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BTB08

器件型号:BTB08
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厂商名称:Sirectifier Global Corp.
厂商官网:http://www.sirectsemi.com/
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器件描述

discrete triacs(non-isolated/isolated)

BTB08器件文档内容

                                           BTB/BTA08

                       Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)

                                           Dimensions TO-220AB                Dim.      Inches          Milimeter
                                                                                     Min. Max.        Min. Max.
                                        G                                       A   0.500 0.550      12.70 13.97
                                      T2                                        B   0.580 0.630      14.73 16.00
                                     T1                                         C   0.390 0.420       9.91 10.66
                    T2                                                          D   0.139 0.161       3.54 4.08
                                                                                E   0.230 0.270       5.85 6.85
         G                                                                      F   0.100 0.125       2.54 3.18
                                                                               G    0.045 0.065       1.15 1.65
                    T1                                                          H   0.110 0.230       2.79 5.84
                                                                                J   0.025 0.040       0.64 1.01
                                                                                K   0.100 BSC         2.54 BSC
                                                                               M    0.170 0.190       4.32 4.82
                                                                                N   0.045 0.055       1.14 1.39
                                                                               Q    0.014 0.022       0.35 0.56
                                                                                R   0.090 0.110       2.29 2.79

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol                                     Parameter                                               Value      Unit
                                                                                                                A
IT(RMS) RMS on-state current (full sine wave)                   TO-220AB    Tc = 110C               8          A
                                                                                                      84
ITSM     Non repetitive surge peak on-state                     F = 60 Hz   t = 16.7 ms               80       As
  It    current (full cycle, Tj initial = 25C)                F = 50 Hz    t = 20 ms                36      A/s

dI/dt    It Value for fusing                                     tp = 10 ms                         50         A
         Critical rate of rise of on-state current                                                             W
         IG = 2 x I GT , tr <_ 100 ns                           F = 120 Hz    Tj = 125C              4        C
                                                                                                      1
  IGM    Peak gate current                                      tp = 20 s    Tj = 125C       - 40 to + 150
                                                                              Tj = 125C       - 40 to + 125
PG(AV)   Average gate p ower diss ipation
  Tstg
   Tj    Storage junction temperature range
         Operating junction temperature range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25C, unless otherwise specified)
s SNUBBERLESSTM and LOGIC LEVEL(3 Quadrants)

Symbol              Test Conditions                 Quadrant                        BTA/BTB                   Unit

                                                                              CW               BW              mA
                                                                                                                V
IGT (1)  VD = 12 V     RL = 30                      I - II - III  MAX.        35                 50             V
VGT                                                I - II - III  MAX.                                         mA
                                                                  MIN.                    1.3                  mA
                                                                  MAX.
VGD VD = VDRM RL = 3.3 k Tj = 125C I - II - III                  MAX.                    0.2                 V/s
                                                                                                              A/ms
IH (2) IT = 100 mA                                                MIN.        35                 50
                                                                  MIN.
IL       IG = 1.2 IGT                                  I - III                50                 70

                                                       II                     60                 80

dV/dt (2) VD = 67 % VDRM gate open Tj = 125C                                 400              1000

(dI/dt)c (2) Without snubber               Tj = 125C                         4.5                7
                                                       BTB/BTA08

                           Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)

s STANDARD (4 Quadrants)

Symbol                     Test Conditions                           Quadrant                     Value            Unit
                                                                      I - II - III                  50             mA
IGT (1)   VD = 12 V        RL = 30                                                  MAX.           100              V
VGT                                                                      IV                       1.3              V
                                                                        ALL         MAX.           0.2             mA
VGD       VD = VDRM RL = 3.3         Tj = 125C                         ALL         MIN.            50             mA
IH (2)    IT = 500 mA                                                               MAX.            50
          IG = 1.2 IGT                                               I - III - IV   MAX.           100             V/s
  IL                                                                      II                       400             V/s
                                                                                    MIN.           10
dV/dt (2) VD = 67 % VDRM gate open Tj = 125C                                       MIN.

(dV/dt)c (2) (dI/dt)c =3.5 A/ms                     Tj = 125C

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol                                                 Test Conditions                                      Value  Unit

VTM (2)    ITM = 11 A tp = 380 s                                    Tj = 25C              MAX.            1.55         V
Vto (2)   Threshold voltage                                         Tj = 125C             MAX.
Rd (2)    Dynamic resistance                                        Tj = 125C             MAX.            0.85         V
  IDRM     VDRM = VRRM                                               Tj = 25C
  IRRM                                                               Tj = 125C             MAX.            50           m

                                                                                                            5            A

                                                                                                            1            mA

Note 1: minimum IGT is guaranted at 5% of IGT max.
Note 2: for both polarities of A2 referenced to A1

THERMAL RESISTANCES

Symbol                               Parameter                                                    Value                  Unit
Rth(j-c)                                                                                           1.6                   C/W
Rth(j-a)   Junction to case (AC)                                                                    60                   C/W
           Junction to ambient

PRODUCT SELECTOR

                                                    Voltage (xxx)

              Part Number            200 V ~~ 1000 V                    Sensitivity                 Type           Package
BTB/BTA08                                                                  50 mA                  Standard         TO-220AB
                                                    X             X

OTHER INFORMATION

        Part Number                                 Marking                         Weight         Base            Packing
                                                                                                  quantity          mode

BTB/BTA08                                              BTB/BTA08                    2.3 g         250              Bulk
                                         BTB/BTA08

                                 Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)

F ig. 1: Maximum power dis s ipation vers us R MS                 F ig. 2-1: R MS on-s tate current vers us cas e
on-s ta te current (full cycle).                                  temperature (full cycle).

     P (W)                                                            IT(R MS ) (A)

10                                                                10
                                                                   9
9                                                                                                                                             BTB
                                                                                                                                  B TA
8                                                                 8
                                                                  7
7                                                                 6

6

5                                                                 5
                                                                  4
4                                                                 3

3

2                                                                 2

1                             IT(R MS )(A)                        1                               Tc( C)

0   0       1          2      3   4               5  6    7  8    0   0          25           50                 75               100              125

F ig. 2-2: R MS on-s tate current vers us ambient                 F ig. 3: R ela tive variation of thermal impedance
temperature (printed circuit board F R 4, copper                  vers us puls e duration.
thicknes s : 35m ),full cycle.

     IT(R MS ) (A)                                                       K =[Zth/R th]
3.5
                                                                  1E +0

                                                                             Zth(j-c)

3.0                 D2PA K                                        1E -1                                              Z th( j-a )
2.5               (S =1c m2)                                      1E -2
2.0
               DPA K
            (S =0.5c m2)

1.5

1.0

0.5                           Tamb( C )                                                            tp(s )
                                                                                          1E -1 1E +0
0.0  0           25           50              75     100     125  1E -3          1E -2                               1E +1        1E +2 5E +2
                                                                      1E -3

F ig. 4: O n-s tate chara cteris tics (ma ximum                   F ig. 5: S urge peak on-s tate current versus
values ).                                                         number of cycles.

        ITM (A)                                                       ITS M (A)

100                              T j=T j max                      90

          Tj max.                                                 80
        V to = 0.85 V
        R d = 50 m                                                                                                                t=20ms
                                                                                                                                   One cycle
                                                                  70
                                                                                                                                            1000
                                                                  60                          Non repetitive
                                                                                              T j initial=25 C
                                                                  50
10
                                                                  40         R epetitive
                                            T j=25 C
                                                                             T c=100 C
                                  V T M(V )
1                                                                30
  0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
                                                                  20

                                                                  10                      Number of cycles

                                                                  0                       10                         100
                                                                    1
                                          BTB/BTA08

                                  Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)

F ig. : 6Non-repetitive s urge peak on-s tate                                  F ig. 7: R elative va riation of gate trigger current,
current for a s inus oida l puls e with width                                  holding current and la tching current versus
tp < 10ms, a nd corres ponding value of It.                                   junction temperature (typical va lues ).

       IT S M (A ),It (A s )                        T j initial=25C              IG T,IH,IL [T j] / IG,TIH,IL [T j=25C ]
1000                                                                           2.5

               dI/dt limitation:                      ITS M                    2.0
                    50A /s                             It
                                                                                                           IG T
100                                                           10.00
                                                                               1.5
                                  tp (ms )
                                                                                                  IH & IL
10                      0.10                1.00
0.01                                                                          1.0

                                                                               0.5
                                                                                                                       Tj(C )

                                                                               0.0
                                                                                  -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

F ig. -82: R elative variation of critical rate of                             F ig. : 9 R elative varia tion of critical rate of
decreas e of main current vers us (dV /dt)c (typical                           decreas e of main current vers us junction
values ). S tandard Types                                                      te mpe ra ture.

     (dI/dt)c [(dV /dt)c ] / S pec ified (dI/dt)c                                (dI/dt)c [T j] / (dI/dt)c [T j s pec ified]
                                                                               6
2.0

1.8                                                                            5

1.6     C

1.4 B                                                                          4

1.2                                                                            3

1.0                                                                            2

0.8

0.6                               (dV /dt)c (V /s )                           1         Tj(C )

0.4                     1.0                 10.0                        100.0  0  0  25  50       75                          100  125
   0.1

F ig. 01: DPAK and D2PAK T hermal resis tance
junction to ambient vers us copper s urface under
tab (printed circuit board F R 4, copper thicknes s :
35 m).

     R th(j-a) (C /W)

100

90

80

70

60

50             DPAK

40

30      DPAK

20

10                                S (c m)

0
  0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40
                                         BTB/BTA08

                                 Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)

F ig. 6: Non-repetitive s urge peak on-s tate                                F ig. 7: R elative va riation of gate trigger current,
current for a s inus oida l puls e with width                                holding current and la tching current versus
tp < 10ms, a nd corres ponding value of It.                                 junction temperature (typical va lues ).

       ITS M (A), I t (A s )                       T j initial=25 C            IG T,IH,IL [T j] / IG T,IH,IL [T j=25 C ]
1000                                                                         2.5

          dI/dt limitation:                          ITS M                   2.0
               50A /s                                 I t
                                                                                                         IG T
100                                                          10.00
                                                                             1.5
                                 tp (ms )
                                                                                                IH & IL
   10         0.10                             1.00
    0.01                                                                     1.0

                                                                             0.5
                                                                                                                     Tj( C )

                                                                             0.0
                                                                                -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140

F ig. 8-1: R elative variation of critical rate of                           F ig. 8-2: R elative variation of critical rate of
decreas e of main current vers us (dV /dt)c (typica l                        decreas e of main current vers us (dV /dt)c (typical
values ). S nubberles s & L ogic L evel Types                                values ). S tandard Types

      (dI/dt)c [(dV /dt)c ] / S pec ified (dI/dt)c                                (dI/dt)c [(dV /dt)c ] / S pec ified (dI/dt)c

2.2                                                                          2.0
2.0 TW
1.8                                                                          1.8
1.6
1.4                                                                          1.6     C
1.2
1.0                                                                          1.4 B
0.8
0.6                                                  T 835/C W/B W           1.2
0.4                                                             T 810/S W
0.2                                                                          1.0
0.0                                                               100.0
                                                                             0.8
   0.1
              (dV /dt)c (V /s )                                             0.6                      (dV /dt)c (V /s )

              1.0                              10.0                          0.4                      1.0                 10.0  100.0
                                                                                0.1

F ig. 9: R elative varia tion of critical rate of                            F ig. 10: DPAK and D2PAK T hermal resis tance
decreas e of main current vers us junction                                   junction to ambient vers us copper s urface under
te mpe ra ture.                                                              tab (printed circuit board F R 4, copper thicknes s :
                                                                             35 m).

  (dI/dt)c [T j] / (dI/dt)c [T j s pec ified]                                     R th(j-a) ( C /W)
6
                                                                             100

5                                                                            90

                                                                             80

4                                                                            70
                                                                             60

3                                                                            50              DPAK

                                                                             40

2                                                                            30      D PAK

1                                                                            20
                                 Tj( C )
                                                                             10                            S (cm )

0  0      25                 50            75        100                125  0
                                                                               0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40
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