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BTA16-800B

器件型号:BTA16-800B
厂商名称:STMICROELECTRONICS
厂商官网:http://www.st.com/
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器件描述

STANDARD TRIACS

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BTA16-800B器件文档内容

                                                                                  BTA16 B
                                                                                  BTB16 B

                                                                          STANDARD TRIACS

...FEATURES
   HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY

   COMMUTATION : (dV/dt)c > 10V/s
   BTA Family :
   INSULATING VOLTAGE = 2500V(RMS)
   (UL RECOGNIZED : E81734)

DESCRIPTION                                                        A1
                                                                      A2 G
The BTA/BTB16 B triac family are high perform-
ance glass passivated PNPN devices.                                         TO220AB
These parts are suitables for general purpose ap-                             (Plastic)
plications where high surge current capability is re-
quired. Application such as phase control and
static switching on inductive or resistive load.

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol                               Parameter                                  Value         Unit
IT(RMS)                                                                            16           A
            RMS on-state current                        BTA Tc = 80 C
  ITSM      (360 conduction angle)                     BTB Tc = 90 C            170           A
                                                                                  160         A2s
    I2t     Non repetitive surge peak on-state current        tp = 8.3 ms         128         A/s
  dI/dt     ( Tj initial = 25C )                             tp = 10 ms           10
                                                              tp = 10 ms                       C
  Tstg      I2t value                                                              50          C
    Tj                                                                                         C
    Tl      Critical rate of rise of on-state current         Repetitive   - 40 to + 150      Unit
            Gate supply : IG = 500mA diG/dt = 1A/s           F = 50 Hz    - 40 to + 125
                                                                                                V
                                                                  Non             260
                                                              Repetitive                          1/5

            Storage and operating junction temperature range

            Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm
            from case

Symbol      Parameter                                         BTA / BTB16-... B

                                                        400   600          700           800

VDRM        Repetitive peak off-state voltage           400   600          700           800
VRRM        Tj = 125 C

March 1995
BTA16 B / BTB16 B

THERMAL RESISTANCES

     Symbol                           Parameter                                             Value               Unit
     Rth (j-a) Junction to ambient                                                            60                C/W
                                                                                                                C/W
Rth (j-c) DC Junction to case for DC                                           BTA               2.9
                                                                                                                C/W
                                                                               BTB               2.3
                                                                                                                Unit
Rth (j-c) AC Junction to case for 360 conduction angle                        BTA               2.2             mA
                                                                                                                  V
            ( F= 50 Hz)                                                                                           V
                                                                                                                 s
                                                                               BTB               1.75            mA
                                                                                                                 mA
GATE CHARACTERISTICS (maximum values)                                          VGM = 16V (tp = 20 s).            V
                                                                                                                 mA
PG (AV) = 1W PGM = 10W (tp = 20 s) IGM = 4A (tp = 20 s)                                                       V/s
                                                                                                                V/s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol                       Test Conditions                                   Quadrant                 Suffix
                                                                                                           B
     IGT    VD=12V (DC) RL=33                            Tj=25C                I-II-III    MAX           50
                                                                                  IV        MAX
     VGT    VD=12V (DC) RL=33                            Tj=25C                            MAX          100
     VGD                                                 Tj=125C              I-II-III-IV  MIN           1.5
            VD=VDRM RL=3.3k                              Tj=25C               I-II-III-IV  TYP           0.2
      tgt                                                                      I-II-III-IV                 2
            VD=VDRM IG = 500mA
       IL   dIG/dt = 3A/s                               Tj=25C               I-III-IV     TYP         40

            IG=1.2 IGT

                                                                                    II                  70

      IH *  IT= 500mA gate open                          Tj=25C                            MAX         50

     VTM *  ITM= 22.5A tp= 380s                         Tj=25C                            MAX         1.6

     IDRM   VDRM Rated                                   Tj=25C                            MAX         0.01
     IRRM   VRRM Rated
                                                         Tj=125C                           MAX         2

dV/dt *     Linear slope up to VD=67%VDRM                Tj=125C                           MIN         250
            gate open

(dV/dt)c * (dI/dt)c = 7A/ms                              Tj=125C                           MIN         10

* For either polarity of electrode A2 voltage with reference to electrode A1.

2/5
Fig.1 : Maximum RMS power dissipation versus RMS                                            BTA16 B / BTB16 B
on-state current (F=50Hz).
(Curves are cut off by (dI/dt)c limitation)                     Fig.2 : Correlation between maximum RMS power
                                                                dissipation and maximum allowable temperatures (Tamb
                                                                and Tcase) for different thermal resistances heatsink +
                                                                contact (BTA).

Fig.3 : Correlation between maximum RMS power                   Fig.4 : RMS on-state current versus case temperature.

dissipation and maximum allowable temperatures (Tamb
and Tcase) for different thermal resistances heatsink +
contact (BTB).

Fig.5 : Relative variation of thermal impedance versus          Fig.6 : Relative variation of gate trigger current and
pulse duration.                                                 holding current versus junction temperature.

  Zth/Rth
1

                 Zt h( j-c)

0.1                                 Zt h(j-a)

0.01       1E-2  1E-1        1E +0                      tp( s)
   1E-3                             1E+1 1E+2 5E+2

                                                                3/5
BTA16 B / BTB16 B                                   Fig.8 : Non repetitive surge peak on-state current for a
                                                    sinusoidal pulse with width : t  10ms, and
Fig.7 : Non Repetitive surge peak on-state current  corresponding value of I2t.
versus number of cycles.

Fig.9 : On-state characteristics (maximum values).

4/5
                                                                                     BTA16 B / BTB16 B

PACKAGE MECHANICAL DATA
TO220AB Plastic

                                                                               REF.  DIMENSIONS

                                                                                 A   Millimeters  Inch es
                                                                                 B
A                                                              H                 C   Min. Max. Min. Max.
                G                                      J                         D
                                                                                 F   10.20 10.50 0.401 0.413
                                                                                 G
                                                                                 H   14.23 15.87 0.560 0.625
                                                                                  I
I                                                                                J   12.70 14.70 0.500 0.579
                                      D                                          L
                                                    B                            M   5.85 6.85 0.230 0.270
                                                                                 N
                                                                                 O   4.50         0.178
                                                                                 P
                                                                                     2.54 3.00 0.100 0.119

                                                                                     4.48 4.82 0.176 0.190

             O                       F                                               3.55 4.00 0.140 0.158
P                                                                           L
                                                                                     1.15 1.39 0.045 0.055
           = N=                                  C
                                                                                     0.35 0.65 0.013 0.026
                                                                           M
                                                                                     2.10 2.70 0.082 0.107

                                                                                     4.58 5.58 0.18 0.22

                                                                                     0.80 1.20 0.031 0.048

                                                                                     0.64 0.96 0.025 0.038

Cooling method : C
Marking : type number
Weight : 2.3 g
Recommended torque value : 0.8 m.N.
Maximum torque value : 1 m.N.

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