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BTA316X

器件型号:BTA316X
厂商名称:NXP
厂商官网:https://www.nxp.com
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BTA316X器件文档内容

          BTA316X series B, C and E

          16 A Three-quadrant triacs high commutation

          Rev. 01 -- 11 April 2007                                           Product data sheet

1. Product profile

          1.1 General description

                  Passivated, new generation, high commutation triacs in a SOT186A isolated full pack
                  plastic package

          1.2 Features                                    I High immunity to dV/dt
                                                          I Wide range of gate sensitivities
                  I Very high commutation performance
                      maximized at each gate sensitivity

                  I High isolation voltage

          1.3 Applications

          I High power motor control - e.g. washing I Refrigeration and air conditioning

          machines and vacuum cleaners                    compressors

          I Non-linear rectifier-fed motor loads          I Electronic thermostats

          1.4 Quick reference data                        I IGT  50 mA (BTA316X series B)
                                                          I IGT  35 mA (BTA316X series C)
                  I VDRM  600 V (BTA316X-600B/C/E)        I IGT  10 mA (BTA316X series E)
                  I VDRM  800 V (BTA316X-800B/C/E)
                  I ITSM  140 A (t = 20 ms)
                  I IT(RMS)  16 A

2. Pinning information

Table 1.  Pinning                                 Simplified outline         Symbol
Pin                Description
1                  main terminal 1 (T1)                                mb            T2       T1
2                  main terminal 2 (T2)
3                  gate (G)                                                                         G
mb                 mounting base; isolated                                           sym051

                                                                       123

                                                          SOT186A (TO-220F)
NXP Semiconductors                          BTA316X series B, C and E

                                                       16 A Three-quadrant triacs high commutation

3. Ordering information

Table 2. Ordering information

Type number Package

                     Name  Description                                                           Version

BTA316X-600B TO-220F       plastic single-ended package; isolated heatsink mounted; 1 mounting hole; SOT186A
BTA316X-600C               3-lead TO-220 `full pack'

BTA316X-600E

BTA316X-800B

BTA316X-800C

BTA316X-800E

4. Limiting values

Table 3. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter                            Conditions                                 Min  Max Unit
                                                                                   [1] -
VDRM     repetitive peak off-state voltage  BTA316X-600B; BTA316X-600C;                     600  V
                                            BTA316X-600E                               -

                                            BTA316X-800B; BTA316X-800C;                -    800  V
                                            BTA316X-800E
                                                                                       -
IT(RMS)  RMS on-state current               full sine wave; Th  45 C; see             -    16   A
                                            Figure 4 and 5                             -
                                                                                       -
ITSM     non-repetitive peak on-state current full sine wave; Tj = 25 C prior to
                                                                                       -
                                            surge; see Figure 2 and 3                  -
                                                                                       -
                                            t = 20 ms                                  -40  140  A
                                                                                       -
                                            t = 16.7 ms                                     150  A

I2t      I2t for fusing                     t = 10 ms                                       98   A2s

dIT/dt   rate of rise of on-state current   ITM = 20 A; IG = 0.2 A;                         100  A/s
                                            dIG/dt = 0.2 A/s
IGM      peak gate current                                                                  2    A
PGM      peak gate power                    over any 20 ms period
PG(AV)   average gate power                                                                 5    W
Tstg     storage temperature
Tj       junction temperature                                                               0.5  W

                                                                                            +150 C

                                                                                            125  C

[1] Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The
      rate of rise of current should not exceed 15 A/s.

BTA316X_SER_B_C_E_1                         Rev. 01 -- 11 April 2007                         NXP B.V. 2007. All rights reserved.

Product data sheet                                                                                               2 of 13
NXP Semiconductors                      BTA316X series B, C and E

                                                   16 A Three-quadrant triacs high commutation

     20     conduction form                                                                           003aab689
              angle, factor                                                                = 180
Ptot
(W)         (degrees) a                                                                       120
                                                                                                90
15          30          4                                                                       60
                                                                                                30
            60          2.8   

            90          2.2

            120         1.9

            180         1.57

10

5

0

         0           2        4      6  8                         10       12             14  IT(RMS) (A)       16

             = conduction angle
Fig 1. Total power dissipation as a function of RMS on-state current; maximum values

                                                                                                                                                                                                  003aab668
160
ITSM
(A)

120

80

                                                                                      IT             ITSM

40                                                                                                   t

0                                                                                               1/f
     1                                                                                    Tj(init) = 25 C max

                                 10                                   102                                       103

                                                                               number of cycles (n)

            f = 50 Hz

Fig 2. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
          values

BTA316X_SER_B_C_E_1                     Rev. 01 -- 11 April 2007                               NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors                                            BTA316X series B, C and E

                                                                         16 A Three-quadrant triacs high commutation

  103                                                                                             003aab671
ITSM
(A)

                                     (1)

102

                                                                                          IT          ITSM

                                                                                                      t

                                                                                              tp

                                                                                              Tj(init) = 25 C max

10                                        10-4                10-3              10-2          tp (s)                10-1
  10-5

            tp  20 ms
     (1) dIT/dt limit
Fig 3. Non-repetitive peak on-state current as a function of pulse duration; maximum values

      120                                       003aab669                20                       003aab667
IT(RMS)                                                             IT(RMS)

  (A)                                                                 (A)
      100                                                                16

        80                                                               12

        60                                                                8

        40                                                                4

        20

0                    10-1                                           0
10-2
                                          1     10                  -50      0        50      100 Th (C) 150

                                          surge duration (s)

            f = 50 Hz;                                              Fig 5. RMS on-state current as a function of heatsink
            Th = 45 C                                                        temperature; maximum values

Fig 4. RMS on-state current as a function of surge
          duration; maximum values

BTA316X_SER_B_C_E_1                             Rev. 01 -- 11 April 2007                           NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors                                       BTA316X series B, C and E

                                                                    16 A Three-quadrant triacs high commutation

5. Thermal characteristics

Table 4.  Thermal characteristics
Symbol
Rth(j-h)         Parameter                     Conditions                                 Min      Typ                                                               Max            Unit

Rth(j-a)         thermal resistance from junction to full or half cycle without           -        -                                                                 5.5            K/W

                 heatsink                      heatsink compound; see

                                               Figure 6

                                               full or half cycle with                    -        -                                                                 4.0            K/W
                                               heatsink compound; see
                                               Figure 6

                 thermal resistance from junction to in free air                          -        55                                                                -              K/W
                 ambient

      10                                                                                                                                                                 003aab672
Zth(j-h)
(K/W)                                                             (1)
                                                                  (2)
       1
                                                                               (3)
   10-1                                                                        (4)

                                                                                                                                                                  P
       10-2

                                                                                                                                                                     tp      t

       10-3                 10-4   10-3                  10-2                       10-1              1                                                                         10
           10-5

                                                                                                                                                                     tp (s)

     (1) Unidirectional (half cycle) without heatsink compound
     (2) Unidirectional (half cycle) with heatsink compound
     (3) Bidirectional (full cycle) without heatsink compound
     (4) Bidirectional (full cycle) with heatsink compound
Fig 6. Transient thermal impedance from junction to heatsink as a function of pulse duration

6. Isolation characteristics

Table 5. Isolation limiting values and characteristics
Th = 25 C unless otherwise specified.

Symbol Parameter                   Conditions                                       Min        Typ                                                                   Max            Unit

Visol(RMS) RMS isolation voltage from all three terminals to                        -          -                                                                     2500           V

                                   external heatsink; f = 50 Hz to

                                   60 Hz; sinusoidal waveform;

                                   RH  65 %; clean and dust free

Cisol            isolation capacitance from pin 2 to external heatsink;             -          10                                                                    -              pF

                                   f = 1 MHz

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Product data sheet                                                                                                                                                                        5 of 13
NXP Semiconductors                            BTA316X series B, C and E

                                                         16 A Three-quadrant triacs high commutation

7. Static characteristics

Table 6. Static characteristics
Tj = 25 C unless otherwise specified.

Symbol Parameter     Conditions            BTA316X-600B              BTA316X-600C  BTA316X-600E Unit
                                           BTA316X-800B              BTA316X-800C  BTA316X-800E

                                        Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max

IGT  gate trigger    VD = 12 V;

     current         IT = 0.1 A;

                     see Figure 8

                     T2+ G+             2  -  50 2                   -  35 -       -  10 mA

                     T2+ G-             2  -  50 2                   -  35 -       -  10 mA

                     T2- G-             2  -  50 2                   -  35 -       -  10 mA

IL   latching current VD = 12 V;

                     IGT = 0.1 A;

                     see Figure 10

                     T2+ G+             -  -  60 -                   -  50 -       -  25 mA

                     T2+ G-             -  -  90 -                   -  60 -       -  30 mA

                     T2- G-             -  -  60 -                   -  50 -       -  30 mA

IH   holding current VD = 12 V;         -  -  60 -                   -  35 -       -  15 mA

                     IGT = 0.1 A;

                     see Figure 11

VT   on-state        IT = 18 A;         -  1.3 1.5 -                 1.3 1.5 -     1.3 1.5 V
                     see Figure 9
     voltage

VGT  gate trigger    VD = 12 V;         -  0.8 1.5 -                 0.8 1.5 -     0.8 1.5 V

     voltage         IT = 0.1 A;

                     see Figure 7

                     VD = 400 V;        0.25 0.4 -       0.25 0.4 -                0.25 0.4 -  V
                     IT = 0.1 A;
                     Tj = 125 C

ID   off-state current VD = VDRM(max);  -  0.1 0.5 -                 0.1 0.5 -     0.1 0.5 mA

                     Tj = 125 C

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NXP Semiconductors                                  BTA316X series B, C and E

                                                               16 A Three-quadrant triacs high commutation

8. Dynamic characteristics

Table 7. Dynamic characteristics                    BTA316X-600B              BTA316X-600C     BTA316X-600E Unit
Symbol Parameter Conditions                         BTA316X-800B              BTA316X-800C     BTA316X-800E

                                                 Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max

dVD/dt    rate of rise of  VDM = 0.67           1000 -  -                 500 -  -         60 -  -  V/s
          off-state        VDRM(max);
          voltage          Tj = 125 C;
                           exponential

                           waveform; gate open

                           circuit

dIcom/dt  rate of change   VDM = 400 V;          20 -    -                 15 -   -         5  -  - A/ms
          of               Tj = 125 C;
          commutating      IT(RMS) = 16 A;
          current          without snubber;

                           gate open circuit

                           VDM = 400 V;          -  -    -                 -  -   -         8  -  - A/ms
                           Tj = 125 C;
                           IT(RMS) = 16 A;
                           dV/dt = 10 V/s;

                           gate open circuit

                           VDM = 400 V;          -  -    -                 -  -   -         12 -  - A/ms
                           Tj = 125 C;
                           IT(RMS) = 16 A;
                           dV/dt = 1 V/s; gate

                           open circuit

tgt       gate-controlled ITM = 20 A;            -  2    -                 -  2   -         -  2  -  s

          turn-on time VD = VDRM(max);

                           IG = 0.1 A;

                           dIG/dt = 5 A/s

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NXP Semiconductors                                       BTA316X series B, C and E

                                                                    16 A Three-quadrant triacs high commutation

        1.6                      001aab101                         3                          001aac669
   VGT                                                                       (1)
VGT(25C)
                                                            IGT
        1.2                                              IGT(25C)

        0.8                                                        2
                                                                             (2)

                                                                             (3)
                                                                   1

0.4                                                      0

-50                  0  50  100           150            -50                      0  50  100           150

                                 Tj (C)                                                      Tj (C)

Fig 7. Normalized gate trigger voltage as a function of       (1) T2- G-
          junction temperature                                (2) T2+ G-
                                                              (3) T2+ G+

                                                         Fig 8. Normalized gate trigger current as a function of
                                                                   junction temperature

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NXP Semiconductors                                          BTA316X series B, C and E

                                                                       16 A Three-quadrant triacs high commutation

  50                                          003aab666                  3                             001aab100
IT
(A)                                                                IL
                                                                IL(25C)
  40
                                                                         2

30

                             (1)  (2)         (3)

20

                                                                1

10

0                                                               0

      0              0.5  1            1.5            2         -50                      0    50  100           150

                                              VT (V)                                                   Tj (C)

            Vo = 1.024 V                                        Fig 10. Normalized latching current as a function of
            Rs = 0.021                                                    junction temperature
     (1) Tj = 125 C; typical values
     (2) Tj = 125 C; maximum values                                                 001aab099
     (3) Tj = 25 C; maximum values

Fig 9. On-state current as a function of on-state
          voltage

                                           3

                                     IH
                                  IH(25C)

                                           2

                                       1

                                       0

                                       -50               0  50  100                      150

                                                                                Tj (C)

Fig 11. Normalized holding current as a function of junction temperature

9. Package information

                          Epoxy meets UL94 V-0 at 3.175 mm

BTA316X_SER_B_C_E_1                                   Rev. 01 -- 11 April 2007                     NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors                                                       BTA316X series B, C and E

10. Package outline                                                                 16 A Three-quadrant triacs high commutation

Plastic single-ended package; isolated heatsink mounted;                                                                                   SOT186A
1 mounting hole; 3-lead TO-220 'full pack'

                                                       E                   q                                     A
                                                       P             T                                        A1
                                                                                            mounting
                                D1                                                            base

                          D                                                                           j
                                                                                                      K
                               L2                                    L1
                                                                                                               Q
                                    b1
                                                                                                                          c
                          L         b2

                                        123

                                              b                      wM
                                         e

                                            e1

                                                               0           5 10 mm

                                                                         scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

                                                                                                        (1)                           q T(2) w
                                                                                                        L2
UNIT A A1 b b1 b2 c D D1 E e e1 j                                                        K  L  L1       max.                 P  Q

mm  4.6 2.9          0.9  1.1  1.4  0.7  15.8             6.5  10.3  2.54     5.08  2.7  0.6 14.4 3.30  3                    3.2 2.6  3.0  2.5  0.4
    4.0 2.5          0.7  0.9  1.0  0.4  15.2             6.3  9.7                  1.7  0.4 13.5 2.79                       3.0 2.3  2.6

Notes
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled.
2. Both recesses are  2.5 0.8 max. depth

    OUTLINE                                                REFERENCES                                    EUROPEAN                     ISSUE DATE
                                                                                                        PROJECTION
    VERSION               IEC            JEDEC                           JEITA                                                           02-04-09
                                                                                                                                         06-02-14
    SOT186A                             3-lead TO-220F

Fig 12. Package outline SOT186A (TO-220F)

BTA316X_SER_B_C_E_1                                            Rev. 01 -- 11 April 2007                                                NXP B.V. 2007. All rights reserved.

Product data sheet                                                                                                                                       10 of 13
NXP Semiconductors                       BTA316X series B, C and E

                                                    16 A Three-quadrant triacs high commutation

11. Revision history

Table 8. Revision history

Document ID                Release date  Data sheet status         Change notice  Supersedes
                                         Product data sheet        -              -
BTA316X_SER_B_C_E_1 20070411

BTA316X_SER_B_C_E_1                      Rev. 01 -- 11 April 2007                  NXP B.V. 2007. All rights reserved.

Product data sheet                                                                                   11 of 13
NXP Semiconductors                                                               BTA316X series B, C and E

                                                                                            16 A Three-quadrant triacs high commutation

12. Legal information

12.1 Data sheet status

Document status[1][2]       Product status[3]  Definition
                                               This document contains data from the objective specification for product development.
Objective [short] data sheet Development       This document contains data from the preliminary specification.
                                               This document contains the product specification.
Preliminary [short] data sheet Qualification

Product [short] data sheet  Production

[1] Please consult the most recently issued document before initiating or completing a design.

[2] The term `short data sheet' is explained in section "Definitions".

[3] The product status of device(s) described in this document may have changed since this document was published and may differ in case of multiple devices. The latest product status
        information is available on the Internet at URL http://www.nxp.com.

12.2 Definitions                                                                 malfunction of a NXP Semiconductors product can reasonably be expected to
                                                                                 result in personal injury, death or severe property or environmental damage.
Draft -- The document is a draft version only. The content is still under        NXP Semiconductors accepts no liability for inclusion and/or use of NXP
internal review and subject to formal approval, which may result in              Semiconductors products in such equipment or applications and therefore
modifications or additions. NXP Semiconductors does not give any                 such inclusion and/or use is at the customer's own risk.
representations or warranties as to the accuracy or completeness of
information included herein and shall have no liability for the consequences of  Applications -- Applications that are described herein for any of these
use of such information.                                                         products are for illustrative purposes only. NXP Semiconductors makes no
                                                                                 representation or warranty that such applications will be suitable for the
Short data sheet -- A short data sheet is an extract from a full data sheet      specified use without further testing or modification.
with the same product type number(s) and title. A short data sheet is intended
for quick reference only and should not be relied upon to contain detailed and   Limiting values -- Stress above one or more limiting values (as defined in
full information. For detailed and full information see the relevant full data   the Absolute Maximum Ratings System of IEC 60134) may cause permanent
sheet, which is available on request via the local NXP Semiconductors sales      damage to the device. Limiting values are stress ratings only and operation of
office. In case of any inconsistency or conflict with the short data sheet, the  the device at these or any other conditions above those given in the
full data sheet shall prevail.                                                   Characteristics sections of this document is not implied. Exposure to limiting
                                                                                 values for extended periods may affect device reliability.
12.3 Disclaimers
                                                                                 Terms and conditions of sale -- NXP Semiconductors products are sold
Right to make changes -- NXP Semiconductors reserves the right to make           subject to the general terms and conditions of commercial sale, as published
changes to information published in this document, including without             at http://www.nxp.com/profile/terms, including those pertaining to warranty,
limitation specifications and product descriptions, at any time and without      intellectual property rights infringement and limitation of liability, unless
notice. This document supersedes and replaces all information supplied prior     explicitly otherwise agreed to in writing by NXP Semiconductors. In case of
to the publication hereof.                                                       any inconsistency or conflict between information in this document and such
                                                                                 terms and conditions, the latter will prevail.
General -- Information in this document is believed to be accurate and
reliable. However, NXP Semiconductors does not give any representations or       No offer to sell or license -- Nothing in this document may be interpreted
warranties, expressed or implied, as to the accuracy or completeness of such     or construed as an offer to sell products that is open for acceptance or the
information and shall have no liability for the consequences of use of such      grant, conveyance or implication of any license under any copyrights, patents
information.                                                                     or other industrial or intellectual property rights.

Suitability for use -- NXP Semiconductors products are not designed,             12.4 Trademarks
authorized or warranted to be suitable for use in medical, military, aircraft,
space or life support equipment, nor in applications where failure or            Notice: All referenced brands, product names, service names and trademarks
                                                                                 are the property of their respective owners.

13. Contact information

For additional information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, send an email to: salesaddresses@nxp.com

BTA316X_SER_B_C_E_1                            Rev. 01 -- 11 April 2007          NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors                                                             BTA316X series B, C and E

                                                                                          16 A Three-quadrant triacs high commutation

14. Contents

1     Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.1   General description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.2   Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.3   Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.4   Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

2     Pinning information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

3     Ordering information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

4     Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

5     Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

6     Isolation characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

7     Static characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

8     Dynamic characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

9     Package information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

10    Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

11    Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

12    Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

12.1  Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

12.2  Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

12.3  Disclaimers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

12.4  Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

13    Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

14    Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

                                                                               Please be aware that important notices concerning this document and the product(s)
                                                                               described herein, have been included in section `Legal information'.

                                                                               NXP B.V. 2007.  All rights reserved.

                                                                               For more information, please visit: http://www.nxp.com
                                                                               For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com

                                                                                                                                                             Date of release: 11 April 2007
                                                                                                                                     Document identifier: BTA316X_SER_B_C_E_1
This datasheet has been downloaded from:
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  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

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