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C2M0080120D_15

器件型号:C2M0080120D_15
厂商名称:Cree
厂商官网:http://www.cree.com/
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器件描述

Silicon Carbide Power MOSFET

C2M0080120D_15器件文档内容

                                                                                              VDS        1200 V

C2M0080120D                                                                                   ID @ 25C  36 A
                                                                                              RDS(on)    80 m
Silicon Carbide Power MOSFET
          TM

C2M MOSFET Technology

N-Channel Enhancement Mode

Features                                                 Package

High Blocking Voltage with Low On-Resistance
High Speed Switching with Low Capacitances
Easy to Parallel and Simple to Drive
Avalanche Ruggedness
Halogen Free, RoHS Compliant

Benefits                                                          TO-247-3
Higher System Efficiency
Reduced Cooling Requirements
Increased Power Density
Increased System Switching Frequency

Applications                                                                Part Number                  Package
Solar Inverters                                                           C2M0080120D                  TO-247-3
Switch Mode Power Supplies
High Voltage DC/DC Converters
Battery Chargers
Motor Drives
Pulsed Power applications

Maximum Ratings (TC = 25 C unless otherwise specified)

   Symbol                      Parameter                 Value Unit         Test Conditions                          Note

   VDSmax  Drain - Source Voltage                         1200    V VGS = 0 V, ID = 100 A                          Fig. 19
   VGSmax  Gate - Source Voltage                         -10/+25  V Absolute maximum values                        Fig. 22
   VGSop   Gate - Source Voltage                                                                                   Fig. 20
                                                         -5/+20   V Recommended operational values

                                                         36                 VGS = 20 V, TC = 25C

   ID      Continuous Drain Current                               A

                                                         24                 VGS = 20 V, TC = 100C

   ID(pulse) Pulsed Drain Current                        80       A Pulse width tP limited by Tjmax

   PD      Power Dissipation                              192     W TC=25C, TJ = 150 C
                                                                  C
   TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature  -55 to
                                                         +150

   TL      Solder Temperature                            260      C 1.6mm (0.063") from case for 10s

   Md      Mounting Torque                                1       Nm        M3 or 6-32 screw
                                                         8.8      lbf-in

1          C2M0080120D Rev. C, 10-2015
Electrical Characteristics (TC = 25C unless otherwise specified)

Symbol                 Parameter              Min.             Typ.                                    Max.  Unit  Test Conditions                           Note
                                                                                                                                                            Fig. 11
   V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage               1200                                            4   V VGS = 0 V, ID = 100 A
                                                                                                             V VDS = VGS, ID = 5 mA                         Fig. 4,
                                                         2.0   2.6                                      100  V VDS = VGS, ID = 5 mA, TJ = 150C             5, 6
                                                                                                        250                                                 Fig. 7
   VGS(th)  Gate Threshold Voltage                             2.1                                       98                                                 Fig. 17,
                                                                                                                                                            18
   IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current                            1                                     A VDS = 1200 V, VGS = 0 V                      Fig. 16
                                                                                                                                                            Fig. 29
   IGSS     Gate-Source Leakage Current                                                                      nA VGS = 20 V, VDS = 0 V                       Fig. 25

                                                                                                   80                 VGS = 20 V, ID = 20 A                 Fig. 27
   RDS(on) Drain-Source On-State Resistance                                                                  m
                                                                                                                                                            Fig. 12
                                                                                                  128                 VGS = 20 V, ID = 20A, TJ = 150C
                                                                                                                                                             Note
                                                               8.1                                                   VDS= 20 V, IDS= 20 A                   Fig. 8,
                                                                                                             S                                              9, 10
   gfs      Transconductance                                                                                                                                Note 1
                                                                                                                     VDS= 20 V, IDS= 20 A, TJ = 150C       Note 1
                                                               7.8
                                                                                                                                                           Note
   Ciss     Input Capacitance                                  950                                                   VGS = 0 V                          Fig. 21
                                                                                                             pF VDS = 1000 V
   Coss     Output Capacitance                                 80
                                                                                                                     f = 1 MHz
   Crss     Reverse Transfer Capacitance                       7.6                                           J VAC = 25 mV

   Eoss     Coss Stored Energy                                 45                                            J ID = 20A, VDD = 50V

   EAS      Avalanche Energy, Single Pluse                             1                                     J VDS = 800 V, VGS = -5/20 V, ID = 20A,
                                                                                                                     RG(ext) = 2.5, L= 142 H
   EON      Turn-On Switching Energy                           265

   EOFF     Turn Off Switching Energy                          135

   td(on)   Turn-On Delay Time                                 11

   tr       Rise Time                                          20                                                  VDD = 800 V, VGS = -5/20 V

                                                                                                             ns    ID = 20 A, RG(ext) = 2.5 ,

   td(off)  Turn-Off Delay Time                                23                                                  RL = 40 , Timing relative to VDS

                                                                                                                   Per IEC60747-8-4 pg 83

   tf       Fall Time                                          19

   RG(int)  Internal Gate Resistance                           4.6                                            f = 1 MHz, VAC = 25 mV

   Qgs      Gate to Source Charge                              15                                                     VDS = 800 V, VGS = -5/20 V
                                                                                                             nC ID = 20 A
   Qgd      Gate to Drain Charge                               23
                                                                                                                      Per IEC60747-8-4 pg 21
   Qg       Total Gate Charge                                  62

Reverse Diode Characteristics

Symbol Parameter                              Typ. Max.                                                Unit                     Test Conditions
                                                                                                         V   VGS = - 5 V, ISD = 10 A
                                                         3.3                                             V   VGS = - 5 V, ISD = 10 A, TJ = 150 C
                                                                                                         A   TC = 25C
   VSD      Diode Forward Voltage                                                                       ns
                                                                                                        nC   VGS = - 5 V, ISD = 20 A, VR = 800 V
                                                         3.1                                             A   dif/dt = 2400 A/s

   IS       Continuous Diode Forward Current                   36

   trr      Reverse Recover time                         32

   Qrr      Reverse Recovery Charge           192

   Irrm     Peak Reverse Recovery Current                10

Note (1): When using SiC Body Diode the maximum recommended VGS = -5V

Thermal Characteristics

Symbol      Parameter                                          Typ.                                    Max.  Unit  Test Conditions
   RJC      Thermal Resistance from Junction to Case           0.60                                    0.65  C/W
   RJA      Thermal Resistance From Junction to Ambient                                                  40

2           C2M0080120D Rev. C, 10-2015
Typical Performance

                               70                                                  VGS = 20 V                                                                           70                                                 VGS = 20 V
                                         Conditions:              VGS = 18 V                                                                                                      Conditions:              VGS = 18 V

                                         TJ = -55 C                                                                                                                              TJ = 25 C
                               60 tp < 200 s                                                                                                                           60 tp < 200 s

Drain-Source Current, IDS (A)  50                                                                                                        Drain-Source Current, IDS (A)  50                                                                      VGS = 14 V
                                                      VGS = 16 V                                                                                                                                  VGS = 16 V

                               40                                                                                                                                       40

                                                                                                                VGS = 14 V

                               30                                                                                                                                       30                                                                      VGS = 12 V

                               20                                                                               VGS = 12 V                                              20
                                                                                                                  VGS = 10 V                                                                                                                                                 VGS = 10 V
                               10
                                                                                                                                                                        10
                                0
                                   0.0                  2.5           5.0                      7.5              10.0               12.5                                 0                       2.5           5.0                      7.5      10.0                                     12.5
                                                                                                                                                                          0.0

                                                                  Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                               Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                        Figure 1. Output Characteristics TJ = -55 C                                                                                              Figure 2. Output Characteristics TJ = 25 C

Drain-Source Current, IDS (A)  70                                              VGS = 18 V           VGS = 20 V                                                          2.0
                                         Conditions:
                                         TJ = 150 C                                                                  VGS = 14 V                                                   Conditions:
                                                                                                                       VGS = 12 V                                       1.8 IDS = 20 A
                               60 tp < 200 s
                                                                                                                                                                                   VGS = 20 V
                               50                                                                                                                                       1.6 tp < 200 s

                               40                                                                                                        On Resistance, RDS On (P.U.)   1.4

                               30                                 VGS = 16 V

                                                                                                                                                                        1.2

                                                                                                                                                                        1.0

                                                                                                                                                                        0.8

                               20                                                                                     VGS = 10 V                                        0.6

                                                                                                                                                                        0.4

                               10

                                                                                                                                                                        0.2

                               0                                                                                                                                        0.0
                                 0.0
                                                        2.5           5.0                      7.5              10.0               12.5                                      -50  -25                0        25          50                75  100         125                          150

                                                                  Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                               Junction Temperature, TJ (C)

                                        Figure 3. Output Characteristics TJ = 150 C                                                                                       Figure 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature

                               200                                                                                                                                      280
                                           Conditions:                                                                                                                              Conditions:
                                                                                                                                                                                    IDS = 20 A
                               180 VGS = 20 V
                                           tp < 200 s                                                                                                                  240 tp < 200 s

                               160

On Resistance, RDS On (mOhms)  140                                TJ = 150 C                                                            On Resistance, RDS On (mOhms)  200

                               120                                                                                                                                      160                                   VGS = 14 V

                               100                                             TJ = 25 C

                               80                                                                                                                                       120                                   VGS = 16 V

                                                                                                   TJ = -55 C                                                                                 VGS = 18 V
                                                                                                                                                                        80
                               60

                               40                                                                                                                                                                             VGS = 20 V

                                                                                                                                                                        40

                               20

                               0                                                                                                                                        0

                                    0   10                        20          30               40   50                60           70                                        -50  -25                0        25          50                75  100         125                          150

                                                                  Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                               Junction Temperature, TJ (C)

                                        Figure 5. On-Resistance vs. Drain Current                                                                                                 Figure 6. On-Resistance vs. Temperature
                                                  For Various Temperatures                                                                                                                  For Various Gate Voltage

3                                       C2M0080120D Rev. C, 10-2015
Typical Performance                                                                                                                     -7                                        -6            -5          -4             -3      -2             -1              0

      40                                                                                                                                                                                                                                                                0
                   Conditions:
                   VDS = 20 V                                                                                                                                                                   VGS = -5 V                                        Condition:
                   tp < 200 s
Drain-Source Current, IDS (A)                                                 TJ = 150 C                                                                                                                                                         TJ = -55 C
      30                                                              TJ = 25 C                                                                                                                                                                  tp < 200 s -10

      20                                                                                            TJ = -55 C                                                                                                 VGS = 0 V

      10                                                                                                                                Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                   -20

                                                                                                                                                                                                            VGS = -2 V
                                                                                                                                                                                                                                                                                -30

                                                                                                                                                                                                                                                                        -40

                                                                                                                                                                                                                                                                        -50

                                                                                                                                                                                                                                                                        -60

                                0            2        4           6       8       10        12                   14                                                                                                                                                           -70
                                    0                                                                                                                                                               Drain-Source Voltage, VDS (A)
                                                         Gate-Source Voltage, VGS (V)
                               -7
                                                  Figure 7. Transfer Characteristic for                                                                                           Figure 8. Body Diode Characteristic at -55 C
                                                    Various Junction Temperatures

                                         -6       -5              -4      -3      -2        -1                       0                                                 -7         -6            -5          -4             -3             -2      -1                 0

                                                                                                                        0                                                                                                                                                  0

                                                                                                Condition:                                                                                                                                            Condition:

                                                      VGS = -5 V                                TJ = 25 C                                                                                          VGS = -5 V                                        TJ = 150 C
                                                                                                tp < 200 s -10                                                                                                                                       tp < 200 s -10
                                                                                                                                                                                                                               VGS = 0 V

Drain-Source Current, IDS (A)                                         VGS = 0 V                                                         Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                      -20
                                                                                                                            -20                                                                                     VGS = -2 V

                                                                  VGS = -2 V                                                                                                                                                                                               -30
                                                                                                                                   -30

                                                                                                                        -40                                                                                                                                                -40

                                                                                                                        -50                                                                                                                                                -50

                                                                                                                        -60                                                                                                                                                -60

                                                                                                                                   -70                                                                                                                                        -70
                                                         Drain-Source Voltage, VDS (A)                                                                                                              Drain-Source Voltage, VDS (A)

                                         Figure 9. Body Diode Characteristic at 25 C                                                                                             Figure 10. Body Diode Characteristic at 150 C

                               3.5                                                                                                                                     25

                                                                                                Conditions                                                                        Conditions:

                               3.0                                                              VDS = 1V0GSV                                                                      IDS = 20 A

                                                                                                IDS = 05.m5 AmA                                                        20         IGS = 100 mA

                                                                                                                                                                                  VDS = 800 V

                               2.5                                                                                                      Gate-Source Voltage, VGS (V)              TJ = 25 C

Threshold Voltage, Vth (V)                                                                                                                                             15

                               2.0

                                                                                                                                                                       10

                               1.5

                               1.0                                                                                                                                         5

                               0.5                                                                                                                                         0

                               0.0                                                                                                                                         -5

                                    -50      -25  0               25  50      75       100      125                  150                                                       0      10            20          30             40             50      60                   70

                                                         Junction Temperature TJ (C)                                                                                                                           Gate Charge, QG (nC)

                                         Figure 11. Threshold Voltage vs. Temperature                                                                                                 Figure 12. Gate Charge Characteristics

4                                        C2M0080120D Rev. C, 10-2015
Typical Performance

                               -6               -5  -4             -3           -2                                   -1               0                                      -6                             -5       -4        -3                  -2                        -1        0
                                                                                                                                         0                                                                                                                                                0
                                   Conditions:          VGS = 0 V                                                                        -10                                                   Conditions:                VGS = 0 V                                                       -10
                                   TJ = -55 C                       VGS = 5 V                                                           -20                                                   TJ = 25 C                               VGS = 5 V                                         -20
                                   tp < 200 s                                                                                           -30                                                   tp < 200 s                                                                                -30
                                                                                                                                         -40                                                                                                                                              -40
Drain-Source Current, IDS (A)                                                                           VGS = 10 V                       -50  Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                VGS = 10 V     -50
                                                                                                    VGS = 15 V                           -60                                                                                                                    VGS = 15 V
                                                                                           VGS = 20 V                                    -70                                                                                                       VGS = 20 V

                                                                                                                                                                                                                                                                                                   -60

                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                                                                                                                -70
                                                                                                                                                                                                                     Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                      Figure 13. 3rd Quadrant Characteristic at -55 C                                                                                                         Figure 14. 3rd Quadrant Characteristic at 25 C

                               -6               -5  -4             -3           -2                                   -1               0                                          50
                                                                                                                                         0                                       45
                                   Conditions:          VGS = 0 V               VGS = 5 V                                                -10                                     40
                                   TJ = 150 C                                                                                           -20                                     35
                                   tp < 200 s                                                                                           -30                                     30
                                                                                                                                         -40                                     25
Drain-Source Current, IDS (A)                                                                     VGS = 10 V                             -50  Stored Energy, EOSS (J)           20
                                                                                       VGS = 15 V                                        -60                                     15
                                                                       VGS = 20 V                                                        -70                                     10

                                                                                                                                                                                  5                             200       400       600                  800                     1000             1200
                                                                                                                                                                                  0

                                                                                                                                                                                      0

                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                                         Drain to Source Voltage, VDS (V)

                                      Figure 15. 3rd Quadrant Characteristic at 150 C                                                                                                                      Figure 16. Output Capacitor Stored Energy

                               10000                                                                                      Conditions:                                                          10000                                                                                  Conditions:
                                1000                                                                                                                                                            1000
                                                                                                                          TJ = 25 C                                                                                                                                                  TJ = 25 C

                                                                                                                          VAC = 25 mV                                                                                                                                                 VAC = 25 mV

                                                                                           Ciss                           f = 1 MHz                                                                                                                Ciss                               f = 1 MHz

Capacitance (pF)                                                                                               Coss                                                          Capacitance (pF)  100                                                 Coss
                                   100

                                                                                                              Crss                                                                             10
                                   10                                                                                                                                                                                                                                  Crss

                                   1                                                                                                                                                           1

                                      0             50                 100                                           150               200                                                            0              200       400                 600                           800               1000

                                                        Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                                     Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                                Figure 17. Capacitances vs. Drain-Source                                                                                                                        Figure 18. Capacitances vs. Drain-Source
                                                               Voltage (0 - 200V)                                                                                                                                             Voltage (0 - 1000V)

5                                        C2M0080120D Rev. C, 10-2015
Typical Performance

                                              40                                                                                                                           250
                                                                                                                                                                                                                                                                                    Conditions:
                                                                                                                      Conditions:                                                                                                                                                   TJ  150 C

Drain-Source Continous Current, IDS (DC) (A)  35                                                                      TJ  150 C                                           200

                                              30                                                                                       Maximum Dissipated Power, Ptot (W)

                                              25                                                                                                                           150

                                              20

                                              15                                                                                                                           100

                                              10

                                                                                                                                                                           50

                                              5

                                              0                                                                                                                            0

                                                  -55      -30    -5       20               45        70  95      120 145                                                       -55        -30           -5     20      45  70             95     120 145

                                                                           Case Temperature, TC (C)                                                                                                            Case Temperature, TC (C)

                                                     Figure 19. Continuous Drain Current Derating vs.                                                                           Figure 20. Maximum Power Dissipation Derating vs.
                                                                        Case Temperature                                                                                                              Case Temperature

                                                  1                                                                                                                        100.00

Junction To Case Impedance, ZthJC (oC/W)                    0.5                                                                                                                                                                                           10 s
                                                            0.3
                                                                                                                                                                                           Limited by RDS On
                                          100E-3
                                                                                                                                       Drain-Source Current, IDS (A)                                                                              100 s
                                                            0.1
                                                           0.05                                                                                                            10.00                                                           1 ms

                                                           0.02                                                                                                                                                             100 ms

                                           10E-3                                                                                                                                1.00

                                                            0.01           SinglePulse

                                                                                                                                                                                0.10

                                                                                                                                                                                           Conditions:

                                                                                                                                                                                           TC = 25 C
                                                                                                                                                                                           D = 0,

                                              1E-3                                                                                                                                        Parameter: tp
                                                                                                                                                                                0.01

                                                     1E-6         10E-6    100E-6               1E-3      10E-3   100E-3           1                                                  0.1                    1          10          100                   1000

                                                                                        Time, tp (s)                                                                                                            Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                                           Figure 21. Transient Thermal Impedance                                                                                                      Figure 22. Safe Operating Area
                                                                          (Junction - Case)

                                              1600        Conditions:                                     ETotal                                                           1200          Conditions:                                ETotal
                                              1400        TJ = 25 C                                                                                                       1000          TJ = 25 C
Switching Energy (uJ)                         1200        VDD = 800 V                                                                  Switching Energy (uJ)                             VDD = 600 V
                                              1000        RG(ext) = 2.5                                                                                                     800          RG(ext) = 2.5
                                                          VGS = -5/+20 V                                                                                                                 VGS = -5/+20 V
                                                          FWD = C4D10120A                                                                                                                FWD = C4D10120A
                                                          L = 142 H                                                                                                                      L = 142 H

                                              800                                                                                                                          600

                                              600                                                         EOn                                                                                                                              EOn

                                                                                                                                                                           400

                                              400

                                                                                                          EOff                                                             200                                                             EOff

                                              200

                                                  0                                                                                                                             0

                                                       0          10                    20            30          40               50                                                 0                 10          20          30                40                                             50

                                                                           Drain to Source Current, IDS (A)                                                                                                     Drain to Source Current, IDS (A)

                                                     Figure 23. Clamped Inductive Switching Energy vs.                                                                             Figure 24. Clamped Inductive Switching Energy vs.
                                                                     Drain Current (VDD = 800V)                                                                                                    Drain Current (VDD = 600V)

6                                                         C2M0080120D Rev. C, 10-2015
Typical Performance

                       1000                                                                                                                                         600
                        900
                        800       Conditions:                                                                                                                                                                                              Conditions:
                        700       TJ = 25 C
                        600       VDD = 800 V                                                                                                                       500                                                                    IDS = 20 A
                                  IDS = 20 A                                                                                                                                                                                               VDD = 800 V
                                  VGS = -5/+20 V                     ETotal                                                                                                                                                                RG(ext) = 2.5
                                  FWD = C4D10120A                                                                                                                                                                                          VGS = -5/+20 V
                                  L = 142 H
                                                                                                                                               Swithcing Loss (uJ)                        ETotal                                           FWD = C4D10120A

Switching Loss (uJ)                                                                                                                                                 400                                                                    L = 142 H

                       500                                           EOn                                                                                            300                   EOn

                       400                                                                                                                                          200
                                                                                                                                                                                                                             EOff
                                                                                               EOff
                       300                                                                                                                                          100

                       200

                       100

                           0                                                                                                                                        0

                               0                 5      10      15                                        20            25                30                             -50  -25  0  25                                           50  75  100  125        150

                                                    External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)                                                                                             Junction Temperature, TJ (C)

                       Figure 25. Clamped Inductive Switching Energy vs. RG(ext)                                                                                         Figure 26. Clamped Inductive Switching Energy vs.
                                                                                                                                                                                                  Temperature

                       70

                                  Conditions:

                                  TJ = 25 C

                       60         VDD = 800 V

                                  RL = 40

                                  VGS = -5/+20 V                                  tr
                       50                                       tf

Time (ns)              40                                                             td (off)

                       30

                       20                                                                                 td (on)

                       10

                       0

                           0                  5         10      15                                        20            25                30

                                                    External Gate Resistor, RG(ext) (Ohms)

                                            Figure 27. Switching Times vs. RG(ext)                                                                                            Figure 28. Switching Times Definition

                       35                                                                                                     Conditons:
                       30                                                                                                     VDD = 50 V
                       25
Avalanche Current (A)  20
                       15
                       10         25                50      75  100                                  125           150  175               200

                        5
                        0

                            0

                                                        Time in Avalanche TAV (us)

                                  Figure 29. Single Avalanche SOA curve

7                                 C2M0080120D Rev. C, 10-2015
Test Circuit Schematic

                                              L=142 uH                D1  C4D10120A

                                                                          10A, 1200V

                                                                          SiC Schottky

                            VDC  CDC=42.3 uF

                                                                             Q2
                                                           RG

                                                                                     D.U.T
                                                                               C2M0080120D

                                 Figure 30. Clamped Inductive Switching
                                            Waveform Test Circuit

                                                           RG             Q1

                                              L=142 uH                         D.U.T
                                                                          C2M0080120D
                                                           VGS= - 5V

                            VDC  CDC=42.3 uF

                                                                            Q2
                                                           RG

                                                                               C2M0080120D

                                 Figure 31. Body Diode Recovery Test Circuit

ESD Ratings                      Total Devices Sampled                                      Resulting Classification
                                 All Devices Passed 1000V                                             2 (>2000V)
                ESD Test         All Devices Passed 400V                                               C (>400V)
                   ESD-HBM       All Devices Passed 1000V                                             IV (>1000V)
                   ESD-MM
                   ESD-CDM

8  C2M0080120D Rev. C, 10-2015
   Package Dimensions                                    POS        Inches        Millimeters

   Package TO-247-3                                        A  Min           Max   Min       Max
                                                          A1
                                                          A2  .190          .205  4.83      5.21
                                                           b
                                                          b1  .090          .100  2.29      2.54
                                                          b2
                                                          b3  .075          .085  1.91      2.16
                                                          b4
                                                           c  .042          .052  1.07      1.33
                                                           D
                                                          D1  .075          .095  1.91      2.41
                                                          D2
                                                           E  .075          .085  1.91      2.16
                                                          E1
                                                          E2  .113          .133  2.87      3.38
                                                          E3
                                                          E4  .113          .123  2.87      3.13
                                                           e
                                                           N  .022          .027  0.55      0.68
                                                           L
                                                          L1  .819          .831  20.80     21.10
                                                          P
                                                           Q  .640          .695  16.25     17.65
                                                           S
                                                           T  .037          .049  0.95      1.25
                                                           U
                                                           V  .620          .635  15.75     16.13
                                                          W
                                                              .516          .557  13.10     14.15

                                                              .145          .201  3.68      5.10

                                                              .039          .075  1.00      1.90

                                                              .487          .529  12.38     13.43

                                                                   .214 BSC              5.44 BSC

                                                                    3                    3

                                                              .780          .800  19.81     20.32

T  U                   Pinout Information:                    .161          .173  4.10      4.40

                        Pin 1 = Gate                         .138          .144  3.51      3.65

                        Pin 2, 4 = Drain                     .216          .236  5.49      6.00

V  W                   Pin 3 = Source                       .238          .248  6.04      6.30

                                                              9            11   9        11

                                                              9            11   9        11

                                                              2             8   2               8

                                                              2             8   2               8

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                                            Part Number  Package               Marking
                                            C2M0080120D  TO-247-3            C2M0080120

   TO-247-3

9  C2M0080120D Rev. C, 10-2015
Notes

RoHS Compliance
      The levels of RoHS restricted materials in this product are below the maximum concentration values (also referred to as the
      threshold limits) permitted for such substances, or are used in an exempted application, in accordance with EU Directive
      2011/65/EC (RoHS2), as implemented January 2, 2013. RoHS Declarations for this product can be obtained from your Cree repre-
      sentative or from the Product Documentation sections of www.cree.com.

REACh Compliance
      REACh substances of high concern (SVHCs) information is available for this product. Since the European Chemical Agency
      (ECHA) has published notice of their intent to frequently revise the SVHC listing for the foreseeable future,please contact a Cree
      representative to insure you get the most up-to-date REACh SVHC Declaration. REACh banned substance information (REACh
      Article 67) is also available upon request.

This product has not been designed or tested for use in, and is not intended for use in, applications implanted into the human

      body nor in applications in which failure of the product could lead to death, personal injury or property damage, including but not
      limited to equipment used in the operation of nuclear facilities, life-support machines, cardiac defibrillators or similar emergency
      medical equipment, aircraft navigation or communication or control systems, air traffic control systems.

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                                                                                USA Tel: +1.919.313.5300
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                                                                                     www.cree.com/power

10  C2M0080120D Rev. C, 10-2015
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