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C2M0045170D

器件型号:C2M0045170D
器件类别:半导体    分立半导体   
文件大小:10405.17KB,共10页
厂商名称:Cree
厂商官网:http://www.cree.com/
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器件描述

Programmers - Processor Based PSoC Miniprog3 Kit for PSoC 1, 3, 5

参数
产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
MOSFET
制造商:
Manufacturer:
Cree, Inc.
RoHS:YES
技术:
Technology:
SiC
安装风格:
Mounting Style:
Through Hole
封装 / 箱体:
Package / Case:
TO-247-3
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1700 V
Id - Continuous Drain Current:72 A
Rds On - Drain-Source Resistance:45 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Qg - Gate Charge:188 nC
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 40 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
封装:
Packaging:
Tube
Channel Mode:Enhancement
商标:
Brand:
Wolfspeed / Cree
Configuration:1 N-Channel
Fall Time:18 ns
Forward Transconductance - Min:21.7 S
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
520 W
Rise Time:20 ns
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
30
Transistor Type:1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:48 ns
Typical Turn-On Delay Time:65 ns

C2M0045170D器件文档内容

                                                                                                           VDS        1700 V

C2M0045170D                                                                                                ID @ 25˚C  72 A

                                                                                                           RDS(on)    45 mΩ

Silicon Carbide Power MOSFET

C2M    TM     MOSFET Technology

N-Channel Enhancement Mode                                                                       

Features                                                        Package

•  High Blocking Voltage with Low On-Resistance

•  High Speed Switching with Low Capacitances

•  Easy to Parallel and Simple to Drive

•  Resistant to Latch-Up

•  Halogen Free, RoHS Compliant

Benefits                                                                 TO-247-3

•  Higher System Efficiency

•  Reduced Cooling Requirements

•  Increased Power Density

•  Increased System Switching Frequency

Applications

•  Solar Inverters

•  Switch Mode Power Supplies

•  High Voltage DC/DC converters

•  Motor Drive                                                           Part Number           Package                Marking

•  Pulsed Power Applications

                                                                         C2M0045170D           TO-247-3               C2M0045170

   Maximum    Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise  specified)

   Symbol                           Parameter                   Value    Unit                  Test Conditions                Note

   VDSmax     Drain - Source Voltage                            1700     V         VGS = 0 V, ID = 100 μA

   VGSmax     Gate - Source Voltage                             -10/+25  V         Absolute maximum values, AC (f >1  Hz)

   VGSop      Gate - Source Voltage                             -5/+20   V         Recommended operational values

                                                                72                 VGS =20 V,  TC = 25˚C                      Fig. 19

   ID         Continuous Drain Current                                   A

                                                                48                 VGS =20 V,  TC = 100˚C

   ID(pulse)  Pulsed Drain Current                              160      A         Pulse width tP limited by Tjmax            Fig. 22

   PD         Power Dissipation                                 520      W         TC=25˚C, TJ = 150 ˚C                       Fig. 20

   TJ , Tstg  Operating Junction and Storage Temperature        -40 to   ˚C

                                                                +150

   TL         Solder Temperature                                260      ˚C        1.6mm (0.063”) from case for 10s

   Md         Mounting Torque                                   1        Nm        M3 or 6-32 screw

                                                                8.8      lbf-in

1         C2M0045170D Rev. -,       06-2016
Electrical  Characteristics        (TC = 25˚C  unless  otherwise  specified)

Symbol                 Parameter                         Min.        Typ.      Max.   Unit                Test Conditions                 Note

V(BR)DSS    Drain-Source Breakdown Voltage               1700                         V     VGS = 0 V, ID = 100 μA

VGS(th)     Gate Threshold Voltage                       2.0         2.6       4      V     VDS = VGS, ID = 18mA                          Fig. 11

                                                                     1.8              V     VDS = VGS, ID = 18mA, TJ = 150 °C

   IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current                          2         100    μA    VDS = 1700 V, VGS = 0 V

   IGSS     Gate-Source Leakage Current                                        600    nA    VGS = 20 V, VDS = 0 V

RDS(on)     Drain-Source On-State Resistance                         45        70     mΩ    VGS = 20 V, ID = 50 A                         Fig.

                                                                     90                     VGS = 20 V, ID = 50 A, TJ = 150 °C            4,5,6

   gfs      Transconductance                                         21.7             S     VDS= 20 V, IDS= 50 A                          Fig. 7

                                                                     24.4                   VDS= 20 V, IDS= 50 A, TJ = 150 °C

   Ciss     Input Capacitance                                        3672                   VGS = 0 V

   Coss     Output Capacitance                                       171              pF                                                  Fig.

                                                                                            VDS = 1000 V                                  17,18

   Crss     Reverse Transfer Capacitance                             6.7                    f = 1 MHz

   Eoss     Coss Stored Energy                                       105              μJ    VAC = 25 mV                                   Fig 16

   EON      Turn-On Switching Energy (SiC Diode FWD)                 2.1                    VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V,                  Fig. 26,

                                                                                      mJ    ID = 50A,   RG(ext) = 2.5Ω, L= 105 μH,        29b

   EOFF     Turn Off Switching Energy (SiC Diode FWD)                0.86                   TJ = 150 °C, using SiC Diode as FWD           Note 2

   EON      Turn-On Switching Energy (Body Diode FWD)                4.7                    VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V,                  Fig. 26,

                                                                                      mJ    ID = 50A,   RG(ext) = 2.5Ω, L= 105 μH,        29a

   EOFF     Turn Off Switching Energy (Body Diode FWD)               0.93                   TJ = 150 °C, using MOSFET as FWD              Note 2

   td(on)   Turn-On Delay Time                                       65                     VDD = 1200 V, VGS = -5/20 V

   tr       Rise Time                                                20                     ID = 50 A,                                    Fig. 27,

                                                                                      ns    RG(ext) = 2.5 Ω,  Timing relative to VDS      29

   td(off)  Turn-Off Delay Time                                      48                     Inductive load                                Note 2

   tf       Fall Time                                                18

   RG(int)  Internal Gate Resistance                                 1.3              Ω     f = 1 MHz, VAC = 25 mV

   Qgs      Gate to Source Charge                                    44                     VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V

   Qgd      Gate to Drain Charge                                     57               nC    ID  = 50 A                                    Fig. 12

   Qg       Total Gate Charge                                        188                    Per IEC60747-8-4 pg 21

Reverse Diode Characteristics

Symbol      Parameter                                    Typ.        Max.      Unit             Test Conditions                           Note

                                                         4.1                       V  VGS = - 5 V, ISD = 25 A                         Fig. 8, 9,

   VSD      Diode Forward Voltage                                                                                                     10

                                                         3.6                       V  VGS = - 5 V, ISD = 25 A, TJ = 150 °C            Note 1

   IS       Continuous Diode Forward Current                               72      A  TC= 25 °C, VGS = - 5 V                          Note 1

   trr      Reverse Recovery Time                        70                       ns

   Qrr      Reverse Recovery Charge                      530                      nC  VGS = - 5 V, ISD = 50 A , VR = 1200 V           Note 1

                                                                                      dif/dt = 1400 A/µs

   Irrm     Peak Reverse Recovery Current                14                        A

Note (1): When using SiC Body Diode the maximum  recommended VGS  =  -5V

Thermal Characteristics

Symbol      Parameter                                                Typ.      Max.   Unit                Test Conditions             Note

   RθJC     Thermal Resistance from Junction to Case                 0.22      0.24   °C/W                                            Fig. 21

   RθJC     Thermal Resistance from Junction to Ambient                        40

2           C2M0045170D Rev. -,       06-2016
Typical Performance

                               150                                                                                                                                       150

                                         Conditions:                                    VGS = 20 V                                                                                 Conditions:                                         VGS = 20 V

                                         TJ = -40 °C                                                                                                                               TJ = 25 °C

                               125       tp < 200 µs                        VGS = 18 V                                                                                   125       tp < 200 µs

                                                                                                                                                                                                                      VGS = 18 V                        VGS = 14 V

Drain-Source Current, IDS (A)  100                         VGS = 16 V                                                                     Drain-Source Current, IDS (A)  100                         VGS = 16 V

                                                                                                               VGS = 14 V

                                                                                                                                                                                                                                                        VGS = 12 V

                               75                                                                                                                                        75

                                                                                                                  VGS = 12 V

                               50                                                                                                                                        50                                                                             VGS = 10 V

                               25                                                                                    VGS = 10 V                                          25

                               0                                                                                                                                         0

                                    0.0               2.5              5.0              7.5          10.0            12.5           15.0                                      0.0               2.5              5.0              7.5      10.0         12.5        15.0

                                                                Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                               Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                         Figure            1.  Output Characteristics TJ                       =  -40 °C                                                           Figure            2.  Output Characteristics TJ =               25 °C

                               150                                                                                                                                       2.5

                                         Conditions:                                                                                                                               Conditions:

                                         TJ = 150 °C                                                                 VGS = 20 V                                                    IDS = 50 A

                               125       tp < 200 µs                                                 VGS = 18  V                                                                   VGS = 20 V

                                                                                        VGS = 16 V                                                                       2.0       tp < 200 µs

Drain-Source Current, IDS (A)  100                                               VGS = 14 V                                               On Resistance, RDS On (P.U.)

                                                                                                                     VGS = 12 V                                          1.5

                               75

                                                                                                                     VGS = 10    V

                                                                                                                                                                         1.0

                               50

                               25                                                                                                                                        0.5

                               0                                                                                                                                         0.0

                                    0.0  2.5               5.0              7.5         10.0        12.5       15.0        17.5     20.0                                      -50  -25                   0            25          50   75          100    125       150

                                                                Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                               Junction Temperature, TJ (°C)

                                         Figure            3. Output Characteristics TJ = 150 °C                                                                              Figure 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature

                               160                                                                                                                                       120

                                         Conditions:                                                                                                                               Conditions:

                               140       VGS = 20 V                                                                                                                                IDS = 50 A

                                         tp < 200 µs                                                                                                                     100       tp < 200 µs

On Resistance, RDS On (mOhms)  120                                                                                                        On Resistance, RDS On (mOhms)

                                                                                 TJ = 150 °C                                                                             80

                               100

                                                                                                                                                                                                                 VGS = 14 V

                               80                                                                                                                                        60

                                                                                                                                                                                                VGS = 16 V

                               60                                                       TJ = 25 °C

                                                                                                                                                                         40                                      VGS = 20 V

                               40                                                                                                                                                  VGS = 18 V

                                                                                        TJ = -40 °C

                                                                                                                                                                         20

                               20

                               0                                                                                                                                         0

                                    0    20                     40               60           80           100             120      140                                       -50  -25                   0            25          50   75          100    125       150

                                                                    Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                           Junction Temperature, TJ (°C)

                                         Figure            5. On-Resistance vs. Drain Current                                                                                      Figure 6. On-Resistance vs. Temperature

                                                           For Various Temperatures                                                                                                                      For Various Gate Voltage

3                                        C2M0045170D Rev. -,                         06-2016
Typical Performance

125                                                                                                                                                              -7         -6            -5               -4                  -3             -2       -1           0

                                       Conditions:                                                                                                                                                                                                                          0

                                       VDS = 20 V

                                       tp < 200 µs

100                                                                                                                               Drain-Source Current, IDS (A)
Drain-Source Current, IDS (A)
                                                                         TJ = 150 °C                                                                                                    VGS = -5 V                                                                          -30

                                                                                                                                                                                                               VGS    =  0  V

                               75

                                                                  TJ = 25 °C                                                                                                                                                                                                -60

                                                                                                                                                                                                    VGS =      -2 V

                               50                                                            TJ = -40 °C

                                                                                                                                                                                                                                                                            -90

                               25

                                                                                                                                                                                                                                                                            -120

                                                                                                                                                                                                                                                       Conditions:

                               0                                                                                                                                                                                                                       TJ = -40°C

                                    0              2         4        6           8              10           12            14                                                                                                                         tp < 200 µs

                                                                Gate-Source Voltage, VGS (V)                                                                                                  Drain-Source Voltage VDS (V)                                                  -150

                                                    Figure 7. Transfer Characteristic For                                                                                   Figure 8.     Body Diode Characteristic                               at   -40 ºC

                                                      Various Junction Temperatures

                               -7        -6           -5          -4          -3             -2           -1             0                                       -7         -6            -5               -4                  -3             -2       -1                0

                                                                                                                            0                                                                                                                                                  0

Drain-Source Current, IDS (A)                         VGS = -5 V              VGS = 0 V                                     -30   Drain-Source Current, IDS (A)                                     VGS =  -5  V                                                               -30

                                                                                                                                                                                                                            VGS =  0  V

                                                                  VGS = -2 V                                                -60                                                                                                                                                -60

                                                                                                                                                                                                                  VGS =  -2 V

                                                                                                                            -90                                                                                                                                                -90

                                                                                                                            -120                                                                                                                                               -120

                                                                                                          Conditions:                                                                                                                                  Conditions:

                                                                                                          TJ = 25°C                                                                                                                                    TJ = 150°C

                                                                                                          tp < 200 µs                                                                                                                                  tp < 200 µs

                                                          Drain-Source Voltage VDS (V)                                      -150                                                                    Drain-Source Voltage VDS (V)                                               -150

                                         Figure 9.    Body Diode Characteristic                  at  25   ºC                                                                Figure 10.              Body Diode Characteristic at 150 ºC

                               4.0                                                                                                                                   25

                                                                                                              Conditons                                                     Conditions:

                               3.5                                                                            VGS =VDS                                                      IDS = 50 A

                                                                                                              IDS = 18 mA                                            20     IGS = 100 mA

                                                                                                                                                                            VDS = 1200 V

                               3.0                                                                                                Gate-Source Voltage, VGS (V)              TJ = 25 °C

Threshold Voltage, Vth (V)     2.5                                                                                                                                   15

                               2.0                                                                                                                                   10

                               1.5

                                                                                                                                                                     5

                               1.0

                               0.5                                                                                                                                   0

                               0.0                                                                                                                                   -5

                                    -50      -25          0       25          50         75      100          125           150                                          0      20        40        60            80        100          120      140  160          180        200

                                                                Junction Temperature TJ (°C)                                                                                                                      Gate Charge, QG (nC)

                                         Figure 11. Threshold Voltage vs. Temperature                                                                                               Figure 12. Gate Charge Characteristic

4                                        C2M0045170D Rev. -,                  06-2016
Typical                                  Performance

                               -6           -5          -4       -3            -2                   -1                0                                       -6             -5       -4        -3                      -2                    -1           0

                                                                                                                         0                                                                                                                                          0

                                                            VGS = 0 V                                                                                                                           VGS = 0 V

Drain-Source Current, IDS (A)                               VGS = 5 V                                                    -30   Drain-Source Current, IDS (A)                                    VGS = 5 V                                                           -30

                                                                                                                                                                                                                                           VGS =  10  V

                                                                                                   VGS =  10  V          -60                                                                                                                                        -60

                                                                                           VGS  =  15 V                                                                                                                        VGS  =  15  V

                                                                                                                         -90                                                                                    VGS  =  20  V                                       -90

                                                                               VGS  =  20 V

                                                                                                                         -120                                                                                                                                       -120

                                                                                                    Conditions:                                                                                                                               Conditions:

                                                                                                    TJ = -40 °C                                                                                                                               TJ = 25 °C

                                                                                                    tp < 200 µs                                                                                                                               tp < 200 µs

                                                     Drain-Source Voltage VDS (V)                                        -150                                                         Drain-Source Voltage VDS (V)                                                  -150

                                         Figure 13.  3rd Quadrant Characteristic             at     -40 ºC                                                                Figure 14.  3rd Quadrant Characteristic at 25 ºC

                               -6           -5          -4       -3            -2                   -1                0                                       120

                                                                                                                         0

                                                            VGS = 0 V                                                                                         100

Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                            -30   Stored Energy, EOSS (µJ)

                                                                                           VGS = 5 V                                                          80

                                                                                VGS = 10 V

                                                                       VGS = 15 V                                        -60                                  60

                                                                 VGS = 20 V

                                                                                                                         -90                                  40

                                                                                                                                                              20

                                                                                                                         -120

                                                                                                     Conditions:

                                                                                                     TJ = 150 °C                                                  0

                                                                                                     tp < 200 µs                                                     0           200       400             600                 800                1000              1200

                                                     Drain-Source Voltage VDS (V)                                        -150                                                              Drain to Source Voltage, VDS (V)

                                         Figure 15.  3rd Quadrant Characteristic                at  150 ºC                                                                   Figure   16.  Output Capacitor Stored Energy

                               10000                                                                                                                          10000

                                                                                                          Conditions:                                                                                                                                  Conditions:

                                                                                                          TJ = 25 °C                                                                                                                                   TJ = 25 °C

                                                                                Ciss                      VAC = 25 mV                                                                                                   Ciss                           VAC = 25 mV

                                                                                                          f = 1 MHz                                                                                                                                    f = 1 MHz

                                   1000                                                                                                                           1000

Capacitance (pF)                                                                Coss                                           Capacitance (pF)

                                   100                                                                                                                               100                                                Coss

                                                                                Crss

                                   10                                                                                                                                10                                                 Crss

                                   1                                                                                                                                 1

                                         0              50             100                      150                      200                                              0           200       400                     600                       800               1000

                                                            Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                  Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                            Figure 17.      Capacitances vs. Drain-Source                                                                                    Figure 18.    Capacitances vs. Drain-Source

                                                            Voltage (0-200 V)                                                                                                              Voltage (0-1000 V)

5                                           C2M0045170D Rev. -,        06-2016
Typical Performance

                                              80                                                                                                                                          600

                                                                                                                                 Conditions:                                                                                                                                Conditions:

Drain-Source Continous Current, IDS (DC) (A)  70                                                                                 TJ ≤ 150 °C                                                                                                                                TJ ≤ 150 °C

                                                                                                                                                      Maximum Dissipated Power, Ptot (W)  500

                                              60

                                              50                                                                                                                                          400

                                              40                                                                                                                                          300

                                              30

                                                                                                                                                                                          200

                                              20

                                              10                                                                                                                                          100

                                                 0                                                                                                                                           0

                                                    -55           -30       -5             20  45            70          95      120      145                                                   -55           -30        -5      20      45  70             95          120       145

                                                                                    Case Temperature, TC (°C)                                                                                                                    Case Temperature, TC (°C)

                                                         Figure        19.  Continuous Drain Current Derating vs.                                                                               Figure 20.            Maximum Power Dissipation Derating vs.

                                                                                    Case Temperature                                                                                                                            Case Temperature

                                                                                                                                                                                          100.00

Junction To Case Impedance, ZthJC (oC/W)                                                                                                                                                                                                                                        10 µs

                                              100E-3                                                                                                                                                      Limited by RDS On                                             100 µs

                                                             0.5                                                                                      Drain-Source Current, IDS (A)

                                                             0.3                                                                                                                             10.00                                                          1 ms

                                                             0.1                                                                                                                                                                             100 ms

                                                             0.05                                                                                                                            1.00

                                              10E-3

                                                             0.02

                                                                              SinglePulse                                                                                                    0.10

                                                             0.01                                                                                                                                         Conditions:

                                                                                                                                                                                                          TC = 25 °C

                                                                                                                                                                                                          D = 0,

                                                                                                                                                                                                          Parameter: tp

                                                 1E-3                                                                                                                                        0.01

                                                       1E-6            10E-6        100E-6         1E-3          10E-3           100E-3            1                                                 0.1                     1           10                 100                 1000

                                                                                               Time, tp (s)                                                                                                                      Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                                             Figure 21.         Transient Thermal Impedance                                                                                                           Figure     22. Safe Operating Area

                                                                                    (Junction - Case)

                                              6                                                                                                                                           8

                                                    Conditions:                                                                                                                                 Conditions:

                                                    TJ = 25 °C                                                                                                                            7     TJ = 25 °C

                                              5     VDD = 900 V                                                                                                                                 VDD = 1200 V

                                                    RG(ext) = 2.5 Ω                                                                                                                             RG(ext) = 2.5 Ω

                                                    VGS = -5V/+20 V                                                                                                                       6     VGS = -5V/+20 V                                   ETotal

                                                    FWD = C2M0045170D                                        ETotal                                                                             FWD = C2M0045170D

Switching Loss (mJ)                           4     L = 105 μH                                                                                                                                  L = 105 μH

                                                                                                                                                      Switching Loss (mJ)                 5

                                              3                                                                                                                                           4                                                                 EOn

                                                                                                                 EOn

                                              2                                                                                                                                           3

                                                                                                                     EOff                                                                 2                                                                       EOff

                                              1

                                                                                                                                                                                          1

                                              0                                                                                                                                           0

                                                 0       10            20       30         40  50        60          70      80       90      100                                            0            10       20        30      40  50  60             70          80      90       100

                                                                                Drain to Source Current, IDS (A)                                                                                                                Drain to Source Current, IDS (A)

                                                    Figure         23. Clamped Inductive Switching Energy                        vs.                                                            Figure 24. Clamped Inductive Switching Energy                                vs.

                                                                            Drain Current (VDD = 900V)                                                                                                                 Drain Current (VDD = 1200V)

6                                                        C2M0045170D Rev. -,                   06-2016
Typical Performance

                     8                                                                                                           7

                            Conditions:                                                                                                Conditions:

                     7      TJ = 25 °C                                                                                                 IDS = 50 A

                            VDD = 1200 V                                                                                         6     VDD = 1200 V

                            IDS = 50 A                 ETotal                                                                          RG(ext) = 2.5 Ω

                     6      VGS = -5V/+20 V                                                                                            VGS = -5V/+20 V

                            FWD = C2M0045170D                                                                                    5     FWD = C2M0045170D

Switching Loss (mJ)         L = 105 μH                                                                      Switching Loss (mJ)        (- - -) FWD = C3D25170H      ETotal

                     5                                                                                                                 L = 105 μH

                                                                                                                                 4

                     4                                 EOn                                                                                                          EOn

                                                                                                                                 3                                                             ETotal

                     3

                     2                                                                                                           2                                                                  EOn

                                                               EOff

                     1                                                                                                           1                                          EOff

                                                                                                                                                                                                    EOff

                     0                                                                                                           0

                        0                    5     10          15                         20            25                          0              25     50    75          100                125        150  175

                                                   External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)                                                                        Junction Temperature, TJ (°C)

                        Figure 25. Clamped Inductive Switching Energy                     vs.  RG(ext)                                 Figure 26. Clamped Inductive Switching Energy vs.

                                                                                                                                                                Temperature

                     160

                               Conditions:

                     140       TJ = 25 °C

                               VDD = 1200 V

                               IDS = 50 A

                     120       VGS = -5V/+20 V         td(off)

                               FWD = C2M0045170D

                               L = 105 μH

Times (ns)           100

                        80                                      td(on)

                        60                                               tf

                        40

                                                                             tr

                        20

                        0

                            0                   5  10                15                   20            25

                                                   External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)

                                           Figure 27. Switching Times vs. RG(ext)                                                                  Figure 28. Switching Times Definition

7                              C2M0045170D Rev. -,     06-2016
Test Circuit Schematic

                                                                                               Q1

                                                                                   RG

                                                                    VGS=    -  5V              C2M0045170D

                        VDC

                                                                                       Q2

                                                                    RG

                                                                                       C2M0045170D

                                                                                           D.U.T

                                 Figure  29a.  Clamped Inductive Switching Test        Circuit using

                                                MOSFET intristic body diode

                                                                                       D1      C3D25170H

                                                                                               25A, 1700V

                                                                                               SiC Schottky

                        VDC

                                                                                           Q2

                                                                        RG                     D.U.T

                                                                                           C2M0045170D

                                 Figure   29b.  Clamped Inductive Switching        Test Circuit using

                                                SiC Schottky diode

   ESD  Ratings

        ESD Test                          Total Devices Sampled                                   Resulting Classification

        ESD-HBM                           All Devices Passed 4000V                                      3A (>4000V)

        ESD-CDM                           All Devices Passed 1000V                                      IV (>1000V)

8       C2M0045170D     Rev. -,  06-2016
   Package Dimensions

                                                    POS        Inches        Millimeters

   Package TO-247-3                                      Min           Max   Min       Max

                                                    A    .190          .205  4.83      5.21

                                                    A1   .090          .100  2.29      2.54

                                                    A2   .075          .085  1.91      2.16

                                                    b    .042          .052  1.07      1.33

                                                    b1   .075          .095  1.91      2.41

                                                    b2   .075          .085  1.91      2.16

                                                    b3   .113          .133  2.87      3.38

                                                    b4   .113          .123  2.87      3.13

                                                    c    .022          .027  0.55      0.68

                                                    D    .819          .831  20.80     21.10

                                                    D1   .640          .695  16.25     17.65

                                                    D2   .037          .049  0.95      1.25

                                                    E    .620          .635  15.75     16.13

                                                    E1   .516          .557  13.10     14.15

                                                    E2   .145          .201  3.68      5.10

                                                    E3   .039          .075  1.00      1.90

                                                    E4   .487          .529  12.38     13.43

                                                    e        .214 BSC            5.44 BSC

                                                    N          3                    3

                                                    L    .780          .800  19.81     20.32

T                    U         Pinout Information:  L1   .161          .173  4.10      4.40

                               •  Pin 1 = Gate      ØP   .138          .144  3.51      3.65

                               •  Pin 2, 4 = Drain  Q    .216          .236  5.49      6.00

V                    W         •  Pin 3 = Source    S    .238          .248  6.04      6.30

                                                    T    9˚            11˚   9˚            11˚

                                                    U    9˚            11˚   9˚            11˚

                                                    V    2˚            8˚    2˚            8˚

                                                    W    2˚            8˚    2˚            8˚

Recommended          Solder  Pad Layout

                     TO-247-3

9  C2M0045170D Rev. -,  06-2016
Notes

•      RoHS Compliance

       The levels of RoHS restricted materials in this product are below the maximum concentration values (also referred to as the

       threshold limits) permitted for such substances, or are used in an exempted application, in accordance with EU Directive 2011/65/

       EC (RoHS2), as implemented January 2, 2013. RoHS Declarations for this product can be obtained from your Cree representative or

       from the Product Documentation sections of www.cree.com.

•      REACh Compliance

       REACh substances of high concern (SVHCs) information is available for this product. Since the European Chemical Agency (ECHA)

       has published notice of their intent to frequently revise the SVHC listing for the foreseeable future,please contact a Cree represen-

       tative to insure you get the most up-to-date REACh SVHC Declaration. REACh banned substance information (REACh Article 67) is

       also available upon request.

•      This product has not been designed or tested for use in, and is not intended for use in, applications implanted into the human body

       nor in applications in which failure of the product could lead to death, personal injury or property damage, including but not limited

       to equipment used in the operation of nuclear facilities, life-support machines, cardiac defibrillators or similar emergency medical

       equipment, aircraft navigation or communication or control systems, air traffic control systems.

Related Links

•      C2M PSPICE Models: http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

•      SiC MOSFET Isolated Gate Driver reference design: http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

•      SiC MOSFET Evaluation Board: http://wolfspeed.com/power/tools-and-support

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                                                                                                                                    4600 Silicon Drive

   The information in this document is subject to change without notice.                                                            Durham, NC 27703

   Cree, the Cree logo, and Zero Recovery are registered trademarks of Cree, Inc.                        USA Tel: +1.919.313.5300

                                                                                                         Fax: +1.919.313.5451

                                                                                                         www.cree.com/power

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