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C2M0040120D

器件型号:C2M0040120D
厂商名称:Cree
厂商官网:http://www.cree.com/
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器件描述

N-Channel Enhancement Mode

C2M0040120D器件文档内容

                                                                                           VDS        1200 V

C2M0040120D                                                                                ID @ 25C  60 A
                                                                                           RDS(on)    40 m
Silicon Carbide Power MOSFET
                TM

Z-FET MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Features                                                 Package

High Speed Switching with Low Capacitances
High Blocking Voltage with Low RDS(on)
Easy to Parallel and Simple to Drive
Resistant to Latch-Up
Halogen Free, RoHS Compliant

Benefits                                                         TO-247-3
Higher System Efficiency
Increased System Switching Frequency
Reduced Cooling Requirements
Increased System Reliability

Applications                                                             Part Number       Package
Solar Inverters                                                        C2M0040120D       TO-247-3
Switch Mode Power Supplies
High Voltage DC/DC converters
Motor Drive

Maximum Ratings (TC = 25 C unless otherwise specified)

Symbol    Parameter                                      Value Unit        Test Conditions             Note

    IDS (DC) Continuous Drain Current                    60              VGS = 20 V, TC = 25 C
   IDS (pulse) Pulsed Drain Current
                                                                 A                                     Fig. 19
      VGS Gate Source Voltage                                                                          Fig. 22
                                                         40              VGS = 20 V, TC = 100 C

                                                         160     A Pulse width tP limited by Tjmax
                                                                         TC = 25 C

                                                         -10/+25 V

   Ptot  Power Dissipation                                330    W TC=25 C, TJ = 150 C               Fig. 20
                                                                 C
   TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature  -55 to
                                                         +150
   TL    Solder Temperature                                      C 1.6 mm (0.063") from case for 10s
                                                          260
   Md    Mounting Torque                                          Nm     M3 or 6-32 screw
                                                            1    lbf-in
                                                           8.8

1        C2M0040120D Rev -
Electrical Characteristics (TC = 25C unless otherwise specified)

Symbol   Parameter                             Min. Typ. Max. Unit            Test Conditions                        Note

V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage         1200                    V VGS = 0 V, ID = 50 A                       Fig. 11
VGS(th) Gate Threshold Voltage                                          V VDS = 10 V, ID = 10mA
                                                   2.4  2.8             V VDS = 10 V, ID = 10mA,TJ = 150 C            Fig.
                                                                                                                      4,5,6
                                                   1.8  2.0                                                          Fig. 7

IDSS    Zero Gate Voltage Drain Current                  1      100    A VDS = 1200 V, VGS = 0 V                      Fig.
IGSS    Gate-Source Leakage Current                             250    nA VGS = 20 V, VDS = 0 V                     17,18
                                                         40      52                                                  Fig 16
RDS(on)  Drain-Source On-State Resistance                84      100             VGS = 20 V, ID = 40 A
                                                        15.1            m
   gfs   Transconductance                               13.2
                                                                                 VGS = 20 V, ID = 40 A, TJ = 150 C
                                                                                 VDS= 20 V, IDS= 40 A
                                                                         S
                                                                                 VDS= 20 V, IDS= 40 A, TJ = 150 C

   Ciss  Input Capacitance                              1893                     VGS = 0 V
                                                        150             pF VDS = 1000 V
   Coss  Output Capacitance                              10
                                                         82                      f = 1 MHz
   Crss  Reverse Transfer Capacitance                                   J VAC = 25 mV

   Eoss  Coss Stored Energy

td(on)   Turn-On Delay Time                             14.8                    VDD = 800 V, VGS = -5/20 V           Fig. 27
  tr     Rise Time                                       52
         Turn-Off Delay Time                            26.4                    ID = 40 A,
td(off)  Fall Time                                      34.4
  tf                                                                    ns RG(ext) = 2.5 ,  RL = 16
                                                                                Timing relative to VDS
                                                                                Per IEC60747-8-4 pg 83

   EON   Turn-On Switching Loss                         1.0             mJ VDS = 800 V, VGS = -5/20 V,               Fig. 25

   EOFF  Turn Off Switching Loss                        0.4             ID = 40A, RG(ext) = 2.5, L= 80 H

   RG    Internal Gate Resistance                       1.8              f = 1 MHz, VAC = 25 mV, ESR of CISS

Built-in SiC Body Diode Characteristics

Symbol Parameter                           Typ. Max. Unit                     Test Conditions                        Note

                                           3.6                V VGS = - 5 V, ISD = 20 A, TJ = 25 C
                                                              V VGS = - 5 V, ISD = 20 A, TJ = 150 C
   VSD   Diode Forward Voltage                                                                                       Note 1
                                                                                                                     Note 1
                                           3.3

   trr   Reverse Recover time              54                 ns      VGS = - 5 V, ISD = 40 A TJ = 25 C

   Qrr   Reverse Recovery Charge           283                nC VR = 800 V
                                                                      dif/dt = 1000 A/s

   Irrm  Peak Reverse Recovery Current     15                 A

Note (1): When using SiC Body Diode the maximum recommended VGS = -5V

Thermal Characteristics

Symbol Parameter                                        Typ.     Max.   Unit              Test Conditions            Note
                                                        0.34      0.38  C/W                                         Fig. 21
   RJC   Thermal Resistance from Junction to Case                  40
                                                                                                                     Note
   RJC   Thermal Resistance from Junction to Ambient                                                                 Fig. 12

Gate Charge Characteristics

Symbol Parameter                                        Typ.     Max.   Unit              Test Conditions

   Qgs   Gate to Source Charge                            28                      VDS = 800 V, VGS = -5/20 V
                                                          37            nC ID = 40 A
   Qgd   Gate to Drain Charge                            115
                                                                                  Per IEC60747-8-4 pg 21
   Qg    Gate Charge Total

2        C2M0040120D Rev -
Typical Performance

                               100                                                                                                                                                 100
                                                                                                                                                                                                  Conditions:
                                       Conditions:                                                                                                                                                TJ = 25 C
                                                                                                                                                                                                  tp < 200 s
                                       TJ = -55 C                  VGS = 20 V                                                                                                                                                VGS = 20 V
                                       tp < 200 s                                                                                                                                  80                              VGS = 18 V

                               80

Drain-Source Current, IDS (A)          VGS = 18 V                                    VGS = 16 V                                                     Drain-Source Current, IDS (A)                              VGS = 16 V

                                                                                                                                                                                                                                                  VGS = 14 V

                               60                                                                                                                                                  60
                                                                                                              VGS = 14 V                                                                                                                                                          VGS = 12 V

                               40                                                                                                                                                  40
                                                                                                                             VGS = 12 V                                                                                                                                               VGS = 10 V

                               20                                                                                                                                                  20
                                                                                                                                  VGS = 10 V

                               0                               2.5              5.0                7.5                                        10.0                                 0                           2.5             5.0                            7.5                                 10.0
                                 0.0                                                                                                                                                 0.0

                                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                   Drain-Source Voltage, VDS (V)

                               Figure 1. Typical Output Characteristics TJ = -55 C                                                                                                Figure 2. Typical Output Characteristics TJ = 25 C

                               100                                                                                                                                                 2.0
                                              Conditions:
                                              TJ = 150 C                                                                                                                                    Conditions:
                                              tp < 200 s
                                                                                                                              VGS = 14 V                                           1.8       IDS = 40 A
                                80
                                                                                             VGS = 16 V                                                                                      VGS = 20 V
                                60                                              VGS = 18 V
                                                                                                                                                                                   1.6       tp < 200 s
                                40
Drain-Source Current, IDS (A)                                       VGS = 20 V                                                    VGS = 12 V        On Resistance, RDS On (P.U.)   1.4

                                                                                                                                                                                   1.2

                                                                                                                                  VGS = 10 V                                       1.0

                                                                                                                                                                                   0.8

                                                                                                                                                                                   0.6

                               20                                                                                                                                                  0.4

                                                                                                                                                                                   0.2

                               0                                                                                                                                                   0.0
                                 0.0
                                                               2.5              5.0                7.5                                        10.0                                      -50  -25               0           25  50                 75          100  125                            150

                                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                   Junction Temperature, TJ (C)

                                 Figure 3. Typical Output Characteristics TJ = 150 C                                                               Figure 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature

                               140                                                                                                                                                 140
                                           Conditions:                                                                                                                                         Conditions:
                                           VGS = 20 V
                                                                                                                                                                                               IDS = 40 A
                               120 tp < 200 s                                                                                                                                     120 tp < 200 s

On Resistance, RDS On (mOhms)  100                                                                                                                  On Resistance, RDS On (mOhms)  100
                                                                                        TJ = 150 C
                                                                                                                                                                                   80                                                             VGS = 14 V
                                80

                               60                                                                                                                                                                                                     VGS = 16 V
                                                                                       TJ = 25 C                                                                                  60

                                                                                                                 TJ = -55 C                                                                                            VGS = 18 V
                               40
                                                                                                                                                                                   40        VGS = 20 V

                               20                                                                                                                                                  20

                               0                                                                                                                                                   0

                                    0                      20       40               60                                       80              100                                       -50  -25               0           25  50                 75          100  125                            150

                                                                    Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                                   Junction Temperature, TJ (C)

                                       Figure 5. On-Resistance vs. Drain Current                                                                                                             Figure 6. On-Resistance vs. Temperature
                                                   For Various Temperatures                                                                                                                              For Various Gate Voltage

3                                      C2M0040120D Rev -
Typical Performance

                               60                                                                                                                         -6                                        -5              -4              -3             -2           -1               0
                                         Conditions:
                                         VDS = 20 V                                                                                                                                                                                                                                    0

                               50 tp < 200 s                                                                                                                                                                                                                       Condition:

                               40                                                                                                                                                                       VGS = -5 V                      VGS = 0 V                   TJ = -55 C
                                                                                                                                                                                                                                                                    tp < 200 s
Drain-Source Current, IDS (A)  30                                                 TJ = 150 C
                                                                         TJ = 25 C                                                                                                                                                                                                    -20

                                                                                                                                                          Drain-Source Current, IDS (A)                                     VGS = -2 V
                                                                                                                                                                                                                                                                                               -40

                               20                                                                                                                                                                                                                                                      -60
                                                                                                                       TJ = -55 C

                               10

                                                                                                                                                                                                                                                                                       -80

                                   0

                                      0        2              4       6          8                            10       12                14                                                                                                                                                  -100
                                                                                                                                                                                                                    Drain-Source Voltage, VDS (A)
                                                                  Gate-Source Voltage, VGS (V)

                                           Figure 7. Typical Transfer Characteristic                                                                                                             Figure 8. Typical Body Diode Characteristic
                                                     For Various Temperatures                                                                                                                                           TJ = -55 C

                               -6          -5                 -4         -3                               -2      -1                     0                                               -6         -5              -4              -3                 -2       -1                  0

                                                                                                                                                     0                                                                                                                                    0

                                                                                                                       Condition:                                                                                       VGS = -5 V                                  Condition:
                                                                                                                                                                                                                                                                    TJ = 150 C
                                                  VGS = -5 V                 VGS = 0 V                                 TJ = 25 C                                                                                                       VGS = 0 V                   tp < 200 s
                                                                                                                       tp < 200 s
                                                                                                                                                                                                                                                                                      -20
                                                                                                                                         -20

Drain-Source Current, IDS (A)                                     VGS = -2 V                                                                              Drain-Source Current, IDS (A)                                                 VGS = -2 V
                                                                                                                                    -40                                                                                                                                                      -40

                                                                                                                                                     -60                                                                                                                                  -60

                                                                                                                                                     -80                                                                                                                                  -80

                                                                                                                                       -100                                                                                                                                                      -100
                                                              Drain-Source Voltage, VDS (A)                                                                                                                             Drain-Source Voltage, VDS (A)

                                           Figure 9. Typical Body Diode Characteristic                                                                                                              Figure 10. Typical Body Diode Characteristic
                                                                   TJ = 25 C                                                                                                                                               TJ = 150 C

                               4.0                                                                                                                                                       25

                                                                                                                                    Conditions                                                      Conditions:

                               3.5                                                                                                  VDS = 10 V                                                      IDS = 40 A
                                                                                                                                    IDS = 01.05mmAA
                                                                                                                                                                                         20         IGS = 100 mA

                               3.0                                                                                                                                                                  VDS = 800 V
                                                                                                     Typ
                                                                                                                                                          Gate-Source Voltage, VGS (V)              TJ = 25 C

Threshold Voltage, Vth (V)     2.5                                                                                                                                                       15

                                                                                                     Min                                                                                 10
                               2.0

                               1.5

                                                                                                                                                                                             5

                               1.0

                               0.5                                                                                                                                                           0

                               0.0                                                                                                                                                           -5

                                      -50  -25        0           25         50                           75      100               125              150                                         0      20              40          60             80      100      120                   140

                                                                  Junction Temperature TJ (C)                                                                                                                                      Gate Charge, QG (nC)

Figure 11. Typical and Minimum Threshold Voltage vs.                                                                                                                                     Figure 12. Typical Gate Charge Characteristic 25 C
                               Temperature

4                                          C2M0040120D Rev -
Typical Performance

                               -6               -5  -4             -3                 -2                          -1                0                                                 -6               -5       -4        -3        -2                                           -1              0

                                                                                                                                       0                                                                                                                                                            0

                                   Conditions:          VGS = 0 V                                                                                                                         Conditions:                VGS = 0 V
                                   TJ = -55 C                                                                                                                                            TJ = 25 C                                    VGS = 5 V
                                   tp < 200 s                             VGS = 5 V                                                                                                      tp < 200 s
                                                                                                                                                                                                                                                                                     -20
Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                          -20             Drain-Source Current, IDS (A)

                                                                                                                                         -40                                                                                                                   VGS = 10 V
                                                                                                                  VGS = 10 V                                                                                                                                                 -40

                                                                                                                  VGS = 15 V           -60                                                                                                     VGS = 15 V

                                                                                                                                                                                                                                                                             -60
                                                                                                                                                                                                                               VGS = 20 V

                                                                                            VGS = 20 V                                                                                                                                                                                              -80
                                                                                                                              -80

                                                                                                                                -100                                                                                                                                                            -100
                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                                 Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                   Figure 13. Typical 3rd Quadrant Characteristic                                                                                                         Figure 14. Typical 3rd Quadrant Characteristic
                                                             TJ = -55 C                                                                                                                                             TJ = 25 C

                               -6               -5  -4             -3                 -2                          -1                0                                                 100
                                                                                                                                       0
                                   Conditions:                  VGS = 0 V                 VGS = 5 V
                                   TJ = 150 C                                                                                         -20
                                   tp < 200 s                             VGS = 10 V                                                                                                 80

Drain-Source Current, IDS (A)                       VGS = 15 V                                                                                         Stored Energy, EOSS (J)

                                                                                                                  VGS = 20 V                                                          60
                                                                                                                                                  -40

                                                                                                                                                                                      40

                                                                                                                                       -60

                                                                                                                                                                                      20

                                                                                                                                       -80

                                                                                                                                                                                          0

                                                                                                                                -100                                                         0             200       400       600                                          800      1000           1200
                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)
                                                                                                                                                                                                                     Drain to Source Voltage, VDS (V)

                                   Figure 15. Typical 3rd Quadrant Characteristic                                                                                                     Figure 16. Typical Output Capacitor Stored Energy
                                                             TJ = 150 C

                               10000                                                                                   Conditions:                                                    10000                                                                                          Conditions:
                                1000                                                                                                                                                   1000
                                                                                                                       TJ = 25 C                                                                                                                                                    TJ = 25 C

                                                                                      Ciss                             VAC = 25 mV                                                                                                  Ciss                                             VAC = 25 mV

                                                                                                                       f = 1 MHz                                                                                                                                                     f = 1 MHz

Capacitance (pF)                                                                      Coss                                                             Capacitance (pF)

                                   100                                                                                                                                                                                                                                Coss
                                                                                                                                                                                             100

                                                                                                            Crss                                                                             10                                     Crss
                                   10

                                   1                                                                                                                                                         1

                                        0           50                     100                                    150                  200                                                       0              200       400       600                                              800            1000

                                                                Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                        Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                   Figure 17. Typical Capacitances vs Drain Voltage                                                                                                       Figure 18. Typical Capacitances vs Drain Voltage
                                                                 (0-200 V)                                                                                                                                             (0-1000 V)

5                                          C2M0040120D Rev -
Typical Performance

Drain-Source Continous Current, IDS (DC) (A)  70                                                                                                                           Maximum Dissipated Power, Ptot (W)  350
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   Conditions:
                                                                                                                                                      Conditions:
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   TJ  150 C
                                                                                                                                                      TJ  150 C
                                              60                                                                                                                                                               300

                                              50                                                                                                                                                               250

                                              40                                                                                                                                                               200

                                              30                                                                                                                                                               150

                                              20                                                                                                                                                               100

                                              10                                                                                                                                                               50

                                                 0                                                                                                                                                             0
                                                                                                                                                                                                                 -55
                                                    -55                    -5              45             95                                                   145                                                                       -5         45                     95                                                   145

                                                                               Case Temperature, TC (C)                                                                                                                                        Case Temperature, TC (C)

                                                    Figure 19. Continuous IDS Current derating curve                                                                                                                Figure 20. Power Dissipation Derating Curve

                                                      1

                                                                                                                                                                                                               100.00

Junction To Case Impedance, ZthJC (oC/W)                        0.5                                                                                                                                                         Limited by RDS On                                    10 s
                                                                0.3                                                                                                                                                                                                        100 s
                                                                                                                                                                           Drain-Source Current, IDS (A)       10.00                                                  1 ms
                                              100E-3                                                                                                                                                                                                        100 ms

                                                                0.1                                                                                                                                            1.00
                                                               0.05
                                                                       SinglePulse
                                               10E-3 0.02
                                                                                                                                                                                                               0.10
                                                               0.01

                                                 1E-3

                                                                                                                                                                                                                            Conditions:

                                                                                                                                                                                                                            TC = 25 C
                                                                                                                                                                                                                            D = 0,

                                              100E-6                                                                                                                                                                     Parameter: tp
                                                                                                                                                                                                               0.01

                                                       1E-6            10E-6   100E-6          1E-3  10E-3               100E-3                                         1                                              0.1                   1      10      100                           1000

                                                                                       Time, tp (s)                                                                                                                                             Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                                    Figure 21. Typical Transient Thermal Impedance                                                                                                                              Figure 22. Safe Operating Area
                                                               (Junction - Case) with Duty Cycle

                                              6                                                                                                                                                                  4
                                                                                                                                                                                                                          Conditions:
                                                       Conditions:
                                                                                                                                                                                                               3.5 TJ = 25 C
                                                       TJ = 25 C                                                                                                                                                         VDD = 600 V
                                                                                                                                                                                                                          RG(ext) = 2.5
                                              5        VDD = 800 V
                                                                                                                                                                                                                 3 VGS = -5/+20 V
                                                       RG(ext) = 2.5                                                                                                                                                      FWD = C4D20120A

                                                       VGS = -5/+20 V                                                                                                                                          2.5 L = 80 H

Switching Energy (mJ)                         4        FWD = C4D20120A                                           ETotal                                                    Switching Energy (mJ)                 2                                                         ETotal
                                                       L = 80 H                                                                                                                                                                                                                      EOn

                                                                                                                                                    EOn
                                              3

                                              2                                                                                                                                                                1.5
                                                                                                                                                     EOff                                                                                                                                                               EOff

                                              1                                                                                                                                                                  1
                                                                                                                                                                                                               0.5

                                              0                                                                                                                                                                0

                                                    0        10        20      30      40      50    60          70                                        80       90                                              0       10           20     30  40  50  60                    70                                          80     90

                                                                               Drain to Source Current, IDS (A)                                                                                                                                 Drain to Source Current, IDS (A)

                                              Figure 23. Clamped Inductive Switching Energy vs.                                                                                                                Figure 24. Clamped Inductive Switching Energy vs.
                                                                Drain Current (VDD = 800V)                                                                                                                                       Drain Current (VDD = 600V)

6                                                        C2M0040120D Rev -
Typical Performance

                     3.5                                                                                                        2.5
                                Conditions:
                                TJ = 25 C                                                                                                                                                           Conditions:

                     3.0 VDD = 800 V                                                                                                                                                                 IDS = 40 A
                                IDS = 40 A
                                VGS = -5/+20 V                         ETotal                                                                                                                        VDD = 800 V

                     2.5 FWD = C4D20120A                                 EOn                                                    2.0                                                                  RG(ext) = 2.5
                                L = 80 H                                 EOff
                                                                                                                                                                                                     VGS = -5/+20 V
                     2.0
                                                                                                           Swithcing Loss (mJ)                                                                       FWD = C4D20120A
                     1.5
Switching Loss (mJ)                                                                                                                                   ETotal                                         L = 80 H
                     1.0
                                                                                                                                1.5

                                                                                                                                1.0                   EOn

                                                                                                                                                                                       EOff
                                                                                                                                0.5

                     0.5

                     0.0                                                                                                        0.0
                           0
                                          5     10                 15                      20      25  30                            -50  -25  0  25                                         50  75  100  125         150

                                                External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)                                                             Junction Temperature, TJ (C)

Figure 25. Clamped Inductive Switching Energy vs. RG(ext)                                                  Figure 26. Clamped Inductive Switching Energy vs.
                                                                                                                                 Junction Temperature

                     100

                              Conditions:

                     90       TJ = 25 C

                              VDD = 800 V

                     80       RL = 20

                              VGS = -5/+20 V

                     70                         tr

Time (ns)            60                             tf
                                                         td (off)
                     50

                     40

                     30
                                                                              td (on)

                     20

                     10

                     0

                          0                  4      8                                  12      16      20

                                                External Gate Resistor, RG(ext) (Ohms)

Figure 27. Resistive Switching Times vs. External Gate                                                                          Figure 28. Resistive Switching Time Description
                 Resistor (VDD = 800V, ID = 40A)

7                             C2M0040120D Rev -
Test Circuit Schematic

                                                                          C4D20120A

                                         L=80 uH        D1           20A, 1200V
                                                                     SiC Schottky

                        VDC CDC=42.3 uF

                                                    Q1            D.U.T
                                                            C2M0040120D

                             Figure 30. Clamped Inductive Switching
                                          Waveform Test Circuit

                                         L=80                  Q1
                                          uH
                                                    VGS= - 5V

                             CDC=42.3                                           D.U.T
                                  uF                                      C2M0040120D

                        VDC

                                                    Q2  C2M0040120D

                             Figure 31. Body Diode Recovery Test Circuit

   ESD Ratings          Total Devices Sampled               Resulting Classification
                          All Devices Passed 1000V                       2 (>2000V)
           ESD Test        All Devices Passed 400V                        C (>400V)
             ESD-HBM      All Devices Passed 1000V                      IV (>1000V)
              ESD-MM
             ESD-CDM

8  C2M0040120D Rev -
  Package Dimensions                                                    POS        Inches        Millimeters

   Package TO-247-3                                                       A  Min           Max   Min       Max
                                                                         A1
                                                   Pinout Information:   A2  .190          .205  4.83      5.21
                                                                          b
                                       Pin 1 = Gate                     b1  .090          .100  2.29      2.54
                                       Pin 2, 4 = Drain                 b2
                                       Pin 3 = Source                   b3  .075          .085  1.91      2.16
                                                                         b4
Recommended Solder Pad Layout                                             c  .042          .052  1.07      1.33
                                                                          D
                                                                         D1  .075          .095  1.91      2.41
                                                                         D2
                                                                          E  .075          .085  1.91      2.16
                                                                         E1
                                                                         E2  .113          .133  2.87      3.38
                                                                         E3
                                                                         E4  .113          .123  2.87      3.13
                                                                          e
                                                                          N  .022          .027  0.55      0.68
                                                                          L
                                                                         L1  .819          .831  20.80     21.10
                                                                         P
                                                                          Q  .640          .695  16.25     17.65
                                                                          S
                                                                             .037          .049  0.95      1.25

                                                                             .620          .635  15.75     16.13

                                                                             .516          .557  13.10     14.15

                                                                             .145          .201  3.68      5.10

                                                                             .039          .075  1.00      1.90

                                                                             .487          .529  12.38     13.43

                                                                                  .214 BSC       5.44 BSC

                                                                                   3                    3

                                                                             .780          .800  19.81     20.32

                                                                             .161          .173  4.10      4.40

                                                                             .138          .144  3.51      3.65

                                                                             .216          .236  5.49      6.00

                                                                             .238          .248  6.04      6.30

                      Part Number                                       Package              Marking
                      C2M0040120D                                       TO-247-3           C2M0040120

   TO-247-3

9  C2M0040120D Rev -
Notes

RoHS Compliance
      The levels of RoHS restricted materials in this product are below the maximum concentration values (also referred
      to as the threshold limits) permitted for such substances, or are used in an exempted application, in accordance
      with EU Directive 2011/65/EC (RoHS2), as implemented January 2, 2013. RoHS Declarations for this product can
      be obtained from your Cree representative or from the Product Documentation sections of www.cree.com.

REACh Compliance
      REACh substances of high concern (SVHCs) information is available for this product. Since the European Chemi-
      cal Agency (ECHA) has published notice of their intent to frequently revise the SVHC listing for the foreseeable
      future,please contact a Cree representative to insure you get the most up-to-date REACh SVHC Declaration.
      REACh banned substance information (REACh Article 67) is also available upon request.

This product has not been designed or tested for use in, and is not intended for use in, applications implanted into

      the human body nor in applications in which failure of the product could lead to death, personal injury or property
      damage, including but not limited to equipment used in the operation of nuclear facilities, life-support machines,
      cardiac defibrillators or similar emergency medical equipment, aircraft navigation or communication or control
      systems, air traffic control systems.

Copyright 2014 Cree, Inc. All rights reserved.                                                         Cree, Inc.
The information in this document is subject to change without notice.                        4600 Silicon Drive
Cree, the Cree logo, and Zero Recovery are registered trademarks of Cree, Inc.             Durham, NC 27703
                                                                                USA Tel: +1.919.313.5300
                                                                                      Fax: +1.919.313.5451
                                                                                       www.cree.com/power

10  C2M0040120D Rev -
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