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BZV55-A56

器件型号:BZV55-A56
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
厂商官网:https://www.nxp.com/
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器件描述

Voltage regulator diodes

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BZV55-A56器件文档内容

                         DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

           1/3 page (Datasheet)

                                                                   M3D054

BZV55 series                                                              2002 Feb 28
Voltage regulator diodes

Product specification
Supersedes data of 1999 May 21
Philips Semiconductors                                                                        Product specification

  Voltage regulator diodes                                                                   BZV55 series

FEATURES                                                     columns         k               a
Total power dissipation: max. 500 mW
Two tolerance series: 2%, and approx. 5%                                                    MAM215
Working voltage range: nom. 2.4 to 75 V (E24 range)
Non-repetitive peak reverse power dissipation:

   max. 40 W.

APPLICATIONS
Low voltage stabilizers or voltage references.

DESCRIPTION                                                  The cathode is indicated by a yellow band.

Low-power voltage regulator diodes in small hermetically     Fig.1 Simplified outline (SOD80C) and symbol.
sealed glass SOD80C SMD packages. The diodes are
available in the normalized E24 2% (BZV55-B) and
approx. 5% (BZV55-C) tolerance range. The series
consists of 37 types with nominal working voltages from
2.4 to 75 V.

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL       PARAMETER                                       CONDITIONS                    MIN. MAX. UNIT

IF           continuous forward current                                                 -       250     mA

IZSM         non-repetitive peak reverse current  tp = 100 s; square wave;             see Tables 1 and 2 A
                                                  Tj = 25 C prior to surge
Ptot         total power dissipation                                                    -       400     mW
                                                  Tamb  50 C; note 1
                                                                                        -       500     mW
                                                  tie-point  50 C; note 1

PZSM         non-repetitive peak reverse power    tp = 100 s; square wave;             -       40      W
             dissipation
Tstg         storage temperature                  Tj = 25 C prior to surge; see Fig.3
Tj           junction temperature
                                                                                        -65     +200 C
                                                                                                +200 C
                                                                                        -65

Note
1. Device mounted on a ceramic substrate of 10 10 0.6 mm.

2002 Feb 28                                               2
Philips Semiconductors                                                 Product specification

  Voltage regulator diodes                                           BZV55 series

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Total BZV55-B and BZV55-C series
Tj = 25 C; unless otherwise specified.

SYMBOL       PARAMETER                                   CONDITIONS  MAX.  UNIT
                                                                      0.9    V
VF           forward voltage             IF = 10 mA; see Fig.4

IR           reverse current             VR = 1 V
                                         VR = 1 V
             BZV55-B/C2V4                VR = 1 V                    50    A
                                         VR = 1 V
             BZV55-B/C2V7                VR = 1 V                    20    A
                                         VR = 1 V
             BZV55-B/C3V0                VR = 1 V                    10    A
                                         VR = 2 V
             BZV55-B/C3V3                VR = 2 V                    5     A
                                         VR = 2 V
             BZV55-B/C3V6                VR = 4 V                    5     A
                                         VR = 4 V
             BZV55-B/C3V9                VR = 5 V                    3     A
                                         VR = 5 V
             BZV55-B/C4V3                VR = 6 V                    3     A
                                         VR = 7 V
             BZV55-B/C4V7                VR = 8 V                    3     A
                                         VR = 8 V
             BZV55-B/C5V1                VR = 8 V                    2     A
                                         VR = 0.7VZnom
             BZV55-B/C5V6                                            1     A

             BZV55-B/C6V2                                            3     A

             BZV55-B/C6V8                                            2     A

             BZV55-B/C7V5                                            1     A

             BZV55-B/C8V2                                            700   nA

             BZV55-B/C9V1                                            500   nA

             BZV55-B/C10                                             200   nA

             BZV55-B/C11                                             100   nA

             BZV55-B/C12                                             100   nA

             BZV55-B/C13                                             100   nA

             BZV55-B/C15 to BZV55-B/C75                              50    nA

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2002 Feb 28  Table 1 Per type, BZV55-B/C2V4 to BZV55-B/C24                                                                                                                     Philips Semiconductors
             Tj = 25 C unless otherwise specified.
                                                                                                                                                                   Voltage regulator diodes
                     WORKING VOLTAGE             DIFFERENTIAL RESISTANCE             TEMP. COEFF.       DIODE CAP. NON-REPETITIVE PEAK
                               VZ (V)                             rdif ()
                                                                                         SZ (mV/K)      Cd (pF)        REVERSE CURRENT
                         at IZtest = 5 mA        at IZtest = 1 mA at IZtest = 5 mA   at IZtest = 5 mA
             BZV55-                                                                 (see Figs 5 and 6)  at f = 1 MHz;        IZSM (A)
              Bxxx
              Cxxx                 Tol. approx.                                                         VR = 0 V at tp = 100 s; Tamb = 25 C
                                     5% (C)
                     Tol. 2% (B)

                     MIN. MAX. MIN. MAX. TYP. MAX. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.                                  MAX.            MAX.

             2V4 2.35 2.45 2.2 2.6 275                      600  70  100 -3.5 -1.6 0                    450            6.0

             2V7 2.65 2.75 2.5 2.9 300                      600  75  100 -3.5 -2.0 0                    450            6.0

             3V0 2.94 3.06 2.8 3.2 325                      600  80  95             -3.5 -2.1 0         450            6.0

             3V3 3.23 3.37 3.1 3.5 350                      600  85  95             -3.5 -2.4 0         450            6.0

             3V6 3.53 3.67 3.4 3.8 375                      600  85  90             -3.5 -2.4 0         450            6.0

             3V9 3.82 3.98 3.7 4.1 400                      600  85  90             -3.5 -2.5 0         450            6.0

             4V3 4.21 4.39 4.0 4.6 410                      600  80  90             -3.5 -2.5 0         450            6.0

             4V7 4.61 4.79 4.4 5.0 425                      500  50  80             -3.5 -1.4 0.2 300                  6.0

4            5V1 5.00 5.20 4.8 5.4 400                      480  40  60             -2.7 -0.8 1.2 300                  6.0

             5V6 5.49 5.71 5.2 6.0 80                       400  15  40             -2.0 1.2 2.5 300                   6.0

             6V2 6.08 6.32 5.8 6.6 40                       150  6   10             0.4 2.3 3.7 200                    6.0

             6V8 6.66 6.94 6.4 7.2 30                       80   6   15             1.2 3.0 4.5 200                    6.0

             7V5 7.35 7.65 7.0 7.9 30                       80   6   15             2.5 4.0 5.3 150                    4.0

             8V2 8.04 8.36 7.7 8.7 40                       80   6   15             3.2 4.6 6.2 150                    4.0

             9V1 8.92 9.28 8.5 9.6 40                       100  6   15             3.8 5.5 7.0 150                    3.0

             10      9.80 10.20 9.4 10.6 50                 150  8   20             4.5 6.4 8.0 90                     3.0

             11      10.80 11.20 10.4 11.6 50               150  10  20             5.4 7.4 9.0 85                     2.5

             12      11.80 12.20 11.4 12.7 50               150  10  25             6.0 8.4 10.0 85                    2.5

             13      12.70 13.30 12.4 14.1 50               170  10  30             7.0 9.4 11.0 80                    2.5

             15      14.70 15.30 13.8 15.6 50               200  10  30             9.2 11.4 13.0 75                   2.0                                                     Product specification

             16      15.70 16.30 15.3 17.1 50               200  10  40             10.4 12.4 14.0 75                  1.5                                         BZV55 series

             18      17.60 18.40 16.8 19.1 50               225  10  45             12.4 14.4 16.0 70                  1.5

             20      19.60 20.40 18.8 21.2 60               225  15  55             12.3 15.6 18.0 60                  1.5

             22      21.60 22.40 20.8 23.3 60               250  20  55             14.1 17.6 20.0 60                  1.25

             24      23.50 24.50 22.8 25.6 60               250  25  70             15.9 19.6 22.0 55                  1.25
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2002 Feb 28  Table 2 Per type, BZV55-B/C27 to BZV55-B/C75                                                                                                                      Philips Semiconductors
             Tj = 25 C unless otherwise specified.
                                                                                                                                                                   Voltage regulator diodes
                     WORKING VOLTAGE               DIFFERENTIAL RESISTANCE             TEMP. COEFF.       DIODE CAP. NON-REPETITIVE PEAK
                               VZ (V)                              rdif ()
                                                                                           SZ (mV/K)      Cd (pF)        REVERSE CURRENT
                         at IZtest = 2 mA        at IZtest = 0.5 mA at IZtest = 2 mA   at IZtest = 2 mA
             BZV55-                                                                   (see Figs 5 and 6)  at f = 1 MHz;        IZSM (A)
              Bxxx
              Cxxx                 Tol. approx.                                                           VR = 0 V at tp = 100 s; Tamb = 25 C
                                     5% (C)
                     Tol. 2% (B)

                     MIN. MAX. MIN. MAX. TYP. MAX. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.                               MAX.                 MAX.

             27      26.50 27.50 25.1 28.9 65              300  25  80                18.0 22.7 25.3 50                  1.0

             30      29.40 30.60 28.0 32.0 70              300  30  80                20.6 25.7 29.4 50                  1.0

             33      32.30 33.70 31.0 35.0 75              325  35  80                23.3 28.7 33.4 45                  0.9

             36      35.30 36.70 34.0 38.0 80              350  35  90                26.0 31.8 37.4 45                  0.8

             39      38.20 39.80 37.0 41.0 80              350  40  130 28.7 34.8 41.2 45                                0.7

             43      42.10 43.90 40.0 46.0 85              375  45  150 31.4 38.8 46.6 40                                0.6

             47      46.10 47.90 44.0 50.0 85              375  50  170 35.0 42.9 51.8 40                                0.5

             51      50.00 52.00 48.0 54.0 90              400  60  180 38.6 46.9 57.2 40                                0.4

5            56      54.90 57.10 52.0 60.0 100             425  70  200 42.2 52.0 63.8 40                                0.3

             62      60.80 63.20 58.0 66.0 120             450  80  215 58.8 64.4 71.6 35                                0.3

             68      66.60 69.40 64.0 72.0 150             475  90  240 65.6 71.7 79.8 35                                0.25

             75      73.50 76.50 70.0 79.0 170             500  95  255 73.4 80.2 88.6 35                                0.2

                                                                                                                                                                               Product specification

                                                                                                                                                                   BZV55 series
Philips Semiconductors                                                                     Product specification

  Voltage regulator diodes                                                               BZV55 series

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL                          PARAMETER                      CONDITIONS                VALUE                              UNIT
                                                                                           300                              K/W
Rth j-tp        thermal resistance from junction to tie-point                              380                              K/W
Rth j-a         thermal resistance from junction to ambient see Fig.2 and note 1

Note
1. Device mounted on a ceramic substrate of 10 10 0.6 mm.

GRAPHICAL DATA

handbook1, 0fu3ll pagewidth                                                                                         MBG930
     Rth j-a
      (K/W)                     =1

          102                   0.75
                                0.50
                                0.33
                                0.20

                                0.10
                                0.05

                                0.02

          10                    0.01

                                0.001

                                                                                  tp                             =  tp
                                                                                      T                             T

          1

          10-1               1             10  102             103                104    tp (ms)                        105

                             Fig.2 Thermal resistance from junction to ambient as a function of pulse duration.

2002 Feb 28                                    6
Philips Semiconductors                                                                                Product specification

  Voltage regulator diodes                                                                          BZV55 series

          103                        MBG801                                                                 MBG781

handbook, halfpage                                                        300

     PZSM                                                        handbook, halfpage
       (W)
                                                                          IF
          102                                                           (mA)

                                                                          200

                           (1)

10                                                               100

                           (2)

1                                                                0
10-1
                        1       duration (ms) 10                 0.6                       0.8      VF (V)  1.0

(1) Tj = 25 C (prior to surge).                                 Tj = 25 C.
(2) Tj = 150 C (prior to surge).
                                                                 Fig.4 Typical forward current as a function of
Fig.3 Maximum permissible non-repetitive peak                              forward voltage.
          reverse power dissipation versus duration.

             0                                        MBG783                10                                                 MBG782

handbook, halfpage              4V3                              handbook, halfpage         12
                                       3V9                                                  11
       SZ                                 3V6                           SZ
    (mV/K)                                                           (mV/K)                 10
                                                                                           9V1
           -1                                                                 5            8V2
                                                                                           7V5
-2                              3V3                                           0            6V8
-3                                      3V0
                                                                                                         6V2
    0                                                                                                    5V6
                                                                                                         5V1

                                                                                                         4V7

                                2V4
                                2V7

                    20          40 IZ (mA) 60                    -5   0              4  8       12  16               20

                                                                                                            IZ (mA)

BZV55-B/C2V4 to BZV55-B/C4V3.                                    BZV55-B/C4V7 to BZV55-B/C12.
Tj = 25 to 150 C.                                               Tj = 25 to 150 C.

Fig.5 Temperature coefficient as a function of                   Fig.6 Temperature coefficient as a function of
          working current; typical values.                                 working current; typical values.

2002 Feb 28                                                   7
Philips Semiconductors                                                                     Product specification

  Voltage regulator diodes                                                               BZV55 series

PACKAGE OUTLINE                                                                                            SOD80C
Hermetically sealed glass surface mounted package; 2 connectors

                                                    k       (1)        a

                                                                                D

                                                    L                  L

                                                                 H

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

                                                                    0     1        2 mm

UNIT         D  H         L                                               scale

mm    1.60      3.7  0.3
      1.45      3.3

Note
1. The marking band indicates the cathode.

OUTLINE                                      REFERENCES                             EUROPEAN   ISSUE DATE
                                                                                   PROJECTION    97-06-20
VERSION              IEC                     JEDEC       EIAJ

SOD80C               100H01

2002 Feb 28                                              8
Philips Semiconductors                                              Product specification

  Voltage regulator diodes                                        BZV55 series

DATA SHEET STATUS

DATA SHEET STATUS(1)  PRODUCT                                               DEFINITIONS
                      STATUS(2)
                                     This data sheet contains data from the objective specification for product
Objective data        Development    development. Philips Semiconductors reserves the right to change the
                                     specification in any manner without notice.
Preliminary data      Qualification
                                     This data sheet contains data from the preliminary specification.
Product data          Production     Supplementary data will be published at a later date. Philips
                                     Semiconductors reserves the right to change the specification without
                                     notice, in order to improve the design and supply the best possible
                                     product.

                                     This data sheet contains data from the product specification. Philips
                                     Semiconductors reserves the right to make changes at any time in order
                                     to improve the design, manufacturing and supply. Changes will be
                                     communicated according to the Customer Product/Process Change
                                     Notification (CPCN) procedure SNW-SQ-650A.

Notes
1. Please consult the most recently issued data sheet before initiating or completing a design.
2. The product status of the device(s) described in this data sheet may have changed since this data sheet was

     published. The latest information is available on the Internet at URL http://www.semiconductors.philips.com.

DEFINITIONS                                                       DISCLAIMERS

Short-form specification  The data in a short-form                Life support applications  These products are not
specification is extracted from a full data sheet with the        designed for use in life support appliances, devices, or
same type number and title. For detailed information see          systems where malfunction of these products can
the relevant data sheet or data handbook.                         reasonably be expected to result in personal injury. Philips
                                                                  Semiconductors customers using or selling these products
Limiting values definition  Limiting values given are in          for use in such applications do so at their own risk and
accordance with the Absolute Maximum Rating System                agree to fully indemnify Philips Semiconductors for any
(IEC 60134). Stress above one or more of the limiting             damages resulting from such application.
values may cause permanent damage to the device.
These are stress ratings only and operation of the device         Right to make changes  Philips Semiconductors
at these or at any other conditions above those given in the      reserves the right to make changes, without notice, in the
Characteristics sections of the specification is not implied.     products, including circuits, standard cells, and/or
Exposure to limiting values for extended periods may              software, described or contained herein in order to
affect device reliability.                                        improve design and/or performance. Philips
                                                                  Semiconductors assumes no responsibility or liability for
Application information  Applications that are                    the use of any of these products, conveys no licence or title
described herein for any of these products are for                under any patent, copyright, or mask work right to these
illustrative purposes only. Philips Semiconductors make           products, and makes no representations or warranties that
no representation or warranty that such applications will be      these products are free from patent, copyright, or mask
suitable for the specified use without further testing or         work right infringement, unless otherwise specified.
modification.

2002 Feb 28                                                    9
Philips Semiconductors               Product specification

  Voltage regulator diodes         BZV55 series

                            NOTES

2002 Feb 28                 10
Philips Semiconductors               Product specification

  Voltage regulator diodes         BZV55 series

                            NOTES

2002 Feb 28                 11
Philips Semiconductors a worldwide company

Contact information
For additional information please visit http://www.semiconductors.philips.com. Fax: +31 40 27 24825
For sales offices addresses send e-mail to: sales.addresses@www.semiconductors.philips.com.

Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002                                SCA74

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Printed in The Netherlands  613514/03/pp12   Date of release: 2002 Feb 28  Document order number: 9397 750 09386
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