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C2M0025120D

器件型号:C2M0025120D
器件类别:半导体    分立半导体   
文件大小:7550.87KB,共10页
厂商名称:Cree
厂商官网:http://www.cree.com/
标准:  
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器件描述

mosfet sic mosfet 1200v rds ON 25 mohm

参数
Manufacturer: Cree, Inc.
Product Category: MOSFET
RoHS: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 10 V, + 25 V
Id - Continuous Drain Current: 90 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 25 mOhms
Configuration: Single
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.4 V
Qg - Gate Charge: 406 nC
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 463 W
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Brand: Cree, Inc.
Channel Mode: Enhancement
Fall Time: 28.4 ns
Forward Transconductance - Min: 23.6 S
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rise Time: 31.6 ns
Technology Type: -
Typical Turn-Off Delay Time: 28.8 ns

C2M0025120D器件文档内容

                                                                                                    VDS            1200 V

C2M0025120D                                                                                         ID @ 25˚C      90 A

                                                                                                    RDS(on)        25 mΩ

Silicon Carbide Power MOSFET

Z-FET           TM  MOSFET

N-Channel Enhancement Mode                                                                       

Features                                                      Package

•  High Speed Switching with Low Capacitances

•  High Blocking Voltage with Low RDS(on)

•  Easy to Parallel and Simple to Drive

•  Resistant to Latch-Up

•  Halogen Free, RoHS Compliant

Benefits                                                                  TO-247-3

•  Higher System Efficiency

•  Increased System Switching Frequency

•  Reduced Cooling Requirements

•  Increased System Reliability

Applications

•  Solar Inverters

•  Switch Mode Power Supplies

•  High Voltage DC/DC converters                                                  Part Number            Package

•  Motor Drive

                                                                                  C2M0025120D            TO-247-3

Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise                  specified)

Symbol                           Parameter                    Value       Unit      Test Conditions                      Note

                                                              90                  VGS = 20 V,  TC = 25 °C

   IDS (DC)     Continuous Drain Current                                  A                                              Fig. 19

                                                              60                  VGS = 20 V,  TC = 100 °C

   IDS (pulse)  Pulsed Drain Current                          250         A       Pulse width tP limited by Tjmax        Fig. 22

                                                                                  TC = 25 °C

   VGS          Gate Source Voltage                           -10/+25     V

   Ptot         Power Dissipation                             463         W       TC=25 °C, TJ = 150 °C                  Fig. 20

   TJ , Tstg    Operating Junction and  Storage  Temperature  -55 to      ˚C

                                                              +150

   TL           Solder Temperature                            260         ˚C      1.6 mm (0.063”) from case for    10s

   Md           Mounting Torque                               1           Nm      M3 or 6-32 screw

                                                              8.8         lbf-in

1            C2M0025120D Rev -
Electrical Characteristics           (TC = 25˚C  unless     otherwise specified)

Symbol                Parameter                      Min.   Typ.  Max.      Unit                Test Conditions              Note

V(BR)DSS   Drain-Source Breakdown Voltage             1200                  V         VGS = 0 V, ID = 50 μA

                                                       2.1  2.4             V         VDS = 10 V, ID = 10mA

VGS(th)    Gate Threshold Voltage                                           V                                                Fig. 11

                                                       1.6  1.8                       VDS = 10 V, ID = 10mA,TJ = 150 °C

   IDSS    Zero Gate Voltage Drain Current                  2        100    μA        VDS = 1200 V, VGS = 0 V

   IGSS    Gate-Source Leakage Current                               600    nA        VGS = 20 V, VDS = 0 V

RDS(on)    Drain-Source On-State Resistance                 25        34    mΩ        VGS = 20 V, ID = 50 A                  Fig.

                                                            43        63              VGS = 20 V, ID = 50 A, TJ = 150 °C     4,5,6

   gfs     Transconductance                                 23.6            S         VDS= 20 V, IDS= 50 A                   Fig. 7

                                                            21.7                      VDS= 20 V, IDS= 50 A, TJ = 150 °C

   Ciss    Input Capacitance                                2788                      VGS = 0 V

   Coss    Output Capacitance                               220             pF                                               Fig.

                                                                                      VDS = 1000 V                           17,18

   Crss    Reverse Transfer Capacitance                     15                        f = 1 MHz

   Eoss    Coss Stored Energy                               121             μJ        VAC = 25 mV                            Fig 16

   td(on)  Turn-On Delay Time                               14.4                      VDD = 800 V, VGS = -5/20 V

   tr      Rise Time                                        31.6                      ID = 50 A,

                                                                            ns        RG(ext) = 2.5 Ω,  RL = 16 Ω            Fig. 27

td(off)    Turn-Off Delay Time                              28.8                      Timing relative to VDS

   tf      Fall Time                                        28.4                      Per IEC60747-8-4 pg 83

   EON     Turn-On Switching Loss                           1.4                       VDS = 800 V, VGS = -5/20 V,

                                                                            mJ        ID = 50A,    RG(ext) = 2.5Ω,L= 412 μH  Fig. 25

   EOFF    Turn Off Switching Loss                          0.3

   RG      Internal Gate Resistance                         1.1             Ω         f = 1 MHz, VAC = 25 mV, ESR of CISS

Built-in SiC Body Diode Characteristics

Symbol     Parameter                             Typ.       Max.  Unit                  Test Conditions                      Note

                                                 3.3              V         VGS = - 5 V, ISD = 25  A, TJ = 25 °C

   VSD     Diode Forward Voltage                                                                                             Note 1

                                                 3.0              V         VGS = - 5 V, ISD = 25  A, TJ = 150 °C

   trr     Reverse Recover time                  45               ns        VGS = - 5 V, ISD = 50  A TJ = 25 °C

   Qrr     Reverse Recovery Charge               406              nC        VR = 800 V                                       Note 1

                                                                            dif/dt = 1000 A/µs

   Irrm    Peak Reverse Recovery Current         13.5             A

Note (1): When using SiC Body Diode          the maximum          recommended VGS = -5V

Thermal Characteristics

Symbol     Parameter                                        Typ.     Max.   Unit                Test Conditions              Note

   RθJC    Thermal Resistance from Junction  to  Case       0.24      0.27  °C/W                                             Fig. 21

   RθJC    Thermal Resistance from Junction  to  Ambient                40

Gate Charge Characteristics

Symbol     Parameter                                        Typ.     Max.         Unit             Test Conditions           Note

   Qgs     Gate to Source Charge                            46                          VDS = 800 V, VGS = -5/20 V

   Qgd     Gate to Drain Charge                             50                    nC    ID  = 50 A                           Fig. 12

   Qg      Gate Charge Total                                161                         Per IEC60747-8-4 pg 83

2          C2M0025120D Rev -
Typical Performance

                               150                                                                                                                                        150

                                           Conditions:           VGS = 20 V                                                                                                           Conditions:                            VGS = 20 V

                                           TJ = -55 °C                       VGS          =  16 V                                                                                     TJ = 25 °C                 VGS = 18 V

                                           tp < 200 µs                                                                                                                                tp < 200 µs

                               120                                                                                                                                        120                      VGS = 16 V

Drain-Source Current, IDS (A)              VGS = 18 V                                        VGS =  14 V                                   Drain-Source Current, IDS (A)                                                                 VGS = 14 V

                                                                                                                                                                                                                                             VGS = 12 V

                               90                                                                                                                                         90

                                                                                                    VGS =  12 V                                                                                                                                           VGS = 10 V

                               60                                                                                                                                         60

                                                                                                                 VGS  =  10  V

                               30                                                                                                                                         30

                                   0                                                                                                                                          0

                                      0.0                   2.5              5.0                          7.5                        10.0                                        0.0               2.5                       5.0                          7.5              10.0

                                                                 Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                   Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                   Figure 1. Typical Output Characteristics TJ = -55 °C                                                                                   Figure 2. Typical                      Output Characteristics TJ                     =  25   °C

                               150                                                                                                                                        1.8

                                           Conditions:                                                                                                                                Conditions:

                                           TJ = 150 °C                                                           VGS = 14 V                                               1.6         IDS = 50 A

                                           tp < 200 µs                                              VGS = 16 V                                                                        VGS = 20 V

                               120                                                                                                                                        1.4         tp < 200 µs

Drain-Source Current, IDS (A)                                                VGS =           18 V                                          On Resistance, RDS On (P.U.)

                                                                 VGS = 20 V                                              VGS = 12 V                                       1.2

                               90

                                                                                                                         VGS = 10 V                                       1.0

                                                                                                                                                                          0.8

                               60

                                                                                                                                                                          0.6

                               30                                                                                                                                         0.4

                                                                                                                                                                          0.2

                                   0                                                                                                                                      0.0

                                      0.0                   2.5              5.0                          7.5                        10.0                                        -50  -25                     0  25          50          75               100     125      150

                                                                 Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                                   Junction Temperature, TJ (°C)

                               Figure 3. Typical Output Characteristics TJ = 150                                                °C                                        Figure 4. Normalized                   On-Resistance                       vs.  Temperature

                               80                                                                                                                                         60

                                           Conditions:                                                                                                                                Conditions:

                               70          VGS = 20 V                                                                                                                                 IDS = 50 A

                                           tp < 200 µs                                                                                                                    50          tp < 200 µs

On Resistance, RDS On (mOhms)  60                                            TJ = 150 °C                                                   On Resistance, RDS On (mOhms)

                                                                                                                                                                          40

                               50

                                                                                                                                                                                                                 VGS = 14 V

                               40                                                                                                                                         30                      VGS = 16 V

                                                                             TJ = 25 °C                                                                                               VGS = 18 V

                               30

                                                                                                                                                                          20          VGS = 20 V

                               20                                                                   TJ = -55 °C

                                                                                                                                                                          10

                               10

                               0                                                                                                                                          0

                                      0                 30       60                          90                  120                 150                                       -50    -25          0             25          50          75               100     125      150

                                                                 Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                                   Junction Temperature, TJ (°C)

                                           Figure 5. On-Resistance vs. Drain Current                                                                                                  Figure 6. On-Resistance vs. Temperature

                                                        For Various Temperatures                                                                                                                   For Various Gate Voltage

3                                          C2M0025120D Rev -
Typical Performance

                               100                                                                                                                                           -5         -4                      -3                     -2            -1               0

                                          Conditions:                                                                                                                                                                                                                       0

                                          VDS = 20 V                                                                                                                                                                                                     Condition:

                                          tp < 200 µs                                                                                                                                               VGS = -5 V                                           TJ = -55 °C

Drain-Source Current, IDS (A)      80                                                                                                                                                                                       VGS = 0 V                    tp < 200 µs

                                                                                                                                                                                                                                                                            -20

                                                                               TJ = 150 °C                                                    Drain-Source Current, IDS (A)

                                   60

                                                                                                                                                                                                                                                                            -40

                                                                 TJ = 25 °C

                                   40                                                                                                                                                                               VGS = -2 V

                                                                                                 TJ = -55 °C                                                                                                                                                                -60

                                   20

                                                                                                                                                                                                                                                                            -80

                                   0

                                       0  2                   4                6            8        10            12           14                                                                                                                                          -100

                                                                 Gate-Source Voltage, VGS (V)                                                                                                                   Drain-Source Voltage, VDS (A)

                                          Figure       7. Typical Transfer Characteristic                                                                                            Figure 8.        Typical Body Diode Characteristic

                                                       For Various Temperatures                                                                                                                                 TJ = -55 ºC

                               -5         -4                           -3                   -2                -1                0                                            -5         -4                      -3                     -2            -1                  0

                                                                                                                                        0                                                                                                                                      0

                                                                                                                   Condition:                                                                                   VGS = -5 V                               Condition:

                                                                                                                   TJ = 25 °C                                                                                                                            TJ = 150 °C

                                                           VGS = -5 V                                              tp < 200 µs                                                                                                  VGS = 0 V                tp < 200 µs

                                                                                                                                        -20                                                                                                                                    -20

Drain-Source Current, IDS (A)                                              VGS = 0 V                                                          Drain-Source Current, IDS (A)

                                                                           VGS = -2 V                                                   -40                                                                                                                                    -40

                                                                                                                                                                                                                    VGS = -2 V

                                                                                                                                        -60                                                                                                                                    -60

                                                                                                                                        -80                                                                                                                                    -80

                                                                                                                                        -100                                                                                                                                   -100

                                                              Drain-Source Voltage, VDS (A)                                                                                                                     Drain-Source Voltage, VDS (A)

                                          Figure       9.  Typical Body Diode Characteristic                                                                                            Figure 10.              Typical Body Diode Characteristic

                                                                       TJ = 25 ºC                                                                                                                                   TJ = 150 ºC

                               3.5                                                                                                                                               25

                                                                                                                       Conditions                                                       Conditions:

                                                                                                                       VDS = 10 V                                                       IDS = 50 A

                               3.0                                                                                     IDS = 01.05mmAA                                           20     IGS = 100 mA

                                                                                                                                                                                        VDS = 800 V

                               2.5                                             Typ                                                            Gate-Source Voltage, VGS (V)              TJ = 25 °C

Threshold Voltage, Vth (V)                                                                                                                                                       15

                               2.0                                                          Min

                                                                                                                                                                                 10

                               1.5

                                                                                                                                                                                 5

                               1.0

                               0.5                                                                                                                                               0

                               0.0                                                                                                                                               -5

                                    -50   -25              0               25          50        75           100      125              150                                          0  20            40        60          80             100  120      140  160              180

                                                                 Junction Temperature TJ (°C)                                                                                                                               Gate Charge, QG (nC)

Figure 11. Typical and Minimum Threshold Voltage vs.                                                                                                                             Figure 12. Typical Gate Charge Characteristic 25                                     ºC

                                                                       Temperature

4                                         C2M0025120D Rev -
Typical Performance

                               -5               -4       -3                    -2               -1                      0                                       -5               -4        -3                   -2                  -1                      0

                                                                                                                           0                                                                                                                                    0

                                   Conditions:                                                                                                                      Conditions:                 VGS = 0 V

                                   TJ = -55 °C           VGS = 0 V                                                                                                  TJ = 25 °C                                      VGS  =  5V

                                   tp < 200 µs                                 VGS = 5 V                                                                            tp < 200 µs

Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                              -20   Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                                  -20

                                                                                                                           -40                                                                                                                 VGS = 10  V      -40

                                                                                                            VGS = 10 V

                                                                                                                                                                                                                                          VGS  = 15 V

                                                                                                                           -60                                                                                                                                  -60

                                                                                                VGS = 15 V

                                                                                                                                                                                                                            VGS  =  20 V

                                                                                                                           -80                                                                                                                                  -80

                                                                                                VGS = 20 V

                                                     Drain-Source Voltage, VDS (V)                                         -100                                                       Drain-Source Voltage, VDS (V)                                             -100

                                   Figure       13.  Typical 3rd Quadrant Characteristic                                                                               Figure 14. Typical 3rd Quadrant Characteristic

                                                         TJ = -55 ºC                                                                                                                       TJ = 25 ºC

                               -5               -4       -3                    -2               -1                      0                                       150

                                                                                                                           0

                                   Conditions:                      VGS = 0 V                   VGS = 5 V

                                   TJ = 150 °C

                                   tp < 200 µs                                      VGS = 10 V                                                                  120

                                                                    VGS = 15 V                                             -20

Drain-Source Current, IDS (A)                                                                              VGS = 20 V            Stored Energy, EOSS (µJ)       90

                                                                                                                           -40

                                                                                                                                                                60

                                                                                                                           -60

                                                                                                                                                                30

                                                                                                                           -80

                                                                                                                                                                    0

                                                                                                                           -100                                        0         200       400             600              800                1000             1200

                                                     Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                                                         Drain to Source Voltage, VDS (V)

                                   Figure       15.  Typical 3rd Quadrant Characteristic                                                                        Figure           16. Typical Output Capacitor Stored Energy

                                                         TJ = 150 ºC

                               10000                                                                                                                            10000

                                                                                    Ciss                                                                                                                            Ciss

                                                                                                            Conditions:

                                                                                                            TJ = 25 °C                                                                                                                              Conditions:

                                   1000                                                                     VAC = 25 mV                                             1000                                                                            TJ = 25 °C

                                                                                    Coss                    f = 1 MHz                                                                                                                               VAC = 25 mV

Capacitance (pF)                                                                                                                 Capacitance (pF)                                                                                                   f = 1 MHz

                                                                                                                                                                                                                    Coss

                                   100                                                                                                                                 100

                                                                                    Crss

                                                                                                                                                                                                                    Crss

                                   10                                                                                                                                  10

                                   1                                                                                                                                   1

                                         0           50                        100              150                        200                                              0         200       400                 600                        800               1000

                                                         Drain-Source Voltage,      VDS (V)                                                                                                Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                   Figure       17.  Typical Capacitances           vs Drain                Voltage                                                 Figure       18.  Typical Capacitances vs Drain Voltage

                                                             (0-200 V)                                                                                                                         (0-1000 V)

5                                           C2M0025120D Rev -
Typical Performance

                                              100                                                                                                                                    500

                                                                                                                             Conditions:                                                                                                                                 Conditions:

Drain-Source Continous Current, IDS (DC) (A)  90                                                                             TJ ≤ 150 °C                                             450                                                                                 TJ ≤ 150 °C

                                              80                                                                                                 Maximum Dissipated Power, Ptot (W)  400

                                              70                                                                                                                                     350

                                              60                                                                                                                                     300

                                              50                                                                                                                                     250

                                              40                                                                                                                                     200

                                              30                                                                                                                                     150

                                              20                                                                                                                                     100

                                              10                                                                                                                                     50

                                              0                                                                                                                                      0

                                                   -55                      -5                   45                95                145                                                  -55                       -5             45                            95                    145

                                                                                     Case Temperature, TC (°C)                                                                                                                 Case Temperature, TC (°C)

                                                   Figure     19.        Continuous IDS Current derating curve                                                                            Figure             20.    Power Dissipation Derating                           Curve

Junction To Case Impedance, ZthJC (oC/W)                0.5                                                                                                                          100.00

                                                                                                                                                                                                     Limited by RDS On                                               10 µs

                                              100E-3    0.3

                                                                                                                                                 Drain-Source Current, IDS (A)                                                                                   100 µs

                                                        0.1                                                                                                                          10.00                                                                1 ms

                                                        0.05

                                              10E-3                                                                                                                                                                                        100 ms

                                                        0.02

                                                                                                                                                                                          1.00

                                                        0.01

                                              1E-3                  SinglePulse

                                                                                                                                                                                          0.10

                                                                                                                                                                                                     Conditions:

                                                                                                                                                                                                     TC = 25 °C

                                                                                                                                                                                                     D = 0,

                                                                                                                                                                                                     Parameter: tp

                                              100E-6                                                                                                                                      0.01

                                                      1E-6           10E-6           100E-6          1E-3      10E-3         100E-3           1                                                 0.1                     1      10          100                                   1000

                                                                                             Time, tp (s)                                                                                                                      Drain-Source Voltage, VDS (V)

                                                   Figure 21. Typical Transient Thermal Impedance                                                                                                            Figure        22. Safe Operating Area

                                                              (Junction - Case) with Duty Cycle

                                              4                                                                                                                                      2.5

                                                        Conditions:                                                                                                                             Conditions:

                                              3.5       TJ = 25 °C                                                                                                                              TJ = 25 °C

                                                        VDD = 800 V                                                                                                                             VDD = 600 V

                                                        RG(ext) = 6.8 Ω                                                                                                              2          RG(ext) = 6.8 Ω

                                              3         VGS = -5/+20 V                                                                                                                          VGS = -5/+20 V

                                                        FWD = C4D20120A                                            ETotal                                                                       FWD = C4D20120A                                                          ETotal

Switching Energy (mJ)                         2.5       L = 412 μH                                                                               Switching Loss (µJ)                            L = 412 μH

                                                                                                                                                                                     1.5

                                              2                                                                       EOn

                                                                                                                                                                                                                                                                         EOn

                                              1.5                                                                                                                                    1

                                              1                                                                        EOff

                                                                                                                                                                                     0.5                                                                                 EOff

                                              0.5

                                              0                                                                                                                                      0

                                                   0          10                 20          30            40      50        60           70                                              0                  10            20  30      40                        50              60         70

                                                                                 Drain to Source Current, IDS (A)                                                                                                              Drain to Source Current, IDS (A)

                                              Figure 23. Clamped Inductive Switching Energy vs.                                                                                      Figure          24. Clamped Inductive Switching                                 Energy            vs.

                                                                     Drain Current (VDD = 800V)                                                                                                                  Drain Current (VDD = 600V)

6                                                       C2M0025120D Rev -
Typical Performance

                     5                                                                                                   4

                             Conditions:                                                                                           Conditions:

                     4.5     TJ = 25 °C                                                                                            IDS = 50 A

                             VDD = 800 V                                    ETotal                                       3.5       VDD = 800 V

                     4       IDS = 50 A                                                                                            RG(ext) = 6.8 Ω

                             VGS = -5/+20 V                                                                              3         VGS = -5/+20 V

                     3.5     FWD = C4D20120A                                                                                       FWD = C4D20120A

                             L = 412 μH                                                             Swithcing Loss (mJ)            L = 412 µH                  ETotal

Switching Loss (mJ)  3                                                                                                   2.5

                     2.5                                                    EOn                                          2

                     2                                                                                                                                         EOn

                                                                            EOff                                         1.5

                     1.5

                                                                                                                         1

                     1

                                                                                                                                                               EOff

                     0.5                                                                                                 0.5

                     0                                                                                                   0

                          0               5         10     15          20                   25  30                            -50  -25              0  25  50          75             100  125       150

                                                External Gate Resistor RG(ext) (Ohms)                                                                  Junction Temperature, TJ (°C)

Figure 25. Clamped Inductive Switching Energy vs. RG(ext)                                                                Figure 26. Clamped Inductive Switching Energy                          vs.

                                                                                                                                                    Junction Temperature

                     90

                             Conditions:

                     80      TJ = 25 °C

                             VDD = 800 V                       td (off)

                     70      RL = 16 Ω

                             VGS = -5/+20 V

                     60

                                                                   tf

Time (ns)            50

                                                tr

                     40

                     30                                            td (on)

                     20

                     10

                     0

                          0                  4          8      12                       16      20

                                                External Gate Resistor, RG(ext) (Ohms)

Figure 27. Resistive Switching Times vs. External Gate                                                                   Figure 28. Resistive Switching Time Description

                                         Resistor (VDD = 800V, ID = 50A)

7                            C2M0025120D Rev -
Test Circuit Schematic

                                                                                                CC44DD202102102A0A

                                                          LL==441122uuHH         DD11           2200AA, 1, 21020V0V

                                                                                                SSiCiCSSchcohtottktyky

                           VDC     CDDCC==4422..33 uuFF

                                                                          QQ11                  DD.U.U.T.T

                                                                                                CC22MM0000225152102D0D

                                   Figure 30. Clamped Inductive Switching

                                                          Waveform Test Circuit

                                                                                 QQ11

                                                          LL==441122uuHH        VVGGS=S=-5-5VV  D.U.T
                                                                                                C2M0D02.U51.T20D
                                                                                                C2M0025120D
                           VVDDCC  CCDDCC==4422..33 uuFF

                                                                          QQ22   C2M0025120D
                                                                                                C2M0025120D

                                   Figure 31. Body Diode Recovery Test Circuit

   ESD Ratings

   ESD Test                        Total Devices Sampled                                        Resulting Classification

   ESD-HBM                         All Devices Passed 1000V                                                             2 (>2000V)

   ESD-MM                          All Devices Passed 400V                                                              C (>400V)

   ESD-CDM                         All Devices Passed 1000V                                                             IV (>1000V)

8  C2M0025120D  Rev     -
   Package Dimensions

   Package TO-247-3

                                                                  Inches             Millimeters

                                                    POS

                                                         Min              Max   Min        Max

                                                    A    .190             .205  4.83       5.21

                                                    A1   .090             .100  2.29       2.54

                                                    A2   .075             .085  1.91       2.16

                                                    b    .042             .052  1.07       1.33

                                                    b1   .075             .095  1.91       2.41

                                                    b2   .075             .085  1.91       2.16

                                                    b3   .113             .133  2.87       3.38

                                                    b4   .113             .123  2.87       3.13

                                                    c    .022             .027  0.55       0.68

                                                    D    .819             .831  20.80      21.10

                                                    D1   .640             .695  16.25      17.65

                                                    D2   .037             .049  0.95       1.25

                                                    E    .620             .635  15.75      16.13

                                                    E1   .516             .557  13.10      14.15

                                                    E2   .145             .201  3.68       5.10

                                                    E3   .039             .075  1.00       1.90

                                                    E4   .487             .529  12.38      13.43

                                       (2)          e             .214 BSC              5.44 BSC

                                                    N             3                     3

                                                    L    .780             .800  19.81      20.32

                                                    L1   .161             .173  4.10       4.40

                                                    ØP   .138             .144  3.51       3.65

                               (1)                  Q    .216             .236  5.49       6.00

                                       (3)          S    .238             .248  6.04       6.30

Recommended Solder Pad         Layout

                                       Part Number      Package             Marking

                                       C2M0025120D      TO-247-3            C2M0025120

                     TO-247-3

9  C2M0025120D Rev -
Notes

•   RoHS Compliance

    The levels of RoHS restricted materials in this product are below the maximum concentration values (also referred

    to as the threshold limits) permitted for such substances, or are used in an exempted application, in accordance

    with EU Directive 2011/65/EC (RoHS2), as implemented January 2, 2013. RoHS Declarations for this product can

    be obtained from your Cree representative or from the Product Documentation sections of www.cree.com.

•   REACh Compliance

    REACh substances of high concern (SVHCs) information is available for this product. Since the European Chemi-

    cal Agency (ECHA) has published notice of their intent to frequently revise the SVHC listing for the foreseeable

    future,please contact a Cree representative to insure you get the most up-to-date REACh SVHC Declaration.

    REACh banned substance information (REACh Article 67) is also available upon request.

•   This product has not been designed or tested for use in, and is not intended for use in, applications implanted into

    the human body nor in applications in which failure of the product could lead to death, personal injury or property

    damage, including but not limited to equipment used in the operation of nuclear facilities, life-support machines,

    cardiac defibrillators or similar emergency medical equipment, aircraft navigation or communication or control

    systems, air traffic control systems.

   Copyright © 2014 Cree, Inc. All rights reserved.                                                                      Cree, Inc.

                                                                                                               4600 Silicon Drive

   The information in this document is subject to change without notice.                                   Durham, NC 27703

   Cree, the Cree logo, and Zero Recovery are registered trademarks of Cree, Inc.          USA Tel: +1.919.313.5300

                                                                                           Fax: +1.919.313.5451

                                                                                           www.cree.com/power

10     C2M0025120D Rev -
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C2M0025120D
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