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C2M0080120D

器件型号:C2M0080120D
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Cree, Inc.
标准:
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器件描述

MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Cree, Inc.
产品种类:
Product Category:
MOSFET
RoHS:YES
技术:
Technology:
SiC
安装风格:
Mounting Style:
Through Hole
封装 / 箱体:
Package / Case:
TO-247-3
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1200 V
Id - Continuous Drain Current:31.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance:80 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.1 V
Vgs - Gate-Source Voltage:- 5 V, + 25 V
Qg - Gate Charge:94 nC
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
Configuration:Single
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
208 W
Channel Mode:Enhancement
封装:
Packaging:
Tube
高度:
Height:
21.1 mm
长度:
Length:
16.13 mm
产品:
Product:
Power MOSFET
Transistor Type:1 N-Channel
类型:
Type:
Silicon Carbide Power MOSFET
宽度:
Width:
5.21 mm
商标:
Brand:
Cree, Inc.
Forward Transconductance - Min:3.9 S
Fall Time:21 ns
产品类型:
Product Type:
MOSFET
Rise Time:34 ns
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
30
子类别:
Subcategory:
MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:23.2 ns
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
单位重量:
Unit Weight:
1.340411 oz

C2M0080120D器件文档内容

                                                                                                     VDS            1200 V

C2M0080120D                                                                                          ID @ 25˚C      36 A

                                                                                                     RDS(on)        80 mΩ

Silicon Carbide Power MOSFET

C2M    TM     MOSFET Technology

N-Channel Enhancement Mode                                                                       

Features                                                        Package

•  High Blocking Voltage with Low On-Resistance

•  High Speed Switching with Low Capacitances

•  Easy to Parallel and Simple to Drive

•  Avalanche Ruggedness

•  Halogen Free, RoHS Compliant

Benefits                                                                 TO-247-3

•  Higher System Efficiency

•  Reduced Cooling Requirements

•  Increased Power Density

•  Increased System Switching Frequency

Applications

•  Solar Inverters

•  Switch Mode Power Supplies               

•  High Voltage DC/DC Converters                                                   Part Number                  Package

•  Battery Chargers

•  Motor Drives                                                                    C2M0080120D                  TO-247-3

•  Pulsed Power applications

Maximum       Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise  specified)

   Symbol                           Parameter                   Value    Unit                     Test Conditions           Note

   VDSmax     Drain - Source Voltage                            1200     V         VGS = 0 V, ID = 100 μA

   VGSmax     Gate - Source Voltage                             -10/+25  V         Absolute maximum values

   VGSop      Gate - Source Voltage                             -5/+20   V         Recommended operational values

                                                                36                 VGS  = 20  V,  TC = 25˚C                 Fig. 19

   ID         Continuous Drain Current                                   A

                                                                24                 VGS  = 20  V,  TC = 100˚C

   ID(pulse)  Pulsed Drain Current                              80       A         Pulse width tP limited by Tjmax          Fig. 22

   PD         Power Dissipation                                 192      W         TC=25˚C, TJ = 150 ˚C                     Fig. 20

   TJ , Tstg  Operating Junction and Storage Temperature        -55 to   ˚C

                                                                +150

   TL         Solder Temperature                                260      ˚C        1.6mm (0.063”) from case for 10s

   Md         Mounting Torque                                   1        Nm        M3 or 6-32 screw

                                                                8.8      lbf-in

1             C2M0080120D Rev. C,     10-2015
Electrical   Characteristics        (TC = 25˚C   unless  otherwise  specified)

Symbol                  Parameter                         Min.          Typ.     Max.    Unit                     Test Conditions                 Note

   V(BR)DSS  Drain-Source Breakdown Voltage               1200                           V          VGS = 0 V, ID = 100 μA

                                                          2.0           2.6          4   V          VDS = VGS, ID = 5 mA

   VGS(th)   Gate Threshold Voltage                                     2.1              V          VDS = VGS, ID = 5 mA, TJ = 150ºC              Fig. 11

   IDSS      Zero Gate Voltage Drain Current                                 1   100     μA         VDS = 1200 V, VGS = 0 V

   IGSS      Gate-Source Leakage Current                                         250     nA         VGS = 20 V, VDS = 0 V

                                                                             80      98             VGS = 20 V, ID = 20 A                         Fig.     4,

   RDS(on)   Drain-Source On-State Resistance                                            mΩ                                                       5, 6

                                                                        128                         VGS = 20 V, ID = 20A, TJ = 150ºC

                                                                        8.1                         VDS= 20 V, IDS= 20 A

   gfs       Transconductance                                                            S                                                        Fig. 7

                                                                        7.8                         VDS= 20 V, IDS= 20 A, TJ = 150ºC

   Ciss      Input Capacitance                                          950                         VGS = 0 V

   Coss      Output Capacitance                                              80          pF                                                       Fig. 17,

                                                                                                    VDS = 1000 V                                  18

   Crss      Reverse Transfer Capacitance                               7.6                         f = 1 MHz

   Eoss      Coss Stored Energy                                              45          μJ         VAC = 25 mV                                   Fig. 16

   EAS       Avalanche Energy, Single Pluse                                  1           J          ID = 20A, VDD = 50V                           Fig. 29

   EON       Turn-On Switching Energy                                   265                         VDS = 800 V, VGS = -5/20     V,  ID  =  20A,

                                                                                         μJ         RG(ext) = 2.5Ω, L= 142 μH                     Fig. 25

   EOFF      Turn Off Switching Energy                                  135

   td(on)    Turn-On Delay Time                                              11

   tr        Rise Time                                                       20                     VDD = 800 V, VGS = -5/20 V

                                                                                         ns         ID = 20 A, RG(ext) = 2.5 Ω,                   Fig. 27

   td(off)   Turn-Off Delay Time                                             23                     RL = 40 Ω, Timing relative       to  VDS

                                                                                                    Per IEC60747-8-4 pg 83

   tf        Fall Time                                                       19

   RG(int)   Internal Gate Resistance                                   4.6              Ω          f = 1 MHz, VAC = 25 mV

   Qgs       Gate to Source Charge                                           15                     VDS = 800 V, VGS = -5/20 V

   Qgd       Gate to Drain Charge                                            23          nC         ID  = 20 A                                    Fig. 12

   Qg        Total Gate Charge                                               62                     Per IEC60747-8-4 pg 21

Reverse      Diode Characteristics

Symbol       Parameter                                    Typ.          Max.     Unit                   Test Conditions                           Note

                                                          3.3                    V       VGS = - 5 V, ISD = 10 A                                  Fig. 8,

   VSD       Diode Forward Voltage                                                                                                                9, 10

                                                          3.1                    V       VGS = - 5 V, ISD = 10 A, TJ = 150 °C

   IS        Continuous Diode Forward Current                           36       A       TC = 25˚C                                                Note 1

   trr       Reverse Recover time                         32                     ns

   Qrr       Reverse Recovery Charge                      192                    nC      VGS = - 5 V, ISD = 20 A, VR = 800 V                      Note 1

                                                                                         dif/dt = 2400 A/µs

   Irrm      Peak Reverse Recovery Current                10                     A

Note (1): When using SiC Body Diode the maximum  recommended    VGS  =  -5V

Thermal Characteristics

Symbol       Parameter                                                  Typ.     Max.    Unit                     Test Conditions                 Note

   RθJC      Thermal Resistance from Junction to Case                   0.60     0.65

                                                                                         °C/W                                                     Fig. 21

   RθJA      Thermal Resistance From Junction to Ambient                         40

2            C2M0080120D Rev. C,        10-2015
Typical Performance

                               70                                                                                                                                            70

                                         Conditions:                            VGS = 20 V                                                                                               Conditions:                           VGS = 20 V

                                         TJ = -55 °C                                                                                                                                     TJ = 25 °C

                               60        tp < 200 µs                                                                                                                         60          tp < 200 µs

                                                                    VGS = 18 V                                                                                                                                    VGS = 18 V

Drain-Source Current, IDS (A)  50                                                                                                             Drain-Source Current, IDS (A)  50

                                                      VGS  = 16  V                                                                                                                                    VGS =  16 V                                   VGS  =  14 V

                               40                                                                                                                                            40

                                                                                                                      VGS = 14 V

                               30                                                                                                                                            30                                                                             VGS = 12     V

                               20                                                                                          VGS = 12 V                                        20

                                                                                                                                                                                                                                                                  VGS =  10  V

                               10                                                                                           VGS = 10 V                                       10

                               0                                                                                                                                             0

                                    0.0                    2.5                  5.0                  7.5              10.0              12.5                                      0.0                 2.5          5.0                     7.5              10.0                12.5

                                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                  Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                         Figure 1.               Output Characteristics                   TJ   = -55       ºC                                                            Figure       2.     Output Characteristics TJ =                 25 ºC

                               70                                                                                                                                            2.0

                                         Conditions:                                                                                                                                     Conditions:

                                         TJ = 150 °C                                                                                                                         1.8         IDS = 20 A

                               60        tp < 200 µs                                                      VGS  = 20 V                                                                    VGS = 20 V

                                                                                         VGS = 18 V                                                                          1.6         tp < 200 µs

Drain-Source Current, IDS (A)  50                                                                                                             On Resistance, RDS On (P.U.)   1.4

                                                                    VGS = 16 V                                             VGS = 14 V

                               40                                                                                                                                            1.2

                                                                                                                            VGS = 12 V                                       1.0

                               30                                                                                                                                            0.8

                               20                                                                                           VGS = 10 V                                       0.6

                                                                                                                                                                             0.4

                               10

                                                                                                                                                                             0.2

                               0                                                                                                                                             0.0

                                    0.0                    2.5                  5.0                  7.5              10.0              12.5                                        -50  -25                 0     25          50               75       100             125    150

                                                                    Drain-Source Voltage, VDS             (V)                                                                                                      Junction Temperature, TJ (°C)

                                         Figure            3.    Output Characteristics TJ =                          150  ºC                                                       Figure 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature

                               200                                                                                                                                           280

                                         Conditions:                                                                                                                                     Conditions:

                               180       VGS = 20 V                                                                                                                                      IDS = 20 A

                                         tp < 200 µs                                                                                                                         240         tp < 200 µs

                               160

On Resistance, RDS On (mOhms)  140                                      TJ = 150 °C                                                           On Resistance, RDS On (mOhms)  200

                               120                                                                                                                                           160                                   VGS = 14 V

                               100                                                   TJ = 25 °C

                               80                                                                                                                                            120                                   VGS = 16 V

                                                                                                         TJ = -55 °C                                                                                  VGS = 18 V

                               60                                                                                                                                            80

                               40                                                                                                                                                                                  VGS = 20 V

                                                                                                                                                                             40

                               20

                               0                                                                                                                                                 0

                                    0                 10            20               30              40        50              60       70                                          -50  -25                 0     25          50               75          100          125    150

                                                                        Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                              Junction Temperature, TJ (°C)

                                         Figure 5. On-Resistance vs. Drain Current                                                                                                       Figure 6. On-Resistance vs. Temperature

                                                           For Various Temperatures                                                                                                                          For Various Gate Voltage

3                                        C2M0080120D Rev. C,                             10-2015
Typical Performance

                               40                                                                                                          -7                                        -6                  -5      -4                    -3             -2       -1               0

                                         Conditions:                                                                                                                                                                                                                                  0

                                         VDS = 20 V                                                                                                                                                  VGS = -5 V                                                Condition:

                                         tp < 200 µs                                         TJ = 150 °C                                                                                                                                                       TJ = -55 °C

Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                                                                                                                                                  tp < 200 µs            -10

                               30                                                                                                                                                                                        VGS  =  0  V

                                                                                                                                           Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                              -20

                                                                                  TJ = 25 °C                                                                                                                     VGS = -2 V

                               20                                                                                                                                                                                                                                                     -30

                                                                                                                                                                                                                                                                                      -40

                               10                                                                         TJ = -55 °C

                                                                                                                                                                                                                                                                                      -50

                                                                                                                                                                                                                                                                                      -60

                               0

                                    0        2            4           6               8           10           12              14                                                                                                                                                     -70

                                                             Gate-Source Voltage, VGS (V)                                                                                                                    Drain-Source Voltage, VDS (A)

                                                      Figure 7. Transfer Characteristic for                                                                                          Figure          8.  Body Diode Characteristic at                     -55  ºC

                                                      Various Junction Temperatures

                               -7        -6           -5              -4              -3          -2           -1                  0                                      -7         -6                  -5      -4                    -3             -2       -1                  0

                                                                                                                                      0                                                                                                                                                  0

                                                                                                                   Condition:                                                                                                                                      Condition:

                                                          VGS = -5 V                                               TJ = 25 °C                                                                                VGS = -5 V                                            TJ = 150 °C

                                                                                                                   tp < 200 µs        -10                                                                                                  VGS = 0 V               tp < 200 µs           -10

                                                                                  VGS = 0 V

Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                         -20  Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                                 -20

                                                                      VGS = -2 V                                                                                                                                                    VGS = -2 V

                                                                                                                                      -30                                                                                                                                                -30

                                                                                                                                      -40                                                                                                                                                -40

                                                                                                                                      -50                                                                                                                                                -50

                                                                                                                                      -60                                                                                                                                                -60

                                                                                                                                      -70                                                                                                                                                -70

                                                             Drain-Source Voltage, VDS (A)                                                                                                                   Drain-Source Voltage, VDS (A)

                                         Figure 9. Body Diode Characteristic at 25 ºC                                                                                                Figure 10. Body Diode Characteristic at 150 ºC

                               3.5                                                                                                                                        25

                                                                                                                   Conditions                                                        Conditions:

                               3.0                                                                                 VDS = 1V0GSV                                                      IDS = 20 A

                                                                                                                   IDS = 05.m5 AmA                                        20         IGS = 100 mA

                                                                                                                                                                                     VDS = 800 V

                               2.5                                                                                                         Gate-Source Voltage, VGS (V)              TJ = 25 °C

Threshold Voltage, Vth (V)                                                                                                                                                15

                               2.0

                                                                                                                                                                          10

                               1.5

                               1.0                                                                                                                                            5

                               0.5                                                                                                                                            0

                               0.0                                                                                                                                            -5

                                    -50      -25      0               25          50          75          100      125              150                                           0              10          20               30                40        50       60                    70

                                                             Junction Temperature TJ (°C)                                                                                                                                Gate Charge, QG (nC)

                                         Figure 11. Threshold Voltage vs. Temperature                                                                                                    Figure 12. Gate Charge Characteristics

4                                        C2M0080120D Rev. C,                      10-2015
Typical Performance

                               -6               -5       -4             -3              -2                -1                  0                                      -6                               -5       -4              -3              -2               -1            0

                                                                                                                                 0                                                                                                                                                      0

                                   Conditions:               VGS = 0 V                                                                                                                 Conditions:                  VGS = 0 V

                                   TJ = -55 °C                                                                                                                                         TJ = 25 °C

                                   tp < 200 µs                          VGS = 5 V                                                -10                                                   tp < 200 µs                             VGS = 5 V                                                -10

Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                    -20  Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                                     -20

                                                                                                                                                                                                                                                                VGS =  10  V

                                                                                                          VGS = 10 V             -30                                                                                                                                                    -30

                                                                                                                                                                                                                                                        VGS  =  15 V

                                                                                                    VGS   = 15 V                 -40                                                                                                                                                    -40

                                                                                                                                                                                                                                          VGS  = 20  V

                                                                                              VGS = 20 V

                                                                                                                                 -50                                                                                                                                                    -50

                                                                                                                                 -60                                                                                                                                                    -60

                                                         Drain-Source Voltage, VDS (V)                                           -70                                                                           Drain-Source Voltage, VDS (V)                                            -70

                                         Figure     13.  3rd Quadrant Characteristic                at    -55 ºC                                                                               Figure     14.  3rd Quadrant Characteristic at 25 ºC

                               -6               -5       -4             -3              -2                -1                  0                                          50

                                                                                                                                 0

                                   Conditions:                                                                                                                           45

                                   TJ = 150 °C               VGS =  0V             VGS = 5 V

                                   tp < 200 µs                                                                                   -10                                     40

Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                         Stored Energy, EOSS (µJ)           35

                                                                                                    VGS   = 10 V                 -20

                                                                                                                                                                         30

                                                                                              VGS = 15 V                         -30                                     25

                                                                            VGS = 20 V                                                                                   20

                                                                                                                                 -40

                                                                                                                                                                         15

                                                                                                                                 -50                                     10

                                                                                                                                 -60                                                   5

                                                                                                                                                                                       0

                                                                                                                                 -70                                                      0               200       400             600              800              1000              1200

                                                         Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                              Drain to Source Voltage, VDS (V)

                                         Figure     15.  3rd Quadrant Characteristic                at    150     ºC                                                                                  Figure   16. Output Capacitor Stored Energy

                               10000                                                                                                                                                   10000

                                                                                                                  Conditions:                                                                                                                                              Conditions:

                                                                                                                  TJ = 25 °C                                                                                                                                               TJ = 25 °C

                                                                                                                  VAC = 25 mV                                                                                                                                              VAC = 25 mV

                                                                                              Ciss                f = 1 MHz                                                                                                                    Ciss                        f = 1 MHz

                                   1000                                                                                                                                                1000

Capacitance (pF)                                                                              Coss                                                                   Capacitance (pF)

                                   100                                                                                                                                                    100                                                  Coss

                                                                                              Crss

                                   10                                                                                                                                                     10

                                                                                                                                                                                                                                               Crss

                                   1                                                                                                                                                         1

                                         0               50                 100                           150                    200                                                               0           200             400             600                    800               1000

                                                             Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                          Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                                Figure 17. Capacitances vs. Drain-Source                                                                                                                  Figure 18. Capacitances vs. Drain-Source

                                                             Voltage (0 - 200V)                                                                                                                                     Voltage (0 - 1000V)

5                                           C2M0080120D Rev. C,             10-2015
Typical Performance

                                              40                                                                                                                                  250

                                                                                                                             Conditions:                                                                                                                             Conditions:

Drain-Source Continous Current, IDS (DC) (A)  35                                                                             TJ ≤ 150 °C                                                                                                                             TJ ≤ 150 °C

                                              30                                                                                              Maximum Dissipated Power, Ptot (W)  200

                                              25                                                                                                                                  150

                                              20

                                              15                                                                                                                                  100

                                              10

                                                                                                                                                                                  50

                                              5

                                              0                                                                                                                                   0

                                                  -55            -30          -5  20               45        70  95      120       145                                                 -55        -30            -5     20         45  70           95       120            145

                                                                                  Case Temperature, TC (°C)                                                                                                             Case Temperature, TC (°C)

                                                       Figure 19.           Continuous Drain Current Derating vs.                                                                      Figure 20. Maximum Power Dissipation                         Derating vs.

                                                                                  Case Temperature                                                                                                                      Case Temperature

                                                  1                                                                                                                               100.00

Junction To Case Impedance, ZthJC (oC/W)                   0.5                                                                                                                                                                                                       10 µs

                                                                                                                                                                                                  Limited by RDS On

                                                           0.3                                                                                Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                  100 µs

                                                                                                                                                                                  10.00                                                             1 ms

                                          100E-3           0.1

                                                                                                                                                                                                                                       100 ms

                                                          0.05                                                                                                                         1.00

                                                          0.02

                                              10E-3                               SinglePulse

                                                           0.01                                                                                                                        0.10

                                                                                                                                                                                                  Conditions:

                                                                                                                                                                                                  TC = 25 °C

                                                                                                                                                                                                  D = 0,

                                                                                                                                                                                                  Parameter: tp

                                              1E-3                                                                                                                                     0.01

                                                     1E-6              10E-6      100E-6               1E-3      10E-3   100E-3           1                                                  0.1                     1             10          100                   1000

                                                                                               Time, tp (s)                                                                                                             Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                                                Figure 21.        Transient Thermal          Impedance                                                                                        Figure    22.  Safe  Operating   Area

                                                                                  (Junction - Case)

                                              1600                                                                                                                                1200

                                                           Conditions:                                                                                                                          Conditions:

                                              1400         TJ = 25 °C                                                                                                                           TJ = 25 °C

                                                           VDD = 800 V                                                                                                            1000          VDD = 600 V

                                                           RG(ext) = 2.5 Ω                                                                                                                      RG(ext) = 2.5 Ω

                                              1200         VGS = -5/+20 V                                                                                                                       VGS = -5/+20 V                                     ETotal

                                                           FWD = C4D10120A                                       ETotal                                                                         FWD = C4D10120A

Switching Energy (uJ)                                      L = 142 μH                                                                         Switching Energy (uJ)               800           L = 142 μH

                                              1000

                                              800                                                                                                                                 600

                                              600                                                                EOn                                                                                                                               EOn

                                                                                                                                                                                  400

                                              400

                                                                                                                 EOff                                                             200                                                                  EOff

                                              200

                                                  0                                                                                                                                    0

                                                       0                    10                 20            30          40               50                                                 0                   10          20            30                40                   50

                                                                                  Drain to Source Current, IDS (A)                                                                                                      Drain to Source Current, IDS (A)

                                                       Figure         23.   Clamped Inductive Switching Energy                vs.                                                         Figure          24.  Clamped Inductive Switching Energy                    vs.

                                                                              Drain Current (VDD = 800V)                                                                                                         Drain Current (VDD = 600V)

6                                                         C2M0080120D Rev. C,                      10-2015
Typical Performance

                       1000                                                                                                                   600

                                   Conditions:                                                                                                                                                   Conditions:

                       900         TJ = 25 °C                                                                                                                                                    IDS = 20 A

                                   VDD = 800 V                                                                                                500                                                VDD = 800 V

                       800         IDS = 20 A                              ETotal                                                                                                                RG(ext) = 2.5 Ω

                                   VGS = -5/+20 V                                                                                                                                                VGS = -5/+20 V

                       700         FWD = C4D10120A                                                                       Swithcing Loss (uJ)                          ETotal                     FWD = C4D10120A

Switching Loss (uJ)                L = 142 μH                                                                                                 400                                                L = 142 µH

                       600

                       500                                                 EOn                                                                300                     EOn

                       400

                                                                           EOff                                                               200

                       300                                                                                                                                            EOff

                       200                                                                                                                    100

                       100

                           0                                                                                                                  0

                                0                  5      10          15                20             25           30                             -50  -25    0  25          50  75             100  125         150

                                                      External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)                                                                       Junction Temperature, TJ (°C)

                       Figure 25. Clamped Inductive Switching Energy                                   vs. RG(ext)                                 Figure 26.  Clamped Inductive Switching       Energy vs.

                                                                                                                                                                  Temperature

                       70

                                   Conditions:

                                   TJ = 25 °C

                       60          VDD = 800 V

                                   RL = 40 Ω

                                   VGS = -5/+20    V                               tr

                       50

                                                                  tf

Time (ns)              40                                                               td (off)

                       30

                       20                                                               td (on)

                       10

                       0

                           0                    5         10          15                20             25           30

                                                      External Gate Resistor, RG(ext) (Ohms)

                                               Figure 27. Switching Times vs. RG(ext)                                                                   Figure 28. Switching Times Definition

                       35

                                                                                                       Conditons:

                                                                                                       VDD = 50 V

                       30

Avalanche Current (A)  25

                       20

                       15

                       10

                       5

                       0

                             0     25                 50      75      100          125            150  175          200

                                                          Time in Avalanche TAV (us)

                                   Figure 29. Single Avalanche SOA curve

7                                  C2M0080120D Rev. C,                10-2015
Test  Circuit Schematic

                                           L=142 uH                        D1      C4D10120A

                                                                                   10A, 1200V

                                                                                   SiC Schottky

                         VDC  CDC=42.3 uF

                                                                               Q2

                                                                RG                 D.U.T

                                                                               C2M0080120D

                                      Figure 30. Clamped Inductive Switching

                                           Waveform Test Circuit

                                                                                          Q1

                                                                           RG

                                           L=142 uH                                           D.U.T

                                                                VGS= - 5V          C2M0080120D

                         VDC  CDC=42.3 uF

                                                                               Q2

                                                                RG

                                                                               C2M0080120D

                                      Figure 31. Body Diode Recovery Test Circuit

ESD   Ratings

      ESD Test                        Total Devices Sampled                                          Resulting Classification

      ESD-HBM                         All Devices Passed 1000V                                       2 (>2000V)

      ESD-MM                          All Devices Passed 400V                                        C (>400V)

      ESD-CDM                         All Devices Passed 1000V                                       IV (>1000V)

8     C2M0080120D  Rev.  C,  10-2015
   Package Dimensions

                                                                 POS            Inches                 Millimeters

   Package TO-247-3                                                   Min               Max    Min            Max

                                                                 A    .190              .205   4.83           5.21

                                                                 A1   .090              .100   2.29           2.54

                                                                 A2   .075              .085   1.91           2.16

                                                                 b    .042              .052   1.07           1.33

                                                                 b1   .075              .095   1.91           2.41

                                                                 b2   .075              .085   1.91           2.16

                                                                 b3   .113              .133   2.87           3.38

                                                                 b4   .113              .123   2.87           3.13

                                                                 c    .022              .027   0.55           0.68

                                                                 D    .819              .831   20.80          21.10

                                                                 D1   .640              .695   16.25          17.65

                                                                 D2   .037              .049   0.95           1.25

                                                                 E    .620              .635   15.75          16.13

                                                                 E1   .516              .557   13.10          14.15

                                                                 E2   .145              .201   3.68           5.10

                                                                 E3   .039              .075   1.00           1.90

                                                                 E4   .487              .529   12.38          13.43

                                                                 e              .214 BSC                   5.44 BSC

                                                                 N              3                          3

                                                                 L    .780              .800   19.81          20.32

T                    U         Pinout Information:               L1   .161              .173   4.10           4.40

                               •  Pin 1 = Gate                   ØP   .138              .144   3.51           3.65

                               •  Pin 2, 4 = Drain               Q    .216              .236   5.49           6.00

V                    W         •  Pin 3 = Source                 S    .238              .248   6.04           6.30

                                                                 T    9˚                  11˚          9˚            11˚

                                                                 U    9˚                  11˚          9˚            11˚

                                                                 V    2˚                  8˚           2˚            8˚

                                                                 W    2˚                  8˚           2˚            8˚

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                                                    Part Number      Package                  Marking

                                                    C2M0080120D       TO-247-3            C2M0080120

                     TO-247-3

9  C2M0080120D Rev. C,  10-2015
Notes

•      RoHS Compliance

       The levels of RoHS restricted materials in this product are below the maximum concentration values (also referred to as the

       threshold limits) permitted for such substances, or are used in an exempted application, in accordance with EU Directive

       2011/65/EC (RoHS2), as implemented January 2, 2013. RoHS Declarations for this product can be obtained from your Cree repre-

       sentative or from the Product Documentation sections of www.cree.com.

•      REACh Compliance

       REACh substances of high concern (SVHCs) information is available for this product. Since the European Chemical Agency

       (ECHA) has published notice of their intent to frequently revise the SVHC listing for the foreseeable future,please contact a Cree

       representative to insure you get the most up-to-date REACh SVHC Declaration. REACh banned substance information (REACh

       Article 67) is also available upon request.

•      This product has not been designed or tested for use in, and is not intended for use in, applications implanted into the human

       body nor in applications in which failure of the product could lead to death, personal injury or property damage, including but not

       limited to equipment used in the operation of nuclear facilities, life-support machines, cardiac defibrillators or similar emergency

       medical equipment, aircraft navigation or communication or control systems, air traffic control systems.

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•      C2M PSPICE Models: http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

•      SiC MOSFET Isolated Gate Driver reference design: http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

•      SiC MOSFET Evaluation Board:  http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

                                                                                                                                             Cree, Inc.

   Copyright © 2015 Cree, Inc. All rights reserved.                                                                                    4600 Silicon Drive

                                                                                                                                    Durham, NC 27703

   The information in this document is subject to change without notice.                                         USA Tel: +1.919.313.5300

                                                                                                                                 Fax: +1.919.313.5451

   Cree, the Cree logo, and Zero Recovery are registered trademarks of Cree, Inc.                                                www.cree.com/power

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