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BTA312

器件型号:BTA312
厂商名称:NXP
厂商官网:https://www.nxp.com
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BTA312器件文档内容

          BTA312 series CT and ET

          12 A Three-quadrant triacs high commutation high
          temperature

          Rev. 01 -- 6 April 2007                                                      Product data sheet

1. Product profile

          1.1 General description

                  Passivated, new generation, high commutation, high temperature triacs in a SOT78
                  plastic package

          1.2 Features                                    I High immunity to dV/dt

                  I High operating junction temperature
                  I Very high commutation performance

                      maximized at each gate sensitivity

          1.3 Applications                                I Non-linear rectifier-fed motor loads

                  I High temperature, high power motor    I Electronic thermostats for heating and
                      control - e.g. vacuum cleaners          cooling loads

                  I Refrigeration and air conditioning    I Solid state relays
                      compressors

                  I Heating and cooking appliances

          1.4 Quick reference data                        I IGT  35 mA (BTA312-600CT)
                                                          I IGT  10 mA (BTA312-800ET)
                  I VDRM  600 V (BTA312-600CT)            I IT(RMS)  12 A
                  I VDRM  800 V (BTA312-800ET)
                  I ITSM  95 A (t = 20 ms)

2. Pinning information

Table 1.  Pinning                                       Simplified outline             Symbol
Pin                Description
1                  main terminal 1 (T1)                                            mb
2                  main terminal 2 (T2)
3                  gate (G)                                                                    T2  T1
mb                 mounting base; main terminal 2 (T2)
                                                                                                              G
                                                                                               sym051

                                                                          123

                                                          SOT78 (TO-220AB)
NXP Semiconductors                                   BTA312 series CT and ET

                                            12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

3. Ordering information

Table 2. Ordering information

Type number Package

                    Name  Description                                                            Version
                                                                                                 SOT78
BTA312-600CT SC-46        plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole;
BTA312-800ET              3-lead TO-220AB

4. Limiting values

Table 3. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter                            Conditions                                 Min  Max Unit
                                                                                   [1] -
VDRM     repetitive peak off-state voltage  BTA312-600CT                                    600  V
                                            BTA312-800ET                               -
                                                                                       -    800  V

IT(RMS)  RMS on-state current               full sine wave; Tmb  126 C; see           -    12   A
                                            Figure 4 and 5                             -
                                                                                       -
ITSM     non-repetitive peak on-state current full sine wave; Tj = 25 C prior to      -

                                            surge; see Figure 2 and 3                  -
                                                                                       -
                                            t = 20 ms                                  -    95   A
                                                                                       -40
                                            t = 16.7 ms                                -    105  A

I2t      I2t for fusing                     t = 10 ms                                       45   A2s

dIT/dt   rate of rise of on-state current   ITM = 20 A; IG = 0.2 A;                         100  A/s
                                            dIG/dt = 0.2 A/s
IGM      peak gate current                                                                  2    A
PGM      peak gate power                    over any 20 ms period
PG(AV)   average gate power                                                                 5    W
Tstg     storage temperature
Tj       junction temperature                                                               0.5  W

                                                                                            +150 C

                                                                                            150  C

[1] Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The
      rate of rise of current should not exceed 15 A/s.

BTA312_SER_CT_ET_1                          Rev. 01 -- 6 April 2007                         NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors                               BTA312 series CT and ET

                                        12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

    16     conduction form                                                                             003aab690
              angle factor                                                             = 180
Ptot
(W)        (degrees) a                                                                      120
                                                                                             90
12                  30   4                                                                   60
                                                                                             30
                    60   2.8      

                    90   2.2

                    120  1.9

                    180  1.57

8

4

0

        0                      3        6                             9                   IT(RMS) (A)           12

             = conduction angle
Fig 1. Total power dissipation as a function of RMS on-state current; maximum values

   100                                                                                                 003aab680
ITSM
(A)

    80

60

40                                                                                    IT               ITSM

20                                                                                                     t

0                                                                                               1/f
     1                                                                                    Tj(init) = 25 C max

                                    10                           102                                            103

                                                                         number of cycles (n)

            f = 50 Hz

Fig 2. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
          values

BTA312_SER_CT_ET_1                      Rev. 01 -- 6 April 2007                            NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors                                       BTA312 series CT and ET

                                                12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

  103                                                                                                                               003aab691
ITSM
(A)

                                     (1)

102

                                                                                                                           IT          ITSM

                                                                                                                                       t

                                                                                                                                       tp
                                                                                                                               Tj(init) = 25 C max

10                                        10-4                10-3                                               10-2          tp (s)                10-1
  10-5

            tp  20 ms
     (1) dIT/dt limit
Fig 3. Non-repetitive peak on-state current as a function of pulse duration; maximum values

      50                                        003aab687                  15                                                       003aab688
IT(RMS)                                                             IT(RMS)

  (A)                                                                 (A)
      40
                                                                           10
      30

20
                                                                                                           5

10

0                   10-1                                            0
10-2
                                          1     10                  -50                                       0        50      100                   150
                                          surge duration (s)                                                                        Tmb (C)

            f = 50 Hz                                               Fig 5. RMS on-state current as a function of mounting
            Tmb = 126 C                                                      base temperature; maximum values

Fig 4. RMS on-state current as a function of surge
          duration; maximum values

BTA312_SER_CT_ET_1                                         Rev. 01 -- 6 April 2007                                              NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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                                          12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

5. Thermal characteristics

Table 4.   Thermal characteristics
Symbol
Rth(j-mb)  Parameter                      Conditions                           Min  Typ   Max                       Unit

Rth(j-a)   thermal resistance from junction to half cycle; see Figure 6        -    -     2.0                       K/W

           mounting base                  full cycle; see Figure 6             -    -     1.5                       K/W

           thermal resistance from junction to in free air                     -    60    -                         K/W
           ambient

       10                                                                                                003aab775
                                                                                        P
Zth(j-mb)
(K/W)

        1

                                    (1)

10-1                                (2)

10-2

                                                                                          tp       t

10-3                  10-4          10-3  10-2                           10-1          1              10
    10-5

                                                                                          tp (s)

     (1) Unidirectional (half cycle)
     (2) Bidirectional (full cycle)
Fig 6. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration

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NXP Semiconductors                               BTA312 series CT and ET

                                        12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

6. Static characteristics

Table 5. Static characteristics
Tj = 25 C unless otherwise specified.

Symbol Parameter    Conditions                                        BTA312-600CT     BTA312-800ET Unit

                                                                      Min Typ Max Min Typ Max

IGT  gate trigger   VD = 12 V; IT = 0.1 A; see Figure 8

     current        T2+ G+                                   2        -  35 -          -    10 mA

                    T2+ G-                                   2        -  35 -          -    10 mA

                    T2- G-                                   2        -  35 -          -    10 mA

IL   latching current VD = 12 V; IGT = 0.1 A; see Figure 10

                    T2+ G+                                   -        -  50 -          -    25 mA

                    T2+ G-                                   -        -  60 -          -    30 mA

                    T2- G-                                   -        -  50 -          -    25 mA

IH   holding current VD = 12 V; IGT = 0.1 A; see Figure 11   -        -  35 -          -    15 mA

VT   on-state       IT = 15 A; see Figure 9                  -        1.3 1.6 -        1.3 1.6 V

     voltage

VGT  gate trigger   VD = 12 V; IT = 0.1 A; see Figure 7      -        0.8 1.5 -        0.7 1.5 V

     voltage        VD = 400 V; IT = 0.1 A; Tj = 150 C      0.25 -      -          0.25 -  -  V

ID   off-state current VD = VDRM(max); Tj = 150 C           -        0.4 2         -  0.4 2   mA

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Product data sheet                                                                                          6 of 12
NXP Semiconductors                                       BTA312 series CT and ET

                                                12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

7. Dynamic characteristics

Table 6. Dynamic characteristics                                                       BTA312-600CT     BTA312-800ET Unit
Symbol Parameter Conditions

                                                                                       Min Typ Max Min Typ Max

dVD/dt            rate of rise of  VDM = 0.67 VDRM(max); Tj = 150 C;             300 -  -         30 -             -    V/s
                  off-state        exponential waveform; gate open circuit
                  voltage

dIcom/dt          rate of change   VDM = 400 V; Tj = 150 C; IT(RMS) = 12 A;        8  -   -         2  -             -    A/ms
                  of               without snubber; gate open circuit
                  commutating                                                       13 -   -         3.5 -            -    A/ms
                  current          VDM = 400 V; Tj = 150 C; IT(RMS) = 12 A;
                                   dV/dt = 10 V/s; gate open circuit

                                   VDM = 400 V; Tj = 150 C; IT(RMS) = 12 A;        20 -   -         5  -             -    A/ms
                                   dV/dt = 1 V/s; gate open circuit

tgt               gate-controlled ITM = 20 A; VD = VDRM(max); IG = 0.1 A;           -  2   -         -  2             -    s

                  turn-on time dIG/dt = 5 A/s

             1.6                                001aag168               3                                    001aag165
        VGT                                                      IGT
     VGT(25C)
                                                                               (1)
             1.2                                              IGT(25C)

             0.8                                                               (2)
                                                                        2

                                                                               (3)

                                                                        1

        0.4                                                                   0

          -50       0              50  100      Tj (C)  150                  -50      0      50        100  Tj (C)  150

Fig 7. Normalized gate trigger voltage as a function of            (1) T2- G-
          junction temperature                                     (2) T2+ G-
                                                                   (3) T2+ G+

                                                              Fig 8. Normalized gate trigger current as a function of
                                                                        junction temperature

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NXP Semiconductors                                    BTA312 series CT and ET

                                             12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

   40                                     003aab678                    3                             001aag166
IT
(A)                                                              IL
                                                              IL(25C)
   30
                                                                       2

20

                                                              1

10                  (1)  (2)  (3)

0                                                             0

       0  0.5       1         1.5         2  VT (V)  2.5      -50                      0    50  100           150

                                                                                                     Tj (C)

            Vo = 1.127 V                                      Fig 10. Normalized latching current as a function of
            Rs = 0.027                                                  junction temperature
     (1) Tj = 150 C; typical values
     (2) Tj = 150 C; maximum values                                               001aag167
     (3) Tj = 25 C; maximum values

Fig 9. On-state current as a function of on-state
          voltage

                                       3

                                 IH
                              IH(25C)

                                       2

                                   1

                                   0

                                   -50               0    50  100             Tj (C)  150

Fig 11. Normalized holding current as a function of junction temperature

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NXP Semiconductors                                                BTA312 series CT and ET

                                                         12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

8. Package outline

Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB                                              SOT78

                                                     E                                             A

                                                     p                                                   A1

                                                                       q                 mounting

                                  D1                                                         base

                               D

                                  L1                                   L2

                                           b1                                                      Q
                               L                                                                              c

                                                  123

                                                                    b
                                                  ee

                                                         0                   5        10 mm

                                                                          scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT A              A1    b       b1           c  D      D1            E         e    L      L1     L2       p    q      Q
                                                                                                   max.

mm  4.7             1.40  0.9     1.45  0.7       16.0   6.6           10.3     2.54  15.0   3.30  3.0       3.8  3.0    2.6
    4.1             1.25  0.6     1.00  0.4       15.2   5.9           9.7            12.8   2.79            3.5  2.7    2.2

OUTLINE                                                 REFERENCES                                            EUROPEAN        ISSUE DATE
VERSION                                                                                                      PROJECTION
                             IEC                  JEDEC                   JEITA                                                  05-03-22
  SOT78                                                                                                                          05-10-25
                                        3-lead TO-220AB                SC-46

Fig 12. Package outline SOT78 (3-lead TO-220AB)

BTA312_SER_CT_ET_1                                       Rev. 01 -- 6 April 2007                                          NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors                         BTA312 series CT and ET

                                  12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

9. Revision history

Table 7. Revision history

Document ID         Release date  Data sheet status        Change notice  Supersedes
                                  Product data sheet       -              -
BTA312_SER_CT_ET_1 20070406

BTA312_SER_CT_ET_1                Rev. 01 -- 6 April 2007                  NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors                                      BTA312 series CT and ET

                                               12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

10. Legal information

10.1 Data sheet status

Document status[1][2]       Product status[3]  Definition
                                               This document contains data from the objective specification for product development.
Objective [short] data sheet Development       This document contains data from the preliminary specification.
                                               This document contains the product specification.
Preliminary [short] data sheet Qualification

Product [short] data sheet  Production

[1] Please consult the most recently issued document before initiating or completing a design.

[2] The term `short data sheet' is explained in section "Definitions".

[3] The product status of device(s) described in this document may have changed since this document was published and may differ in case of multiple devices. The latest product status
        information is available on the Internet at URL http://www.nxp.com.

10.2 Definitions                                                                 malfunction of a NXP Semiconductors product can reasonably be expected to
                                                                                 result in personal injury, death or severe property or environmental damage.
Draft -- The document is a draft version only. The content is still under        NXP Semiconductors accepts no liability for inclusion and/or use of NXP
internal review and subject to formal approval, which may result in              Semiconductors products in such equipment or applications and therefore
modifications or additions. NXP Semiconductors does not give any                 such inclusion and/or use is at the customer's own risk.
representations or warranties as to the accuracy or completeness of
information included herein and shall have no liability for the consequences of  Applications -- Applications that are described herein for any of these
use of such information.                                                         products are for illustrative purposes only. NXP Semiconductors makes no
                                                                                 representation or warranty that such applications will be suitable for the
Short data sheet -- A short data sheet is an extract from a full data sheet      specified use without further testing or modification.
with the same product type number(s) and title. A short data sheet is intended
for quick reference only and should not be relied upon to contain detailed and   Limiting values -- Stress above one or more limiting values (as defined in
full information. For detailed and full information see the relevant full data   the Absolute Maximum Ratings System of IEC 60134) may cause permanent
sheet, which is available on request via the local NXP Semiconductors sales      damage to the device. Limiting values are stress ratings only and operation of
office. In case of any inconsistency or conflict with the short data sheet, the  the device at these or any other conditions above those given in the
full data sheet shall prevail.                                                   Characteristics sections of this document is not implied. Exposure to limiting
                                                                                 values for extended periods may affect device reliability.
10.3 Disclaimers
                                                                                 Terms and conditions of sale -- NXP Semiconductors products are sold
Right to make changes -- NXP Semiconductors reserves the right to make           subject to the general terms and conditions of commercial sale, as published
changes to information published in this document, including without             at http://www.nxp.com/profile/terms, including those pertaining to warranty,
limitation specifications and product descriptions, at any time and without      intellectual property rights infringement and limitation of liability, unless
notice. This document supersedes and replaces all information supplied prior     explicitly otherwise agreed to in writing by NXP Semiconductors. In case of
to the publication hereof.                                                       any inconsistency or conflict between information in this document and such
                                                                                 terms and conditions, the latter will prevail.
General -- Information in this document is believed to be accurate and
reliable. However, NXP Semiconductors does not give any representations or       No offer to sell or license -- Nothing in this document may be interpreted
warranties, expressed or implied, as to the accuracy or completeness of such     or construed as an offer to sell products that is open for acceptance or the
information and shall have no liability for the consequences of use of such      grant, conveyance or implication of any license under any copyrights, patents
information.                                                                     or other industrial or intellectual property rights.

Suitability for use -- NXP Semiconductors products are not designed,             10.4 Trademarks
authorized or warranted to be suitable for use in medical, military, aircraft,
space or life support equipment, nor in applications where failure or            Notice: All referenced brands, product names, service names and trademarks
                                                                                 are the property of their respective owners.

11. Contact information

For additional information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, send an email to: salesaddresses@nxp.com

BTA312_SER_CT_ET_1                             Rev. 01 -- 6 April 2007            NXP B.V. 2007. All rights reserved.

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NXP Semiconductors           BTA312 series CT and ET

                    12 A Three-quadrant triacs high commutation high temperature

12. Contents

1     Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.1   General description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.2   Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.3   Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

1.4   Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

2     Pinning information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

3     Ordering information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

4     Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

5     Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

6     Static characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

7     Dynamic characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

8     Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

9     Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

10    Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

10.1  Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

10.2  Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

10.3  Disclaimers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

10.4  Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

11    Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

12    Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

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                                                                                                                                       Document identifier: BTA312_SER_CT_ET_1
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