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BUK453-100A

器件型号:BUK453-100A
器件类别:分立半导体
文件大小:689.96KB,共0页
厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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器件描述

BUK453-100A器件文档内容

INCHANGE Semiconductor                                           isc Product Specification

isc N-Channel MOSFET Transistor                                        BUK453-100A/B

DESCRIPTION
High speed switching
Low RDS(ON)
Easy driver for cost effective application

APPLICATIONS
use in Switched Mode Power Supplies (SMPS),

   motor control,welding, And in general purpose switching
   resistance application

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)                 VALUE UNIT
SYMBOL ARAMETER

VDSS    Drain-Source Voltage (VGS=0)            100         V

VGS     Gate-Source Voltage                     30         V

        Drain                BUK453-100A        14
                                                              A
ID      Current-continuou
                                                13
        s@ TC=37             BUK453-100B

Ptot    Total Dissipation@TC=25                 75          W

Tj      Max. Operating Junction Temperature     175         

Tstg    Storage Temperature Range               175         

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL              PARAMETER                   MAX UNIT

Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case     2.0 /W
Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient  60 /W

isc websitewww.iscsemi.cn                       1 isc & iscsemi is registered trademark

PDF pdfFactory Pro                    www.fineprint.cn
INCHANGE Semiconductor                                         isc Product Specification

isc N-Channel Mosfet Transistor                                      BUK453-100A/B

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)

SYMBOL              PARAMETER                      CONDITIONS     MIN MAX UNIT

V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA        100        V

VGS(TH)  Gate Threshold Voltage            VDS= VGS; ID= 1mA      2.1  4     V
RDS(ON)
         Drain-Source On-stage Resistance  VGS= 10V; BUK453-100A       0.16  
  IGSS
                                           ID= 5A  BUK453-100B         0.2

         Gate Source Leakage Current       VGS= 30V;VDS= 0            100 nA

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current   VDS= 100V;VGS= 0            10    uA

VSD      Diode Forward Voltage             IF= 14A;VGS= 0              1.5   V

isc websitewww.iscsemi.cn                  2 isc & iscsemi is registered trademark

PDF pdfFactory Pro                        www.fineprint.cn
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