions:

                                                                                                     TJ = 150 °C         -80                                  0

                                                                                                     tp < 200 µs                                                  0          200       400            600                800               1000                1200

                                                      Drain-Source Voltage VDS (V)                                       -90                                                           Drain to Source Voltage, VDS (V)

                                         Figure  15.  3rd Quadrant Characteristic at 150 ºC                                                                              Figure   16.  Output Capacitor Stored Energy

                                                                                                         Conditions:                                                                                                                               Conditions:

                                                                                                         TJ = 25 °C                                                                                                                                TJ = 25 °C

                               10000                                                                     VAC = 25 mV                                          10000                                                                                VAC = 25 mV

                                                                                                         f = 1 MHz                                                                                                                                 f = 1 MHz

                                                                                    Ciss                                                                                                                                 Ciss

Capacitance (pF)                   1000                                                                                                     Capacitance (pF)  1000

                                                                                    Coss

                                                                                                                                                                                                                         Coss

                                   100                                                                                                                        100

                                   10                                               Crss                                                                          10

                                                                                                                                                                                                                         Crss

                                   1                                                                                                                              1

                                         0            50                  100                  150                       200                                          0      100  200  300            400         500          600     700          800           900

                                                          Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                            Figure 17. Capacitances vs. Drain-Source                                                                                         Figure 18. Capacitances vs. Drain-Source

                                                          Voltage (0 - 200V)                                                                                                           Voltage (0 - 1000V)

5                                           C2M0080170P Rev. A,           05-2018
Typical Performance

                                              45                                                                                                                               300

                                                                                                                         Conditions:                                                                                                                           Conditions:

Drain-Source Continous Current, IDS (DC) (A)  40                                                                         TJ ≤ 150 °C                                                                                                                           TJ ≤ 150 °C

                                                                                                                                           Maximum Dissipated Power, Ptot (W)  250

                                              35

                                              30                                                                                                                               200

                                              25

                                                                                                                                                                               150

                                              20

                                              15                                                                                                                               100

                                              10

                                                                                                                                                                               50

                                              5

                                              0                                                                                                                                0

                                                   -55           -30          -5  20      45            70    95     120          145                                               -55        -30             -5     20      45          70     95            120       145

                                                                                  Case Temperature, TC (°C)                                                                                                           Case Temperature, TC (°C)

                                                        Figure 19.            Continuous Drain Current Derating      vs.                                                            Figure 20. Maximum Power Dissipation Derating vs.

                                                                                  Case Temperature                                                                                                                    Case Temperature

                                                                                                                                                                               100.00

                                                   1

Junction To Case Impedance, ZthJC (oC/W)                                                                                                                                                                                                                               10 µs

                                                                                                                                                                                               Limited by RDS On                                               100 µs

                                                            0.5                                                                            Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                 1 ms

                                                                                                                                                                               10.00

                                          100E-3            0.3                                                                                                                                                                                  100 ms

                                                            0.1

                                                        0.05                                                                                                                        1.00

                                              10E-3     0.02

                                                        0.01

                                              1E-3               SinglePulse                                                                                                        0.10

                                                                                                                                                                                               Conditions:

                                                                                                                                                                                               TC = 25 °C

                                                                                                                                                                                               D = 0,

                                                                                                                                                                                               Parameter: tp

                                          100E-6                                                                                                                                    0.01

                                                      1E-6            10E-6       100E-6      1E-3            10E-3  100E-3            1                                                  0.1                      1          10                 100                   1000

                                                                                          Time, tp (s)                                                                                                                Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                                                 Figure 21. Transient Thermal            Impedance                                                                                         Figure     22. Safe Operating Area

                                                                                  (Junction - Case)

                                              0.8                                                                                                                              1.5

                                                        Conditions:                                                                                                                       Conditions:

                                                        TJ = 25 °C                                                                                                                        TJ = 25 °C

                                                        VDD = 900 V                                                                                                                       VDD = 1200 V

                                                        RG(ext) = 2.5 Ω                                                                                                        1.2        RG(ext) = 2.5 Ω

                                              0.6       VGS = -5V/+20 V                       ETotal                                                                                      VGS = -5V/+20 V

                                                        FWD = C2M0080170P                                                                                                                 FWD = C2M0080170P

                                                        L = 200 μH                                                                         Switching Loss (uJ)                            L = 200 μH                              ETotal

Switching Loss (mJ)                                                                                                                                                            0.9

                                              0.4                                                   EOn

                                                                                                                                                                               0.6                                                EOn

                                              0.2

                                                                                                                                                                               0.3

                                                                                                        EOff                                                                                                                              EOff

                                              0.0                                                                                                                              0.0

                                                   0                     10           20                30           40                50                                           0                      10             20              30                   40             50

                                                                                  Drain to Source Current, IDS (A)                                                                                                    Drain to Source Current, IDS (A)

                                                        Figure 23. Clamped Inductive Switching                       Energy  vs.                                                    Figure 24. Clamped Inductive Switching Energy                                   vs.

                                                                              Drain Current (VDD = 900V)                                                                                                    Drain Current (VDD = 1200V)

6                                                       C2M0080170P Rev. A,               05-2018
Typical                       Performance

                      1.8                                                                                                            1.5

                              Conditions:                                                                                                    Conditions:

                              TJ = 25 °C                                                                                                     IDS = 20 A

                      1.5     VDD = 1200 V                                                                                                   VDD = 1200 V

                              IDS = 20 A                                                                                             1.2     RG(ext) = 2.5 Ω

                              VGS = -5V/+20 V                                                                                                VGS = -5V/+20 V                      ETotal

                              FWD = C2M0080170P                                                                                              FWD = C3M0080170P

Switching Loss (mJ)   1.2     L = 200 μH                          ETotal                                        Switching Loss (mJ)          (- - -)FWD = C3D10170H

                                                                                                                                     0.9     L = 200 μH

                                                                                                                                                                                  EOn

                      0.9

                                                                  EOn                                                                0.6

                      0.6                                                                                                                                                                                ETotal

                                                                          EOff                                                       0.3                                                                 EOn

                      0.3

                                                                                                                                                                                                              EOff

                      0.0                                                                                                            0.0

                           0                   5            10                    15          20            25                            0              25     50   75  100                        125  150        175

                                                  External  Gate  Resistor RG(ext)    (Ohms)                                                                         Junction Temperature, TJ (°C)

                      Figure 25. Clamped          Inductive       Switching           Energy  vs.  RG(ext)                                Figure         26.  Clamped Inductive Switching Energy vs.

                                                                                                                                                                     Temperature

                      100

                              Conditions:

                              TJ = 25 °C

                              VDD = 1200 V

                      80      IDS = 20 A

                              VGS = -5V/+20 V                     td(off)

                              FWD = C2M0080170P

                              L = 200 μH

Switching Times (ns)  60

                                                                  td(on)

                      40

                                                                          tf

                      20                                                      tr

                      0

                           0                   5            10                    15          20            25

                                                  External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)

                                          Figure 27. Switching Times vs. RG(ext)                                                                         Figure 28. Switching Times Definition

7                             C2M0080170P Rev. A,                 05-2018
Test  Circuit Schematic

                         Figure 29a. Clamped Inductive Switching Test Circuit using

                                      MOSFET intristic body diode

                         Figure 29b. Clamped Inductive Switching Test Circuit using

                                      SiC Schottky diode

8     C2M0080170P Rev.   A,  05-2018
                                                                                        NOTE ;

                                                                                        1. ALL METAL SURFACES: TIN PLATED,EXCE

   Package Dimensions                                                                   2. DIMENSIONING & TOLERANCEING CONFI

                                                    PACKAGE      DWG NO.  98W0004TO005          ASME Y14.5M-1994.

   ASE Package
               TO-247-4SAedmLvaicnocnePdducltour s               ISSUE        A         3. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.

                Engineering Weihai, Inc.            OUTLINE

                                                                 DATE     May.20, 2016          ANGLES ARE IN DEGREES.

                E                                                                                    MILLIMETERS

                                                                          E1                    SYM

   E3                                                                     E4                         MIN              MAX

                                                                                                A    4.83                5.21

                                                                                                A1   2.29                2.54

                                                                                                A2   1.91                2.16

                                                                                                b'   1.07                1.28

           E2                                                                                   b    1.07                1.33

                                                                                                b1   2.39                2.94

                                                                                                b2   2.39                2.84

                                                                                                b3   1.07                1.60

                                                                                                b4   1.07                1.50

                                                                                                b5   2.39                2.69

                                                                                                b6   2.39                2.64

                                                                                                c'   0.55                0.65

                                                                                                c    0.55                0.68

                                                                                                D    23.30               23.60

                                                                                                D1   16.25               17.65

                                                                                                D2   0.95                1.25

                                                                                                E    15.75               16.13

                                                                                                E1   13.10               14.15

                                                                                                E2   3.68                5.10

                                                                                                E3   1.00                1.90

                                                                                                E4   12.38               13.43

                                                                                                e          2.54 BSC

                   BASE METAL                                                                   e1         5.08 BSC

                                                                                                N                  4

                                                                                                L    17.31               17.82

                                                                                                L1   3.97                4.37

                                                                                                L2   2.35                2.65

                                                                                                Q    5.49                6.00

                   SECTION "F-F", "G-G" AND "H-H"                                               T    17.5° REF.

                                                    SCALE: NONE                                 W    3.5 ° REF.

                                                                                                X    4°            REF.

   TITLE:      TO-247 Plus 4 LD                                  COMPANY  ASE Weihai

                                                                 SHEET        1 OF 3    TITLE:

                                                                                                     TO-247 Plus 4LD

9  C2M0080170P Rev. A,                              05-2018
Notes

•      RoHS Compliance

       The levels of RoHS restricted materials in this product are below the maximum concentration values (also referred to as the

       threshold limits) permitted for such substances, or are used in an exempted application, in accordance with EU Directive

       2011/65/EC (RoHS2), as implemented January 2, 2013. RoHS Declarations for this product can be obtained from your Cree repre-

       sentative or from the Product Documentation sections of www.cree.com.

•      REACh Compliance

       REACh substances of high concern (SVHCs) information is available for this product. Since the European Chemical Agency

       (ECHA) has published notice of their intent to frequently revise the SVHC listing for the foreseeable future,please contact a Cree

       representative to insure you get the most up-to-date REACh SVHC Declaration. REACh banned substance information (REACh

       Article 67) is also available upon request.

•      This product has not been designed or tested for use in, and is not intended for use in, applications implanted into the human

       body nor in applications in which failure of the product could lead to death, personal injury or property damage, including but not

       limited to equipment used in the operation of nuclear facilities, life-support machines, cardiac defibrillators or similar emergency

       medical equipment, aircraft navigation or communication or control systems, air traffic control systems.

Related Links

•      C2M PSPICE Models: http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

•      SiC MOSFET Isolated Gate Driver reference design: http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

•      SiC MOSFET Evaluation Board:  http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

                                                                                                                                             Cree, Inc.

   Copyright © 2018 Cree, Inc. All rights reserved.                                                                                    4600 Silicon Drive

                                                                                                                                    Durham, NC 27703

   The information in this document is subject to change without notice.                                         USA Tel: +1.919.313.5300

   Cree, the Cree logo, and Zero Recovery are registered trademarks of Cree, Inc.                                                Fax: +1.919.313.5451

                                                                                                                                 www.cree.com/power

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